JPS62113031A - レ−ザパワ−測定方法 - Google Patents
レ−ザパワ−測定方法Info
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- JPS62113031A JPS62113031A JP25288485A JP25288485A JPS62113031A JP S62113031 A JPS62113031 A JP S62113031A JP 25288485 A JP25288485 A JP 25288485A JP 25288485 A JP25288485 A JP 25288485A JP S62113031 A JPS62113031 A JP S62113031A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザパワーを測定するレーザパワー測定方
法に関Ｊるものである。
法に関Ｊるものである。
（従来技術）
従来のレーザパワーを測定するレーザパワーメータは、
第３図に示すように熱伝導性基板１の被測定レーザ光２
の前年１側の而に黒化吸収面３を設り、この黒化吸収面
３に対して同心状に基板１に熱電対４と冷却ジャケラ］
・５を設けた構造であった。かかるレーザパワーメータ
では、被測定レーザ光２を黒化吸収面３で熱エネルギー
に変換し、基板１の温度上昇を熱電対４で電気的に検出
することにより被測定シー１ｆ光２のパワーの測定を行
っていた。
第３図に示すように熱伝導性基板１の被測定レーザ光２
の前年１側の而に黒化吸収面３を設り、この黒化吸収面
３に対して同心状に基板１に熱電対４と冷却ジャケラ］
・５を設けた構造であった。かかるレーザパワーメータ
では、被測定レーザ光２を黒化吸収面３で熱エネルギー
に変換し、基板１の温度上昇を熱電対４で電気的に検出
することにより被測定シー１ｆ光２のパワーの測定を行
っていた。
（発明が解決しＪ：うとする問題点）
しかしｌ＞がら、このようなレーザパワーの測定の仕方
では、パワーレベルが高くなると、大熱量を扱うことに
なり、構造上の制約、冷却上の制約、黒化吸収面３の耐
久性等により設計が困難になり、安定な測定ができにく
い問題点があった。例えば、銅製の厚さ１０＃１Ｉｌ１
１７）基板１に６９Ｍの内径で冷却ジ１１ケッ］〜５を
設け、黒化吸収面３にビーム径が４０＃で５にＷの被測
定し＝ザ光２を入射させた場合、基板１の中心の温度上
昇は２８０℃になり、黒化吸収面３が損傷される問題点
があっＩご。基板１の厚さを厚くすれば、温度上胃は少
なくなるが、誤差が発生し、また冷却ジャケット５０設
泪］−の点からも余り厚くはできない。
では、パワーレベルが高くなると、大熱量を扱うことに
なり、構造上の制約、冷却上の制約、黒化吸収面３の耐
久性等により設計が困難になり、安定な測定ができにく
い問題点があった。例えば、銅製の厚さ１０＃１Ｉｌ１
１７）基板１に６９Ｍの内径で冷却ジ１１ケッ］〜５を
設け、黒化吸収面３にビーム径が４０＃で５にＷの被測
定し＝ザ光２を入射させた場合、基板１の中心の温度上
昇は２８０℃になり、黒化吸収面３が損傷される問題点
があっＩご。基板１の厚さを厚くすれば、温度上胃は少
なくなるが、誤差が発生し、また冷却ジャケット５０設
泪］−の点からも余り厚くはできない。
本発明の目的は、黒化吸収面等の問題点を回避して高出
力のレーザパワーも容易に測定ηることができるレーザ
パワー測定方法を提供することに′ある。 ・ （問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するための本発明の手段を、実施例に
対応する第１図及び第２図を参照して説明すると、本発
明は被測定レーザ光２は透過させ測定制御レーザ光７は
吸収してその部分では前記被測定レーザ光２を反射させ
る特性を有する半導体基板６を用い、前記被測定レーザ
光２が照射される位置に前記測定制御レーザ光７を照射
し、前記被測定レーザ光２が前記半導体基板６を軒てセ
ンサ８に入射される時間を、前記測定制御レーザ光７の
照射時間を制御することにより制御することを特徴とす
る。
力のレーザパワーも容易に測定ηることができるレーザ
パワー測定方法を提供することに′ある。 ・ （問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するための本発明の手段を、実施例に
対応する第１図及び第２図を参照して説明すると、本発
明は被測定レーザ光２は透過させ測定制御レーザ光７は
吸収してその部分では前記被測定レーザ光２を反射させ
る特性を有する半導体基板６を用い、前記被測定レーザ
光２が照射される位置に前記測定制御レーザ光７を照射
し、前記被測定レーザ光２が前記半導体基板６を軒てセ
ンサ８に入射される時間を、前記測定制御レーザ光７の
照射時間を制御することにより制御することを特徴とす
る。
（ｆｌ用）
このようにして測定を行うと、センサ８に入射される被
測定レーザ光２は、そのエネルギーに応じて照射時間が
短時間に制限され、従ってセンサ８の温度−１−屏が抑
制される。このため、高出力でも支障なく測定できる。
測定レーザ光２は、そのエネルギーに応じて照射時間が
短時間に制限され、従ってセンサ８の温度−１−屏が抑
制される。このため、高出力でも支障なく測定できる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して訂細に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示したものである。本実
施例では被測定レーザ光２の光路に斜視させて半導体基
板６を設置する。この半導体基板６は、被測定レーザ光
２は透過させ、測定制御レーザ光７は吸収してその部分
では自由電子が発生し被測定レー晋ア光２を反射させる
特性を有Ｍる。このにうな半導体基板６としては、例え
ばゲルマニウム板を用いる。ゲルマニウムは、波長が０
．５〜１．５μｍでは吸収特性をもち、自由電子の発生
が犬であり、波長が３〜１５μｍでは透過特性をもって
いるので、被測定レーザ光２としてはＧｏ、ＣＯ２レー
ザ光、測定制御レーク“光７としてはレビーレーザ光や
ＹＡＧレーザ光が適当である。測定制御レーザ光７は、
被測定レーザ光２が当たる半導体基板６の位置と同じ位
置に、被測定レーザ光２のビームスポットと同しか或い
はそれより大きいビームスポットで当たるようにする。
施例では被測定レーザ光２の光路に斜視させて半導体基
板６を設置する。この半導体基板６は、被測定レーザ光
２は透過させ、測定制御レーザ光７は吸収してその部分
では自由電子が発生し被測定レー晋ア光２を反射させる
特性を有Ｍる。このにうな半導体基板６としては、例え
ばゲルマニウム板を用いる。ゲルマニウムは、波長が０
．５〜１．５μｍでは吸収特性をもち、自由電子の発生
が犬であり、波長が３〜１５μｍでは透過特性をもって
いるので、被測定レーザ光２としてはＧｏ、ＣＯ２レー
ザ光、測定制御レーク“光７としてはレビーレーザ光や
ＹＡＧレーザ光が適当である。測定制御レーザ光７は、
被測定レーザ光２が当たる半導体基板６の位置と同じ位
置に、被測定レーザ光２のビームスポットと同しか或い
はそれより大きいビームスポットで当たるようにする。
被測定レーザ光２が半導体基板６で反射し反射光が通る
光路上の位置にはセンサを配置して受光し、パワーを電
気的に検出し、これを増幅・表示器９で増幅して表示さ
せるようになっている。
光路上の位置にはセンサを配置して受光し、パワーを電
気的に検出し、これを増幅・表示器９で増幅して表示さ
せるようになっている。
半導体基板６を透過した被測定レーザ光２が通る光路上
には、黒化吸収・冷却器１０を配置し、不要レーザ光を
吸収させるようになっている。
には、黒化吸収・冷却器１０を配置し、不要レーザ光を
吸収させるようになっている。
かかる状態で、測定制御レーザ光７はパルス状として繰
り返し半導体基板６に照射する。その同じ半導体基板６
上の位置に被測定レーザ光２を連続的に照射する。かく
すると、測定制御レーザ光７が照射されている時は、そ
の部分が半導体基板６に自由電子が発生し、反射特性を
もつようになって被測定レーザ光２の一部を反射させる
。この反射された被測定レーザ光２をセンサ８で平均値
として検出し、その値を増幅・表示器９に表示させる。
り返し半導体基板６に照射する。その同じ半導体基板６
上の位置に被測定レーザ光２を連続的に照射する。かく
すると、測定制御レーザ光７が照射されている時は、そ
の部分が半導体基板６に自由電子が発生し、反射特性を
もつようになって被測定レーザ光２の一部を反射させる
。この反射された被測定レーザ光２をセンサ８で平均値
として検出し、その値を増幅・表示器９に表示させる。
測定制御レーザ光７が照射されていない時は、被測定レ
ーザ光２は半導体基板６を透過し、黒化吸収・冷却器１
０で吸収され冷却される。測定制御レーザ光７の照射時
間を短かくすることにより、センサ８に入射する被測定
レーザ光２の平均パワーを小さくすることができるので
、小電力用のセンサ８で安定して大電力の測定ができる
ようになる。測定制御レーザ光７による半導体基板６の
反射率を予め測定しておくことにより、センサ８には被
測定レーザ光２のパワーに比例したパワーが照射されて
いるので、増幅・表示器９で比例定数等を掛けることに
より被測定レーザ光２の正しい測定が行える。
ーザ光２は半導体基板６を透過し、黒化吸収・冷却器１
０で吸収され冷却される。測定制御レーザ光７の照射時
間を短かくすることにより、センサ８に入射する被測定
レーザ光２の平均パワーを小さくすることができるので
、小電力用のセンサ８で安定して大電力の測定ができる
ようになる。測定制御レーザ光７による半導体基板６の
反射率を予め測定しておくことにより、センサ８には被
測定レーザ光２のパワーに比例したパワーが照射されて
いるので、増幅・表示器９で比例定数等を掛けることに
より被測定レーザ光２の正しい測定が行える。
第２図は本発明の他の実施例を示したものである。この
実施例では、被測定レーザ光２が半導体基板６を通過し
て通る光路上にセンサ８を配置し、被測定レーザ光２が
艮ｑ・１シて通る光路十に黒化吸収・冷７ＪＩ器１０を
配ｔｔ’７ シている、。
実施例では、被測定レーザ光２が半導体基板６を通過し
て通る光路上にセンサ８を配置し、被測定レーザ光２が
艮ｑ・１シて通る光路十に黒化吸収・冷７ＪＩ器１０を
配ｔｔ’７ シている、。
かかる状態′Ｃ−崖導体！、！根６に被測定１ノ−ザ光
２を連続的に印加し、’［の印加箇所（Ｊ測定制御レ−
リ゛Ｗ、 ７をパルス状ｔこ繰り返し印＋１１１ ’！
Ｊる。かくりるど、測定制御レーリ゛光７が照ＩＧ＋さ
れＣいる時（、＋１被測定レ−リ“光２は反ＩＪ＝１さ
れ、黒化吸収・冷却器１０で吸収・冷ＩＪｌされる１、
測定制御レーリ°光２が照射（′５れでいない時には、
被測定レーリ！尤２は半導体ＩＡ根（３を透過してレン
リ８に繰Ｖ）返し人（ト１され、平均値として検出され
、これが増幅・表示器９で表示される。
２を連続的に印加し、’［の印加箇所（Ｊ測定制御レ−
リ゛Ｗ、 ７をパルス状ｔこ繰り返し印＋１１１ ’！
Ｊる。かくりるど、測定制御レーリ゛光７が照ＩＧ＋さ
れＣいる時（、＋１被測定レ−リ“光２は反ＩＪ＝１さ
れ、黒化吸収・冷却器１０で吸収・冷ＩＪｌされる１、
測定制御レーリ°光２が照射（′５れでいない時には、
被測定レーリ！尤２は半導体ＩＡ根（３を透過してレン
リ８に繰Ｖ）返し人（ト１され、平均値として検出され
、これが増幅・表示器９で表示される。
（発明の効甲）
以ト説明したように本発明に係るレーク“バリー測定方
法では、半導体基板を介し−（［ンリに人口・１される
被測定レーリ゛光の入用］１．目１１１を、この崖導体
基板に照射づる測定制御レーザ光ににり制御しているの
で、ＩＫンサの温度−ト譬を抑制して測定を行うことが
できる。従って、高出力でも小電力用のｌ！ンリ−（゛
安定して測定することができる。
法では、半導体基板を介し−（［ンリに人口・１される
被測定レーリ゛光の入用］１．目１１１を、この崖導体
基板に照射づる測定制御レーザ光ににり制御しているの
で、ＩＫンサの温度−ト譬を抑制して測定を行うことが
できる。従って、高出力でも小電力用のｌ！ンリ−（゛
安定して測定することができる。
第１図及び第２図（よ本発明に係るレーザパワー測定ｊ
〕法を実施づ−る装冒の第１．第２の実施例の概略構成
図、第３図は従来のレーザパワー測定装Ｗｌの要部縦断
面図である。 ２・・・被測定１ノーす光、６・・・半導体基板、７・
・・測定制御レーク“光、８・・・レン寸。
〕法を実施づ−る装冒の第１．第２の実施例の概略構成
図、第３図は従来のレーザパワー測定装Ｗｌの要部縦断
面図である。 ２・・・被測定１ノーす光、６・・・半導体基板、７・
・・測定制御レーク“光、８・・・レン寸。
Claims (1)
- 被測定レーザ光は透過させ測定制御レーザ光は吸収して
その部分では前記被測定レーザ光を反射させる特性を有
する半導体基板を用い、前記被測定レーザ光が照射され
る位置に前記測定制御レーザ光を照射し、前記被測定レ
ーザ光が前記半導体基板を経てセンサに入射される時間
を、前記測定制御レーザ光の照射時間を制御することに
より制御することを特徴とするレーザパワー測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25288485A JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25288485A JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113031A true JPS62113031A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH0458890B2 JPH0458890B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=17243499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25288485A Granted JPS62113031A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | レ−ザパワ−測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610827U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 株式会社自由電子レーザ研究所 | レーザ光および電子ビームの検出器 |
| BE1007005A3 (nl) * | 1993-04-16 | 1995-02-14 | Vito | Inrichting voor het bepalen van het vermogen van een energieflux. |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP25288485A patent/JPS62113031A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610827U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 株式会社自由電子レーザ研究所 | レーザ光および電子ビームの検出器 |
| BE1007005A3 (nl) * | 1993-04-16 | 1995-02-14 | Vito | Inrichting voor het bepalen van het vermogen van een energieflux. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458890B2 (ja) | 1992-09-18 |
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