JPS6210908A - マイクロ波増幅装置 - Google Patents
マイクロ波増幅装置Info
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- JPS6210908A JPS6210908A JP14946385A JP14946385A JPS6210908A JP S6210908 A JPS6210908 A JP S6210908A JP 14946385 A JP14946385 A JP 14946385A JP 14946385 A JP14946385 A JP 14946385A JP S6210908 A JPS6210908 A JP S6210908A
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- bias circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はマイクロ波集積回路またはモノリシックマイ
クロ波集積回路で構成される外囲器入りマイクロ波増幅
器を基板上で多段接続したマイクロ波増幅装置に係り、
特に各増幅器にバイアス電圧を供給するバイアス回路の
構造に関づる。
クロ波集積回路で構成される外囲器入りマイクロ波増幅
器を基板上で多段接続したマイクロ波増幅装置に係り、
特に各増幅器にバイアス電圧を供給するバイアス回路の
構造に関づる。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年マイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと称する）の小形
化及びモノリシックＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと称する）の
開発によりマイクロ波増幅器の小形化が実現されている
。これらＭ Ｉ Ｃ（またはＭＭＩＧ）増幅器は、例え
ば第５図（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の側面図に示す
ような外囲器に組込まれている。すなわちＭ Ｉ Ｇ基
板（あるいはＭ ＭｔＣチップ）１１は外囲器の本体１
２にマウントされ、回路の＾周波入力端子、出力端子及
びバイアス端子がそれぞれ外囲器のビン１３〜１５に接
続されている。この外囲器入りマイクロ波増幅器の等価
回路は、第６図に示すように、ＦＥＴ等の増幅素子１６
ど入出力部の整合回路１７．１８で構成され、ドレイン
のバイアスは高周波チミーク１９及び高周波短絡キＶパ
シタ２０を介してバイアス端子１５から供給される。
化及びモノリシックＭＩＣ（以下ＭＭＩＣと称する）の
開発によりマイクロ波増幅器の小形化が実現されている
。これらＭ Ｉ Ｃ（またはＭＭＩＧ）増幅器は、例え
ば第５図（ａ）の上面図及び同図（ｂ）の側面図に示す
ような外囲器に組込まれている。すなわちＭ Ｉ Ｇ基
板（あるいはＭ ＭｔＣチップ）１１は外囲器の本体１
２にマウントされ、回路の＾周波入力端子、出力端子及
びバイアス端子がそれぞれ外囲器のビン１３〜１５に接
続されている。この外囲器入りマイクロ波増幅器の等価
回路は、第６図に示すように、ＦＥＴ等の増幅素子１６
ど入出力部の整合回路１７．１８で構成され、ドレイン
のバイアスは高周波チミーク１９及び高周波短絡キＶパ
シタ２０を介してバイアス端子１５から供給される。
ところで、上記外囲器入りの増幅器の利得は通常２０ｄ
Ｂ程度であるので、複数個の増幅器を縦続接続すること
によって高利得のマイクロ波増幅装置に実現する。第７
図に３個の増幅器を縦続接続した場合の従来の構造を承
り。尚、第７図に１３いて（１１１１）図は土面図、（
ｂ）図は側面図である。
Ｂ程度であるので、複数個の増幅器を縦続接続すること
によって高利得のマイクロ波増幅装置に実現する。第７
図に３個の増幅器を縦続接続した場合の従来の構造を承
り。尚、第７図に１３いて（１１１１）図は土面図、（
ｂ）図は側面図である。
すなわち、図中符号２１ａ−２１ｃは外囲器入りのＮｉ
ＩＣ増幅器で、各増幅器２１ａ〜２１ｃの接地部１よそ
れぞれ誘導体基板２２の裏面に形成した接地導体２３に
接続され、高周波入出力端子１３ａ〜１３ｃ 、 １４
ａ〜１４ｃはそれぞれ誘電体基板２２上に形成されたマ
イクロストリップ線路２４ａ〜２４（ｊに接続されてい
る。一方、バイアス端子１５ａ−１５ｃはそれぞれ誘電
体基板２２上に形成したバイアス回路パターン２５ａ〜
２５ｃに接続され、さらに回路パターン２６、高周波短
絡キャパシタ２７を介して接地されている。
ＩＣ増幅器で、各増幅器２１ａ〜２１ｃの接地部１よそ
れぞれ誘導体基板２２の裏面に形成した接地導体２３に
接続され、高周波入出力端子１３ａ〜１３ｃ 、 １４
ａ〜１４ｃはそれぞれ誘電体基板２２上に形成されたマ
イクロストリップ線路２４ａ〜２４（ｊに接続されてい
る。一方、バイアス端子１５ａ−１５ｃはそれぞれ誘電
体基板２２上に形成したバイアス回路パターン２５ａ〜
２５ｃに接続され、さらに回路パターン２６、高周波短
絡キャパシタ２７を介して接地されている。
尚、図中符号２８〜３０はそれぞれ入力端子、出力端子
及びバイアス端子である。
及びバイアス端子である。
ここで、上記マイクロ波増幅器胃の等価回路を第８図に
示し、特にバイアス回路の等価回路を第９図に示し、こ
れらを参照してバイス回路について考える。すなわち、
ＭＩＣ（またはＭＭＴＣ）増幅器２１ａ〜２１ｃの内部
では前述したＦ１７パシタ゛２０ａ・−２（）Ｃで高周
波を短絡しているが、その４部でＣＪ、線路長の比較的
長いバイアス回路パターン２５ａ 、 ２５ｃ及び２６
にそれぞれ対応したインタフタ３１ａ 、 ３１ｃ及び
３２で相互接続され、ざらにキ１７パシタ２７で高周波
を短絡している。どころが、各Ｍモノ。
示し、特にバイアス回路の等価回路を第９図に示し、こ
れらを参照してバイス回路について考える。すなわち、
ＭＩＣ（またはＭＭＴＣ）増幅器２１ａ〜２１ｃの内部
では前述したＦ１７パシタ゛２０ａ・−２（）Ｃで高周
波を短絡しているが、その４部でＣＪ、線路長の比較的
長いバイアス回路パターン２５ａ 、 ２５ｃ及び２６
にそれぞれ対応したインタフタ３１ａ 、 ３１ｃ及び
３２で相互接続され、ざらにキ１７パシタ２７で高周波
を短絡している。どころが、各Ｍモノ。
状の制限により完全に高周波を短絡することができない
ため、高周波電力の一部がバイアス回路へ漏れてくるこ
とがある。特に最終段においては信号レベルが大きいた
め、漏れ電力がバイアス端子１５ｃを介して前段増幅器
２１ｂのバイアス回路に帰還されてしまう。さらに、バ
イアス回路に設けたパターン２６はインタフタ３２とな
るため、分岐点３３は完全に接地電位とならない。この
ため、増幅器２１ｃからの漏れ電力は増幅器２１ａにも
帰還される。
ため、高周波電力の一部がバイアス回路へ漏れてくるこ
とがある。特に最終段においては信号レベルが大きいた
め、漏れ電力がバイアス端子１５ｃを介して前段増幅器
２１ｂのバイアス回路に帰還されてしまう。さらに、バ
イアス回路に設けたパターン２６はインタフタ３２とな
るため、分岐点３３は完全に接地電位とならない。この
ため、増幅器２１ｃからの漏れ電力は増幅器２１ａにも
帰還される。
したがって、上記のように構成した従来のマイクロ波増
幅装置では、上記帰還電りンの位相が正相どなる周波数
において、多段接続した各増幅器の利（ｑが増加してし
まったり、また動作が不安定となるという問題が生じる
。特に、増幅器の所望の帯域内では、各部の高周波短絡
キャパシタの一インピーダンスが低く（【るのに対し、
設ｉｔ した帯域Ｊ：り低い周波数でインピーダンスが
高くなるため帰還−が増加することになり、まずます不
安定性が大きくなってしまう。
幅装置では、上記帰還電りンの位相が正相どなる周波数
において、多段接続した各増幅器の利（ｑが増加してし
まったり、また動作が不安定となるという問題が生じる
。特に、増幅器の所望の帯域内では、各部の高周波短絡
キャパシタの一インピーダンスが低く（【るのに対し、
設ｉｔ した帯域Ｊ：り低い周波数でインピーダンスが
高くなるため帰還−が増加することになり、まずます不
安定性が大きくなってしまう。
［発明の目的１
この発明は上記のような問題を改善するためになされた
もので、同一基板に複数個のマイクロ波増幅器を多段接
続し、バイアス電圧を分岐して各増幅器に供給する場合
でも、特′定の周波数で増大するバイアス回路への霜力
帰３！ｌ＠を低減することができ、これによって広い周
波数にわたって安定した動作が得られるマイク［Ｉ波増
幅装置を提供することを目的とする。
もので、同一基板に複数個のマイクロ波増幅器を多段接
続し、バイアス電圧を分岐して各増幅器に供給する場合
でも、特′定の周波数で増大するバイアス回路への霜力
帰３！ｌ＠を低減することができ、これによって広い周
波数にわたって安定した動作が得られるマイク［Ｉ波増
幅装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち、この発明に係るマイクロ波増幅装置は、複数
個のマイクロ波増幅器を同一基板上で縦続接続し、各増
幅器に対して同一のバイアス電圧を分岐させて供給する
ようにバイアス回路バターンを形成してなるものにおい
て、前記バイアス回路パターンの分岐点前に第１の抵抗
を介在させ、１ｆｆｉ記バイアス回路パターンの分岐点
と前記各増幅器との間にそれぞれ第２の抵抗を介在させ
るようにしたことを特徴とするものである。
個のマイクロ波増幅器を同一基板上で縦続接続し、各増
幅器に対して同一のバイアス電圧を分岐させて供給する
ようにバイアス回路バターンを形成してなるものにおい
て、前記バイアス回路パターンの分岐点前に第１の抵抗
を介在させ、１ｆｆｉ記バイアス回路パターンの分岐点
と前記各増幅器との間にそれぞれ第２の抵抗を介在させ
るようにしたことを特徴とするものである。
［発明の実施例］
以下、第１図乃至第４図を参照してこの弁明の一実施例
について詳細に説明する。但し、第１図乃至第３図にお
いて、第７図乃至第９図と同一部分には同一符号を付し
て示し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
について詳細に説明する。但し、第１図乃至第３図にお
いて、第７図乃至第９図と同一部分には同一符号を付し
て示し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
第１図はその構成を示すもので、前記Ｍ Ｉ Ｇ増幅器
２１ａ〜２１ｃの各バイアス端子１５ａ〜１５ｃはそれ
ぞれバイアス回路パターン３４８〜３４ｃに接続される
。これらのバイアス回路パターン３４ａ〜３４ｃはそれ
ぞれ抵抗３５ａ〜３５ｃを介して前記バイアス回路パタ
ーン２５ａ 、 ２５ｃに接続される。これらのバイア
ス回路パターン２５ａ 、 ２５ｃは分岐点３３から延
長される回路パターン２６を介して抵抗３６に接続され
る。この抵抗３６はバイアス供給端子３０及び高−〇− 周波短絡キャパシタ２７を接続した回路パターン３１に
接続される。
２１ａ〜２１ｃの各バイアス端子１５ａ〜１５ｃはそれ
ぞれバイアス回路パターン３４８〜３４ｃに接続される
。これらのバイアス回路パターン３４ａ〜３４ｃはそれ
ぞれ抵抗３５ａ〜３５ｃを介して前記バイアス回路パタ
ーン２５ａ 、 ２５ｃに接続される。これらのバイア
ス回路パターン２５ａ 、 ２５ｃは分岐点３３から延
長される回路パターン２６を介して抵抗３６に接続され
る。この抵抗３６はバイアス供給端子３０及び高−〇− 周波短絡キャパシタ２７を接続した回路パターン３１に
接続される。
第２図は上記構成のマイクロ波増幅１！置の等価回路、
第３図は特にバイアス回路の等価回路を示しており、以
下これらの図を参照してその動作について説明する。
第３図は特にバイアス回路の等価回路を示しており、以
下これらの図を参照してその動作について説明する。
すなわち、バイアス供給端子３０からのバイアス電圧は
その高周波成分がキャパシタ２７によって短絡された後
、抵抗３６及び回路パターン２６によるインダクタ３２
を介して分峙点３３に供給される。そし。
その高周波成分がキャパシタ２７によって短絡された後
、抵抗３６及び回路パターン２６によるインダクタ３２
を介して分峙点３３に供給される。そし。
て、このバイアス電圧は３方に分岐され、回路パターン
２５ａのインダクタ３１ａ及び抵抗３５ａを介して増幅
器２１ａに供給され、回路パターン２５ｃのインダクタ
３１ｃ及び抵抗３５ｃを介して増幅器２１ｃに供給され
る。ここで、増幅器２１ａ〜２１ｃからは前述したよう
に漏れ電力が生じることがあるが、この漏れ電力はバイ
アス回路帰還時に抵抗３５ａ −・３５ｃ 、 ３６に
吸収される。特に、回路のインダクタ及びキャパシタに
よる時定数を考慮して抵抗値を設定することにより、特
定の周波数における帰ｊ！電力を低減することができる
。
２５ａのインダクタ３１ａ及び抵抗３５ａを介して増幅
器２１ａに供給され、回路パターン２５ｃのインダクタ
３１ｃ及び抵抗３５ｃを介して増幅器２１ｃに供給され
る。ここで、増幅器２１ａ〜２１ｃからは前述したよう
に漏れ電力が生じることがあるが、この漏れ電力はバイ
アス回路帰還時に抵抗３５ａ −・３５ｃ 、 ３６に
吸収される。特に、回路のインダクタ及びキャパシタに
よる時定数を考慮して抵抗値を設定することにより、特
定の周波数における帰ｊ！電力を低減することができる
。
例えば、各増幅器２１ａ〜２１ｃの内部に組込んだキャ
パシタ２０ａ〜２（ｌｃの各容量値を３０ｐＦ、バイア
ス回路パターンのインダクタ３１ａ 、 ３１ｃの合価
を２ｎＨ１−バイアス供給端子３０側のキャパシタ２７
の容量値を１０００ｐＦとすると、第７図に示した従来
の増幅装置では増幅器２１ｃから２１ａへの帰）！量が
第４図中破線で示すように０．４〜０．７ＧＨ２近傍で
増大する。この場合、前述したように多段接続した増幅
器においては利得が増大したり、発１辰したりすること
がある。これに対し、第１図に示したように抵抗３５ａ
〜３５ｃ 、 ３６を介在させ、その抵抗値をそれぞれ
５Ωとした場合の帰還量は、第４図中実線で示すように
、第７図の場合に比して１０ｄＢ以上小さく押えること
ができる。尚、バイアス電圧を増大させる必要がない範
囲で、バイアス回路の時定数を小さくするように極力抵
抗値を大きくずれば、さらにその効果を高めることがで
きる。
パシタ２０ａ〜２（ｌｃの各容量値を３０ｐＦ、バイア
ス回路パターンのインダクタ３１ａ 、 ３１ｃの合価
を２ｎＨ１−バイアス供給端子３０側のキャパシタ２７
の容量値を１０００ｐＦとすると、第７図に示した従来
の増幅装置では増幅器２１ｃから２１ａへの帰）！量が
第４図中破線で示すように０．４〜０．７ＧＨ２近傍で
増大する。この場合、前述したように多段接続した増幅
器においては利得が増大したり、発１辰したりすること
がある。これに対し、第１図に示したように抵抗３５ａ
〜３５ｃ 、 ３６を介在させ、その抵抗値をそれぞれ
５Ωとした場合の帰還量は、第４図中実線で示すように
、第７図の場合に比して１０ｄＢ以上小さく押えること
ができる。尚、バイアス電圧を増大させる必要がない範
囲で、バイアス回路の時定数を小さくするように極力抵
抗値を大きくずれば、さらにその効果を高めることがで
きる。
したがって、上記のように構成したマイクロ波増幅装置
は、バイアス回路を経由する漏れ電力の帰還量を小さく
覆ることかできるので、増幅器の不安定な動作を充分小
ざくすることができる。
は、バイアス回路を経由する漏れ電力の帰還量を小さく
覆ることかできるので、増幅器の不安定な動作を充分小
ざくすることができる。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、同一基板に複数
個のマイクロ波増幅器を多段接続し、バイアス電圧を分
岐して各増幅器に供給する場合でも、特定の周波数で増
大するバイアス回路への電力帰還量を低減することがで
き、これによって広い周波数にわたって安定した動作が
得られるマイクロ波増幅装置を提供することができる。
個のマイクロ波増幅器を多段接続し、バイアス電圧を分
岐して各増幅器に供給する場合でも、特定の周波数で増
大するバイアス回路への電力帰還量を低減することがで
き、これによって広い周波数にわたって安定した動作が
得られるマイクロ波増幅装置を提供することができる。
第１図はこの発明に係るマイクロ波増幅装置の一実施例
を示す構成図、第２図は同実施例の増幅装置の等価回路
を示す回路図、第３図は同実施例の特にバイアス回路の
等価回路を示す回路図、第４図は同実施例の増幅装置の
効果を説明するための特性図、第５図はマイクロ波増幅
器の構造を示す構成図、第６図は第５図のマイクロ波増
幅器の等価回路を示す回路図、第７図は従来のマイクロ
波増幅装置の構成を示す回路図、第８図は第７図の増幅
装置の等価回路を示す回路図、第９図は第７図のバイア
ス回路の等価回路を示す回路図である。 １１・・・ＭＩＣ基板またはＭＭＴＣチップ、１２・・
・外囲器本体、１３・・・入力端子、１４・・・出力端
子、１５・・・バイアス端子、１６・・・ＦＥＴ、 １
７．１８・・・整合回路、１９・・・インダクタ、３０
・・・キャパシタ、２１ａ〜２１ｃ・・・Ｎ４■Ｃ増幅
器、２２・・・誘電体基板、２３・・・接地導体、２４
ａ〜２４ｄ・・・マイクロストリップ線路、２５ａ〜２
５ｃ 、 ２６．３４ａ 〜３４ｃ 、 ３７−＝バイ
アス回路パターン、２７・・・キャパシタ、２８・・・
入力端子、２９・・・出力端子、３０・・・バイアス供
給端子、３５ａ〜３５ｃ 、 ３６・・・抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴汀武彦 −１０＝ 第１図 第３図 ０ ０５ １Ω １，５
２．０周波：１（ＧＨｚ） 第５図 第６図 ２１ａ ２１ｂ ２１ｃ 第７図
を示す構成図、第２図は同実施例の増幅装置の等価回路
を示す回路図、第３図は同実施例の特にバイアス回路の
等価回路を示す回路図、第４図は同実施例の増幅装置の
効果を説明するための特性図、第５図はマイクロ波増幅
器の構造を示す構成図、第６図は第５図のマイクロ波増
幅器の等価回路を示す回路図、第７図は従来のマイクロ
波増幅装置の構成を示す回路図、第８図は第７図の増幅
装置の等価回路を示す回路図、第９図は第７図のバイア
ス回路の等価回路を示す回路図である。 １１・・・ＭＩＣ基板またはＭＭＴＣチップ、１２・・
・外囲器本体、１３・・・入力端子、１４・・・出力端
子、１５・・・バイアス端子、１６・・・ＦＥＴ、 １
７．１８・・・整合回路、１９・・・インダクタ、３０
・・・キャパシタ、２１ａ〜２１ｃ・・・Ｎ４■Ｃ増幅
器、２２・・・誘電体基板、２３・・・接地導体、２４
ａ〜２４ｄ・・・マイクロストリップ線路、２５ａ〜２
５ｃ 、 ２６．３４ａ 〜３４ｃ 、 ３７−＝バイ
アス回路パターン、２７・・・キャパシタ、２８・・・
入力端子、２９・・・出力端子、３０・・・バイアス供
給端子、３５ａ〜３５ｃ 、 ３６・・・抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴汀武彦 −１０＝ 第１図 第３図 ０ ０５ １Ω １，５
２．０周波：１（ＧＨｚ） 第５図 第６図 ２１ａ ２１ｂ ２１ｃ 第７図
Claims (1)
- 複数個のマイクロ波増幅器を同一基板上で縦続接続し、
各増幅器に対して同一のバイアス電圧を分岐させて供給
するようにバイアス回路パターンを形成してなるマイク
ロ波増幅装置において、前記バイアス回路パターンの分
岐点前に第１の抵抗を介在させ、前記バイアス回路パタ
ーンの分岐点と前記各増幅器との間にそれぞれ第２の抵
抗を介在させるようにしたことを特徴とするマイクロ波
増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14946385A JPS6210908A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | マイクロ波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14946385A JPS6210908A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | マイクロ波増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210908A true JPS6210908A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15475677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14946385A Pending JPS6210908A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | マイクロ波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065464A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | マイクロ波回路 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14946385A patent/JPS6210908A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065464A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | マイクロ波回路 |
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