JPS62104094A - インコヒ−レント半導体レ−ザ素子 - Google Patents
インコヒ−レント半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS62104094A JPS62104094A JP24509785A JP24509785A JPS62104094A JP S62104094 A JPS62104094 A JP S62104094A JP 24509785 A JP24509785 A JP 24509785A JP 24509785 A JP24509785 A JP 24509785A JP S62104094 A JPS62104094 A JP S62104094A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- current
- region
- layer
- saturable absorption
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は素子自体に自励共振を生起せしめることにより
、コヒーレント（可干渉）長を短縮し、戻り光誘起雑音
等の発生を防止したインコヒーレント半導体レーザ素子
に関するものである。
、コヒーレント（可干渉）長を短縮し、戻り光誘起雑音
等の発生を防止したインコヒーレント半導体レーザ素子
に関するものである。
〈従来技術とその問題点〉
光通信、光計測、光情報処理等への半導体レーザの用途
拡大に伴って、コヒーレント（可干渉）長の十分に長い
半導体レーザが要求される反面、逆にコヒーレント長の
十分に短い半導体レーザも必要とされるようになった。
拡大に伴って、コヒーレント（可干渉）長の十分に長い
半導体レーザが要求される反面、逆にコヒーレント長の
十分に短い半導体レーザも必要とされるようになった。
軸モード幅が０．００３Ａ（＋ＯＯＭＨｚ）以下の狭い
ものはコヒーレント長が２ｍ以上と非常に長いが、素子
自体の出力光が光学系から帰還されることにより戻り光
誘起雑音が発生し易くなる。従って、このような半導体
レーザをビデオディスク、アナログ光通信あるいはファ
イバージャイロ等の光源として使用した場合、画像や信
号が乱れ易くなる。一方、軸モード幅が０、ＩＡ（３Ｇ
Ｈｚ） 以上の広いものはコヒーレント長が６ｃｍ以下
に短縮されるがこのようなインコヒーレント半導体レー
ザ素子を使用すれば安定した画像や信号が得られること
が確かめられている。
ものはコヒーレント長が２ｍ以上と非常に長いが、素子
自体の出力光が光学系から帰還されることにより戻り光
誘起雑音が発生し易くなる。従って、このような半導体
レーザをビデオディスク、アナログ光通信あるいはファ
イバージャイロ等の光源として使用した場合、画像や信
号が乱れ易くなる。一方、軸モード幅が０、ＩＡ（３Ｇ
Ｈｚ） 以上の広いものはコヒーレント長が６ｃｍ以下
に短縮されるがこのようなインコヒーレント半導体レー
ザ素子を使用すれば安定した画像や信号が得られること
が確かめられている。
コヒーレント長を短くするには軸モードをマルチモード
化する方式もあるが、レーザ素子自体の雑音が大きくな
り望ましくない。しかしながら、マルチモード化すると
同時に一本毎の軸モード幅を広くすれば、レーザ自体の
雑音を大きくすることなくコヒーレント長を短かくする
ことができることが判明した。このような軸モードの幅
の広い半導体レーザを実現する手段の一つとして光導波
路の一部に可飽和吸収領域を導入する方式がある。
化する方式もあるが、レーザ素子自体の雑音が大きくな
り望ましくない。しかしながら、マルチモード化すると
同時に一本毎の軸モード幅を広くすれば、レーザ自体の
雑音を大きくすることなくコヒーレント長を短かくする
ことができることが判明した。このような軸モードの幅
の広い半導体レーザを実現する手段の一つとして光導波
路の一部に可飽和吸収領域を導入する方式がある。
この領域では光が強くなると吸収が減る関係にあり、ま
た光とキャリアの立上がりには時間遅れがあるため、こ
れらの吸収及び光とキャリアの相互作用により数ＧＨｚ
の光強度のパルス状振動が起こる。これは自励共振と称
されている。この自励共振により、変調を受けて、軸モ
ードが幅広化することとなる。このような半導体レーザ
を製作するには可飽和吸収領域に流す電流値を適当に選
択する必要がある。
た光とキャリアの立上がりには時間遅れがあるため、こ
れらの吸収及び光とキャリアの相互作用により数ＧＨｚ
の光強度のパルス状振動が起こる。これは自励共振と称
されている。この自励共振により、変調を受けて、軸モ
ードが幅広化することとなる。このような半導体レーザ
を製作するには可飽和吸収領域に流す電流値を適当に選
択する必要がある。
〈発明の目的〉
本発明は可飽和吸収領域へ流す電流値の最適な範囲を与
えることにより、インコヒーレント半導体レーザを再現
性良く製造することのできる半導体レーザ素子の構造を
提供することを目的とする。
えることにより、インコヒーレント半導体レーザを再現
性良く製造することのできる半導体レーザ素子の構造を
提供することを目的とする。
〈実施例〉
第１図（８）０３）（Ｃ）は本発明の１実施例を示す半
導体レーザの構成図であり、第１図（３）は平面図、第
１図０３）はｘ−ｘ’断面図、第１図（Ｃ）はＹ−Ｙ’
断面図である。レーザ発振動作部となる共振器長し１を
有する光導波路１が素子内部に設けられており、この光
導波路１は中央部の長さしｇの可飽和吸収領域２とこれ
に続く両端の主領域３との連結体から成る。これらは浅
い溝４の部分で分離される。この溝４に連結されかつ光
導波路ｌと平行に深い溝５が形成されている。光導波路
ｌ及び溝４，５を内設する半導体レーザ素子はｐ−半導
体基板６上にキャリア閉じ込め用のｐ−クラツド層７レ
ーザ発振用のｐ（又はｎもしくはノンドープ）活性層８
、同じくキャリア閉じ込め用のｎ−クラッド層９を順次
積層してダブルへテロ接合構造とし、この上にオーミッ
クコンタクトを得るためのｎ−キャップ層１０を堆積し
た多層結晶構造から成り、キャップ層１０及び半導体基
板６には外部回路に接続されたｎ側電極１１及びｎ側電
極１２がそれぞれ装着されている。また電流狭窄のため
のストライブ構造として、半導体基板６とｐ−クラッド
層７の間にｎ−電流阻止層１３を介在させ、この電流阻
止層１３を７字溝によってストライブ状に半導体基板６
上から除去することにより電流通路を開通させた周知の
ＶＳＩＳ（Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄ Ｓｕｂ −５ｔｒ
ａｔｅ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）型内部ストライブ
構造が構成されている。レーザ発振動作部となり両端の
共振端面よりレーザ光を放射する光導波路１は上記７字
溝の直上の活性層８に対応し、溝４は第１図（Ｂ）で示
されるように光導波路ｌの直上でｎ側電極１１表面より
キャップ層１０を貫通してｎ −クラッド層９の界面に
達する浅い２つの領域で構成され、溝５は第１図Ｃ）で
示されるように光導波路ｌの側方でｎ側電極１１表面よ
り活性層８を貫通してｐ−クラッド層９と電流阻止層１
３の接合界面に達する深い３つの領域で構成され、この
３つの領域は共振端面と溝４を結ぶ領域２つと溝４相互
間を結ぶ領域１つが光導波路１に対して千鳥状に配列さ
れている。以上より光導波路ｌの可飽和吸収領域２と主
領域３が溝４の活性層８とｎ −クラッド層９によって
接続され、溝５によって活性層８及びｎ−クラッド層９
は分離されることとなる。可飽和吸収領域２と主領域３
の接続部の結合抵抗Ｒｈは大きいことが望ましい。
導体レーザの構成図であり、第１図（３）は平面図、第
１図０３）はｘ−ｘ’断面図、第１図（Ｃ）はＹ−Ｙ’
断面図である。レーザ発振動作部となる共振器長し１を
有する光導波路１が素子内部に設けられており、この光
導波路１は中央部の長さしｇの可飽和吸収領域２とこれ
に続く両端の主領域３との連結体から成る。これらは浅
い溝４の部分で分離される。この溝４に連結されかつ光
導波路ｌと平行に深い溝５が形成されている。光導波路
ｌ及び溝４，５を内設する半導体レーザ素子はｐ−半導
体基板６上にキャリア閉じ込め用のｐ−クラツド層７レ
ーザ発振用のｐ（又はｎもしくはノンドープ）活性層８
、同じくキャリア閉じ込め用のｎ−クラッド層９を順次
積層してダブルへテロ接合構造とし、この上にオーミッ
クコンタクトを得るためのｎ−キャップ層１０を堆積し
た多層結晶構造から成り、キャップ層１０及び半導体基
板６には外部回路に接続されたｎ側電極１１及びｎ側電
極１２がそれぞれ装着されている。また電流狭窄のため
のストライブ構造として、半導体基板６とｐ−クラッド
層７の間にｎ−電流阻止層１３を介在させ、この電流阻
止層１３を７字溝によってストライブ状に半導体基板６
上から除去することにより電流通路を開通させた周知の
ＶＳＩＳ（Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄ Ｓｕｂ −５ｔｒ
ａｔｅ Ｉｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ）型内部ストライブ
構造が構成されている。レーザ発振動作部となり両端の
共振端面よりレーザ光を放射する光導波路１は上記７字
溝の直上の活性層８に対応し、溝４は第１図（Ｂ）で示
されるように光導波路ｌの直上でｎ側電極１１表面より
キャップ層１０を貫通してｎ −クラッド層９の界面に
達する浅い２つの領域で構成され、溝５は第１図Ｃ）で
示されるように光導波路ｌの側方でｎ側電極１１表面よ
り活性層８を貫通してｐ−クラッド層９と電流阻止層１
３の接合界面に達する深い３つの領域で構成され、この
３つの領域は共振端面と溝４を結ぶ領域２つと溝４相互
間を結ぶ領域１つが光導波路１に対して千鳥状に配列さ
れている。以上より光導波路ｌの可飽和吸収領域２と主
領域３が溝４の活性層８とｎ −クラッド層９によって
接続され、溝５によって活性層８及びｎ−クラッド層９
は分離されることとなる。可飽和吸収領域２と主領域３
の接続部の結合抵抗Ｒｈは大きいことが望ましい。
第２図は第１図に示す半導体レーザ素子の等価回路図で
ある。Ｒ３は電極＋１．１２と素子間の接触抵抗、Ｒｈ
は上記結合抵抗、ａ、ｂはそれぞれ可飽和吸収領域２と
主領域３の電極端子、Ｃは基板６側の共通端子である。
ある。Ｒ３は電極＋１．１２と素子間の接触抵抗、Ｒｈ
は上記結合抵抗、ａ、ｂはそれぞれ可飽和吸収領域２と
主領域３の電極端子、Ｃは基板６側の共通端子である。
この半導体レーザ素子は三端子形ステムにマウントされ
る。端子ａは分流抵抗Ｒｇを外付けすることにより、全
電流Ｉｔを可飽和吸収領域２と主領域３へそれぞれＩｇ
。
る。端子ａは分流抵抗Ｒｇを外付けすることにより、全
電流Ｉｔを可飽和吸収領域２と主領域３へそれぞれＩｇ
。
Ｉｔ−１ｇと分流することができる。従って、分流抵抗
Ｒｇをステム内に取り付ければ、二端子形ステムを使用
することもできる。抵抗Ｒｇを変化させることにより、
電流比Ｉｇ／Ｉｔを変化させた場合の発振軸モードを測
定したところ、 を満足するときに自励共振が生じスペクトル幅が０．２
Ａ〜２Ａと拡がることを見出した。これをコヒーレント
長に換算すると３備〜０．３側のかなり短い値となる。
Ｒｇをステム内に取り付ければ、二端子形ステムを使用
することもできる。抵抗Ｒｇを変化させることにより、
電流比Ｉｇ／Ｉｔを変化させた場合の発振軸モードを測
定したところ、 を満足するときに自励共振が生じスペクトル幅が０．２
Ａ〜２Ａと拡がることを見出した。これをコヒーレント
長に換算すると３備〜０．３側のかなり短い値となる。
発振閾値電流ｒｔｈはＩ ｇ／ Ｉ ｔ ＝Ｌｇ ／Ｌ
ｔのとき最小となるが、（ｌ）式の範囲ではそれよりも
５〜１５ｍＡ増加するのみであり、発振閾値電流の増大
はほとんど影響を与えない。Ｉｇ／Ｉｔ＜ｏ、ｏ＋にす
ると可飽和吸収領域２は完全な吸収領域となリレーザ発
振は起らない。
ｔのとき最小となるが、（ｌ）式の範囲ではそれよりも
５〜１５ｍＡ増加するのみであり、発振閾値電流の増大
はほとんど影響を与えない。Ｉｇ／Ｉｔ＜ｏ、ｏ＋にす
ると可飽和吸収領域２は完全な吸収領域となリレーザ発
振は起らない。
第３図（３）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の他の実施例を示す
半導体レーザの構成図であり、第３図囚は平面図、第３
図（Ｂ）ハＸ−Ｘ’断面図、第３図（Ｃ）ハＹ−Ｙ’断
面図である。図中第１図と同一符号は同一内容を示す。
半導体レーザの構成図であり、第３図囚は平面図、第３
図（Ｂ）ハＸ−Ｘ’断面図、第３図（Ｃ）ハＹ−Ｙ’断
面図である。図中第１図と同一符号は同一内容を示す。
また、第４図は第３図の半導体レーザの等価回路図であ
る。本実施例では外付けの抵抗Ｒｇをレーザ素子内に抵
抗ブリッジ１４として作り込んだ構造を有する。可飽和
吸収領域２へは幅が狭くて長く形成されたｎ−クラッド
層９の抵抗ブリッジ１４を通して電流が供給される。抵
抗ブリッジ１４は溝４と同じ深さのｎ−クラツド層９界
面に達する溝から成るものであり、その抵抗Ｒ９はその
幅と長さ及びｎ−クラッド層９の厚さを制御することに
より適宜作り込むことができる。上述の＋１）式で示す
電流比にするためには、抵抗Ｒｇはにすればよい。この
半導体レーザは可飽和吸収領域２と主領域３へ電流を供
給するためのワイヤ１５．１６をステムの同一端子ヘボ
ンディングすれば、通常の二端子形ステムを使用するこ
とができる。
る。本実施例では外付けの抵抗Ｒｇをレーザ素子内に抵
抗ブリッジ１４として作り込んだ構造を有する。可飽和
吸収領域２へは幅が狭くて長く形成されたｎ−クラッド
層９の抵抗ブリッジ１４を通して電流が供給される。抵
抗ブリッジ１４は溝４と同じ深さのｎ−クラツド層９界
面に達する溝から成るものであり、その抵抗Ｒ９はその
幅と長さ及びｎ−クラッド層９の厚さを制御することに
より適宜作り込むことができる。上述の＋１）式で示す
電流比にするためには、抵抗Ｒｇはにすればよい。この
半導体レーザは可飽和吸収領域２と主領域３へ電流を供
給するためのワイヤ１５．１６をステムの同一端子ヘボ
ンディングすれば、通常の二端子形ステムを使用するこ
とができる。
上記各実施例の具体的な材料としては半導体基板６にｐ
−ＧａＡｓ基板、電流阻止層１３にｎ−ＧａＡｓ、ｐ−
クラッド層７にｐ−Ｇａ０，５Ａ４０，５ＡＳ Ｓ活性
層８にＧａ□、８５Ａｆ１．０，１５Ａｓ ％ ｎ−ク
ラッド層９にｎ −Ｇａｏ、５Ａ４０，５Ａｓ、キャッ
プ層１ｏにｎ−ＧａＡｓＳｎ側電極１１にＡｕ−Ｇｅ／
Ａｎ、ｐ側電極１２にＡｕ−Ｚｎを使用している。また
導波路１は［，１＝２５０μｍ 、 Ｌ！Ｊ＝５０μｍ
とした。この場合、＋１１式を満足させるためにはｏ、
ｏｌ＜Ｘｇ／Ｉ（＜ｏ、＋ａ の範囲に設定する。
−ＧａＡｓ基板、電流阻止層１３にｎ−ＧａＡｓ、ｐ−
クラッド層７にｐ−Ｇａ０，５Ａ４０，５ＡＳ Ｓ活性
層８にＧａ□、８５Ａｆ１．０，１５Ａｓ ％ ｎ−ク
ラッド層９にｎ −Ｇａｏ、５Ａ４０，５Ａｓ、キャッ
プ層１ｏにｎ−ＧａＡｓＳｎ側電極１１にＡｕ−Ｇｅ／
Ａｎ、ｐ側電極１２にＡｕ−Ｚｎを使用している。また
導波路１は［，１＝２５０μｍ 、 Ｌ！Ｊ＝５０μｍ
とした。この場合、＋１１式を満足させるためにはｏ、
ｏｌ＜Ｘｇ／Ｉ（＜ｏ、＋ａ の範囲に設定する。
第５図は第１図に示す半導体レーザにおいて外付は抵抗
Ｒを変化させて、Ｘｇ／Ｉｔを変化させた場合の光出力
３ｍＷでの軸モード幅変化を測定した結果を示す特性図
である。Ｉｇ／Ｉｔ＝０．０２〜０．１３の範囲で軸モ
ード幅が２〜０．２Ａと連続的に変化している。尚、こ
の素子の発振波長λは７８０ｎｍ。
Ｒを変化させて、Ｘｇ／Ｉｔを変化させた場合の光出力
３ｍＷでの軸モード幅変化を測定した結果を示す特性図
である。Ｉｇ／Ｉｔ＝０．０２〜０．１３の範囲で軸モ
ード幅が２〜０．２Ａと連続的に変化している。尚、こ
の素子の発振波長λは７８０ｎｍ。
結合抵抗Ｒｈは５００ＳＬであり、電極の接触抵抗Ｒ５
は５ｑであった。
は５ｑであった。
第６図はＩｇ／Ｉｔの値を０ 、０．０５ 、０．２と
した場合のＩ−Ｌ特性を示す特性図である。Ｉｇ／Ｉｔ
＞０、Ｏｌでは、双安定状態が現われないのが特徴であ
る。
した場合のＩ−Ｌ特性を示す特性図である。Ｉｇ／Ｉｔ
＞０、Ｏｌでは、双安定状態が現われないのが特徴であ
る。
次に、第３図に示す二極形半導体レーザにおいて抵抗ブ
リッジ１４の幅を７μｍ、長さを１０μｍ。
リッジ１４の幅を７μｍ、長さを１０μｍ。
ｎ−クラッド層９の厚さを２μｍとしたとき、その抵抗
Ｒｇは１５０９となった。この半導体レーザ素子の閾値
電流は６５ｍＡであり、光出力３ｍＷで軸モード幅が２
Ａに拡大されたマルチモード発振が得られた。その発振
スペクトルを第７図（ト）に示す。また第７図ＣＢ）に
その１本の軸モードの拡大図を示す。
Ｒｇは１５０９となった。この半導体レーザ素子の閾値
電流は６５ｍＡであり、光出力３ｍＷで軸モード幅が２
Ａに拡大されたマルチモード発振が得られた。その発振
スペクトルを第７図（ト）に示す。また第７図ＣＢ）に
その１本の軸モードの拡大図を示す。
上記実施例はＧａＡｓ−ＧａＡｎＡｓ系半導体レーザを
使用した場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく 、ＩｎＧａＡｓＰ系やその他の材
料の半導体レーザにも適用される。光導波路の構造もＶ
ＳＩＳ型に限されず、他の種々の光導波路構造が実施に
供される。また可飽和吸収領域の位置や長さ等の条件に
ついても上記実施例に限定されるものではない。
使用した場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく 、ＩｎＧａＡｓＰ系やその他の材
料の半導体レーザにも適用される。光導波路の構造もＶ
ＳＩＳ型に限されず、他の種々の光導波路構造が実施に
供される。また可飽和吸収領域の位置や長さ等の条件に
ついても上記実施例に限定されるものではない。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明は導波路の一部に形成した可
飽和吸収領域へ流す電流を外付けあるいは作りつけの分
流抵抗により制御することによりインコヒーレント半導
体レーザを実現したものである。本発明の半導体レーザ
をビデオディスク。
飽和吸収領域へ流す電流を外付けあるいは作りつけの分
流抵抗により制御することによりインコヒーレント半導
体レーザを実現したものである。本発明の半導体レーザ
をビデオディスク。
アナログ光通信、ファイバージャイロ等の光源として使
用した場合、戻り光により雑音が発生しないので安定し
た画像や信号が得られ、産業上極めて有用な発明である
。
用した場合、戻り光により雑音が発生しないので安定し
た画像や信号が得られ、産業上極めて有用な発明である
。
第１図（３）０３）（Ｃ）は本発明の１実施例を示す三
端子型インコヒーレント半導体レーザの平Ｑ、Ｘ−Ｘ’
断面図及びＹ−Ｙ’断面図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザの等価回路図である
。 第３図（Ａ）ＣＢ）（Ｃ）は本発明の他の実施例を示す
二端子型インコヒーレント半導体レーザの平面図、Ｘ−
Ｘ′断面図及びＹ−Ｙ’断面図である。 第４図は第３図に示す半導体レーザの等価回路図である
。 第５図は軸モード幅のＩｇ／Ｉｔ依存性を示す特性図で
ある。 第６図はＩｇ／■ｔを変化させた場合のＩ−Ｌ特性図で
ある。 第７図（Ａ）０３）は光出力３ｍＷのときの第３図に示
す半導体レーザの発振スペクトル図である。 １：光導波路、２：可飽和吸収領域、３：主領域、４，
５：溝、６：半導体基板、７，９：クラッド層、８：活
性層、１０：キャップ層−％Ｉ＋、＋２＝電極、１３：
電流阻止層、１４：抵抗ブリッジ代理人 弁理士 福
士 愛 彦（他２名）（Ｂ）（の 第１図 第２ 図 第４図 γ“ （Ａ） （Ｂ）
（、Ｃン第３図 ｏＩＩｒ
端子型インコヒーレント半導体レーザの平Ｑ、Ｘ−Ｘ’
断面図及びＹ−Ｙ’断面図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザの等価回路図である
。 第３図（Ａ）ＣＢ）（Ｃ）は本発明の他の実施例を示す
二端子型インコヒーレント半導体レーザの平面図、Ｘ−
Ｘ′断面図及びＹ−Ｙ’断面図である。 第４図は第３図に示す半導体レーザの等価回路図である
。 第５図は軸モード幅のＩｇ／Ｉｔ依存性を示す特性図で
ある。 第６図はＩｇ／■ｔを変化させた場合のＩ−Ｌ特性図で
ある。 第７図（Ａ）０３）は光出力３ｍＷのときの第３図に示
す半導体レーザの発振スペクトル図である。 １：光導波路、２：可飽和吸収領域、３：主領域、４，
５：溝、６：半導体基板、７，９：クラッド層、８：活
性層、１０：キャップ層−％Ｉ＋、＋２＝電極、１３：
電流阻止層、１４：抵抗ブリッジ代理人 弁理士 福
士 愛 彦（他２名）（Ｂ）（の 第１図 第２ 図 第４図 γ“ （Ａ） （Ｂ）
（、Ｃン第３図 ｏＩＩｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ発振用共振器導波路をレーザ出力のための主
領域と光吸収機能を有する可飽和吸収領域の連結体で構
成して成る半導体レーザ素子において、注入される全電
流Ｉ＿ｔに対する前記可飽和吸収領域に流れる電流Ｉ＿
ｇの比を ０．０１＜Ｉ＿ｇ／Ｉ＿ｔ／（２／３）（Ｌ＿ｇ／Ｌ＿
ｔ）（Ｌ＿ｇ：可飽和吸収領域の共振長、Ｌ＿ｔ：導波
路の全共振長）の範囲に設定する分流供給手段を付与し
たことを特徴とするインコヒーレント半導体レーザ素子
。 ２、分流供給手段を分流抵抗で構成した特許請求の範囲
第１項記載のインコヒーレント半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24509785A JPS62104094A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | インコヒ−レント半導体レ−ザ素子 |
| US06/923,953 US4791636A (en) | 1985-10-30 | 1986-10-28 | Semiconductor laser device and a method for driving the same |
| DE8686308432T DE3685801T2 (de) | 1985-10-30 | 1986-10-29 | Halbleiterlaservorrichtung und verfahren zu deren steuerung. |
| EP86308432A EP0222554B1 (en) | 1985-10-30 | 1986-10-29 | A semiconductor laser device and a method for driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24509785A JPS62104094A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | インコヒ−レント半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104094A true JPS62104094A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH0455357B2 JPH0455357B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17128561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24509785A Granted JPS62104094A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | インコヒ−レント半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104094A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5280791A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-06 | Ibm | Qqswitching injection laser |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24509785A patent/JPS62104094A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5280791A (en) * | 1975-12-24 | 1977-07-06 | Ibm | Qqswitching injection laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455357B2 (ja) | 1992-09-03 |
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| JPH01114093A (ja) | 半導体レーザ | |
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