JPS6210132A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPS6210132A JPS6210132A JP60148500A JP14850085A JPS6210132A JP S6210132 A JPS6210132 A JP S6210132A JP 60148500 A JP60148500 A JP 60148500A JP 14850085 A JP14850085 A JP 14850085A JP S6210132 A JPS6210132 A JP S6210132A
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- Japan
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- filler
- epoxy
- epoxy resin
- diameter
- resin composition
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、信頼性及び成形性に優れた半導体封止用樹脂
組成物（以下封止材と略す）Ｋ関するものである。
組成物（以下封止材と略す）Ｋ関するものである。
（従来の技術）
封止材を用いたトランスファ成形法によるＴＲ５，ＩＣ
，ＬＳＩ等、半導体装置の樹脂封止は、その生産性の良
さから封止法の主流金占めている。さらに封止材の信頼
性向−ヒに伴い、その適用範囲もメモリ、マイコン等の
ＶＬＳ Ｉまで拡大してきた。特に最近では集積度の向
上が著しく、これに対応してたとえばダイナミックメモ
リを例にとるとアルミ配線巾が１６にビットでは約５μ
ｍ、６４にビットでに約３μｍ。
，ＬＳＩ等、半導体装置の樹脂封止は、その生産性の良
さから封止法の主流金占めている。さらに封止材の信頼
性向−ヒに伴い、その適用範囲もメモリ、マイコン等の
ＶＬＳ Ｉまで拡大してきた。特に最近では集積度の向
上が著しく、これに対応してたとえばダイナミックメモ
リを例にとるとアルミ配線巾が１６にビットでは約５μ
ｍ、６４にビットでに約３μｍ。
２５６にビットでは約２μｍと微細化す傾向にある。ま
た素子サイズも１６にビットでは約２０−１６４にビッ
トでは約３０ｍＩ、２５６にビットでは約４０−と大型
化している。これに伴い封止材にはよシ一層の信頼性向
上を要求されるようになってきた。従来、耐湿性の向上
については素材の高純度化などを行なってきた。また、
素子サイズの大澤化に対しては、封止材と素子との膨張
率の差によシ発生する熱応力を低減するため、封止材の
膨張率を小さくした夛、ざらＫは封止材の弾性率を低下
させる処法が用いられてきた。しかし、膨張率を下げる
ために充填材の量を増すことに封止材の流動性を低下さ
せる。また弾性率を小さくすることはガラス転移温度の
低下など高温特性を損う他、耐湿性も損う傾向にあシ、
いず牡の方法にも限界がある。
た素子サイズも１６にビットでは約２０−１６４にビッ
トでは約３０ｍＩ、２５６にビットでは約４０−と大型
化している。これに伴い封止材にはよシ一層の信頼性向
上を要求されるようになってきた。従来、耐湿性の向上
については素材の高純度化などを行なってきた。また、
素子サイズの大澤化に対しては、封止材と素子との膨張
率の差によシ発生する熱応力を低減するため、封止材の
膨張率を小さくした夛、ざらＫは封止材の弾性率を低下
させる処法が用いられてきた。しかし、膨張率を下げる
ために充填材の量を増すことに封止材の流動性を低下さ
せる。また弾性率を小さくすることはガラス転移温度の
低下など高温特性を損う他、耐湿性も損う傾向にあシ、
いず牡の方法にも限界がある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はか〜る状況に鑑みなされたものであってその目
的はガラス転移温度や耐湿性などの信頼性に優れ、かつ
成形作業性も良い。産業上有用な封止材を提供すること
Ｋある。
的はガラス転移温度や耐湿性などの信頼性に優れ、かつ
成形作業性も良い。産業上有用な封止材を提供すること
Ｋある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、粒子径１０６μｍ以上金含まず１フ０５〜７
４ ａｍの含有量が２ｗｔ％以下、１０５〜４４μｍの
含有量が６〜３０ｗｔ％、重量平均粒子径が２５〜５μ
ｍ、かつ比表面積が２〜４０ｍ１／ｃｍ’である充填材
からなることを特徴とする封止材である。
４ ａｍの含有量が２ｗｔ％以下、１０５〜４４μｍの
含有量が６〜３０ｗｔ％、重量平均粒子径が２５〜５μ
ｍ、かつ比表面積が２〜４０ｍ１／ｃｍ’である充填材
からなることを特徴とする封止材である。
本発明者等が樹脂封止半導体装置の代表例として２５６
にビットメモリをとｐあげ、１２０℃のプレッンヤーク
ッカーテストにおける不良モードを検討し九結果、次の
ことがわかった。
にビットメモリをとｐあげ、１２０℃のプレッンヤーク
ッカーテストにおける不良モードを検討し九結果、次の
ことがわかった。
（１）素子周辺部のアルミパッド部の腐食が最も多く発
生するが、発生時間は長い。（２）素子の周辺部以外（
素子中央部付近）Ｋもアルミ配線腐食が発生する。発生
数は少ないが、発生に至る時間は比較的短い。従来技術
である素材の高純度化や低応力化の手法は、アルミパッ
ド部腐食の改善ｖｃは有効であったが、素子周辺部以外
で発生するアルミ配線腐食の改善にはほとんど効果がな
かった。その原因は、アルミ配ａ腐食が、素子上のパフ
シペーシッン膜の欠陥により発生しているためとわかっ
た。そこで、バッジベージ１ン膜の欠陥と封止材の関係
について鋭意検討した結果、粗い充填材を減らすことに
より欠陥が発生しにくくなり、これに伴い耐湿性不良が
大巾に低減することを見い出し、本発明に至ったもので
ある。
生するが、発生時間は長い。（２）素子の周辺部以外（
素子中央部付近）Ｋもアルミ配線腐食が発生する。発生
数は少ないが、発生に至る時間は比較的短い。従来技術
である素材の高純度化や低応力化の手法は、アルミパッ
ド部腐食の改善ｖｃは有効であったが、素子周辺部以外
で発生するアルミ配線腐食の改善にはほとんど効果がな
かった。その原因は、アルミ配ａ腐食が、素子上のパフ
シペーシッン膜の欠陥により発生しているためとわかっ
た。そこで、バッジベージ１ン膜の欠陥と封止材の関係
について鋭意検討した結果、粗い充填材を減らすことに
より欠陥が発生しにくくなり、これに伴い耐湿性不良が
大巾に低減することを見い出し、本発明に至ったもので
ある。
一般的に、封止材は最大粒径１４９μｍ以下、平均粒径
１０〜２０μｍのシリカ系充填材を５０〜７０ ｖｏ１
％含有している。そこで、１０５μｍ、７４μｍ、６４
μｍ、４４μｍの順に粗い充填材を除いた充填材を炸裂
し、これを用いて耐湿性の評価を行ったところ、７４μ
ｍ以上の粗い充填材を除くことによシ、素子中央部付近
のアルミ配線腐食が発生しないことが明らかになった。
１０〜２０μｍのシリカ系充填材を５０〜７０ ｖｏ１
％含有している。そこで、１０５μｍ、７４μｍ、６４
μｍ、４４μｍの順に粗い充填材を除いた充填材を炸裂
し、これを用いて耐湿性の評価を行ったところ、７４μ
ｍ以上の粗い充填材を除くことによシ、素子中央部付近
のアルミ配線腐食が発生しないことが明らかになった。
実際上は７４μｍ〜１０５μｍの充填材が、充填材総量
の２ｗｔ％以下であれば不良はほとんど発生しない。
の２ｗｔ％以下であれば不良はほとんど発生しない。
しかし、７４μｍ以上の充填材を除いた場合、成形作業
性で大きな問題が発生した。すなわち、金型の４０μｍ
以上の隙から封止材が流出しくパリの発生〕作業性を著
しく損う。この問題についてさらに検討した結果４０μ
ｍ以上の厚いパリを止めるためには、１０５〜４４μｍ
の充填付言有量が６ｗｔ％以上、平均粒径が５μｍ以上
、かつ比表面積が４０ｍ’／ｇ以下の粗さが必要である
ことがわかりた。また充填材が粗くなると金型の１０μ
ｍ以下の薄いパリも発生しやすくなり、作業性を著しく
損うため、単純に粗くすることはできない。薄いパリを
止めるためＫは、Ｉ Ｑ ５〜４４ ａｍの含有量が５
０ｗｔ％以下、平均粒径が２５μｍ以下、比表面積か２
ｍ”／ａＩＰ以上の細かさを有する充填材を用いること
が必要である。
性で大きな問題が発生した。すなわち、金型の４０μｍ
以上の隙から封止材が流出しくパリの発生〕作業性を著
しく損う。この問題についてさらに検討した結果４０μ
ｍ以上の厚いパリを止めるためには、１０５〜４４μｍ
の充填付言有量が６ｗｔ％以上、平均粒径が５μｍ以上
、かつ比表面積が４０ｍ’／ｇ以下の粗さが必要である
ことがわかりた。また充填材が粗くなると金型の１０μ
ｍ以下の薄いパリも発生しやすくなり、作業性を著しく
損うため、単純に粗くすることはできない。薄いパリを
止めるためＫは、Ｉ Ｑ ５〜４４ ａｍの含有量が５
０ｗｔ％以下、平均粒径が２５μｍ以下、比表面積か２
ｍ”／ａＩＰ以上の細かさを有する充填材を用いること
が必要である。
本発明で用いることができる充填材としては、溶融シリ
カ、結晶性シリカ、アルミナ、ガラス、ジルコン、マイ
カ、クレー、アスベスト等があげられるが、耐湿性や熱
伝導性の点から、シリ５力、アルミナが好適である。ま
た、充填材の形状は特に限定されないが、球形（完全な
球である必要はないが、角状の形状を持たないもの）で
あることが好ましい。
カ、結晶性シリカ、アルミナ、ガラス、ジルコン、マイ
カ、クレー、アスベスト等があげられるが、耐湿性や熱
伝導性の点から、シリ５力、アルミナが好適である。ま
た、充填材の形状は特に限定されないが、球形（完全な
球である必要はないが、角状の形状を持たないもの）で
あることが好ましい。
さらに充填材の量は封止材全体に対して４５〜７５ｖｏ
１％、好ましくは５０〜７ Ｑ ｖｏ１％あることが必
要であり、量が多いと流動性が著しく低下し、量が少な
いと信頼性が低下する。
１％、好ましくは５０〜７ Ｑ ｖｏ１％あることが必
要であり、量が多いと流動性が著しく低下し、量が少な
いと信頼性が低下する。
なお、本発明における充填材の粒度は、混練後の封止材
もしくは半導体封止装置の硬化した封止材部分を７００
±２０℃で５時間以上かけ、完全焼却した灰分の粒度に
より規定されるものとする。１０５μｍ、７４μｍ、４
４μｍの粒度は、上記灰分をＪＩＳＺ８８０１の標準向
を用いて分粒測定した値とする。また平均粒径は、ＣＩ
ＬＡＳ社製のＧｒａｎｕ ｌｏｍｅｔｅｒモデル７１５
型で測定したＮ′１Ｍ平均粒径とする。比表面＆は、湯
浅アイオニクス＃Ｉ＃製カンタソープ表面積測定装置を
用い、ＢＥＴ法で測定した値とする。
もしくは半導体封止装置の硬化した封止材部分を７００
±２０℃で５時間以上かけ、完全焼却した灰分の粒度に
より規定されるものとする。１０５μｍ、７４μｍ、４
４μｍの粒度は、上記灰分をＪＩＳＺ８８０１の標準向
を用いて分粒測定した値とする。また平均粒径は、ＣＩ
ＬＡＳ社製のＧｒａｎｕ ｌｏｍｅｔｅｒモデル７１５
型で測定したＮ′１Ｍ平均粒径とする。比表面＆は、湯
浅アイオニクス＃Ｉ＃製カンタソープ表面積測定装置を
用い、ＢＥＴ法で測定した値とする。
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、た
とえばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシ
ノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
などのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポ１７ ｘ テＬ／ンクリコール、ポリプロピレ
ンクリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテル
、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒド
ロフタル酸などのカルボン酸類のグリジス ジルエステル、アニリン、イソシアタール酸すとの窒累
原子に結合し念活性水素をゲリシジル基で置換したもの
などのグリシジル型エポキシ樹脂、分子内のオレフィン
結付を過酸等でエポキシ化して得られるいわゆる脂環型
エポキシドなどがあげられる。中でもエポキシ当量１８
０〜２０５のθ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
が耐湿性及びガラス転移温度など耐熱性に優れており、
最も好適である。
とえばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシ
ノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
などのフェノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオ
ール、ポ１７ ｘ テＬ／ンクリコール、ポリプロピレ
ンクリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテル
、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒド
ロフタル酸などのカルボン酸類のグリジス ジルエステル、アニリン、イソシアタール酸すとの窒累
原子に結合し念活性水素をゲリシジル基で置換したもの
などのグリシジル型エポキシ樹脂、分子内のオレフィン
結付を過酸等でエポキシ化して得られるいわゆる脂環型
エポキシドなどがあげられる。中でもエポキシ当量１８
０〜２０５のθ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
が耐湿性及びガラス転移温度など耐熱性に優れており、
最も好適である。
また、硬化剤としては％に制約はないが、ノボラック型
フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂などのフ
ェノール樹脂、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸などの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルフオルなどのアミン類、アジピ
ン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドなどの２
塩基酸ジヒドラジド類などを用いることができ、エポキ
シ基に対する当量比［Ｌ５〜１゜５の範囲で、単独もし
くは２種以上併用してもかまわない。
フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂などのフ
ェノール樹脂、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸などの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルフオルなどのアミン類、アジピ
ン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドなどの２
塩基酸ジヒドラジド類などを用いることができ、エポキ
シ基に対する当量比［Ｌ５〜１゜５の範囲で、単独もし
くは２種以上併用してもかまわない。
硬化促進剤としては、たとえば、２メチルイミダゾール
、２−エチル−４−メチルイミダゾ−）ｂ 、２− フ
ェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類
、ペンジルジスｆｋアミン、ま念１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵと略す）、Ｄ
ＢＵのフェノール塩、ノボラック樹脂塩、カリボール塩
などのＤＢＵ誘導誘導体計リブチルアミンなどのアミン
類、トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィン、
テトラフヱニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
などの有機リン化合物などを用いることができる。さら
に可撓剤としてポリブタジェン、アクリロニトリル−ブ
タジェン共重合体などのゴム頌およびこれらの末端カル
ボキシ、ヒドロキシ、内部エポキシなどヲ有ｆる変性ゴ
ム類、シリコーンオイルシリコーンゴム、シリコーンゲ
ル、各種官能基、有機基含有するシリコーン化合物など
のオルガノポリシロキサン類、テフロン、７ツソゴムな
どの７ツノ化合物などを用いることができる。また公知
の可塑剤としてフタル酸ジエステル、脂肪族二塩基酸エ
ステル、リン酸トリエステル、クリコールエステルなど
管用いることができる。その他層色剤、離型剤、難燃剤
、カップリング剤などを必要に応じて用いることができ
る。
、２−エチル−４−メチルイミダゾ−）ｂ 、２− フ
ェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類
、ペンジルジスｆｋアミン、ま念１，８−ジアザビシク
ロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵと略す）、Ｄ
ＢＵのフェノール塩、ノボラック樹脂塩、カリボール塩
などのＤＢＵ誘導誘導体計リブチルアミンなどのアミン
類、トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィン、
テトラフヱニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
などの有機リン化合物などを用いることができる。さら
に可撓剤としてポリブタジェン、アクリロニトリル−ブ
タジェン共重合体などのゴム頌およびこれらの末端カル
ボキシ、ヒドロキシ、内部エポキシなどヲ有ｆる変性ゴ
ム類、シリコーンオイルシリコーンゴム、シリコーンゲ
ル、各種官能基、有機基含有するシリコーン化合物など
のオルガノポリシロキサン類、テフロン、７ツソゴムな
どの７ツノ化合物などを用いることができる。また公知
の可塑剤としてフタル酸ジエステル、脂肪族二塩基酸エ
ステル、リン酸トリエステル、クリコールエステルなど
管用いることができる。その他層色剤、離型剤、難燃剤
、カップリング剤などを必要に応じて用いることができ
る。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂成形材料の製造
方法としては、ミキシングロールや押出様を用いた溶融
混曾法が好適であり、こｎら方法により所望の流動性の
組成物を製造することができる。
方法としては、ミキシングロールや押出様を用いた溶融
混曾法が好適であり、こｎら方法により所望の流動性の
組成物を製造することができる。
以下実施例に基き具体的に説明する。
実施例１〜８及び比較例１〜４
軟化点８２℃、エポキシ”３貢１９Ｂの０−クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂８０重量部。
ノボラック型エポキシ樹脂８０重量部。
軟化点６５℃、エポキシｆｉｆｉ４００、Ｂｒ化率４８
％のＢｒ化ビスフェノールＡ型エポキシ樹ｍ２ｏｘｘｍ
。軟化点８０℃のフェノールノボラック樹脂５０重量部
。２フェニル−４−メチルイミダゾール１重責部。三酸
化アンチモン１０重量部。カルナバワックス２重量部。
％のＢｒ化ビスフェノールＡ型エポキシ樹ｍ２ｏｘｘｍ
。軟化点８０℃のフェノールノボラック樹脂５０重量部
。２フェニル−４−メチルイミダゾール１重責部。三酸
化アンチモン１０重量部。カルナバワックス２重量部。
カーボンブラック１．５重量部。エポキシシラン３重量
部。以上をベースに、表１に示すように溶融シリカ、結
晶シリカ、アルミナなどを６０ ｖｏ１％ ←配
付し友。さらに配合した組成物を常法に従い １
にン た後、シート状で取出し、冷却後粉砕して封止
嶌知 ここで表２に示した特性の試験方法を説明する。
部。以上をベースに、表１に示すように溶融シリカ、結
晶シリカ、アルミナなどを６０ ｖｏ１％ ←配
付し友。さらに配合した組成物を常法に従い １
にン た後、シート状で取出し、冷却後粉砕して封止
嶌知 ここで表２に示した特性の試験方法を説明する。
（１）パリ長＝５０μｍ、１０μｍなど所定厚みのスリ
ットを持つ金型を用い、１８０ ±３℃成形圧７０ｋｇ／−で流動長を 測定した。
ットを持つ金型を用い、１８０ ±３℃成形圧７０ｋｇ／−で流動長を 測定した。
（２）ガラス転移温度＝１７０℃で６時間アフター硬化
させたテストピースを用い、熱 膨張曲線の転移点より求めた。
させたテストピースを用い、熱 膨張曲線の転移点より求めた。
（３）耐湿性：最小配線巾１．５μｍ、チップサイズ４
２ｍ’の素子を用い、１６ｐｉｎ−ＤＩＰ型半導体装置
で評価した。プレ ッシャークツカーテストは、１２０ ℃１００％ＲＨＭで１０００時間行 ない。耐湿性不良数を数えた。
２ｍ’の素子を用い、１６ｐｉｎ−ＤＩＰ型半導体装置
で評価した。プレ ッシャークツカーテストは、１２０ ℃１００％ＲＨＭで１０００時間行 ない。耐湿性不良数を数えた。
比較例１は従来作られた標準的封止材を用いた例であ夕
、耐湿性が実施例と比べて悪い他には特に欠点のない拐
料である。比較例２は７４μｍ以上の粗い充填材が十分
に除かれていないため、耐湿性向上効果が小さい。また
比較例６は、７４μｍ以上の粗い充填材が除かれている
九め耐湿性は向上したが、平均粒径などが粗い方Ｋかた
よシすぎているため、パリ量が増加している。比較例４
は充填材が細かすぎるために、５０μｍでのパリ量が増
えている。これに対し、実施例１〜８に示した本発明に
よる例では、耐湿性が著しく向上しており、またガラス
転移温度も低下しておらず、さらにパリ発生が少なく成
形性も良いことがわかる。
、耐湿性が実施例と比べて悪い他には特に欠点のない拐
料である。比較例２は７４μｍ以上の粗い充填材が十分
に除かれていないため、耐湿性向上効果が小さい。また
比較例６は、７４μｍ以上の粗い充填材が除かれている
九め耐湿性は向上したが、平均粒径などが粗い方Ｋかた
よシすぎているため、パリ量が増加している。比較例４
は充填材が細かすぎるために、５０μｍでのパリ量が増
えている。これに対し、実施例１〜８に示した本発明に
よる例では、耐湿性が著しく向上しており、またガラス
転移温度も低下しておらず、さらにパリ発生が少なく成
形性も良いことがわかる。
（発明の効果）
以上詳述したごとく本発明によれば耐湿性に優れ、かつ
高温特性や成形作業性にも優ｎた封止材を提供すること
が可能となった。
高温特性や成形作業性にも優ｎた封止材を提供すること
が可能となった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする半導体封止
用樹脂組成物において、充填材が粒子径１０６μｍ以上
を含まず、１０５〜７４μｍの含有量が２重量％以下、
１０５〜４４μｍの含有量が６〜３０重量％、平均粒子
径が２５〜５μｍ、かつ比表面積が２〜４０ｍ＾２／ｃ
ｍ＾２である充填材からなることを特徴とする半導体封
止用樹脂組成物。 ２、エポキシ樹脂がエポキシ当量１８０〜２０５である
０−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である特許請
求の範囲第１項記載の半導体封止用樹脂組成物。 ３、充填材が溶融シリカ、結晶シリカまたはアルミナの
中から選ばれたものである特許請求の範囲第１項または
第２項記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148500A JPS6210132A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148500A JPS6210132A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210132A true JPS6210132A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15454143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60148500A Pending JPS6210132A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210132A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62240313A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用樹脂 |
| JPS6484739A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nitto Denko Corp | Resin sealed semiconductor device |
| JPH02247236A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 微細溶融球状シリカ及びこれを用いた封止用樹脂組成物 |
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1985
- 1985-07-05 JP JP60148500A patent/JPS6210132A/ja active Pending
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