JPS62101095A - プリント基板のＣｕ回路パタ−ンの局所めつき・エツチング方法および装置 - Google Patents
プリント基板のＣｕ回路パタ−ンの局所めつき・エツチング方法および装置Info
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- JPS62101095A JPS62101095A JP24016785A JP24016785A JPS62101095A JP S62101095 A JPS62101095 A JP S62101095A JP 24016785 A JP24016785 A JP 24016785A JP 24016785 A JP24016785 A JP 24016785A JP S62101095 A JPS62101095 A JP S62101095A
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はプリント基板のＣｕ回路パターンの局所めっ
き・局所エツチング方法および装置に関する。
き・局所エツチング方法および装置に関する。
マスクを用いずプリント基板上に微細なＣｕ回路パター
ンをめっき・あるいはエツチングにより形成する方法と
してめっき液（硫酸鋼、ピロリン酸銅など）、エツチン
グ液（ＣｕＣ１ｚ、ＦｅＣＬ３溶液など）にプリント基
板を浸漬し、同時にめっき・エツチングすべき部分に、
上記加工液にエネルギを吸収されない波長のレーザビー
ムを照射し、照射部分のみを選択的に加工を行う技術が
公表されている。これは、レーザビームによる被加工部
分の加熱による反応速度増大と、局所加熱によるＣｕイ
オンの拡散層低下による反応加速現象を利用したもので
ある。
ンをめっき・あるいはエツチングにより形成する方法と
してめっき液（硫酸鋼、ピロリン酸銅など）、エツチン
グ液（ＣｕＣ１ｚ、ＦｅＣＬ３溶液など）にプリント基
板を浸漬し、同時にめっき・エツチングすべき部分に、
上記加工液にエネルギを吸収されない波長のレーザビー
ムを照射し、照射部分のみを選択的に加工を行う技術が
公表されている。これは、レーザビームによる被加工部
分の加熱による反応速度増大と、局所加熱によるＣｕイ
オンの拡散層低下による反応加速現象を利用したもので
ある。
しかし、この従来方法では、レーザビーム照射により、
照射部分の加工速度が加速され、レーザ非照射部分に比
べ高い加工レートが観測されるが、加工対象であるＣｕ
パターンは、金属材料であるので、加工液がなくなった
場合にＣｕパターンは相当強度の強いレーザビームでも
、反射する能力があるのに対して、基板であるガラスエ
ポキシ樹脂、ポリ」ミド樹脂などは高分子材料であるの
で、極メて低、いパワーのレーザビームに対しても損傷
を受けやすい。めっきの場合は加工始めに、また、エツ
チングの場合はエツチングの終了時点で、基板に直接レ
ーザビームが当る機会が必ずあり、レーザビームにより
基板が損傷をうけ、修正しようとした、あるいは、折角
修正したプリント基板が使いものにならなくなるという
重大な欠点があった。これを防ぐ手段として、レーザビ
ームのパワーを基板損傷に問題ないレベルまで落す方法
も検討されているが、これではレーザビーム照射による
めっき・エツチング速度増加の効果がほとんど期待でき
なくなる欠点があり、レーザビーム照射による上記めっ
き・エツチング方法および装置は実用化の段階に至って
いなかった。
照射部分の加工速度が加速され、レーザ非照射部分に比
べ高い加工レートが観測されるが、加工対象であるＣｕ
パターンは、金属材料であるので、加工液がなくなった
場合にＣｕパターンは相当強度の強いレーザビームでも
、反射する能力があるのに対して、基板であるガラスエ
ポキシ樹脂、ポリ」ミド樹脂などは高分子材料であるの
で、極メて低、いパワーのレーザビームに対しても損傷
を受けやすい。めっきの場合は加工始めに、また、エツ
チングの場合はエツチングの終了時点で、基板に直接レ
ーザビームが当る機会が必ずあり、レーザビームにより
基板が損傷をうけ、修正しようとした、あるいは、折角
修正したプリント基板が使いものにならなくなるという
重大な欠点があった。これを防ぐ手段として、レーザビ
ームのパワーを基板損傷に問題ないレベルまで落す方法
も検討されているが、これではレーザビーム照射による
めっき・エツチング速度増加の効果がほとんど期待でき
なくなる欠点があり、レーザビーム照射による上記めっ
き・エツチング方法および装置は実用化の段階に至って
いなかった。
この発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、基板
の損傷がな（従来のＣｕＣ４ｚ、ＦｅＣｌ２などのＣｕ
のエツチング液に比べてまた、従来の硫酸銅、ピロリン
酸銅などのＣｕのめつき液に比べても、１桁以上も優れ
た局所めっき・エツチング特性を有するマスク不要のプ
リント基板のＣｕ回路パターンの局所めっき・エツチン
グ方法および装置を提供するにある。
の損傷がな（従来のＣｕＣ４ｚ、ＦｅＣｌ２などのＣｕ
のエツチング液に比べてまた、従来の硫酸銅、ピロリン
酸銅などのＣｕのめつき液に比べても、１桁以上も優れ
た局所めっき・エツチング特性を有するマスク不要のプ
リント基板のＣｕ回路パターンの局所めっき・エツチン
グ方法および装置を提供するにある。
この発明は、本来それ自体はＣｕのめつき・あるいはエ
ツチング液である加工液を用いて、更に、その加工液を
めっき・エツチングすべき局所に、めっき・エツチング
すべき部分の大きさと同じ程度の液滴の形態で滴下し、
その液滴中心部、即ち、めっきあるいはエツチングすべ
き局所部分に針状振動子が接触するように浸漬し、この
針状振動子に超音波撮動を与えながら加工を行う際、加
工液塗布と超音波発振の制御方法として、ジェットノズ
ルの吐出制御にもちいるパルス電圧を適当な遅延時間を
有する遅延回路を通して超音波発振器の外部発振制御電
圧として用いる。上記加工の際の基板損傷の回避方法と
して、超音波発振器の発信電圧をモニタリンクして、め
っきに際しては、加工開始時点に基板損傷の無い程度の
低パワーで発信させていた針状振動子が基板に接触し、
基板でエネルギを吸収され、超音波発振器の発信電圧が
低下する。しかし超音波発振の効果で、Ｃｕイオンの拡
散層が減少し、局所的にめっきが生成されると同時に、
そのパワーが増大する時点をもって超音波発振器のパワ
ーを増大させ本格的めっきの開始とする。エツチングに
際しては、加工終了時点で、針状振動子が基板に接触し
、基板でエネルギを吸収され、超音波発振器の発信電圧
が低下する時点をもって加工終了と判断し、超音波発振
器の発信を停止する事により、基板の損傷がな（従来の
（：ｕＣｌｚ、ＦｅＣｌ３、などのＣｕのエツチング液
に比べてまた、従来の硫酸銅、ピロリン酸銅などのＣｕ
のめつき液に比べても、１桁以上も優れた局所めっき・
エツチング特性を有するマスク不要のプリント基板のＣ
ｕ回路パターンの局所めっき・エツチング方法および装
置を提供することができる。
ツチング液である加工液を用いて、更に、その加工液を
めっき・エツチングすべき局所に、めっき・エツチング
すべき部分の大きさと同じ程度の液滴の形態で滴下し、
その液滴中心部、即ち、めっきあるいはエツチングすべ
き局所部分に針状振動子が接触するように浸漬し、この
針状振動子に超音波撮動を与えながら加工を行う際、加
工液塗布と超音波発振の制御方法として、ジェットノズ
ルの吐出制御にもちいるパルス電圧を適当な遅延時間を
有する遅延回路を通して超音波発振器の外部発振制御電
圧として用いる。上記加工の際の基板損傷の回避方法と
して、超音波発振器の発信電圧をモニタリンクして、め
っきに際しては、加工開始時点に基板損傷の無い程度の
低パワーで発信させていた針状振動子が基板に接触し、
基板でエネルギを吸収され、超音波発振器の発信電圧が
低下する。しかし超音波発振の効果で、Ｃｕイオンの拡
散層が減少し、局所的にめっきが生成されると同時に、
そのパワーが増大する時点をもって超音波発振器のパワ
ーを増大させ本格的めっきの開始とする。エツチングに
際しては、加工終了時点で、針状振動子が基板に接触し
、基板でエネルギを吸収され、超音波発振器の発信電圧
が低下する時点をもって加工終了と判断し、超音波発振
器の発信を停止する事により、基板の損傷がな（従来の
（：ｕＣｌｚ、ＦｅＣｌ３、などのＣｕのエツチング液
に比べてまた、従来の硫酸銅、ピロリン酸銅などのＣｕ
のめつき液に比べても、１桁以上も優れた局所めっき・
エツチング特性を有するマスク不要のプリント基板のＣ
ｕ回路パターンの局所めっき・エツチング方法および装
置を提供することができる。
超音波発信器は本実施例では、先端の曲率半径２０μｍ
のタングステニ／カーバイト製の直径５閣の針の根元に
超音波収束ホー／ならびに超音波振動子を設置したもの
で、その超音波振動はそのエネルギ範囲が１．ＯＷから
５０Ｗの範囲内にあり、その周波数範囲が４０ Ｈｚが
も５００ ｋＨｚの範囲内にあることを特徴とする。上
記液滴の径は直径５μｍ〜５００μｍ の範囲であり、
これを実現する手段として、ジェットノズル、好適には
オンテマンド方式のピエソ素子励振型のジェットノズル
を用いることを特徴とする。
のタングステニ／カーバイト製の直径５閣の針の根元に
超音波収束ホー／ならびに超音波振動子を設置したもの
で、その超音波振動はそのエネルギ範囲が１．ＯＷから
５０Ｗの範囲内にあり、その周波数範囲が４０ Ｈｚが
も５００ ｋＨｚの範囲内にあることを特徴とする。上
記液滴の径は直径５μｍ〜５００μｍ の範囲であり、
これを実現する手段として、ジェットノズル、好適には
オンテマンド方式のピエソ素子励振型のジェットノズル
を用いることを特徴とする。
ここで、本装置で用いているジェットノズルに関して詳
細に述べると、ジェットノズルとしては、５ｔａｎｆＯ
ｒａ大学のＲｏＧ、 Ｓｗｅｅｔらにより開発された５
ｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｍｅｔｈｏｄ、 Ｈｉｔａｃｈ
ｉ ｌｔａで開発されたＭｉｃｒｏ Ｄｏｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ、 Ｌｕｎｄ犬学のＣ−Ｈ，Ｈｅｒｔｓにより開発
されたＨｅｒｔｓ Ｍｅｔｎｏｄ等のＣｏｎｔｉｎｕｏ
ｕｓ Ｊｅ を方式と呼ばれているものやＣｈａ１ｍｅ
ｒｓ犬学のＥ。
細に述べると、ジェットノズルとしては、５ｔａｎｆＯ
ｒａ大学のＲｏＧ、 Ｓｗｅｅｔらにより開発された５
ｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｍｅｔｈｏｄ、 Ｈｉｔａｃｈ
ｉ ｌｔａで開発されたＭｉｃｒｏ Ｄｏｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ、 Ｌｕｎｄ犬学のＣ−Ｈ，Ｈｅｒｔｓにより開発
されたＨｅｒｔｓ Ｍｅｔｎｏｄ等のＣｏｎｔｉｎｕｏ
ｕｓ Ｊｅ を方式と呼ばれているものやＣｈａ１ｍｅ
ｒｓ犬学のＥ。
Ｓｔｅｍｍｅにより開発されたＳＴＥＭＭＥ Ｍｅｔｈ
ｏｄＧｏｕｌｄ ｌ：ｎｃのＳ、 Ｚｏ １ｔａｎによ
り開発されたＰｕ１ｓｅ。
ｏｄＧｏｕｌｄ ｌ：ｎｃのＳ、 Ｚｏ １ｔａｎによ
り開発されたＰｕ１ｓｅ。
ＪＥＴ Ｍｅｔｈｏｄ、、あるいはＣａｎｏｎ Ｉｎｃ
のＢｕｂｂｌｅ ＪｅｔＭｅｔｈｏｄ でもよいが、
修正パターン欠陥が２５μｍ以下の場合は、好適には、
微細ドツトの塗布が容易なＨｉｔａｃｈｉ ＬｔａのＭ
ｉｃｒｏ Ｄｏｔ Ｍｅｔｈｏｄ が用いられる。これ
によれば最小１０μｍ径の修正液の塗布も行える。
のＢｕｂｂｌｅ ＪｅｔＭｅｔｈｏｄ でもよいが、
修正パターン欠陥が２５μｍ以下の場合は、好適には、
微細ドツトの塗布が容易なＨｉｔａｃｈｉ ＬｔａのＭ
ｉｃｒｏ Ｄｏｔ Ｍｅｔｈｏｄ が用いられる。これ
によれば最小１０μｍ径の修正液の塗布も行える。
また、めっき・エツチング液とも、ノズルの目詰りを防
ぐ目的からその粘度は約Ｉ Ｑ Ｑ Ｃｐθ以下に、好
適にはＩ Ｑ ｃｐｓ以下にすべきであり、この場合、
塗布された加工液のプリント基板上での厚さは５μｍ以
下に容易に制御できる。
ぐ目的からその粘度は約Ｉ Ｑ Ｑ Ｃｐθ以下に、好
適にはＩ Ｑ ｃｐｓ以下にすべきであり、この場合、
塗布された加工液のプリント基板上での厚さは５μｍ以
下に容易に制御できる。
以上の方式によればプリント基板上の局所部分の、高速
めつき・エツチング加工を基板損傷を全く生ずることな
しに容易に行うことができ、マクスレスでプリント基板
の回路パターンを生成することも可能である。
めつき・エツチング加工を基板損傷を全く生ずることな
しに容易に行うことができ、マクスレスでプリント基板
の回路パターンを生成することも可能である。
第１図および第２図はこの発明に係るプリント基板のＣ
ｕ回路の局所めっき・エツチング方法および装置の１実
施例の構成図を示す。
ｕ回路の局所めっき・エツチング方法および装置の１実
施例の構成図を示す。
プリント基板のＣｕ回路パターン湿式エツチング後に生
じたＣｕ回路パターンの欠陥（残銅等）に対して第１図
は点状のパターン欠陥をエツチングにより除去する場合
を、第２図は、線状のパタ−ン欠陥をエツチングにより
除去する場合の構成図を示している。
じたＣｕ回路パターンの欠陥（残銅等）に対して第１図
は点状のパターン欠陥をエツチングにより除去する場合
を、第２図は、線状のパタ−ン欠陥をエツチングにより
除去する場合の構成図を示している。
第１図において、Ｘ−Ｙ方向に移動可能なＸ−Ｙ移動テ
ーブル１の上にプリント基板２をのせる。
ーブル１の上にプリント基板２をのせる。
エツチング液３を貯留する槽４とこれに接続するオンデ
マンド方式のジェットノズル５とこの噴出を制御する変
調電源６とを備え、ジェットノズル５よりエツチング液
３をプリント基板２０点状欠陥部７に噴射する。
マンド方式のジェットノズル５とこの噴出を制御する変
調電源６とを備え、ジェットノズル５よりエツチング液
３をプリント基板２０点状欠陥部７に噴射する。
電源８により超音波発掘器９より発振した超音波は超音
波ホーン１０．針状振動子１１により点状欠陥部７の形
状に収れんされる。
波ホーン１０．針状振動子１１により点状欠陥部７の形
状に収れんされる。
この場合超音波の周波数およびパワーはメッキ液または
エツチング液の加工表面に対する拡散層の厚さを低減す
るのに十分な値とする。
エツチング液の加工表面に対する拡散層の厚さを低減す
るのに十分な値とする。
修正すべきＣｕパターンの欠陥部７はノ・−フミラー１
２を通してテレビカメラ１３によってテレビ画像モニタ
１４のブラウン管１５に映される。
２を通してテレビカメラ１３によってテレビ画像モニタ
１４のブラウン管１５に映される。
テレビ画像モニタ１４を見なからＸ−Ｙ移動テーブル１
を操作して位置決めする。
を操作して位置決めする。
超音波発信器９とジェットノズル５との同期、ｇＸ動制
御装置１５、Ｘ−Ｙ移動テーブル１とジェットノズル５
との同期駆動制御装置１６を付設する。
御装置１５、Ｘ−Ｙ移動テーブル１とジェットノズル５
との同期駆動制御装置１６を付設する。
この際、プリント基板材料であるガラスエポキシ樹脂は
、上記めっき・エツチング液に対してぬれ性が悪い為、
滴下された液滴は半球上の形態をガラスエポキシ樹脂上
の局所めっき・エツチング部分に生ずる。
、上記めっき・エツチング液に対してぬれ性が悪い為、
滴下された液滴は半球上の形態をガラスエポキシ樹脂上
の局所めっき・エツチング部分に生ずる。
また、ある程度大きな部分のめつき・エツチングに対し
ては、毛細管とパルスフィードモータを用いた吐出機構
を用いて滴下させた液滴（最小径０−８ｍ）でも十分で
ある。この場合も、パルスモータの制御による液滴の塗
布とこれに対応する超音波の発射は適当な間隔をおいて
、交互に制御して行う必要があるが、この場合もメッキ
液・エツチング液塗布と超音波の制御方法としては、パ
ルスモータの吐出制御にもちいるパルス電圧を適当な遅
延時間を有する遅延回路を通して超音波の外部発振制御
電圧として用いる事により、加工液塗布と超音波発射を
交互にタイミングを合せて加工出来るようにするシステ
ムを採用している。
ては、毛細管とパルスフィードモータを用いた吐出機構
を用いて滴下させた液滴（最小径０−８ｍ）でも十分で
ある。この場合も、パルスモータの制御による液滴の塗
布とこれに対応する超音波の発射は適当な間隔をおいて
、交互に制御して行う必要があるが、この場合もメッキ
液・エツチング液塗布と超音波の制御方法としては、パ
ルスモータの吐出制御にもちいるパルス電圧を適当な遅
延時間を有する遅延回路を通して超音波の外部発振制御
電圧として用いる事により、加工液塗布と超音波発射を
交互にタイミングを合せて加工出来るようにするシステ
ムを採用している。
（例１）
厚さＱ、１−のガラスエポキシ樹脂上に形成されたＣｕ
回路パターンの内、１．ＯＸ １．ＯＸ Ｏ，０３５稽
のＣｕパッド部分の中心に径５０μｍ深さ３５μｍのス
ルホールを形成する。
回路パターンの内、１．ＯＸ １．ＯＸ Ｏ，０３５稽
のＣｕパッド部分の中心に径５０μｍ深さ３５μｍのス
ルホールを形成する。
溶液としては、濃度３％のＣｕ−Ｃｌ２ｉｌ液を用いる
。
。
これはＣｕＣｌ２のエツチング原液３０％に比べると約
１／１０ の濃度である。これは、ＣｕＣｔ２原液自
体が常温（２０℃）でも１．０μｍ／ｍｉｎのバックエ
ツチング特性をもっているため、これを低下させる目的
で希釈している。このため本エツチング液のバックエッ
チ量はＱ、１μｍ／ｍｉｎ以下と極めて少なくなってい
る。このエツチング液を、ノズル径５０μｍ、ピエゾ円
筒状素子で駆動される前出のオンデマンド方式のジェッ
トノズルを用い、ピエゾ素子にピーク電圧１２０Ｖ、パ
ルス’［０−６ｍｓのパルス電圧を印加すると、塗布径
６０μｍ１液高さ２５μｍの液滴がエツチングすべき部
分に塗布できる。この液滴に先端の曲率半径２０μｍの
タングステンカーバイド製の径５ｗａの針（沢元に超音
波ホーンならび超音波振動子を設置したもので、その超
音波撮動はそのエネルギーが１０Ｗ、その周波数範囲が
５０ ｋＨｚの超音波を発信出来る。）を浸漬し超音波
を発掘させた。この際、前出の制御方法を用いた結果、
約６０秒で周囲部分をバックエツチングすることなく、
また、基板損傷を生じることなく、目的のスルーホール
加工が達成できた。
１／１０ の濃度である。これは、ＣｕＣｔ２原液自
体が常温（２０℃）でも１．０μｍ／ｍｉｎのバックエ
ツチング特性をもっているため、これを低下させる目的
で希釈している。このため本エツチング液のバックエッ
チ量はＱ、１μｍ／ｍｉｎ以下と極めて少なくなってい
る。このエツチング液を、ノズル径５０μｍ、ピエゾ円
筒状素子で駆動される前出のオンデマンド方式のジェッ
トノズルを用い、ピエゾ素子にピーク電圧１２０Ｖ、パ
ルス’［０−６ｍｓのパルス電圧を印加すると、塗布径
６０μｍ１液高さ２５μｍの液滴がエツチングすべき部
分に塗布できる。この液滴に先端の曲率半径２０μｍの
タングステンカーバイド製の径５ｗａの針（沢元に超音
波ホーンならび超音波振動子を設置したもので、その超
音波撮動はそのエネルギーが１０Ｗ、その周波数範囲が
５０ ｋＨｚの超音波を発信出来る。）を浸漬し超音波
を発掘させた。この際、前出の制御方法を用いた結果、
約６０秒で周囲部分をバックエツチングすることなく、
また、基板損傷を生じることなく、目的のスルーホール
加工が達成できた。
これは、超音波を印加しない場合に比べ、約３５倍の速
度であり、しかも従来の場合では、１．０μｍ 以上の
バックエツチングが生じ、また１０〜５０μｍ程度の基
板損傷を生じてしまう。
度であり、しかも従来の場合では、１．０μｍ 以上の
バックエツチングが生じ、また１０〜５０μｍ程度の基
板損傷を生じてしまう。
（例２）
例１と逆の対象、すなわち厚さ０．１ ｍｍのガラスエ
ポキシ樹脂上に形成されたＣｕ回路パターンの内、１．
Ｑ Ｘ １．ＯＸ Ｏ，０３５ｆｉのＣｕパッドの中心
の直径５０μｍ１深さ１０μｍの欠陥を局所めっきでう
める。
ポキシ樹脂上に形成されたＣｕ回路パターンの内、１．
Ｑ Ｘ １．ＯＸ Ｏ，０３５ｆｉのＣｕパッドの中心
の直径５０μｍ１深さ１０μｍの欠陥を局所めっきでう
める。
溶液として、ＣｕＳＯ４，５ＨｚＯ０，２２５！ ／
Ｌ。
Ｌ。
８２ ＳＯ４５０”ｔ ／ ｔ ＸＨＣｌ−０，３ｍｌ
／ ｔ ＸＨｚＯ１ｔノ組成のものを用いた。これは
、Ｃｕイオン濃度で３０９７を程度のめつき液である。
／ ｔ ＸＨｚＯ１ｔノ組成のものを用いた。これは
、Ｃｕイオン濃度で３０９７を程度のめつき液である。
このめっき液を前出の欠陥の穴の中心に、ノズル径５０
μｍの例１と同一条件のジェットノズルで塗布し、これ
と同期して、先端の曲率半径２０μｍのタングステンカ
ーバイド製の直径５−の針（根元に超音波ホーンならび
超音波振動子を設置したもので、その超音波振動はその
エネルギが２０Ｗ１その周波数範囲が６０ ｋＨｚの超
音波を発信出来る。）を浸漬し超音波を発信させた。こ
の際、前出の制御方法を用いた結果、約９０秒で周囲部
分をバックエツチングすることにまた、基板損傷を生じ
ることなしに、目的のスルーホール加工が達成できた。
μｍの例１と同一条件のジェットノズルで塗布し、これ
と同期して、先端の曲率半径２０μｍのタングステンカ
ーバイド製の直径５−の針（根元に超音波ホーンならび
超音波振動子を設置したもので、その超音波振動はその
エネルギが２０Ｗ１その周波数範囲が６０ ｋＨｚの超
音波を発信出来る。）を浸漬し超音波を発信させた。こ
の際、前出の制御方法を用いた結果、約９０秒で周囲部
分をバックエツチングすることにまた、基板損傷を生じ
ることなしに、目的のスルーホール加工が達成できた。
これは、超音波を印加しない場合に比べ、約３５倍の速
度であり、しかも従来の場合では、１．０μｍ以上のバ
ックエツチングが生じ、また１０〜５０１１ｍ程度の基
板損閏を生じてしまう。
度であり、しかも従来の場合では、１．０μｍ以上のバ
ックエツチングが生じ、また１０〜５０１１ｍ程度の基
板損閏を生じてしまう。
これは、従来の化学めっきに比べ約２桁も早い成膜速度
、で、これは、超音波により超音波発振の効果で、Ｃｕ
イオンの拡散層が減少し、局所的にめっき反応速度が急
速に高まったことが、大きな原因である。
、で、これは、超音波により超音波発振の効果で、Ｃｕ
イオンの拡散層が減少し、局所的にめっき反応速度が急
速に高まったことが、大きな原因である。
又、この場合、液滴の塗布された以外の所でのめつきは
、めっき液が存在しない事から明らかながら、観測され
なかった。
、めっき液が存在しない事から明らかながら、観測され
なかった。
前記実施例では、加工すべき対象部分に直接、加工液を
塗布する方法について述べたが、この時、加工すべき対
象部分に、加工液のぬれ性を低下させる様な界面活性剤
、例えばＰＥＧ（ポリエチレングリコール）などを５す
く塗布しておいても良い。
塗布する方法について述べたが、この時、加工すべき対
象部分に、加工液のぬれ性を低下させる様な界面活性剤
、例えばＰＥＧ（ポリエチレングリコール）などを５す
く塗布しておいても良い。
こうすると、塗布された液滴は、塗布しない場合の半球
状から球状に近づき、加工すべき局所部分で極めて少な
い面積で接触する礪になるため、極めて微小部分を加工
することができる。
状から球状に近づき、加工すべき局所部分で極めて少な
い面積で接触する礪になるため、極めて微小部分を加工
することができる。
この発明により、マスクを用いなくセもめつきしようと
する部分以外にめっきが析出せず、またエツチングしよ
うとする部分以外にはバックエツチングを生ずることな
く、シかも、従来の化学めっきに比べ、１桁から２桁も
高速な加工ができる局所めっき・エツチング方法、好適
には、プリント基板のＣｕ回路パターンの局所めっき・
エツチング方法および装置を提供することができる。
する部分以外にめっきが析出せず、またエツチングしよ
うとする部分以外にはバックエツチングを生ずることな
く、シかも、従来の化学めっきに比べ、１桁から２桁も
高速な加工ができる局所めっき・エツチング方法、好適
には、プリント基板のＣｕ回路パターンの局所めっき・
エツチング方法および装置を提供することができる。
第１図および第２図はこの発明に係るプリント基板の局
所めっき・エツチング方法および装置の１実施例の構成
図を示す。 ２・・・プリント基板、 ５・・・ジェットノズル７
・・・欠陥部、 ９・・・超音波発振器１１・
・・針状振動子。 第１図 １１”−金１肱」鼠カ予
所めっき・エツチング方法および装置の１実施例の構成
図を示す。 ２・・・プリント基板、 ５・・・ジェットノズル７
・・・欠陥部、 ９・・・超音波発振器１１・
・・針状振動子。 第１図 １１”−金１肱」鼠カ予
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プリント基板の局所めつき・エッチング方法におい
て、めつきあるいはエッチングすべき局所部分にのみ、
その部分と同程度の大きさの加工液滴を滴下し、その液
滴中心部であるめつきあるいはエッチングすべき局所部
分に針状振動子が接触するように浸漬し、この針状振動
子に超音波振動を与えながら加工を行うことを特徴とす
るプリント基板の局所めつき・エッチング方法。 ２、上記液滴の径は、直径５μｍ〜５００μｍの範囲で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプリ
ント基板の局所めつき・エッチング方法。 ３、上記加工液滴は、超音波振動の周波数に対して、エ
ネルギ吸収の少い組成で構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のプリント基板の局所めつ
き・エッチング方法。 ４、上記超音波振動はそのエネルギ範囲が１．０Ｗから
５０Ｗの範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のプリント基板の局所めつき・エッチング方
法。 ５、上記超音波振動はその周波数範囲が４０Ｈｚから５
００ｋＨｚの範囲内にあることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のプリント基板の局所めつき・エッチン
グ方法。 ６、上記加工液滴の滴下に際し、加工物のめつき・ある
いはエッチングすべき局所部分の周囲に加工液滴の界面
張力を高める特性の物質の塗布を行つてから液滴を滴下
する事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の局所め
つき・エッチング装置。 ７、上記加工の際の加工液塗布と超音波発振の制御方法
として、ジェットノズルの吐出制御にもちいるパルス電
圧を適当な遅延時間を有する遅延回路を通して超音波発
振器の外部発振制御電圧として用いる事により、加工液
塗布と超音波発振とを交互にタイミングを合せて加工す
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の局所めつ
き・エッチング方法。 ８、上記加工の際の超音波発振の制御方法として、めつ
きに際しては、超音波発振器の発信電圧をモニタリンク
して、加工開始時点に基板損傷の無い程度の低パワーで
発信させていた針状振動子が基板に接触し、基板でエネ
ルギ吸収され、超音波発振器の発信電圧が低下するが、
しかし超音波発振の効果で、Ｃｕイオンの拡散層が減少
し、局所的にめつきが生成されると同時に、そのパワー
が増大する時点をもつて超音波発振器のパワーを増大さ
せ本格的めつきの開始とし、エッチングに際しては、加
工終了時点で、針状振動子が基板に到達し、基板でエネ
ルギ吸収され、超音波発振器の発信電圧が低下する時点
をもつて加工終了と判断し、超音波発振器の発信を停止
する事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の局所め
つき・エッチング装置の制御方法。 ９、プリント基板を載置するＸ−Ｙ移動テーブルと、加
工液滴を欠陥パターン部に噴射するジェットノズルと、
欠陥パターン部に針状振動子を励振させる超音波発振器
とこれらを制御する電源とより成ることを特徴とするプ
リント基板のＣｕ回路パターンの局所めつき・エッチン
グ装置。 １０、上記ジェットノズルがオンデマンド方式のピエゾ
素子励振型のジェットノズルであることを特徴とする特
許請求の範囲第９項記載のプリント基板のＣｕ回路パタ
ーンの局所めつき、エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016785A JPS62101095A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | プリント基板のＣｕ回路パタ−ンの局所めつき・エツチング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24016785A JPS62101095A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | プリント基板のＣｕ回路パタ−ンの局所めつき・エツチング方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101095A true JPS62101095A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0160957B2 JPH0160957B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=17055487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24016785A Granted JPS62101095A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | プリント基板のＣｕ回路パタ−ンの局所めつき・エツチング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013063505A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Fei Co | 真空内における小構造物の局所的な改変 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24016785A patent/JPS62101095A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013063505A (ja) * | 2011-09-19 | 2013-04-11 | Fei Co | 真空内における小構造物の局所的な改変 |
| US9812286B2 (en) | 2011-09-19 | 2017-11-07 | Fei Company | Localized, in-vacuum modification of small structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0160957B2 (ja) | 1989-12-26 |
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