JPS62101018A - 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 - Google Patents
半導体製造装置用シユラウドの製造方法Info
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- JPS62101018A JPS62101018A JP24229585A JP24229585A JPS62101018A JP S62101018 A JPS62101018 A JP S62101018A JP 24229585 A JP24229585 A JP 24229585A JP 24229585 A JP24229585 A JP 24229585A JP S62101018 A JPS62101018 A JP S62101018A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｐ７−業上の利用分野
この発明は、Ｇａを含む膜状の半導体を製造する装置に
用いられるシュラウドの製造方法に関する。
用いられるシュラウドの製造方法に関する。
この明細書において、「アルミニウム」という詔には、
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。またこの明細書において、「セラミックス」とい
う詔には、在来のセラミックスのほかに、酸化物、窒化
物、炭化物、ホウ化物、ケイ化物などの合成材料からな
るいわゆるニコービラミックスも含む・ｂのとする。
純アルミニウムのほかにアルミニウム合金も含むものと
する。またこの明細書において、「セラミックス」とい
う詔には、在来のセラミックスのほかに、酸化物、窒化
物、炭化物、ホウ化物、ケイ化物などの合成材料からな
るいわゆるニコービラミックスも含む・ｂのとする。
従来技術とその問題点
たとえばＧａＡｓ等のＧａを含む半導体膜をＭＢＥ装置
等の半導体製′ｌＩｉ装冒で製造するにさいし、より高
性能なものを得るためには、超高真空中での成膜が必要
不可欠の条件となる。そのため、ＭＢＥ装置の成１１９
室にはシュラウドが用いられている。従来のシュラウド
は、ステンレス鋼板からなる円筒状のもので、その外周
面にステンレス鋼製管からＬ ／ｖ状に巻付けられ、こ
の管内を液体チッソ等の冷却流体が流れるようになって
いる。そして、上記半導体膜の成膜時には、まずシュラ
ウドを２００〜２５０℃に加熱することによりベーキン
グ処理を施してシュラウドの表面に吸着している水分を
除去した後、ステンレス鋼製管内に冷１４１流体を流し
、この冷却流体によってシュラウドを冷却し、その表面
に真空化された成膜掌中の残留ガスを吸着させ、超高真
空を１ηるようになっている。しかしながら、従来のシ
ュラウドでは筒体および管／ｊｔステンレス１４製であ
るので、重量が大きく、しかも熱伝導性が十分ではない
という問題があった。、熱伝導性が十分でないと、上記
ベーキング（７ｐ ＩＩＮにシュラウド全体が均一に加
熱されるのに時間がかかるとともに、冷ＩＪ］流体を流
したさいにシュラウドの表面が所定温度まで冷却される
のに時間がかかるという問題があった。
等の半導体製′ｌＩｉ装冒で製造するにさいし、より高
性能なものを得るためには、超高真空中での成膜が必要
不可欠の条件となる。そのため、ＭＢＥ装置の成１１９
室にはシュラウドが用いられている。従来のシュラウド
は、ステンレス鋼板からなる円筒状のもので、その外周
面にステンレス鋼製管からＬ ／ｖ状に巻付けられ、こ
の管内を液体チッソ等の冷却流体が流れるようになって
いる。そして、上記半導体膜の成膜時には、まずシュラ
ウドを２００〜２５０℃に加熱することによりベーキン
グ処理を施してシュラウドの表面に吸着している水分を
除去した後、ステンレス鋼製管内に冷１４１流体を流し
、この冷却流体によってシュラウドを冷却し、その表面
に真空化された成膜掌中の残留ガスを吸着させ、超高真
空を１ηるようになっている。しかしながら、従来のシ
ュラウドでは筒体および管／ｊｔステンレス１４製であ
るので、重量が大きく、しかも熱伝導性が十分ではない
という問題があった。、熱伝導性が十分でないと、上記
ベーキング（７ｐ ＩＩＮにシュラウド全体が均一に加
熱されるのに時間がかかるとともに、冷ＩＪ］流体を流
したさいにシュラウドの表面が所定温度まで冷却される
のに時間がかかるという問題があった。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さく、熱伝導
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材でシュラウドをつくることも考えられているが、
アルミニウムは成膜中に蒸発したＱａが付着すると侵さ
れてＶＮ通孔が発生するので、いまだアルミニウム製の
シュラウドは実現していないのが実情である。
性が優れ、しかも表面のガス放出係数の小さなアルミニ
ウム材でシュラウドをつくることも考えられているが、
アルミニウムは成膜中に蒸発したＱａが付着すると侵さ
れてＶＮ通孔が発生するので、いまだアルミニウム製の
シュラウドは実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決した半導体製造装
置用シュラウドの製造方法を提供することにある。
置用シュラウドの製造方法を提供することにある。
問題点を解決するだめの手段
この発明ににる、半導体製造装置用シュラウドの製造方
法は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム装シ
ュラウド用筒体をつくった後、これらの内外両面のうち
少なくとも内面に、分散質であるセラミックス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで乾燥さ
せて上記セラミックス粒子を、シュラウド用筒体の内外
両面のうら少なくとも内面に付着さぽてセラミックス皮
膜を形成することを特徴とするものである。
法は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム装シ
ュラウド用筒体をつくった後、これらの内外両面のうち
少なくとも内面に、分散質であるセラミックス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで乾燥さ
せて上記セラミックス粒子を、シュラウド用筒体の内外
両面のうら少なくとも内面に付着さぽてセラミックス皮
膜を形成することを特徴とするものである。
上記において、シュラウド用筒体としては、アルミニウ
ム簡の外周面にアルミニウム製冷却流体流通管がらせん
状に巻付けられて接合されたもの、またはたとえばロー
ル・ボンド・パネルのように冷Ｌ）流体流通用管状膨出
部を備えたアルミニウム製板状体を円筒状に成形し、そ
の突合わ１部を接合したもの等がある。
ム簡の外周面にアルミニウム製冷却流体流通管がらせん
状に巻付けられて接合されたもの、またはたとえばロー
ル・ボンド・パネルのように冷Ｌ）流体流通用管状膨出
部を備えたアルミニウム製板状体を円筒状に成形し、そ
の突合わ１部を接合したもの等がある。
上記において分散液中に含まれるセラミックス粒子トシ
テハ、ＳｉＯ２、Ａｔ／２０３ 、Ｆｅ２ ＣＬ＋ 、
ｃｏｏ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ０ｚ 、ｔＶｌｇＯ，Ｔｉｏ
ｚ等分散媒中に均一に分散しうるものが用いられる。こ
のようなセラミックス粒子は、分散液中に１種または２
種以上含有せしめ１うれる。また、セラミックス粒子の
大ぎざは０゜５〜２ノ原の範囲内にあることが好ましい
。上記大きさが０．５μｎ未満であるとゲル化しやずく
、２切を越えると形成される皮膜にピンホールが生じ易
くなるからである。また、分散媒としては水や、アルコ
ール類を用いるのが好ましく、その中でもイソプロピル
アルコールを用いるのが特によい。その理由は、後工程
の乾燥処理を施Ｊさいに容易に蒸発して形成されるセラ
ミックス皮膜への吸着量が少なくなり、その結果このシ
ュラウドをＭＢＥ装置に使用した場合にガスの放出量が
少なくなって、成膜室内の真空度を低下させるおそれが
少ないからである。また、分散液中の分散質の含有量は
１０〜７０Ｗ（％の範囲内にあることが好ましく、その
中でも特に３０〜６０ｗｔ％の範囲内にあることが好ま
しい。
テハ、ＳｉＯ２、Ａｔ／２０３ 、Ｆｅ２ ＣＬ＋ 、
ｃｏｏ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ０ｚ 、ｔＶｌｇＯ，Ｔｉｏ
ｚ等分散媒中に均一に分散しうるものが用いられる。こ
のようなセラミックス粒子は、分散液中に１種または２
種以上含有せしめ１うれる。また、セラミックス粒子の
大ぎざは０゜５〜２ノ原の範囲内にあることが好ましい
。上記大きさが０．５μｎ未満であるとゲル化しやずく
、２切を越えると形成される皮膜にピンホールが生じ易
くなるからである。また、分散媒としては水や、アルコ
ール類を用いるのが好ましく、その中でもイソプロピル
アルコールを用いるのが特によい。その理由は、後工程
の乾燥処理を施Ｊさいに容易に蒸発して形成されるセラ
ミックス皮膜への吸着量が少なくなり、その結果このシ
ュラウドをＭＢＥ装置に使用した場合にガスの放出量が
少なくなって、成膜室内の真空度を低下させるおそれが
少ないからである。また、分散液中の分散質の含有量は
１０〜７０Ｗ（％の範囲内にあることが好ましく、その
中でも特に３０〜６０ｗｔ％の範囲内にあることが好ま
しい。
上記含有量が１０ｗｔ％未満であると、形成される皮膜
にピンホールが生じやすく、７０ｗｔ％を越えると分散
液が高粘度となって処理が困難となるからである。さら
に、シュラウドへの分散液の塗布は、浸漬法および吹付
法等で行なう。
にピンホールが生じやすく、７０ｗｔ％を越えると分散
液が高粘度となって処理が困難となるからである。さら
に、シュラウドへの分散液の塗布は、浸漬法および吹付
法等で行なう。
また、上記において、塗布された分散液の乾燥は、１５
０〜２００℃で１５〜６０分間加熱することにより行な
うのがよい。そして、この加熱によるセラミックス粒子
の脱水縮合により皮膜化される。
０〜２００℃で１５〜６０分間加熱することにより行な
うのがよい。そして、この加熱によるセラミックス粒子
の脱水縮合により皮膜化される。
さらに、上記において、形成されるビラミックス皮膜の
厚さは１〜２０μｎの範囲内にあることが好ましい。そ
の理由は、膜厚が１ｕｍ未満であると、皮膜のＧａに対
する耐侵食性が十分ではなく、２０Ｊｉ１１を越えると
、ＭＢＥ装置に使用した場合に皮膜からのガス放出量が
多くなるとともに、熱サイクル性が低下して加熱、冷却
を繰返したさいに割れやすくなるおそれがあるからであ
る。
厚さは１〜２０μｎの範囲内にあることが好ましい。そ
の理由は、膜厚が１ｕｍ未満であると、皮膜のＧａに対
する耐侵食性が十分ではなく、２０Ｊｉ１１を越えると
、ＭＢＥ装置に使用した場合に皮膜からのガス放出量が
多くなるとともに、熱サイクル性が低下して加熱、冷却
を繰返したさいに割れやすくなるおそれがあるからであ
る。
実 施 例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示す。
実施例１
まず、アルミニウム材から周壁に冷却流体流通部を有す
るシュラウド用筒体をつくった。ついで、このシュラウ
ド用筒体の内面に、イソプロピルアルコールからなる分
散媒中に、ＳｉＯ２、Ｔｉｏ□からなる粒径１ ｔｔｙ
ｎのセラミックス粒子が均一に分散さＶられた分散液（
分散質含有ｆｆ１６０ｗｔ％）を吹付けた。その後、こ
れを１５０℃で３０分間加熱して乾燥させ、厚さ１０ノ
ア７Ｉ７のセミツクス皮膜を形成した。そして、シュラ
ウド用筒体の内面にＧａを１ｇ付着さけた後、２００℃
×２４時間加熱→液体チッ素で３０分間冷却、の熱Ｉナ
イクルテス１〜を６す゛イクル繰返して行ない、Ｇａに
にる侵食を調べた。筒体の内面を観察した結果、Ｇａに
よる侵食は認められなかった。
るシュラウド用筒体をつくった。ついで、このシュラウ
ド用筒体の内面に、イソプロピルアルコールからなる分
散媒中に、ＳｉＯ２、Ｔｉｏ□からなる粒径１ ｔｔｙ
ｎのセラミックス粒子が均一に分散さＶられた分散液（
分散質含有ｆｆ１６０ｗｔ％）を吹付けた。その後、こ
れを１５０℃で３０分間加熱して乾燥させ、厚さ１０ノ
ア７Ｉ７のセミツクス皮膜を形成した。そして、シュラ
ウド用筒体の内面にＧａを１ｇ付着さけた後、２００℃
×２４時間加熱→液体チッ素で３０分間冷却、の熱Ｉナ
イクルテス１〜を６す゛イクル繰返して行ない、Ｇａに
にる侵食を調べた。筒体の内面を観察した結果、Ｇａに
よる侵食は認められなかった。
実施例２
まず、アルミニウム祠から周壁に冷却流体流通部を有す
るシュラウド用筒体をつくった。ついで、このシュラウ
ド用筒体の内面に、イソプロピルアルコールからなる分
散媒中に、ＳｉＯ２、Ｃｏｏ、Ｍｎ０ｚからなる粒径１
１Ｊのセラミックス粒子が均一に分散させられた分散液
（分散質含有量３０ｗｔＸ）を吹付けた。その後、これ
を１５０°Ｃで３０分間加熱して乾燥ざＵ、厚さ１５Ｊ
ＩＩＮのセミツクス皮膜を形成した。そして、シュラウ
ド用筒体の内面にＱａを１ｇ付者させた後、実施例１と
同じ熱サイクルテス１〜を６１ナイクル繰返して行ない
、Ｇａによる侵食を調べた。筒体の内面を観察した結果
、Ｇａににる侵食は認められなかった。
るシュラウド用筒体をつくった。ついで、このシュラウ
ド用筒体の内面に、イソプロピルアルコールからなる分
散媒中に、ＳｉＯ２、Ｃｏｏ、Ｍｎ０ｚからなる粒径１
１Ｊのセラミックス粒子が均一に分散させられた分散液
（分散質含有量３０ｗｔＸ）を吹付けた。その後、これ
を１５０°Ｃで３０分間加熱して乾燥ざＵ、厚さ１５Ｊ
ＩＩＮのセミツクス皮膜を形成した。そして、シュラウ
ド用筒体の内面にＱａを１ｇ付者させた後、実施例１と
同じ熱サイクルテス１〜を６１ナイクル繰返して行ない
、Ｇａによる侵食を調べた。筒体の内面を観察した結果
、Ｇａににる侵食は認められなかった。
比較例
まず、アルミニウム材から周壁に冷却流体流通部を有す
るシュラウド用筒体をつくった。そして、ヒラミックス
皮膜を形成せずにＧａを１３１４肴さｌ！／；、：後、
実施例１と同じ熱サイクルデス１−を６リイクル繰返し
て行ない、Ｇａによる侵食性を調べた。筒体の内面を観
察した結果、Ｇａによる浸食が認められた。
るシュラウド用筒体をつくった。そして、ヒラミックス
皮膜を形成せずにＧａを１３１４肴さｌ！／；、：後、
実施例１と同じ熱サイクルデス１−を６リイクル繰返し
て行ない、Ｇａによる侵食性を調べた。筒体の内面を観
察した結果、Ｇａによる浸食が認められた。
発明の効果
この発明による半導体製造装置用シュラウドの製造方法
は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム製シュ
ラウド用筒体をつくった後、これらの内外両面のうら少
なくとも内面に、分散質であるセラミックス粒子が分散
媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで乾燥させ
て上記セラミックス粒子を、シーニラウド用筒体の内外
両面のうち少なくとも内面に付着させてセラミックス皮
膜を形成することを特撮とするものであるから、従来の
ステンレス鋼製のものと比較して軽Ｖで、熱伝導性が良
く、しかもＧａにス４づ゛る６１浸食性がステンレス鋼
製のものと同等のジュラ・ウドを簡単かつ安価に製造す
ることができる。特に、熱伝導性に優れているので、従
来のものに比べて半導体膜の成膜時のベーキング処理時
間を短縮することができるとともに、冷却流体流通部に
冷却流体を流して行なう冷却のさいの冷ＩＪｌ効率が向
上し、半導体ｎＱの成膜時の残留ガス吸着率が向上する
。
は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム製シュ
ラウド用筒体をつくった後、これらの内外両面のうら少
なくとも内面に、分散質であるセラミックス粒子が分散
媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで乾燥させ
て上記セラミックス粒子を、シーニラウド用筒体の内外
両面のうち少なくとも内面に付着させてセラミックス皮
膜を形成することを特撮とするものであるから、従来の
ステンレス鋼製のものと比較して軽Ｖで、熱伝導性が良
く、しかもＧａにス４づ゛る６１浸食性がステンレス鋼
製のものと同等のジュラ・ウドを簡単かつ安価に製造す
ることができる。特に、熱伝導性に優れているので、従
来のものに比べて半導体膜の成膜時のベーキング処理時
間を短縮することができるとともに、冷却流体流通部に
冷却流体を流して行なう冷却のさいの冷ＩＪｌ効率が向
上し、半導体ｎＱの成膜時の残留ガス吸着率が向上する
。
また、セラミックス皮膜の耐熱性および熱ザイクル性は
優れており、半導体成膜時のベーキング処理の２５０℃
程度までの加熱および液体チッ素による冷却を繰返して
も皮膜に剥れや割れ等が生じることはない。
優れており、半導体成膜時のベーキング処理の２５０℃
程度までの加熱および液体チッ素による冷却を繰返して
も皮膜に剥れや割れ等が生じることはない。
また、シュラウド用筒体をアルミニウム材からつくるの
であるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して
加工が容易である。
であるから、ステンレス鋼材からつくる場合に比較して
加工が容易である。
さらに、アルミニウムはステンレス鋼に比べて表面のガ
ス放出係数が小さいので、ＭＢＥ装置における半導体膜
の成膜室内の真空度を低下させるおそれが少ない。
ス放出係数が小さいので、ＭＢＥ装置における半導体膜
の成膜室内の真空度を低下させるおそれが少ない。
以 上
外４名
Claims (1)
- 周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム製シュラウ
ド用筒体をつくった後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、分散質であるセラミックス粒子が分散媒中
に均一に分散した分散液を塗布し、ついで乾燥させるこ
とにより上記セラミックス粒子を、シュラウド用筒体の
内外両面のうち少なくとも内面に付着させてセラミック
ス皮膜を形成することを特徴とする半導体製造装置用シ
ュラウドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229585A JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229585A JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101018A true JPS62101018A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH022282B2 JPH022282B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=17087109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24229585A Granted JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8316987B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-11-27 | Tokyo Roki Co., Ltd. | Muffling structure of vent pipe and muffling structure of case |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101583981B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2016-01-11 | (주)지오투정보기술 | 고속이동차량 기반 wlan 신호 수집 장치 및 방법 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24229585A patent/JPS62101018A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8316987B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-11-27 | Tokyo Roki Co., Ltd. | Muffling structure of vent pipe and muffling structure of case |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH022282B2 (ja) | 1990-01-17 |
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