JPS62100456A - 石英ガラス系光フアイバ - Google Patents
石英ガラス系光フアイバInfo
- Publication number
- JPS62100456A JPS62100456A JP24003785A JP24003785A JPS62100456A JP S62100456 A JPS62100456 A JP S62100456A JP 24003785 A JP24003785 A JP 24003785A JP 24003785 A JP24003785 A JP 24003785A JP S62100456 A JPS62100456 A JP S62100456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- fluorine
- doped
- optical fiber
- clad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
本発明は、石英ガラス系光ファイバに関する。
さらに詳しくは、放射線照射下における光伝送特性に優
れた石英ガラス系光ファイバに関する。
れた石英ガラス系光ファイバに関する。
［従来の技術およびその問題点］
石英ガラス系光ファイバは、石英ガラス製のコアとその
周ｕＯに屈折率がコアよりも低い石英ガラス製のクラッ
ドから形成されている。
周ｕＯに屈折率がコアよりも低い石英ガラス製のクラッ
ドから形成されている。
クラッドの屈折率を下げるために、従来よりドーパント
ソースガスとしてフッ素あるいはホウ素が用いられてい
るが、とくにフッ素をドープしたばあい、ホウ素を１〜
−ブしたばあいよりもその屈折率の低下効果１．１１０
倍程麿大きいので、通常ひろく使用されている。
ソースガスとしてフッ素あるいはホウ素が用いられてい
るが、とくにフッ素をドープしたばあい、ホウ素を１〜
−ブしたばあいよりもその屈折率の低下効果１．１１０
倍程麿大きいので、通常ひろく使用されている。
しかしながら、フッ素をドープしたばあいは一般にｌｌ
ｉ射線照射時の伝送損失が大きく、原子力発電所、核燃
料再処理＃Ａ設、放射性物質貯蔵施設などの放射線が存
在づる環境のもとで使用することは問題があるとされて
いる。
ｉ射線照射時の伝送損失が大きく、原子力発電所、核燃
料再処理＃Ａ設、放射性物質貯蔵施設などの放射線が存
在づる環境のもとで使用することは問題があるとされて
いる。
そこで本発明者らは放射線照射時の光伝送特性に優れた
フッ素ドープクラッド型の石英ガラス製光ファイバをつ
るべく鋭意研究を重ねたところ、フッ素のドープ量を特
定の範囲にするときは伝送損失が大きく抑制されること
を見出し、本発明を完成するに至った。
フッ素ドープクラッド型の石英ガラス製光ファイバをつ
るべく鋭意研究を重ねたところ、フッ素のドープ量を特
定の範囲にするときは伝送損失が大きく抑制されること
を見出し、本発明を完成するに至った。
［問題点を解決するためのｆ段］
本発明は０．７５重量％以下のフッ素がドープされたク
ラッドを有してなる石英ガラス系光ファイバｔこ関する
。
ラッドを有してなる石英ガラス系光ファイバｔこ関する
。
［作用および実施例］
本発明の石英ガラス系光ファイバは、クラッドにフッ素
を０．７５％（重■％、以下同様）以下、好ましくは０
．６％以下、とくに好ま【ノ＜は０．５％以下ドープし
たものである。
を０．７５％（重■％、以下同様）以下、好ましくは０
．６％以下、とくに好ま【ノ＜は０．５％以下ドープし
たものである。
このようにフッ素のドープ錘を前記特定の範囲とすると
きは、放＊ｉ ｍ照射時の光伝送損失の増加（Δα）を
１３０ｄＢ／ ｋｍ以下に抑えることができる。この程
度の増加損失は放射線の存在下での使用に充分耐えうる
ものである。なお、フッ素のドープ■を０゜８５％とす
るときは、増加損失（Δα）は３４０ｄＢ／ ｋ−とき
わめて大きなものとなる。
きは、放＊ｉ ｍ照射時の光伝送損失の増加（Δα）を
１３０ｄＢ／ ｋｍ以下に抑えることができる。この程
度の増加損失は放射線の存在下での使用に充分耐えうる
ものである。なお、フッ素のドープ■を０゜８５％とす
るときは、増加損失（Δα）は３４０ｄＢ／ ｋ−とき
わめて大きなものとなる。
本発明の光ファイバはクラッドのフッ素ドープ鏝を前記
特定の範囲に制御する以外は、従来公知の肉付は法ある
いは外付は法などをそのまま採用することにより製造で
きる。
特定の範囲に制御する以外は、従来公知の肉付は法ある
いは外付は法などをそのまま採用することにより製造で
きる。
本発明に用いるフッ素をドープするためのドーパントソ
ースガスとしては、ＣＣ０３Ｆ、Ｃｌ２Ｆ２、ＣＣ＃
Ｆ３、ＣＦ４などのフレオン類；ＣＩＦ 、 ＣＩ Ｆ
３ 、 ＢｒＦ、ＢｒＦａ ｌ、＞どのフレオン相７１
の化合物；Ｓ［６、［２、［２０などが例示しうる。
ースガスとしては、ＣＣ０３Ｆ、Ｃｌ２Ｆ２、ＣＣ＃
Ｆ３、ＣＦ４などのフレオン類；ＣＩＦ 、 ＣＩ Ｆ
３ 、 ＢｒＦ、ＢｒＦａ ｌ、＞どのフレオン相７１
の化合物；Ｓ［６、［２、［２０などが例示しうる。
本発明における特定量のフッ素がドープされたクラッド
は純石英がラスから０００３稈度に屈折率が下がってお
り、純石英ガラスをコアとするばあいはシングルモード
タイプの光ファイバとして利用できる。
は純石英がラスから０００３稈度に屈折率が下がってお
り、純石英ガラスをコアとするばあいはシングルモード
タイプの光ファイバとして利用できる。
また、より大きな屈折率差をえたいばあいはゲルマニウ
ムやリン、チタン、アルミニウムなどの屈折率をトげる
元素を１欅または２種以上ドープした石英カラスをコア
として用いればよく、そのばあい、マルチモードタイプ
の光ファイバが作製できる。
ムやリン、チタン、アルミニウムなどの屈折率をトげる
元素を１欅または２種以上ドープした石英カラスをコア
として用いればよく、そのばあい、マルチモードタイプ
の光ファイバが作製できる。
本発明の石英ガラス系光ファイバは放射線存在下におけ
る光伝送特性にとくに優れているので、原子力発電所、
核燃料再処理Ｔ場、放射性物質貯蔵施設などに使用する
光ファイバとして極めて有用である。
る光伝送特性にとくに優れているので、原子力発電所、
核燃料再処理Ｔ場、放射性物質貯蔵施設などに使用する
光ファイバとして極めて有用である。
つぎに本発明を実施例に基づいて説明するが、−３一
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
実施例１
回転する内径２４１１ｎ＋、外（￥２７ＩｎＩｍの石英
ガラス管の内部に５ｉ（Ｊ ４２１０ｃｃ／１ｎ、５Ｉ
Ｆ４３０ｃｃ／ｍｉｎ。
ガラス管の内部に５ｉ（Ｊ ４２１０ｃｃ／１ｎ、５Ｉ
Ｆ４３０ｃｃ／ｍｉｎ。
０２７００ｃｃ／ｓｉｎの混合ガスを流し、外部より約
１６００℃に加熱して管の内側にフッ素のドープされた
石英ガラスを所定の厚さに析出させ、その後酸水素バー
ナを用いて通常の方法で］ラプスし、ついで火焔研磨法
により最外層の石英ガラス■を除去し、フッ素がドープ
された石英ガラス棒をえた。このフッ素ドープ石英ガラ
ス棒をカーボン抵抗炉を用いて約２０００℃で直径１５
０μ円に線引し、線引直後にＲＴνシリ」−ンを塗布焼
付する通常のポリマークラッドファイバくの製造法を用
い、外径３００μ−のポリマークラッドファイバを作製
し、つづいてナイロンに樹脂を押出し被覆し、外径を０
．９ｕとした。
１６００℃に加熱して管の内側にフッ素のドープされた
石英ガラスを所定の厚さに析出させ、その後酸水素バー
ナを用いて通常の方法で］ラプスし、ついで火焔研磨法
により最外層の石英ガラス■を除去し、フッ素がドープ
された石英ガラス棒をえた。このフッ素ドープ石英ガラ
ス棒をカーボン抵抗炉を用いて約２０００℃で直径１５
０μ円に線引し、線引直後にＲＴνシリ」−ンを塗布焼
付する通常のポリマークラッドファイバくの製造法を用
い、外径３００μ−のポリマークラッドファイバを作製
し、つづいてナイロンに樹脂を押出し被覆し、外径を０
．９ｕとした。
えられた試料の光伝送損失のγ線による増加損失を以下
の方法により測定した。その結末を第１表に併記する。
の方法により測定した。その結末を第１表に併記する。
（光伝送の増加損失の測定方法）
試料長さ２２０ｍをとり、両端１０階を残して直径３０
ｃｍのループに束取りし、γ線源のある照射室のＩ Ｘ
１０５ Ｒ／Ｈの線量率の位置にセットし、両端を貫
通孔を通して照射室外に導く。ファイバの片端より０．
８６μｍの波長の［０光を入射し、出射端で受光素子に
より、初期出射パワー、ｒ。
ｃｍのループに束取りし、γ線源のある照射室のＩ Ｘ
１０５ Ｒ／Ｈの線量率の位置にセットし、両端を貫
通孔を通して照射室外に導く。ファイバの片端より０．
８６μｍの波長の［０光を入射し、出射端で受光素子に
より、初期出射パワー、ｒ。
を測定し、ついで線源を所定の位置にセットし、１時間
照射後（１１！積線量ｌＸｌ０５Ｒ）の出射パワー、■
を測定して、次式＋１１より増加損失Δαを求めた。
照射後（１１！積線量ｌＸｌ０５Ｒ）の出射パワー、■
を測定して、次式＋１１より増加損失Δαを求めた。
Δａ ＝ ５Ｊ ＯＱ （Ｉｏ／Ｉ） ｍ「
以下余白」 以下の結果から、フッ素のドープ齢が０．７５％以下で
あれば光伝送の増加損失が小さい石英ガラス系光ファイ
バがえられることがわかる。
以下余白」 以下の結果から、フッ素のドープ齢が０．７５％以下で
あれば光伝送の増加損失が小さい石英ガラス系光ファイ
バがえられることがわかる。
１琵明の効果］
本発明の？ｌ′ｉ英カラヌカラス系光フアイバラッドの
放射線特性としての伝送損失が小さいので、放！）１線
が存在する環境のもとて充分に使用することができる。
放射線特性としての伝送損失が小さいので、放！）１線
が存在する環境のもとて充分に使用することができる。
Claims (1)
- １ ０．７５重量％以下のフッ素がドープされたクラッ
ドを有してなる石英ガラス系光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24003785A JPS62100456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 石英ガラス系光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24003785A JPS62100456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 石英ガラス系光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62100456A true JPS62100456A (ja) | 1987-05-09 |
Family
ID=17053527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24003785A Pending JPS62100456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 石英ガラス系光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62100456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265425A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| US5262365A (en) * | 1990-02-05 | 1993-11-16 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Quartz glass doped with rare earth element and production thereof |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP24003785A patent/JPS62100456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265425A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Seiko Epson Corp | 透明基板の選択的加熱方法 |
| US5262365A (en) * | 1990-02-05 | 1993-11-16 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Quartz glass doped with rare earth element and production thereof |
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