JPS6198558A - ノズル及びそのノズル構造を形成するプロセス - Google Patents
ノズル及びそのノズル構造を形成するプロセスInfo
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- JPS6198558A JPS6198558A JP60227956A JP22795685A JPS6198558A JP S6198558 A JPS6198558 A JP S6198558A JP 60227956 A JP60227956 A JP 60227956A JP 22795685 A JP22795685 A JP 22795685A JP S6198558 A JPS6198558 A JP S6198558A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は通路を持つ単結晶シリコン構造物に関する。
先行技術の説明
先行技術、より具体的には、米国特許票３．９２１，９
１６号には、単結晶の結晶学的に配位されたシリコン
ウェーハは、このウェー八本体内に特定の形状の１つあ
るいは複数の複製が可能なチャネルを形成するために選
択的にエッチングできることが示されている。
１６号には、単結晶の結晶学的に配位されたシリコン
ウェーハは、このウェー八本体内に特定の形状の１つあ
るいは複数の複製が可能なチャネルを形成するために選
択的にエッチングできることが示されている。
この特許において開示されるタイプのチャネルは、１つ
の長方形入口断面を持ち、この入口断面はこれよりも小
さな中間長方形断面に延δ、そして長方形以外の形状を
持つ出口断面へと延びる。このタイプのチャネルは２つ
の開示されるプロセスのいずれかによって製造されるが
、この製造プロセスは両方ともエッチング障壁として濃
度の高いｐ十層（片方のプロセスはパターンを持ち、も
う一方のプロセスはパターンを持たない）を利用する。
の長方形入口断面を持ち、この入口断面はこれよりも小
さな中間長方形断面に延δ、そして長方形以外の形状を
持つ出口断面へと延びる。このタイプのチャネルは２つ
の開示されるプロセスのいずれかによって製造されるが
、この製造プロセスは両方ともエッチング障壁として濃
度の高いｐ十層（片方のプロセスはパターンを持ち、も
う一方のプロセスはパターンを持たない）を利用する。
両方のプロセスにおいて、シリコン ウェーハはｐ十エ
ッチング障壁を形成するために片方の面からほぼあ°る
いは完全な飽和状態になるまでドープされる。次に反対
面からこのｐ十障壁に達するまでパターン化された異方
的なエッチングが行なわれる。この異方的なエッチング
の結果として、長方形の入口断面及び薄膜の形状を定め
る入口断面よりサイズの小さな長方形中間断面が形成さ
れる。
ッチング障壁を形成するために片方の面からほぼあ°る
いは完全な飽和状態になるまでドープされる。次に反対
面からこのｐ十障壁に達するまでパターン化された異方
的なエッチングが行なわれる。この異方的なエッチング
の結果として、長方形の入口断面及び薄膜の形状を定め
る入口断面よりサイズの小さな長方形中間断面が形成さ
れる。
片方のプロセスにおいては、エッチングプロセスが入口
側から薄膜を貫通して開口部ができるまで続けられる。
側から薄膜を貫通して開口部ができるまで続けられる。
もう１つのプロセスはノズルの反対側（出口側）からの
パターン化された異方的なエッチングを使用し、これに
よって薄膜を貫通して中間断面に達する通路が形成され
る。
パターン化された異方的なエッチングを使用し、これに
よって薄膜を貫通して中間断面に達する通路が形成され
る。
これら先行技術によるプロセスによっても満足できるイ
ンク ジェット ノズルを得ることができるが、上述の
両方のプロセス及び結果として得られる構造物は特有の
問題を持つ。例えば、ウェーハの厚さが不均一になるこ
と、及び等方的なエッチングに起因する不均一性から、
これらプロセスでは結果として得られるノズル構造物
の寸法上の品質を向上する目的でウェーハの両面を機械
的及び／あるいは化学的にポリッシングすることが必要
であり、それだけ割高となる。さらに、これらプロセス
によって製造されるノズル構造物は出口開口部を包囲す
る高濃度にドープされたｐ十領域を持ち、これら領域が
もろくなり、結果として、インク ジェット印刷システ
ムにおいて頻繁に遭遇される高い液圧あるいは圧の変動
によって、故障を起こし易くなる。
ンク ジェット ノズルを得ることができるが、上述の
両方のプロセス及び結果として得られる構造物は特有の
問題を持つ。例えば、ウェーハの厚さが不均一になるこ
と、及び等方的なエッチングに起因する不均一性から、
これらプロセスでは結果として得られるノズル構造物
の寸法上の品質を向上する目的でウェーハの両面を機械
的及び／あるいは化学的にポリッシングすることが必要
であり、それだけ割高となる。さらに、これらプロセス
によって製造されるノズル構造物は出口開口部を包囲す
る高濃度にドープされたｐ十領域を持ち、これら領域が
もろくなり、結果として、インク ジェット印刷システ
ムにおいて頻繁に遭遇される高い液圧あるいは圧の変動
によって、故障を起こし易くなる。
発明の概要
本発明によるプロセスでは、標準の市販の結晶学上の配
位を持つ単結晶ｐタイプ シリコンを使用して、直接に
、ウェーハの両面の機械的あるいは化学的ポリッシング
をする必要なく、単一あるいは複数の流体ノズルが製造
されるが、このプロセスではウェーハの少なくとも片面
上に低飽和のｎ面層が形成される。次に、後に使用され
る異方的なエッチング液に耐える物質がウェーハの両側
に沈着される。その後、ノズルの入口及び出口を形成す
る間隙マスクがこれら両面上に形成される。
位を持つ単結晶ｐタイプ シリコンを使用して、直接に
、ウェーハの両面の機械的あるいは化学的ポリッシング
をする必要なく、単一あるいは複数の流体ノズルが製造
されるが、このプロセスではウェーハの少なくとも片面
上に低飽和のｎ面層が形成される。次に、後に使用され
る異方的なエッチング液に耐える物質がウェーハの両側
に沈着される。その後、ノズルの入口及び出口を形成す
る間隙マスクがこれら両面上に形成される。
次に出口領域にエッチング液に耐え、さらにｎ層に電気
的な接続を与えることができる物質がコーティングされ
る。次にウェーハをアルカリ性のエッチング液に浸すこ
とによってウェーハの入口領域から出口側の所のｎ層に
貫通する間隙が異方的にエッチングされるが、ウェーハ
の出口側のｐ ／ ｎ接合間に加えられや る
電位はｎ層と概むね同一９厚さを持つ薄膜を残してこの
エッチング作用を電気化学的に停止する。次に出口側か
ら薄膜を貫通する通路が異方的にエッチングされ、これ
によって完成したノズル構造物が得られる。半導体材質
から製造されるノズルを使用するマルチノズル インク
ジェット印刷システムのノズルの最も重要な特性とし
て、個々のノズルのサイズの均一性、複数のノズルの空
間的な分布状態、システム内で遭遇される液圧下でのも
ろさに対する抵抗、液体供給口と出口との間の効率的な
力学インピーダンスのマツチ、並びにノズル構造内に流
れる高速流体に起因する損耗に対する抵抗を挙げること
ができる。
的な接続を与えることができる物質がコーティングされ
る。次にウェーハをアルカリ性のエッチング液に浸すこ
とによってウェーハの入口領域から出口側の所のｎ層に
貫通する間隙が異方的にエッチングされるが、ウェーハ
の出口側のｐ ／ ｎ接合間に加えられや る
電位はｎ層と概むね同一９厚さを持つ薄膜を残してこの
エッチング作用を電気化学的に停止する。次に出口側か
ら薄膜を貫通する通路が異方的にエッチングされ、これ
によって完成したノズル構造物が得られる。半導体材質
から製造されるノズルを使用するマルチノズル インク
ジェット印刷システムのノズルの最も重要な特性とし
て、個々のノズルのサイズの均一性、複数のノズルの空
間的な分布状態、システム内で遭遇される液圧下でのも
ろさに対する抵抗、液体供給口と出口との間の効率的な
力学インピーダンスのマツチ、並びにノズル構造内に流
れる高速流体に起因する損耗に対する抵抗を挙げること
ができる。
第１図には本発明に従って製造されるノズル構造の一部
が示される。より具体的には、基板１０は内側に複数の
均一の開口部１１を持つ。個々の開口部１１は口元の概
むね正′方形の領域から始ま抄、次第に先細となってこ
の口元の正方形領域よりも小さな薄膜１２の境界を形成
する概むね正方形の領域にて終端する。第２図に示され
るごとく、一方、各々の薄膜１２はこれを貫通して延び
る開口部１３を持つが、この開口部は個々の対応する薄
膜１２の正方形領域より小さな概むね正方形の領域から
始ってこの口元領域より太き・な概むね正方形の領域に
終端する。この薄膜１２内のこの開口部１３の水平軸は
両方ともウェーハ１０の結晶学上の観点からウェーハ１
０の本体内の個々の対応する開口部１１の水平軸と概む
ね整合する。
が示される。より具体的には、基板１０は内側に複数の
均一の開口部１１を持つ。個々の開口部１１は口元の概
むね正′方形の領域から始ま抄、次第に先細となってこ
の口元の正方形領域よりも小さな薄膜１２の境界を形成
する概むね正方形の領域にて終端する。第２図に示され
るごとく、一方、各々の薄膜１２はこれを貫通して延び
る開口部１３を持つが、この開口部は個々の対応する薄
膜１２の正方形領域より小さな概むね正方形の領域から
始ってこの口元領域より太き・な概むね正方形の領域に
終端する。この薄膜１２内のこの開口部１３の水平軸は
両方ともウェーハ１０の結晶学上の観点からウェーハ１
０の本体内の個々の対応する開口部１１の水平軸と概む
ね整合する。
第３図から第８図は単一の流体ノズルあるいは複数のノ
ズルを形成するために単一結晶シリコン ウェーハ１０
内に間隙を作製する、だめのプロセス ステップのシー
ケンスを示す。以下のプロセス ステップは異なるシー
ケンスにて使用することができ、また、この他の膜材質
を使用して以下に説明の機能と同一の機能を遂行するこ
とができる。さらに、薄膜の形成、サイズ、厚さ等も変
更が可能である。ウェーハ１０は単結晶（１００，）配
向のｐタイプ シリコンで、０．５から１０ ｏｈｍ−
ｍ、の電気抵抗、及び約１９．５から２０．５ミルの厚
さを持ち、また前面１４及び背面１５を持つ。この（１
００）平面は面１４及び面１５に平行である。第３図に
示されるごとく、シリコン ウェーハ１０の前面１４及
び背面１５内に約５ミクロンの深さまでリンが拡散され
、これによってｎタイプ層１６及び１７が形成される。
ズルを形成するために単一結晶シリコン ウェーハ１０
内に間隙を作製する、だめのプロセス ステップのシー
ケンスを示す。以下のプロセス ステップは異なるシー
ケンスにて使用することができ、また、この他の膜材質
を使用して以下に説明の機能と同一の機能を遂行するこ
とができる。さらに、薄膜の形成、サイズ、厚さ等も変
更が可能である。ウェーハ１０は単結晶（１００，）配
向のｐタイプ シリコンで、０．５から１０ ｏｈｍ−
ｍ、の電気抵抗、及び約１９．５から２０．５ミルの厚
さを持ち、また前面１４及び背面１５を持つ。この（１
００）平面は面１４及び面１５に平行である。第３図に
示されるごとく、シリコン ウェーハ１０の前面１４及
び背面１５内に約５ミクロンの深さまでリンが拡散され
、これによってｎタイプ層１６及び１７が形成される。
後に説明するように、このプロセスによってノズル構造
を形成するためには１つの拡散層（出口側）のみが必要
である。
を形成するためには１つの拡散層（出口側）のみが必要
である。
この拡散は０．７５ ％のＰＨ，，１％の０□、及び残
りのＡｒ及びＮ２からガス混合物を９５０℃に保持され
たシリコン ウェー／１１０に３０分間流す周知の方法
によって行なわれる。これに続いて、厚い膜（約５ミク
ロン）を達成するために長時間のドライブ イン期間（
１０５０℃にて２２時間）が置かれる。１層１６及び１
７内の最終的なリンの濃度は非常に低いため、この拡散
ステップによってシリコン ウェーハ１０に導入される
ストレスは非常に少なく、従って、シリコン構造の強度
が損なわれる心配はない。
りのＡｒ及びＮ２からガス混合物を９５０℃に保持され
たシリコン ウェー／１１０に３０分間流す周知の方法
によって行なわれる。これに続いて、厚い膜（約５ミク
ロン）を達成するために長時間のドライブ イン期間（
１０５０℃にて２２時間）が置かれる。１層１６及び１
７内の最終的なリンの濃度は非常に低いため、この拡散
ステップによってシリコン ウェーハ１０に導入される
ストレスは非常に少なく、従って、シリコン構造の強度
が損なわれる心配はない。
次に、第４図に示されるごとく、ウェーハ１０の前面１
４及び背面１５の両方が長いエッチング期間のあいだア
ルカリ（ＫＯＴ（）液に耐えることができる層１８及び
層１９を形成する保護物質、例えば、ＬＰＧＶＤ窒化ケ
イ素によって覆われる。これを達成する１つの方法とし
て、窒化ケイ素を約８００℃にて沈着させる低圧化学蒸
着法を使用することができる。層１８及び層１９の両側
に厚さ０．５ミクロン以下の酸化物層（図示なし）が形
成され、これによって窒化物とシリコンの間のストレス
の影響が減少され、また窒化物への感光性耐食膜の付着
が向上される。フォトシェービングを容易にするためウ
ェーハ１０を入手したらこの背面１５をアルカリ液でな
く酸にてエッチングする。
４及び背面１５の両方が長いエッチング期間のあいだア
ルカリ（ＫＯＴ（）液に耐えることができる層１８及び
層１９を形成する保護物質、例えば、ＬＰＧＶＤ窒化ケ
イ素によって覆われる。これを達成する１つの方法とし
て、窒化ケイ素を約８００℃にて沈着させる低圧化学蒸
着法を使用することができる。層１８及び層１９の両側
に厚さ０．５ミクロン以下の酸化物層（図示なし）が形
成され、これによって窒化物とシリコンの間のストレス
の影響が減少され、また窒化物への感光性耐食膜の付着
が向上される。フォトシェービングを容易にするためウ
ェーハ１０を入手したらこの背面１５をアルカリ液でな
く酸にてエッチングする。
その後、ノズルの入口２０及び出口２１の両方の領域に
円形のマスクを作る。円形マスクによって境界を定めら
れるシリコン ウェーハ１０内の開口部が、１００面に
平行に、個々の正方形が対応するこの円を外接するかた
ちに正方形に侵食されるが、円形マスクの使用によって
正方形マスクを使用したときに発生するシータネ整合に
起因するエラーの可能を防ぐことができる。窒化ケイ素
層１８及び１９は両面フォトスピナー（図示ない）及び
両面アライナ−（図示なし）を使用することによって両
側を同時にフオトシエー°プされる。第５図は層１８及
び１９の入口２０及び出口２１の領域を形成する部分を
エッチングした結果として得られる構造を示す。
円形のマスクを作る。円形マスクによって境界を定めら
れるシリコン ウェーハ１０内の開口部が、１００面に
平行に、個々の正方形が対応するこの円を外接するかた
ちに正方形に侵食されるが、円形マスクの使用によって
正方形マスクを使用したときに発生するシータネ整合に
起因するエラーの可能を防ぐことができる。窒化ケイ素
層１８及び１９は両面フォトスピナー（図示ない）及び
両面アライナ−（図示なし）を使用することによって両
側を同時にフオトシエー°プされる。第５図は層１８及
び１９の入口２０及び出口２１の領域を形成する部分を
エッチングした結果として得られる構造を示す。
出口領域２１は次に第６図に示されるようにこれを金属
層２１にて覆うか、あるいは密閉用の機械的取付具（図
示なし）を使用して一エッチング液から保護される。そ
の後、ウェーハが高温（８０−８５℃）ＫＯＨ溶液（図
示なし）に浸され、そして背面１５の所のｐ ／ ｎ接
合間に電圧が加えられる。つまり、電源（図示なし）の
正の側が出口領域２１を保護している金属層２２に接続
され−る。この他のエッチング液、例えば、周期律表の
第１−Ａ族元素の金属水酸化物、例えば、ＮａＯＨ。
層２１にて覆うか、あるいは密閉用の機械的取付具（図
示なし）を使用して一エッチング液から保護される。そ
の後、ウェーハが高温（８０−８５℃）ＫＯＨ溶液（図
示なし）に浸され、そして背面１５の所のｐ ／ ｎ接
合間に電圧が加えられる。つまり、電源（図示なし）の
正の側が出口領域２１を保護している金属層２２に接続
され−る。この他のエッチング液、例えば、周期律表の
第１−Ａ族元素の金属水酸化物、例えば、ＮａＯＨ。
ＮＨ４ＯＨ、その他を使用することもできる。
電気化学的に制御された半導体シニングプロセスは当技
術において周知であシ、また本明細書の出願人の１人に
付与された米国特許第３．６８９．３８９号においても
詳細に説明されている。
術において周知であシ、また本明細書の出願人の１人に
付与された米国特許第３．６８９．３８９号においても
詳細に説明されている。
単結晶シリコン ウェーハ１０内の開口部１１は背面２
５の所の拡散層１Ｔに達するまで異方的にエッチングさ
れ、この点でエッチング作用がｐ ／ ｎ接合部間に加
えられた電位によってこの接合部の所に成長した酸化物
層（図示なし）によって停止される。当技術において周
知のごとく、ＫＯＨエッチング液を使用した場合、単結
晶シリコン材質の（１１１）平面が低速エッチング面と
なる。従うて、このエッチング ステップはウェーハ１
０内にピラミッド状の開口部を形成するが、この開口部
はこれがシリコンと拡散層１７の界面（ｐ ／ ｎ接合
）の所に設けられた電気化学的エッチング障壁に当たる
と薄膜１２の所で切頭する。
５の所の拡散層１Ｔに達するまで異方的にエッチングさ
れ、この点でエッチング作用がｐ ／ ｎ接合部間に加
えられた電位によってこの接合部の所に成長した酸化物
層（図示なし）によって停止される。当技術において周
知のごとく、ＫＯＨエッチング液を使用した場合、単結
晶シリコン材質の（１１１）平面が低速エッチング面と
なる。従うて、このエッチング ステップはウェーハ１
０内にピラミッド状の開口部を形成するが、この開口部
はこれがシリコンと拡散層１７の界面（ｐ ／ ｎ接合
）の所に設けられた電気化学的エッチング障壁に当たる
と薄膜１２の所で切頭する。
その後、ウェー／１１０がエッチング液から取り出され
、出口側の保護金属層２２及び関連する電気接続が除去
され、入口側２０が、通常、自然酸化によって形成され
る層２４によってエッチング液から保護される。次にウ
ニ＝ハ１０がエッチング液に再び浸され、背面１５の方
からピラミッド状の通路が異方的にエッチングされ、こ
れによって出口開口部１３が形成される。結果として得
られる構造が第７図に示される。
、出口側の保護金属層２２及び関連する電気接続が除去
され、入口側２０が、通常、自然酸化によって形成され
る層２４によってエッチング液から保護される。次にウ
ニ＝ハ１０がエッチング液に再び浸され、背面１５の方
からピラミッド状の通路が異方的にエッチングされ、こ
れによって出口開口部１３が形成される。結果として得
られる構造が第７図に示される。
次に必要であれば保護コーティング１８．１９及び２４
が除去され、第８図に示されるような完全に純粋なシリ
コン ノズルが残される。典型的には入口部の口元の開
口部の幅は約３５ミルとされ、出口開口部１３の最も狭
い部分の幅は約１．５から４ミルとされる。
が除去され、第８図に示されるような完全に純粋なシリ
コン ノズルが残される。典型的には入口部の口元の開
口部の幅は約３５ミルとされ、出口開口部１３の最も狭
い部分の幅は約１．５から４ミルとされる。
（１１１）平面に直交するエッチング速度は垂直エッチ
ング速度（１００）と比較して非常に低速であるため、
出口マスクによって設定される高精度が損なわれるほど
エッチングが過ぎることはない。出口側のウェー凸面に
インクがしみ込むのを防止するために、ウェーハ１０の
背面１５を低表面張力材質、例えば、テフロンにてコー
トすることもできる。
ング速度（１００）と比較して非常に低速であるため、
出口マスクによって設定される高精度が損なわれるほど
エッチングが過ぎることはない。出口側のウェー凸面に
インクがしみ込むのを防止するために、ウェーハ１０の
背面１５を低表面張力材質、例えば、テフロンにてコー
トすることもできる。
第１図は本発明によるノズル構造の一部分の斜視図を示
し： 第２図は第１図の線２−２に沿って切断されたノズルの
断面図を示し；そして 第３図から第８図は本発明に従って製造されるシリコン
ウェーへの一連の断面図を示す。 〔主要部分の符号の説明〕 １０・・・ウェーハ、 １１・・・入口開口部（入口間隙）、 １２・・・薄膜、 １３・・・出口開口部（出口間隙ン、 １４・・・前面、 １５・・・背面、 １６．１Ｔ・・・ｎタイプ層。 出 願 人：エーテイー７ンドテに一テレタイプ コ
ーポレーション
し： 第２図は第１図の線２−２に沿って切断されたノズルの
断面図を示し；そして 第３図から第８図は本発明に従って製造されるシリコン
ウェーへの一連の断面図を示す。 〔主要部分の符号の説明〕 １０・・・ウェーハ、 １１・・・入口開口部（入口間隙）、 １２・・・薄膜、 １３・・・出口開口部（出口間隙ン、 １４・・・前面、 １５・・・背面、 １６．１Ｔ・・・ｎタイプ層。 出 願 人：エーテイー７ンドテに一テレタイプ コ
ーポレーション
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体材質によって形成される第１の長方形断面領
域よりも小さな第２の長方形断 面領域に向って次第に細くなる長方形入口 間隙を持つノズル本体；及び 該第２の断面領域内に形成される該半導 体材質の薄膜を持ち、該薄膜がその中に長 方形の出口間隙を持ち、該出口間隙が該入 口間隙の第２の断面領域よりも小さな第１ の断面領域を持ち、そして該出口間隙の該 第１の断面領域が該出口間隙の該第１の断 面領域よりも大きな第２の断面領域に向っ て先細りとなることを特徴とするノズル。 ２、特許請求の範囲第１項に記載のノズルにおいて、該
半導体材質が単結晶シリコンで あることを特徴とするノズル。 ３、特許請求の範囲第２項に記載のノズルにおいて、該
入口間隙及び出口間隙が概むね 正方形の断面を持つことを特徴とするノズ ル。 ４、特許請求の範囲第３項に記載のノズルにおいて、該
断面が該単結晶シリコンの該 （１００）平面に概むね平行であることを 特徴とするノズル。 ５、特許請求の範囲第３項に記載のノズルにおいて、該
入口間隙と該出口間隙が概むね 同心円状であることを特徴とするノズル。 ６、特許請求の範囲第５項に記載のノズルにおいて、該
薄膜の厚さが概むね１０ミクロ ンあるいはそれ以下であることを特徴とす るノズル。 ７、特許請求の範囲第６項に記載のノズルにおいて、該
薄膜がｎタイプシリコンであ ることを特徴とするノズル。 ８、第１と第２の主要面を持つ結晶学的に配向されたｐ
タイプ単結晶シリコンのセクシ ョン内の間隙からなるノズル構造を形成す るプロセスにおいて、該プロセスが： 該シリコンセクションの該第１の主要 面上にｎタイプの表面層を形成するステッ プ； 該シリコンセクションの該第２の面か ら該ｎ層に向って間隙を異方的にエッチン グするステップ；及び 該シリコンセクションの該第１の面か ら該ｎ層を貫通する通路を異方的にエッチ ングするステップを含むことを特徴とする プロセス。 ９、特許請求の範囲第８項に記載のプロセスにおいて、
該間隙を異方的にエッチングす る該ステップがエッチングプロセスを停 止するためにシリコンのｎ層界面の所に電 気化学的障壁を作るステップを含むことを 特徴とするプロセス。 １０、特許請求の範囲第９項に記載のプロセスにおいて
、該間隙を異方的にエッチングす る該ステップがさらに： 該シリコンセクションの該第１及び第 ２の面を該エッチングに耐える材質にてコ ーティングするステップ； 該コーティングを該両面のそれぞれ該ノ ズルの入口及び出口を形成する該第１の面 及び該第２の面から除去するステップ； 該出口領域を電気的に伝導性の装置によ ってエッチング液から保護するステップ； 該シリコンセクションをエッチング液 に浸すステップ； 該エッチング液に陰極を浸すステップ； 及び 該保護装置に正の電位を加えてこれによ って該シリコンと該ｎ層にて形成される ｐ／ｎ接合間に電位を生じさせるステップ を含むことを特徴とするプロセス。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載のプロセスにおい
て、該第１の面及び該第２の面を コーティングする該ステップが： 該第１及び該第２の面上に酸化物層を成 長させるステップ； 該酸化された面上に窒化ケイ素を沈着さ せるステップ；及び 該窒化物層上に酸化物層を成長させるス テップを含むことを特徴とするプロセス。 １２、特許請求の範囲第１１項に記載のプロセスにおい
て、該コーティングを除去するス テップが： 該シリコンの該第１及び第２の表面を感 光性耐食膜にてコーティングするステップ；該シリコン
の両側上の該感光性耐食膜を 露出することによってノズルの入口領域と 出口領域を形成するステップ；及び 該ノズルの該入口及び出口を形成する該 領域から酸化物−窒化物−酸化物層をエッ チングして除去するステップを含むことを 特徴とするプロセス。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載のプロセスにおい
て、該露出された出口及び入口領 域が円形であることを特徴とするプロセス。 １４、特許請求の範囲第１０項に記載のプロセスにおい
て、該エッチング液がＫＯＨ液で あることを特徴とするプロセス。 １５、特許請求の範囲第８項に記載のプロセスにおいて
、該間隙と通路が同心円状である ことを特徴とするプロセス。 １６、前面と背面を持つ結晶学的に配位されたｐタイプ
単結晶シリコンの薄いセクション の中に間隙を持つノズル構造を形成するプ ロセスにおいて、該プロセスが： 該シリコンセクションの背面上にｎ面 層を形成するステップ； 該シリコンセクションの前面及び背面 の両方を該ノズルの入口と出口を形成する 領域を除いてコーティングするステップ； 該間隙の出口側に保護コーティングを与 えるステップ； 該シリコンセクションをエッチング液 に浸すステップ； 該エッチング液に陰極を浸すステップ； 該ｎ層に制御用の正の電位を加えるステ ップ； 該ノズルの入口側から該ノズルの出口側 の所のｎ層に貫通する間隙を異方的にエッ チングするステップ； 該エッチング液から該シリコンセクシ ョンを取り出すステップ； 該ノズルの出口領域を覆う該保護層を除 去するステップ； 該入口側に保護層をコーティングするス テップ； 該シリコン本体を該エッチング液に再び 浸すステップ；及び 該シリコンセクションの背面から該ｎ 層に貫通する間隙を異方的にエッチングす るステップを含むことを特徴とするプロセ ス。 １７、特許請求の範囲第１６項に記載のプロセスにおい
て、該単結晶シリコンが（１００）あるいは（１１０）
面に沿って配向するこ とを特徴とするプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US66100584A | 1984-10-15 | 1984-10-15 | |
| US661005 | 1984-10-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198558A true JPS6198558A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=24651804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227956A Pending JPS6198558A (ja) | 1984-10-15 | 1985-10-15 | ノズル及びそのノズル構造を形成するプロセス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0178596B2 (ja) |
| JP (1) | JPS6198558A (ja) |
| KR (1) | KR930009109B1 (ja) |
| AU (1) | AU582581B2 (ja) |
| CA (1) | CA1237020A (ja) |
| DE (1) | DE3581355D1 (ja) |
| ES (2) | ES8707144A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998051506A1 (fr) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation d'ajutage pour injecteurs et procede de fabrication d'une tete a jet d'encre |
| JP2009248325A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを備えた塗布装置及びインクジェットヘッドの駆動方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4791436A (en) * | 1987-11-17 | 1988-12-13 | Hewlett-Packard Company | Nozzle plate geometry for ink jet pens and method of manufacture |
| DE4222140C2 (de) * | 1992-07-06 | 1994-06-16 | Heinzl Joachim | Aerostatisches Miniaturlager |
| US6183064B1 (en) | 1995-08-28 | 2001-02-06 | Lexmark International, Inc. | Method for singulating and attaching nozzle plates to printheads |
| US6120131A (en) * | 1995-08-28 | 2000-09-19 | Lexmark International, Inc. | Method of forming an inkjet printhead nozzle structure |
| JP2000198199A (ja) | 1997-12-05 | 2000-07-18 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドおよびヘッドカートリッジおよび液体吐出装置および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| US6491380B2 (en) * | 1997-12-05 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharging head with common ink chamber positioned over a movable member |
| EP0921004A3 (en) * | 1997-12-05 | 2000-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head, recording apparatus, and method for manufacturing liquid discharge heads |
| US6463656B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Laminate and gasket manfold for ink jet delivery systems and similar devices |
| KR100944884B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2010-03-03 | 주식회사 알파켐 | 비충격 프린팅을 위한 노즐 및 이를 사용한 인쇄방법 |
| KR101291689B1 (ko) * | 2010-08-17 | 2013-08-01 | 엔젯 주식회사 | 정전기력을 이용하는 액적분사장치용 노즐 |
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| JPS5753366A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-30 | Ricoh Co Ltd | Nozzle plate for liquid jet apparatus |
| JPS57116656A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-20 | Sharp Corp | Manufacture of orifice for ink jet printer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| USB789264I5 (ja) * | 1969-01-06 | |||
| JPS5040616B1 (ja) * | 1970-03-18 | 1975-12-25 | ||
| US3958255A (en) * | 1974-12-31 | 1976-05-18 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle structure |
| US3949410A (en) * | 1975-01-23 | 1976-04-06 | International Business Machines Corporation | Jet nozzle structure for electrohydrodynamic droplet formation and ink jet printing system therewith |
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-
1985
- 1985-03-27 CA CA000477672A patent/CA1237020A/en not_active Expired
- 1985-10-02 AU AU48190/85A patent/AU582581B2/en not_active Expired
- 1985-10-11 DE DE8585112882T patent/DE3581355D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-11 EP EP85112882A patent/EP0178596B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-14 KR KR1019850007532A patent/KR930009109B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-10-14 ES ES547845A patent/ES8707144A1/es not_active Expired
- 1985-10-15 JP JP60227956A patent/JPS6198558A/ja active Pending
-
1987
- 1987-04-13 ES ES1987296483U patent/ES296483Y/es not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5184641A (ja) * | 1974-12-31 | 1976-07-24 | Ibm | |
| JPS5753366A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-30 | Ricoh Co Ltd | Nozzle plate for liquid jet apparatus |
| JPS57116656A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-20 | Sharp Corp | Manufacture of orifice for ink jet printer |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0178596A2 (en) | 1986-04-23 |
| CA1237020A (en) | 1988-05-24 |
| ES547845A0 (es) | 1987-08-16 |
| EP0178596B1 (en) | 1991-01-16 |
| AU582581B2 (en) | 1989-04-06 |
| AU4819085A (en) | 1986-04-24 |
| KR930009109B1 (ko) | 1993-09-23 |
| EP0178596B2 (en) | 1994-06-01 |
| ES8707144A1 (es) | 1987-08-16 |
| DE3581355D1 (de) | 1991-02-21 |
| KR860003109A (ko) | 1986-05-19 |
| EP0178596A3 (en) | 1987-09-16 |
| ES296483U (es) | 1987-10-16 |
| ES296483Y (es) | 1988-04-16 |
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