JPS6195525A - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置Info
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- JPS6195525A JPS6195525A JP59216265A JP21626584A JPS6195525A JP S6195525 A JPS6195525 A JP S6195525A JP 59216265 A JP59216265 A JP 59216265A JP 21626584 A JP21626584 A JP 21626584A JP S6195525 A JPS6195525 A JP S6195525A
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- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- mirror
- spectral sensitivity
- wavelength
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、分光感度特性可変の光検出装置に関し、例え
ばフォトレジストを露光する焼付装置においてフォトレ
ジストの分光感度特性と焼付装置の受光系（光検出装置
）との分光感度特性を合致させることによってより適正
な露光量を与えるために用いられる光検出装置に関する
。
ばフォトレジストを露光する焼付装置においてフォトレ
ジストの分光感度特性と焼付装置の受光系（光検出装置
）との分光感度特性を合致させることによってより適正
な露光量を与えるために用いられる光検出装置に関する
。
［発明の背景］
ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造するための焼付装置
において、半導体ウェハ上に塗布されたフォトレジスト
の露光ｍを設定する際、正しい露光量すなわちフォトレ
ジストの感光に実際に寄与する光の缶を測定する必要が
ある。このような正しい露光量を測定するためには、受
光系すなわち先止検出系と露光すべきフォトレジストの
分光感日持性を合致さぜることが好都合である。
において、半導体ウェハ上に塗布されたフォトレジスト
の露光ｍを設定する際、正しい露光量すなわちフォトレ
ジストの感光に実際に寄与する光の缶を測定する必要が
ある。このような正しい露光量を測定するためには、受
光系すなわち先止検出系と露光すべきフォトレジストの
分光感日持性を合致さぜることが好都合である。
従来、九の検出系の分光感度特性を露光すべきフォトレ
ジストの分光感度特性に合せる方法として、１つのフォ
トディテクタと単数または？！２数のフィルタとを組合
ぜて丸部検出系の分光感度特性を調節する方法が知られ
ている。しかしながら、このような方法によっては検出
系とフォトレジストの分光感度特性を一致させることが
極めて面倒かつ困難であり、その結果、事実上止しい露
光量を１！することができないという欠点があった。
ジストの分光感度特性に合せる方法として、１つのフォ
トディテクタと単数または？！２数のフィルタとを組合
ぜて丸部検出系の分光感度特性を調節する方法が知られ
ている。しかしながら、このような方法によっては検出
系とフォトレジストの分光感度特性を一致させることが
極めて面倒かつ困難であり、その結果、事実上止しい露
光量を１！することができないという欠点があった。
また、露光光を回折格子により分光し、分光した光束を
収斂光学系によって各波長成分ごとに別個のフォトディ
テクタに大剣させることによりフォトディテクタと露光
光とを合成した分光感度曲線を１７、この分光感度曲線
を補正してフォトレジストの分光感度特性に合致させる
方法も、例えば特開昭５８−８８６２４号公報等で知ら
れているが、回折格子と収斂光学系そしてフォトディテ
クタの相互の配置位置により分光感度特性が変化しない
ようＭ？Ｊるための複雑なメカニズムが必要であるとい
う欠点があった。また、このようなメカニズムは設定ま
たは調整に手間が掛り、あるいは組立に高度の熟練を要
し、さらには度々再調整をしなければならない等の欠点
があった。
収斂光学系によって各波長成分ごとに別個のフォトディ
テクタに大剣させることによりフォトディテクタと露光
光とを合成した分光感度曲線を１７、この分光感度曲線
を補正してフォトレジストの分光感度特性に合致させる
方法も、例えば特開昭５８−８８６２４号公報等で知ら
れているが、回折格子と収斂光学系そしてフォトディテ
クタの相互の配置位置により分光感度特性が変化しない
ようＭ？Ｊるための複雑なメカニズムが必要であるとい
う欠点があった。また、このようなメカニズムは設定ま
たは調整に手間が掛り、あるいは組立に高度の熟練を要
し、さらには度々再調整をしなければならない等の欠点
があった。
［発明の目的］
本発明は、従来の欠点に鑑み提案されたもので、正しい
露光ｍを容易に（りる目的でなされ、さらに装置の組立
て、調整を容易にする目的をも有している。
露光ｍを容易に（りる目的でなされ、さらに装置の組立
て、調整を容易にする目的をも有している。
［発明の構成コ
本発明を具体例により説明すれば次の通りである。すな
わち、露光光を分光する手段として回折格子の代りに干
渉フィルタを使用し、その干渉フィルタに対応させた複
数のフォトディテクタを設け、さらに変換された電気信
号に受光系全体の分光感度特性が露光すべきフォトレジ
ストの分光感度特性に合致するよう重み付けを行なうこ
とを特徴としている。
わち、露光光を分光する手段として回折格子の代りに干
渉フィルタを使用し、その干渉フィルタに対応させた複
数のフォトディテクタを設け、さらに変換された電気信
号に受光系全体の分光感度特性が露光すべきフォトレジ
ストの分光感度特性に合致するよう重み付けを行なうこ
とを特徴としている。
［実施例の説明」
以下、図面に従って本発明の詳細な説明づる。
第１図は、本発明の一実施例に係る光検出装置を適用し
たマスクアライナの構成を示す。同図の７スクアライナ
は、照明系を構成する超高圧水銀灯１、楕凹面鏡２、第
１ミラー３、コリメータ４、＼Ｄフィルタ５、Ｌ３９フ
ィルタ６、フライズアイレンズ７、第２ミラー（ハーフ
ミラ−）８およびコンデンサレンズ９、ならびに光検出
装置を構成づるダイクロイックミラー１１．１２．１３
、光電変換素子１４．１５．１６および増幅回路１７を
具備する。１０は図示しない半η体ウェハに転写すべき
回路パターンが形成されたマスクである。
たマスクアライナの構成を示す。同図の７スクアライナ
は、照明系を構成する超高圧水銀灯１、楕凹面鏡２、第
１ミラー３、コリメータ４、＼Ｄフィルタ５、Ｌ３９フ
ィルタ６、フライズアイレンズ７、第２ミラー（ハーフ
ミラ−）８およびコンデンサレンズ９、ならびに光検出
装置を構成づるダイクロイックミラー１１．１２．１３
、光電変換素子１４．１５．１６および増幅回路１７を
具備する。１０は図示しない半η体ウェハに転写すべき
回路パターンが形成されたマスクである。
ダイクロイックミラー１１．１２．１３は、それぞれ例
えばアライナ用のＵＶランプの光源の主要波長て゛ある
ｉ線（３６５ｎｍ） 、 ｈ線（４０５ｎｍ） 、Ｑ線
（４３６ｎｍ）を分光的に反射するもので、図示のよう
に第２ミラー８の後に直９１的に配置されることにより
、第２ミラー８を透過した光束をｉ線、９線、ｈ線に分
光する。
えばアライナ用のＵＶランプの光源の主要波長て゛ある
ｉ線（３６５ｎｍ） 、 ｈ線（４０５ｎｍ） 、Ｑ線
（４３６ｎｍ）を分光的に反射するもので、図示のよう
に第２ミラー８の後に直９１的に配置されることにより
、第２ミラー８を透過した光束をｉ線、９線、ｈ線に分
光する。
増幅回路１７は、光電変換素子１４．１５．１６の出力
寸なりら第２ミラー８を透過した１線、９線およびｈｌ
それぞれの光量に相当づ−る各電気信号を増幅する７ン
ブ１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈおよびアンプ１７１
゜１７ｇ 、１７ｈの出力を合成（側口）するアンプ１
７【を具備する。また、これらのアンプ１７ｉ 、 １
７ｇ 。
寸なりら第２ミラー８を透過した１線、９線およびｈｌ
それぞれの光量に相当づ−る各電気信号を増幅する７ン
ブ１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈおよびアンプ１７１
゜１７ｇ 、１７ｈの出力を合成（側口）するアンプ１
７【を具備する。また、これらのアンプ１７ｉ 、 １
７ｇ 。
１７ｈは、それぞれ負帰還回路に可変抵抗器ＶＲｉ。
ＶＲ（１、ＶＲｈが挿入されており、これらの可変抵抗
器によってゲインを任意かつ個別に変更することができ
るようになっている。
器によってゲインを任意かつ個別に変更することができ
るようになっている。
このマスクアライナにおいて、超高圧水銀灯１から隋凹
面鏡２、第１ミラー３、コリメータ４、ＮＤフィルタ５
、Ｌ３９フィルタ６およびフライズアイレンズ７を通り
、第２ミラー８で反射され、さらにコンデンサレンズｂ
を通った光は、マスク１０を通してウェハ面上のフォト
レジスト（不図示）に照射され、フィトレジストを感光
する。
面鏡２、第１ミラー３、コリメータ４、ＮＤフィルタ５
、Ｌ３９フィルタ６およびフライズアイレンズ７を通り
、第２ミラー８で反射され、さらにコンデンサレンズｂ
を通った光は、マスク１０を通してウェハ面上のフォト
レジスト（不図示）に照射され、フィトレジストを感光
する。
一方、上記第２ミラー８を透過した光束は、この第２ミ
ラー８の後に配置されたダイクロイックミラー１４．１
５．１６によってそれぞれ１線、Ｑ線、ｈ線に分光され
、それぞれ光電変換素子１４．１５゜１６で電気信号に
変換される。これらの電気イコ号（Ｊ、それぞれのアン
プ１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈにＪ３いて別個に設
定された利賀で増幅されることによって重みを付された
後、アンプ１７ｔで１つの信号に合成され、光検出信号
ｖｏｕｔとして出力される。従って、例えば、第２図（
ａ）に図示するような分光感度特性のフォトレジストを
用いる場合、アンプ１７１゜１７ｇ 、 １７ｈの出力
としてそれぞれ第２図（ｂ）に示すような信号レベルが
得られるように、アンプ＋７ｉ 、 １７ｇ 、 １７
ｈのゲインを可変抵抗器ｖＲ；。
ラー８の後に配置されたダイクロイックミラー１４．１
５．１６によってそれぞれ１線、Ｑ線、ｈ線に分光され
、それぞれ光電変換素子１４．１５゜１６で電気信号に
変換される。これらの電気イコ号（Ｊ、それぞれのアン
プ１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈにＪ３いて別個に設
定された利賀で増幅されることによって重みを付された
後、アンプ１７ｔで１つの信号に合成され、光検出信号
ｖｏｕｔとして出力される。従って、例えば、第２図（
ａ）に図示するような分光感度特性のフォトレジストを
用いる場合、アンプ１７１゜１７ｇ 、 １７ｈの出力
としてそれぞれ第２図（ｂ）に示すような信号レベルが
得られるように、アンプ＋７ｉ 、 １７ｇ 、 １７
ｈのゲインを可変抵抗器ｖＲ；。
ＶＲ（１、ＶＲｈによって設定することにより、ダイク
ロイックミラー１１．１２．１３、光電変換素子１４゜
１５、１６および増幅回路１７の総合特性を第２図（ａ
）の分光感度特性に合致させることができる。
ロイックミラー１１．１２．１３、光電変換素子１４゜
１５、１６および増幅回路１７の総合特性を第２図（ａ
）の分光感度特性に合致させることができる。
第３図は、本発明の光検出装置の出力Ｖｏｕｔを基に実
際の露光量を得るための回路例を示す。
際の露光量を得るための回路例を示す。
第１図の７ライナにおいて、シャッタ（図示せ）
ず）が開くとウェハ（図示せず）が露光されると同時に
、照明系の第２ミラー８を透過してきた光が光検出装置
に入射される。これにより、光検出装置からは出力ｖｏ
ｕｔが発生し、この出力ｖｏｕｔは、第３図の積分回路
４１に印加される。積分器４１の出力はコンパレーク４
２の一方の入力端４３に加えられ、またコンパレータ４
２の他方の入力端４４には露光ｆｆ１ｊＱ定器４５が接
続されている。このため、コンパレータ４２は、積分器
４１の出力が露光口設定器４５から出力される参照電圧
ｖｒｅｒより高くなると反転する。従って、この参照電
圧ｖ ｒｅｒを図示しない可変抵抗器等により適切に調
節しておくとともに、コンパレータ４２の出力信号Ｖ
ｃｍｐをシャツタ閉信号として用いることにより第１図
のアライナでは正しい露光量を得ることができる。
ず）が開くとウェハ（図示せず）が露光されると同時に
、照明系の第２ミラー８を透過してきた光が光検出装置
に入射される。これにより、光検出装置からは出力ｖｏ
ｕｔが発生し、この出力ｖｏｕｔは、第３図の積分回路
４１に印加される。積分器４１の出力はコンパレーク４
２の一方の入力端４３に加えられ、またコンパレータ４
２の他方の入力端４４には露光ｆｆ１ｊＱ定器４５が接
続されている。このため、コンパレータ４２は、積分器
４１の出力が露光口設定器４５から出力される参照電圧
ｖｒｅｒより高くなると反転する。従って、この参照電
圧ｖ ｒｅｒを図示しない可変抵抗器等により適切に調
節しておくとともに、コンパレータ４２の出力信号Ｖ
ｃｍｐをシャツタ閉信号として用いることにより第１図
のアライナでは正しい露光量を得ることができる。
以上のように、本発明の光検出装置を用いて露光ｍを制
御すれば、光源の発光特性が変化しても正しい露光を得
ることができる。
御すれば、光源の発光特性が変化しても正しい露光を得
ることができる。
第４図は、本発明の他の実施例に係る光検出装置を示す
。この光検出装置は、第１図の装置において１１番以降
の符号で示されていた光学系Ｊ３よびフォトディテクタ
を変更したものである。第４図、において、１８は８個
の扇形の干渉フィルタ１８ａ〜１８ｈを平面的に円形配
列してなるフィルタブロック、１９は円形のフォトディ
テクタをフィルタブロック１８と同様の扇形の光検知素
子（光電変換素子）１９ａ〜１９ｈに分割してなる多分
割のフォトディテクタである。
。この光検出装置は、第１図の装置において１１番以降
の符号で示されていた光学系Ｊ３よびフォトディテクタ
を変更したものである。第４図、において、１８は８個
の扇形の干渉フィルタ１８ａ〜１８ｈを平面的に円形配
列してなるフィルタブロック、１９は円形のフォトディ
テクタをフィルタブロック１８と同様の扇形の光検知素
子（光電変換素子）１９ａ〜１９ｈに分割してなる多分
割のフォトディテクタである。
同図にＪ３いて、第２ミラー８（第１図）を透過した光
束は、フィルタブロック１８の各干渉フィルタ１８ａ〜
１８ｈによって８＠の波長成分に分けられ、それぞれ多
分割フォトディテクタ１９の対応する光電変換素子１９
ａ〜１９ｈにより電気信号に変換される。この多分割フ
ォトディテクタ１９は、同一のシリコン阜歓あるいはガ
リウムもしくはヒ素基板上に形成することができ、この
場合、装置全体を極めて小型に構成することができる。
束は、フィルタブロック１８の各干渉フィルタ１８ａ〜
１８ｈによって８＠の波長成分に分けられ、それぞれ多
分割フォトディテクタ１９の対応する光電変換素子１９
ａ〜１９ｈにより電気信号に変換される。この多分割フ
ォトディテクタ１９は、同一のシリコン阜歓あるいはガ
リウムもしくはヒ素基板上に形成することができ、この
場合、装置全体を極めて小型に構成することができる。
光電変換素子１９ａ〜１９ｈから出力される電気信号は
それぞれアンプ２０ａ〜２０ｈに入力される。この装置
においてもアンプ２０ａ〜２０ｈのゲインを、第１図の
装置におけると同様に露光ずべきフォトレジストの分光
感度特性と入力される波長成分とに応じて調整すること
により、アンプ２０【でそれぞれの電気信号を側口して
＋’７られる出力■ｏｕｔすなわら干渉フィルタ１８ａ
〜＋８ｈと光電変換索子１９ａ〜１９１１とアンプ２０
ａ〜２０ｈとの総合感度特性をフォトレジストの分光感
度特性に合致させることができる。これにより、この光
検出ＨＦｉにＪ５いては、フォト、レジスト感度とほぼ
同じ分光感度を有する電気信号出力ｏｕｔが得られ、こ
の出力Ｖｏｕｔを第３図に示すような回路に供給して露
光ωの制御を行なうようにすれば、フォトレジス１〜゛
つ干渉フィルタ１８ａ〜１８ｈおよび光電変換索子１９
ａ〜＋９ｈの個々の分光感度特性にかかわらず、さらに
は露光光の波長分布が変動した場合であっても、常に正
しい露光間を１ｑることができる。
それぞれアンプ２０ａ〜２０ｈに入力される。この装置
においてもアンプ２０ａ〜２０ｈのゲインを、第１図の
装置におけると同様に露光ずべきフォトレジストの分光
感度特性と入力される波長成分とに応じて調整すること
により、アンプ２０【でそれぞれの電気信号を側口して
＋’７られる出力■ｏｕｔすなわら干渉フィルタ１８ａ
〜＋８ｈと光電変換索子１９ａ〜１９１１とアンプ２０
ａ〜２０ｈとの総合感度特性をフォトレジストの分光感
度特性に合致させることができる。これにより、この光
検出ＨＦｉにＪ５いては、フォト、レジスト感度とほぼ
同じ分光感度を有する電気信号出力ｏｕｔが得られ、こ
の出力Ｖｏｕｔを第３図に示すような回路に供給して露
光ωの制御を行なうようにすれば、フォトレジス１〜゛
つ干渉フィルタ１８ａ〜１８ｈおよび光電変換索子１９
ａ〜＋９ｈの個々の分光感度特性にかかわらず、さらに
は露光光の波長分布が変動した場合であっても、常に正
しい露光間を１ｑることができる。
なお、ここでは例として８個の干渉フィルタと８分割の
フォトディテクタを用いた例を示したが、一般的に干渉
フィルタをｎ１ｌ（ｎは′ｉＦの整数）使用してｎ飼に
分割された多分割フィルタと組み合わせることも可能で
ある。一般に分υ１数を１！’！ ’ｆｆ ＩＪとフォ
トレジスト分光感度の近似が精度よく行＜７われ、従っ
て粘度の高い露光を与えることができる。
フォトディテクタを用いた例を示したが、一般的に干渉
フィルタをｎ１ｌ（ｎは′ｉＦの整数）使用してｎ飼に
分割された多分割フィルタと組み合わせることも可能で
ある。一般に分υ１数を１！’！ ’ｆｆ ＩＪとフォ
トレジスト分光感度の近似が精度よく行＜７われ、従っ
て粘度の高い露光を与えることができる。
また、この実施例の光検出装■では同一平面上に配列さ
れた干渉フィルタ群と同一基板上に分割形成された光検
知素子群とを空間的に対向させるようにしているため第
１図に示したものより簡単なメカニズムに構成すること
ができる。
れた干渉フィルタ群と同一基板上に分割形成された光検
知素子群とを空間的に対向させるようにしているため第
１図に示したものより簡単なメカニズムに構成すること
ができる。
［実施例の変形例］
なＪ３、本発明は上述の実施例に限定されることなく適
宜変形して実施することができる。例えば、上述の実施
例においてはフィルタを用いて分光し光電変換素子で各
波長成分の光量に相当する電気信号を得、各電気信号に
重み付けを施すことにより所望の分光感度特性を得るよ
うにしているが、光電変換素子自身の分光感度特性をそ
のまま利用し、フィルタは用いずに分光感度特性の異な
る複数種の光電変換素子で得られる電気信号にそれぞれ
重み付けを施すことによって所望の分光感度特性を得る
ようにしてもよい。
宜変形して実施することができる。例えば、上述の実施
例においてはフィルタを用いて分光し光電変換素子で各
波長成分の光量に相当する電気信号を得、各電気信号に
重み付けを施すことにより所望の分光感度特性を得るよ
うにしているが、光電変換素子自身の分光感度特性をそ
のまま利用し、フィルタは用いずに分光感度特性の異な
る複数種の光電変換素子で得られる電気信号にそれぞれ
重み付けを施すことによって所望の分光感度特性を得る
ようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明によると、受光系の分光感度特性を
可変抵抗器等によって任意かつ容易に設定することがで
きるため、この受光系の分光感度特性をフォトレジスト
のものと合致させて正しい露光ｍを得ることが極めて容
易である。
可変抵抗器等によって任意かつ容易に設定することがで
きるため、この受光系の分光感度特性をフォトレジスト
のものと合致させて正しい露光ｍを得ることが極めて容
易である。
第１図は本発明の一実施例に係る光検出装置をマスクア
ライナの照明系に組合わせた構成図、第２図はフォトレ
ジストの分光感度特性の一例（ａ）とその分光感度特性
に検知系の分光感度特性を合わせる場合の各波長成分ご
との出力レベル（ｂ）を示すグラフ、 第３図は本発明の光検出装置の出力よりシャツタ閉信号
を得るための回路例を示す図、第４図は本発明の他の実
施例に係る光検出装Ｃの回路図である。 １１、１２．１３・・・ダイクロイックミラー、１４、
１５．１６・・・光電変換素子、１７・・・増幅回路、
１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈ・・・アンプ（重み付
け回路）、１７ｔ・・・アンプ、１８・・・フィルタブ
ロック、１８ａ〜１８ｈ・・・干渉フィルタ、１９・・
・フォトディテクタ、１９ａ〜１９ｈ・・・光電変換素
子、２０ａ〜２０ｈ・・・アンプ（重み付け回路） 、
２０ｔ・・・アンプ、ＶＲｉ。 ＶＲ（１、ＶＲｈ 、ＶＲａ 〜ＶＲｈ −・・可変抵
抗器。
ライナの照明系に組合わせた構成図、第２図はフォトレ
ジストの分光感度特性の一例（ａ）とその分光感度特性
に検知系の分光感度特性を合わせる場合の各波長成分ご
との出力レベル（ｂ）を示すグラフ、 第３図は本発明の光検出装置の出力よりシャツタ閉信号
を得るための回路例を示す図、第４図は本発明の他の実
施例に係る光検出装Ｃの回路図である。 １１、１２．１３・・・ダイクロイックミラー、１４、
１５．１６・・・光電変換素子、１７・・・増幅回路、
１７ｉ 、 １７ｇ 、 １７ｈ・・・アンプ（重み付
け回路）、１７ｔ・・・アンプ、１８・・・フィルタブ
ロック、１８ａ〜１８ｈ・・・干渉フィルタ、１９・・
・フォトディテクタ、１９ａ〜１９ｈ・・・光電変換素
子、２０ａ〜２０ｈ・・・アンプ（重み付け回路） 、
２０ｔ・・・アンプ、ＶＲｉ。 ＶＲ（１、ＶＲｈ 、ＶＲａ 〜ＶＲｈ −・・可変抵
抗器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射光を反射または透過させて複数の波長成分に分
離し各波長成分の光をそれぞれ電気信号に変換する複数
の波長選択性光電変換手段と、光電変換された各電気信
号をそれぞれ所望の割合で増幅または減衰させることに
より各電気信号に重み付けを施す複数の重み付け手段と
、これらの重み付けされた電気信号を合成する手段とを
有し、光検出の際の分光感度特性を任意に設定できるよ
うにしたことを特徴とする光検出装置。 ２、前記波長選択性光電変換手段が、それぞれ特定波長
領域の光を選択的に反射または透過する濾光手段と該濾
光手段を経た光をそれぞれ電気信号に変換する複数の光
電変換手段とを組合せたものである特許請求の範囲第１
項記載の光検出装置。 ３、前記濾光手段が、干渉フィルタである特許請求の範
囲第２項記載の光検出装置。 ４、前記複数の波長選択性光電変換手段が、それぞれ異
なる分光感度特性を有する複数の光電変換素子である特
許請求の範囲第１項記載の光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216265A JPS6195525A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216265A JPS6195525A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195525A true JPS6195525A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16685835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216265A Pending JPS6195525A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195525A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162841A (en) * | 1989-10-11 | 1992-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure controlling apparatus |
| US5561494A (en) * | 1992-06-15 | 1996-10-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of and apparatus for determining exposure amount in copying apparatus |
| EP0762174A2 (de) * | 1995-09-06 | 1997-03-12 | Giesecke & Devrient GmbH | Vorrichtung zur linienförmigen Beleuchtung von Blattgut, wie z.B. Banknoten oder Wertpapiere |
| US5671060A (en) * | 1991-04-10 | 1997-09-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of estimating spectral distribution of film and method of determining exposure amount |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59216265A patent/JPS6195525A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162841A (en) * | 1989-10-11 | 1992-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure controlling apparatus |
| US5671060A (en) * | 1991-04-10 | 1997-09-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of estimating spectral distribution of film and method of determining exposure amount |
| US5561494A (en) * | 1992-06-15 | 1996-10-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of and apparatus for determining exposure amount in copying apparatus |
| EP0762174A2 (de) * | 1995-09-06 | 1997-03-12 | Giesecke & Devrient GmbH | Vorrichtung zur linienförmigen Beleuchtung von Blattgut, wie z.B. Banknoten oder Wertpapiere |
| EP0762174A3 (de) * | 1995-09-06 | 1997-08-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Vorrichtung zur linienförmigen Beleuchtung von Blattgut, wie z.B. Banknoten oder Wertpapiere |
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