JPS6195520A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPS6195520A JPS6195520A JP21621784A JP21621784A JPS6195520A JP S6195520 A JPS6195520 A JP S6195520A JP 21621784 A JP21621784 A JP 21621784A JP 21621784 A JP21621784 A JP 21621784A JP S6195520 A JPS6195520 A JP S6195520A
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- JP
- Japan
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- electrostatic
- electron rays
- electron beam
- electrostatic deflector
- deflector
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 29
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画装置に係り、特に偏向歪みを小さく
するための電子線アライメントに関する。
するための電子線アライメントに関する。
従来技術を第1図、第2図、第3図を用いて説明する。
電子銃1から放射された電子線2は収束レンズ3で収束
され、投影レンズ5で試料9に照射される。CPUl0
から静電偏向器7、及び電磁偏向器8に偏向信号を送る
ことによシ、試料9上を電子線は束査され、パターンを
描画する。この時静電偏向器の両極板には静電偏向制御
11を介して逆極性の電圧が与えられる。また、電子線
2は絞り6の中心を通るようにアライナ−A4によりア
ライメントされている。第3図に示すごとく、静電偏向
器7と絞り6の位置関係は各々の加工精度、及び組み立
て精度で決まるため、静電偏向器7の偏向中心αと絞り
6の中心はΔtずれる。
され、投影レンズ5で試料9に照射される。CPUl0
から静電偏向器7、及び電磁偏向器8に偏向信号を送る
ことによシ、試料9上を電子線は束査され、パターンを
描画する。この時静電偏向器の両極板には静電偏向制御
11を介して逆極性の電圧が与えられる。また、電子線
2は絞り6の中心を通るようにアライナ−A4によりア
ライメントされている。第3図に示すごとく、静電偏向
器7と絞り6の位置関係は各々の加工精度、及び組み立
て精度で決まるため、静電偏向器7の偏向中心αと絞り
6の中心はΔtずれる。
第2図に静電偏向器7に−V、+VのCPUからの偏向
電圧を印加した時の、電位分布を実線で、電界を矢印で
示すが、静電偏向中心αを通る電子線すは静電偏向器7
を通過している間、一定方向一定量の力を受ける。一方
、静電偏向中心αから±Δtずれた点を通過する電子線
a及びCは静電偏向器7f:通過している間に一定の力
を受けない。
電圧を印加した時の、電位分布を実線で、電界を矢印で
示すが、静電偏向中心αを通る電子線すは静電偏向器7
を通過している間、一定方向一定量の力を受ける。一方
、静電偏向中心αから±Δtずれた点を通過する電子線
a及びCは静電偏向器7f:通過している間に一定の力
を受けない。
そのため、静電偏向中心を通過した電子線すより、静電
偏向中心よシずれた電子線a、bの方が試料上における
偏向歪み量が大きい。偏向歪み量が大きい。偏向歪み量
が大きいと歪みを補正できなくなり、結果的に描画パタ
ーンのつなぎ精度の低下となる。また、第2図に示すご
とく、電子線がaを通過すると、−■電圧が印加されて
いる静電偏向板の方が+V側の静電偏向板よりもコンタ
ミが付き易く、電子線への影響も大きくなり、描画精度
の低下につながってくる。
偏向中心よシずれた電子線a、bの方が試料上における
偏向歪み量が大きい。偏向歪み量が大きい。偏向歪み量
が大きいと歪みを補正できなくなり、結果的に描画パタ
ーンのつなぎ精度の低下となる。また、第2図に示すご
とく、電子線がaを通過すると、−■電圧が印加されて
いる静電偏向板の方が+V側の静電偏向板よりもコンタ
ミが付き易く、電子線への影響も大きくなり、描画精度
の低下につながってくる。
本発明の目的は、静電偏向器と投影レンズの間にアライ
ナ−を設け、静電偏向中心を電子線が通過するようにア
ライメントし、静電偏向歪みの少ない電子線描画装置を
提供することにある。
ナ−を設け、静電偏向中心を電子線が通過するようにア
ライメントし、静電偏向歪みの少ない電子線描画装置を
提供することにある。
本発明は、静電偏向器と投影レンズの間にアライナ−を
設け、静電偏向器の両極板に同一電圧を印加し、他の偏
向器で試料上のマークを走査し、マーク位tiを求め、
静電偏向器にOvを印加した時に同様にしてマーク位置
を求めた値との差が最小となるように、上記アライナ−
を制御して、電子線をアライメントする。
設け、静電偏向器の両極板に同一電圧を印加し、他の偏
向器で試料上のマークを走査し、マーク位tiを求め、
静電偏向器にOvを印加した時に同様にしてマーク位置
を求めた値との差が最小となるように、上記アライナ−
を制御して、電子線をアライメントする。
第4図、第5図、第6図を用いて本発明の実施例を示す
。第4図に示すように従来方式に、静電偏向制御・にア
ライメントするだめのアライナ−12を、静電偏向制御
部に切換えスイッチ13を追加したものである。CPU
14より、切換えスイッチ13を1側にセットし、静電
偏向器15に0■を与え、電磁偏向器16により電子線
でマーク17上を走査し、マーク位置(XO,YOlを
求める。この時、第5図に示すごとく電子線は静電偏向
器15で、偏向されずに、真すぐに静電偏向器の中を通
過する。(点線で示す)。次に、静電偏向器の両極に一
■電圧を印加する。第5図に示すような等電位線18が
生じ、電子線19は実線のように偏向され、ΔLの差を
生じる。この状態でマーク17上を電磁偏向16で走査
しマーク位置を求めると(Xo+ΔLx、Yo+ΔLy
)となる。
。第4図に示すように従来方式に、静電偏向制御・にア
ライメントするだめのアライナ−12を、静電偏向制御
部に切換えスイッチ13を追加したものである。CPU
14より、切換えスイッチ13を1側にセットし、静電
偏向器15に0■を与え、電磁偏向器16により電子線
でマーク17上を走査し、マーク位置(XO,YOlを
求める。この時、第5図に示すごとく電子線は静電偏向
器15で、偏向されずに、真すぐに静電偏向器の中を通
過する。(点線で示す)。次に、静電偏向器の両極に一
■電圧を印加する。第5図に示すような等電位線18が
生じ、電子線19は実線のように偏向され、ΔLの差を
生じる。この状態でマーク17上を電磁偏向16で走査
しマーク位置を求めると(Xo+ΔLx、Yo+ΔLy
)となる。
第6図に示すように、アライナ−B、12により静電偏
向器の中心を電子線が通過するようKすれば、静電偏向
器の両極板に一■を印加しても電子線は偏向されず前記
、マーク位置の差ΔL(ΔL X +ΔLy)は最小と
なるはずである。つまり、静電偏向器の両極板にOvを
与えて求めたマーク位置と、両極板に一■を与えて求め
たマーク位置の差が最小となるようにアライナ−12に
より電子線をアライメントしていけば、静電偏向器の中
心を電子線は通過することができる。
向器の中心を電子線が通過するようKすれば、静電偏向
器の両極板に一■を印加しても電子線は偏向されず前記
、マーク位置の差ΔL(ΔL X +ΔLy)は最小と
なるはずである。つまり、静電偏向器の両極板にOvを
与えて求めたマーク位置と、両極板に一■を与えて求め
たマーク位置の差が最小となるようにアライナ−12に
より電子線をアライメントしていけば、静電偏向器の中
心を電子線は通過することができる。
本発明によれば、静電偏向器の中心を電子線は通過する
ため、偏向歪み量を少なくでき、精度の高い描画をする
のに効果がある。また、静電偏向器の両極板から等距離
を電子線は通過するため、コンタミは両極板に均等に付
き、電子線への影響は相殺されるため、高精度の描画が
可能となる。
ため、偏向歪み量を少なくでき、精度の高い描画をする
のに効果がある。また、静電偏向器の両極板から等距離
を電子線は通過するため、コンタミは両極板に均等に付
き、電子線への影響は相殺されるため、高精度の描画が
可能となる。
アライナ−12の位置は静電偏向器より電子銃側であれ
ばどこでもよい、また、電磁偏向の替りに静電偏向で電
子線を走査してもよい。
ばどこでもよい、また、電磁偏向の替りに静電偏向で電
子線を走査してもよい。
第1図、第2図、第3図は従来のアライメント方式を示
す図、第4図、第5図、第6図は本発明のアライメント
方式を示す図である。 1・・・電子銃、2.19・・・電子線、3・・・収束
レンズ、4・・・アライナ−A、5・・・投影レンズ、
6・・・絞り、7.15・・・静電偏向器、8.16・
・・電磁偏向器、9・・・試料、10.14・・・CP
U、11・・・静電偏向制御、12・・・アライナ−B
113・・・切換えスイツ第1η 第2図 第3図
す図、第4図、第5図、第6図は本発明のアライメント
方式を示す図である。 1・・・電子銃、2.19・・・電子線、3・・・収束
レンズ、4・・・アライナ−A、5・・・投影レンズ、
6・・・絞り、7.15・・・静電偏向器、8.16・
・・電磁偏向器、9・・・試料、10.14・・・CP
U、11・・・静電偏向制御、12・・・アライナ−B
113・・・切換えスイツ第1η 第2図 第3図
Claims (1)
- 1、電子線を発生する手段、前記電子線を収束する手段
収束された電子線を試料面に投影する手段及び前記電子
線でもつて試料上を走査するための対になつた偏向板を
備えた電子線描画装置において、前記対になつた偏向板
と電子線を発生する手段の間にアライナーを設け対にな
つた偏向板に同一電圧を印加し前記アライナーで電子線
が対になつた偏向板の偏向中心を通るようにアライメン
トすることを特徴とした電子線描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21621784A JPS6195520A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21621784A JPS6195520A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6195520A true JPS6195520A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16685108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21621784A Pending JPS6195520A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6195520A (ja) |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21621784A patent/JPS6195520A/ja active Pending
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