JPS6195404A - イオン注入プロセス制御方式 - Google Patents
イオン注入プロセス制御方式Info
- Publication number
- JPS6195404A JPS6195404A JP21771084A JP21771084A JPS6195404A JP S6195404 A JPS6195404 A JP S6195404A JP 21771084 A JP21771084 A JP 21771084A JP 21771084 A JP21771084 A JP 21771084A JP S6195404 A JPS6195404 A JP S6195404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- ion
- controller
- volume
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B11/00—Automatic controllers
- G05B11/01—Automatic controllers electric
- G05B11/32—Automatic controllers electric with inputs from more than one sensing element; with outputs to more than one correcting element
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イオン注入プロセス制御方式に関し、特に、
イオン注入装置毎に最適イオン注入工程量定する為の１
１６単なイオン注入プロセス制御方式に関する。
イオン注入装置毎に最適イオン注入工程量定する為の１
１６単なイオン注入プロセス制御方式に関する。
（従来の技従）
最近の半導体装置の製造プロセスでは、イオン注入が多
くの工程で用いられ、半導体装置の電気的特性は、大部
分がイオン注入に依りコントロールされている。半導体
装置の大規模化、高精度化に伴ない、イオン注入装置の
高精度化、イオン注入装置間の機差の低減等が必要とな
って来ている。
くの工程で用いられ、半導体装置の電気的特性は、大部
分がイオン注入に依りコントロールされている。半導体
装置の大規模化、高精度化に伴ない、イオン注入装置の
高精度化、イオン注入装置間の機差の低減等が必要とな
って来ている。
イオン注入工程には、イオン種、注入エネルギー、イオ
ン注入量等の条件設定が必要であるが、この内、イオン
注入量の設定に関しては、従来より、装置毎に一定の補
正が加えられる様な機能が、イオン注入装置に設置され
ている。これは通常面積定数と呼ばれてカレント・イン
グレータ内に設置され、装置毎に最適値に調整されてい
る。面積定数を変化させると、イオン注入量は一定の比
率で変化する為、イオン注入装置間でイオン注入貴差が
生じた場合面積定数を最適化する事により、装置間差を
補正する事が出来る。
ン注入量等の条件設定が必要であるが、この内、イオン
注入量の設定に関しては、従来より、装置毎に一定の補
正が加えられる様な機能が、イオン注入装置に設置され
ている。これは通常面積定数と呼ばれてカレント・イン
グレータ内に設置され、装置毎に最適値に調整されてい
る。面積定数を変化させると、イオン注入量は一定の比
率で変化する為、イオン注入装置間でイオン注入貴差が
生じた場合面積定数を最適化する事により、装置間差を
補正する事が出来る。
しかし、面積定数に依るイオン注入量の補正は、イオン
注入量の大、少に依らず一定の補正を受ける為、イオン
注入条件に応じてイオン注入量の補正量を変化させる事
は出来ない。イオン注入条件毎に補正を行なう為には、
イオン注入条件毎に面積定数を設定し直すか、又は、一
つのイオン注入工程に対してイオン注入装置毎に異った
イオン注入量を設定する事が必要になるが、この様な装
置条件設定方法は条件変更操作が複雑となり、誤設定を
起しやすい。特に量産工場でイオン注入装置を多数台共
用している場合には、装置オペレーターにとって操作が
複雑になるだけでなく、イオン注入条件を管理する部門
にとっても条件指定が複雑となり、条件指定ミス等が起
りやすくなる。
注入量の大、少に依らず一定の補正を受ける為、イオン
注入条件に応じてイオン注入量の補正量を変化させる事
は出来ない。イオン注入条件毎に補正を行なう為には、
イオン注入条件毎に面積定数を設定し直すか、又は、一
つのイオン注入工程に対してイオン注入装置毎に異った
イオン注入量を設定する事が必要になるが、この様な装
置条件設定方法は条件変更操作が複雑となり、誤設定を
起しやすい。特に量産工場でイオン注入装置を多数台共
用している場合には、装置オペレーターにとって操作が
複雑になるだけでなく、イオン注入条件を管理する部門
にとっても条件指定が複雑となり、条件指定ミス等が起
りやすくなる。
（発明の目的）
本発明は、上記従来技術の足りない点を補ない、イオン
注入条件毎に、イオン注入装置毎の最適イオン注入量を
設定する事の出来るイオン注入プロセス制御方式を提供
しようとするものである。
注入条件毎に、イオン注入装置毎の最適イオン注入量を
設定する事の出来るイオン注入プロセス制御方式を提供
しようとするものである。
（発明の構成及び作用の説明）
上記の目的を達成する為の本発明の基本的な構成は、イ
オン注入条件毎に、イオン注入装置毎の注入量係数を設
定し、これを用いてイオン注入量を補正して各イオン注
入装置に条件を設定するようにしたものであり、以下実
施例に依り、本発明の詳細な説明する。
オン注入条件毎に、イオン注入装置毎の注入量係数を設
定し、これを用いてイオン注入量を補正して各イオン注
入装置に条件を設定するようにしたものであり、以下実
施例に依り、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に依る実施例の全体的構成図である。同
図に於いて１１〜１ｎはイオン注入装置である。各イオ
ン注入装置には夫々にマシン・コントローラ２１〜２ｎ
及びカレント・インテグレータ３１〜３ｎが対応して設
置されている。尚、各イオン注入装置は、マシン・コン
トローラ以外にも多数のコントローラ類を有し、又、マ
シン・コントローラに支配される機器もカレント・イン
テグレータ以外に多数有するが、本図では省略しである
。
図に於いて１１〜１ｎはイオン注入装置である。各イオ
ン注入装置には夫々にマシン・コントローラ２１〜２ｎ
及びカレント・インテグレータ３１〜３ｎが対応して設
置されている。尚、各イオン注入装置は、マシン・コン
トローラ以外にも多数のコントローラ類を有し、又、マ
シン・コントローラに支配される機器もカレント・イン
テグレータ以外に多数有するが、本図では省略しである
。
又、４は各マシンコントローラの上位に位置する１つの
プロセスコントローラである。
プロセスコントローラである。
プロセス・コントローラ４は主にデータ処理装置の役割
を持ち、製造条件（品種名、工穆名、イオン注入条件、
注入量係数等）データを設定、保持し、各マシンコント
ローラ２１〜２ｎＫ製造条件データを転送する。前記マ
シンコントローラ２１〜２ｎは主に製造条件データの各
条件設定機器への転送、設定条件の監視、製造条件デー
タの表示を行なう。又、指示されたイオン注入量を、注
入量係数に応じて補正する機能も有している。前記カレ
ントインテグレータは、イオン注入されたイオンビーム
１流を測定し、イオン注入量に換算して積算し、指示さ
れたイオン注入量に達したら、イオン注入動作をストッ
プさせる機能を有している。
を持ち、製造条件（品種名、工穆名、イオン注入条件、
注入量係数等）データを設定、保持し、各マシンコント
ローラ２１〜２ｎＫ製造条件データを転送する。前記マ
シンコントローラ２１〜２ｎは主に製造条件データの各
条件設定機器への転送、設定条件の監視、製造条件デー
タの表示を行なう。又、指示されたイオン注入量を、注
入量係数に応じて補正する機能も有している。前記カレ
ントインテグレータは、イオン注入されたイオンビーム
１流を測定し、イオン注入量に換算して積算し、指示さ
れたイオン注入量に達したら、イオン注入動作をストッ
プさせる機能を有している。
前記製造条件データの内、春オン注入条件及び注入量係
数のデータ構造の１例を下記に示す。
数のデータ構造の１例を下記に示す。
００１．１１，１００，３００Ｅ１１，０．９５．、．
１．０５上記データは、で区切った順にプログラム厘、
マスＡ。
１．０５上記データは、で区切った順にプログラム厘、
マスＡ。
イオン注入エネルギー（単位： Ｋｅｙ） 、イオン注
入量（単位： ｃｍ−２） 、イオン注入装置ｔ１１用
の注入ｆｌ係数１９．イオン注入装置ｌｎ用の注入量係
数である。
入量（単位： ｃｍ−２） 、イオン注入装置ｔ１１用
の注入ｆｌ係数１９．イオン注入装置ｌｎ用の注入量係
数である。
ここで、イオン注入装置１１に前記プログラムＡＯＯＩ
の製造条件でイオン注入を行なう指示が出された場合
を考えてみる。イオン注入波＋１１１で、品名Ａ、工程
名ＢのロフトＣを作業する旨の情報ヲマシンコントロー
ラ２１よりプロセスコントローラ４へ転送すると、プロ
セスコントローラ４は、品名人、工程名Ｂに該当するイ
オン注入条件プログラムＡ００１を選択し、前記データ
をマシンコントローラ２１へ折ゆ返し転送する。マシン
コントローラ２１は、受信したデータより、イオン注入
量（３，０ＯＥ１１ （ｃｍ″″２））に注入量係数（
０，９５）を乗じてイオン注入面を補正する。補正后の
イオン注入量は２．．１３５Ｅ１ ｔ （ａｍ−２）と
なる。補正后のイオン注入量はマシンコントローラ２１
よりカレントインテグレータ３１へ転送され、イオン注
入量として設定される。尚、マシンコントローラ２１の
表示部には、補正前のイオン注入量及び必要なら注入針
係数を表示し、補正后のイオン注入量は表示しない。こ
れは、装置取扱い者に製造条件の混乱を引き起さない為
である。
の製造条件でイオン注入を行なう指示が出された場合
を考えてみる。イオン注入波＋１１１で、品名Ａ、工程
名ＢのロフトＣを作業する旨の情報ヲマシンコントロー
ラ２１よりプロセスコントローラ４へ転送すると、プロ
セスコントローラ４は、品名人、工程名Ｂに該当するイ
オン注入条件プログラムＡ００１を選択し、前記データ
をマシンコントローラ２１へ折ゆ返し転送する。マシン
コントローラ２１は、受信したデータより、イオン注入
量（３，０ＯＥ１１ （ｃｍ″″２））に注入量係数（
０，９５）を乗じてイオン注入面を補正する。補正后の
イオン注入量は２．．１３５Ｅ１ ｔ （ａｍ−２）と
なる。補正后のイオン注入量はマシンコントローラ２１
よりカレントインテグレータ３１へ転送され、イオン注
入量として設定される。尚、マシンコントローラ２１の
表示部には、補正前のイオン注入量及び必要なら注入針
係数を表示し、補正后のイオン注入量は表示しない。こ
れは、装置取扱い者に製造条件の混乱を引き起さない為
である。
（発明の効果）
上記実施例に示した如く、本発明によれば、イオン注入
条件のイオン注入装置毎への最適化をプロセスコントロ
ーラへ注入量係数データを設定し、これを用いてイオン
注入量をイオン注入装置毎に個別設定する事で実現した
。これに依り、最近の半導体装置高精度化の要求に、充
分答える事が出来る。
条件のイオン注入装置毎への最適化をプロセスコントロ
ーラへ注入量係数データを設定し、これを用いてイオン
注入量をイオン注入装置毎に個別設定する事で実現した
。これに依り、最近の半導体装置高精度化の要求に、充
分答える事が出来る。
尚、本発明は種々変形、発畏が可能であり、例えば、前
記実施例のプロセスコントローラ４により上位のホスト
コンビ二一夕を凄７続して、製造ライン管理システムの
一部として活用したり、又、注入量係数を注入エネセギ
ー係数として同様の補正を行なう事も出来る。
記実施例のプロセスコントローラ４により上位のホスト
コンビ二一夕を凄７続して、製造ライン管理システムの
一部として活用したり、又、注入量係数を注入エネセギ
ー係数として同様の補正を行なう事も出来る。
第１図は本発明に依る一実施例を説明する２％の全体的
構成図である。 １１〜１ｎ・・・・・・イオン注入袋！、２１〜２ｎ・
・・・・・マシンコントローラ、３１〜３ｎ・・・・・
・カレントインチ第１図
構成図である。 １１〜１ｎ・・・・・・イオン注入袋！、２１〜２ｎ・
・・・・・マシンコントローラ、３１〜３ｎ・・・・・
・カレントインチ第１図
Claims (1)
- 複数台のイオン注入装置群と、これらイオン注入装置群
を制御するイオン注入プロセスコントローラーとを有し
て構成されるイオン注入システムに於いて、上記プロセ
ス・コントローラは、イオン注入条件毎に、イオン注入
装置毎の注入量係数を設定する機能を有し、上記プロセ
ス・コントローラー依り各イオン注入装置へイオン注入
量を設定する際、上記注入量係数に応じてイオン注入量
を修正して設定することを可能とすることを特徴とする
イオン注入プロセス制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21771084A JPS6195404A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | イオン注入プロセス制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21771084A JPS6195404A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | イオン注入プロセス制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195404A true JPS6195404A (ja) | 1986-05-14 |
Family
ID=16708520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21771084A Pending JPS6195404A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | イオン注入プロセス制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0370327A2 (de) * | 1988-11-24 | 1990-05-30 | Wolfhard Prof. Dr.-Ing. Lawrenz | Optimierer für ein parameterabhängiges Netzwerksystem |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21771084A patent/JPS6195404A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0370327A2 (de) * | 1988-11-24 | 1990-05-30 | Wolfhard Prof. Dr.-Ing. Lawrenz | Optimierer für ein parameterabhängiges Netzwerksystem |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3946212A (en) | Automatic quality control system | |
| CN103885423A (zh) | 一种晶圆级电性测试统计过程控制系统及方法 | |
| CN108147647B (zh) | 一种用于玻璃熔炉的加热控制方法 | |
| CN116149282A (zh) | 一种基于流程管控钢材冶炼的加工控制方法及系统 | |
| CN108356603A (zh) | 五轴数控机床主轴热变形误差补偿方法及系统 | |
| CN107168253A (zh) | 计算机集成制造系统及其制造方法 | |
| JPS6195404A (ja) | イオン注入プロセス制御方式 | |
| JPH07116945A (ja) | 工具管理装置 | |
| JPH0775454B2 (ja) | 射出成形工場の電力制御方法 | |
| CN105122158B (zh) | 具有短延迟时间的可编程控制装置 | |
| CN111774929B (zh) | 刀具磨损补偿方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| JPS6223449B2 (ja) | ||
| CN113360482B (zh) | 基于sql数据库的在线迁移方法 | |
| CN103579058B (zh) | 一种多批次连续运行的方法 | |
| CN106529753A (zh) | 一种半导体工艺段识别控制方法及装置 | |
| JPS58149503A (ja) | 調節計における制御演算方法 | |
| JP2001076982A (ja) | 半導体ウェーハを測定する測定装備を制御するための半導体工場自動化システム及び自動化方法 | |
| Donald et al. | Some schemes for on-line correction of the closed orbit, dispersion and beta functions in PEP | |
| CN106655157A (zh) | 一种用于光伏电站的功率调控方法与系统 | |
| CN113394793B (zh) | 一种新能源场站无功电压控制灵敏度在线更新方法及装置 | |
| CN117992701A (zh) | 一种计量采集ic的通用型校准方案 | |
| CN216013988U (zh) | 一种分布式智能控制系统 | |
| CN212567650U (zh) | 电子皮带秤调皮装置 | |
| JP2791011B2 (ja) | プラント制御系の制御定数設定装置 | |
| JPH0318901A (ja) | 最適負荷配分装置 |