JPS6187870A - コ−テイング膜の形成方法 - Google Patents
コ−テイング膜の形成方法Info
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- JPS6187870A JPS6187870A JP20802584A JP20802584A JPS6187870A JP S6187870 A JPS6187870 A JP S6187870A JP 20802584 A JP20802584 A JP 20802584A JP 20802584 A JP20802584 A JP 20802584A JP S6187870 A JPS6187870 A JP S6187870A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は基板との付着性が強く、摺動寿命が長いコーテ
ィング膜およびその製造方法に関するものである。
ィング膜およびその製造方法に関するものである。
従来の硬質カーボン被覆膜は、形成部材上に直接形成す
るか、またはＳｉを中間膜として形成部材上に形成され
ていた。直接に形成した場合には、形成部材（例えば５
Ｏ８４４０Ｇ等のステンレス材）の主成分（Ｆｅ）が炭
素と強固な化学結合を行わなかったり、また炭素を数％
しか固溶しない元素である場合には硬質カーボンと形成
部材との付着力が弱く、摺動部において剥離を生じ、こ
れに基因した凝着や摩擦計数が増大するなどの欠点があ
った。形成部材上にＳｉを中間膜として硬質カーボン被
覆膜を形成した場合には、ＳｉとＳＵＳ材との付着力が
弱いため、上記同様の欠点を有していた。
るか、またはＳｉを中間膜として形成部材上に形成され
ていた。直接に形成した場合には、形成部材（例えば５
Ｏ８４４０Ｇ等のステンレス材）の主成分（Ｆｅ）が炭
素と強固な化学結合を行わなかったり、また炭素を数％
しか固溶しない元素である場合には硬質カーボンと形成
部材との付着力が弱く、摺動部において剥離を生じ、こ
れに基因した凝着や摩擦計数が増大するなどの欠点があ
った。形成部材上にＳｉを中間膜として硬質カーボン被
覆膜を形成した場合には、ＳｉとＳＵＳ材との付着力が
弱いため、上記同様の欠点を有していた。
本発明は、中間膜を設けることによって基板との付着力
が強く、摺動寿命が長いコーティング膜、およびその製
造方法を得ることを目的とする。
が強く、摺動寿命が長いコーティング膜、およびその製
造方法を得ることを目的とする。
上記の目的を達成するために１本発明によるコーティン
グ膜およびその形成方法は、基板上にプラズマを用いた
膜形成法によりシリコン酸化物またはアルミニウム酸化
物の被膜を形成する第１の工程と、熱陰極放電によりＣ
２Ｈ，ガスをプラズマ化し、上記被膜上に六方晶ダイア
モンドとグラファイトとからなる炭素膜を形成する第２
の工程よりなるようにしたものである。
グ膜およびその形成方法は、基板上にプラズマを用いた
膜形成法によりシリコン酸化物またはアルミニウム酸化
物の被膜を形成する第１の工程と、熱陰極放電によりＣ
２Ｈ，ガスをプラズマ化し、上記被膜上に六方晶ダイア
モンドとグラファイトとからなる炭素膜を形成する第２
の工程よりなるようにしたものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明によるコーティング膜の一実施例の構造
を示す断面図、第２図は上記実施例のコーティング膜と
従来の硬質カーボン膜との摺動試験による摩擦特性を示
す図、第３図はＳｉ酸化物膜を形成する一装置の構成図
、第４図は硬質カーボン膜形成装置の一構成図、第５図
は上記硬質カーボン膜形成時に絶縁電極に発生する電圧
とホルダに印加した電圧との関係を示す図である。第１
図において、本発明によるコーティング膜は５ＵＳ４４
０ Ｇなどの基板１上に、Ｓｉ酸化物またはＭ酸化物膜
２を形成し、その表面に硬質カーボン膜３を形成したも
のである。Ｓｉ酸化物中のＳｉと炭素との化学結合は共
有結合であり強固である。このためＳｉ酸化物と硬質カ
ーボンの付着力は大きく。
を示す断面図、第２図は上記実施例のコーティング膜と
従来の硬質カーボン膜との摺動試験による摩擦特性を示
す図、第３図はＳｉ酸化物膜を形成する一装置の構成図
、第４図は硬質カーボン膜形成装置の一構成図、第５図
は上記硬質カーボン膜形成時に絶縁電極に発生する電圧
とホルダに印加した電圧との関係を示す図である。第１
図において、本発明によるコーティング膜は５ＵＳ４４
０ Ｇなどの基板１上に、Ｓｉ酸化物またはＭ酸化物膜
２を形成し、その表面に硬質カーボン膜３を形成したも
のである。Ｓｉ酸化物中のＳｉと炭素との化学結合は共
有結合であり強固である。このためＳｉ酸化物と硬質カ
ーボンの付着力は大きく。
圧縮の残留応力３０）ｃｇＷ、／ａｍ２をもつ硬質カー
ボン膜を３−程度Ｓｉ酸化物上に形成した場合、残留応
力による剥離などは［１１９されなかった。一方。
ボン膜を３−程度Ｓｉ酸化物上に形成した場合、残留応
力による剥離などは［１１９されなかった。一方。
ＳＵＳ材の主成分元素は安定な酸化物を形成するため、
酸素を介してＳＵＳ材とＳｉ酸化物の付着力も大きなも
のが得られる。したがってＳｉ酸化物の中間膜を設置す
ることにより、強固な付着力を有する硬質カーボン被覆
膜が形成できる。また、晟酸化物の場合にも詞様のこと
が言える。
酸素を介してＳＵＳ材とＳｉ酸化物の付着力も大きなも
のが得られる。したがってＳｉ酸化物の中間膜を設置す
ることにより、強固な付着力を有する硬質カーボン被覆
膜が形成できる。また、晟酸化物の場合にも詞様のこと
が言える。
５ＵＳ４４０Ｇ材上に直接形成した従来の硬質カーボン
被覆膜と１本発明によるＳｉ酸化物中間膜を設けたコー
ティング膜とを摺動試験し、摩擦係数の摺動回数による
変化を示したのが第２図である。摩擦係数はつぎのよう
にして求めた。直径６Ｉφの鋼球圧子を荷重５００ｇで
硬質カーボン被覆膜と平行方向に直線往復運動させ、こ
の往復運動に必要な駆動力から摩擦力と摩擦係数を求め
た。
被覆膜と１本発明によるＳｉ酸化物中間膜を設けたコー
ティング膜とを摺動試験し、摩擦係数の摺動回数による
変化を示したのが第２図である。摩擦係数はつぎのよう
にして求めた。直径６Ｉφの鋼球圧子を荷重５００ｇで
硬質カーボン被覆膜と平行方向に直線往復運動させ、こ
の往復運動に必要な駆動力から摩擦力と摩擦係数を求め
た。
往復運動のストロークは２０ｍｎ、速度は２５０ｍｍ／
ｓとした。第２図においてグラフａは本発明によるコー
ティング膜（Ｓｉ酸化物膜厚０．０４−１硬質カーボン
膜厚１虜）の場合を示し、グラフｂは従来の硬質カーボ
ン単層の被覆膜（膜厚１ｔＩｔｎ）の場合を示す。第２
図に示すように従来の硬質カーボン被覆膜では摺動回数
に伴って摩擦係数が大きくなり、また摺動面に硬質カー
ボン膜の剥離がａｍされた。本発明によるコーティング
膜ではグラフａに示すように５００００回の摺動回数ま
で安定な摩擦係数を保っている。また摺動面におけるコ
ーティング膜の剥離はほとんど観察されなかった。この
ように中間膜としてＳｉ酸化物を設置することにより、
付着力がよ〈従来より長寿命なコーティング膜が得られ
る。
ｓとした。第２図においてグラフａは本発明によるコー
ティング膜（Ｓｉ酸化物膜厚０．０４−１硬質カーボン
膜厚１虜）の場合を示し、グラフｂは従来の硬質カーボ
ン単層の被覆膜（膜厚１ｔＩｔｎ）の場合を示す。第２
図に示すように従来の硬質カーボン被覆膜では摺動回数
に伴って摩擦係数が大きくなり、また摺動面に硬質カー
ボン膜の剥離がａｍされた。本発明によるコーティング
膜ではグラフａに示すように５００００回の摺動回数ま
で安定な摩擦係数を保っている。また摺動面におけるコ
ーティング膜の剥離はほとんど観察されなかった。この
ように中間膜としてＳｉ酸化物を設置することにより、
付着力がよ〈従来より長寿命なコーティング膜が得られ
る。
第３図に中間膜としてのＳｉ酸化物形成に用いる装置の
一例を示す。第３図において、プラズマの 生成室１１に連接した中間膜形成のたりと料室１２し。
一例を示す。第３図において、プラズマの 生成室１１に連接した中間膜形成のたりと料室１２し。
試料を設置する試料台１３が設けられている。上記プラ
ズマ生成室１１には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を導入するための導波管１４と、プラズマ生成室１１
に磁界（８７５Ｇ ａｕｓｓ）を発生させプラズマ生成
室１１で発生したプラズマを磁界勾配によって試料室１
２に導くための磁気コイル１６を設け、ガスを導入する
導入管１７を備え、上記導波管１４の下端にはマイクロ
波をプラズマ生成室１１に導入するために石英の導入窓
１９を設けている。試料室１２にはガスを導入する導入
管１８と１図示されない排気系へ接続する排気管２１と
を備え、試料台１３には試料２０を配設している。プラ
ズマ生成室１１に導入した。２ガス（５ｓｅｃｍ）を磁
界とマイクロ波とによる電子サイクロトロン共鳴により
プラズマ化し、磁気コイル１６により発生する発散磁界
によってこのプラズマを試料室１２に導き出し、試料室
１２に導入したＳｉＨ４ガス（５ｓｅｃｍ）と反応させ
、試料２０の表面にＳｉ酸化物膜を形成した。なお試料
室１２のガス圧は３〜８ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒであ
った。
ズマ生成室１１には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を導入するための導波管１４と、プラズマ生成室１１
に磁界（８７５Ｇ ａｕｓｓ）を発生させプラズマ生成
室１１で発生したプラズマを磁界勾配によって試料室１
２に導くための磁気コイル１６を設け、ガスを導入する
導入管１７を備え、上記導波管１４の下端にはマイクロ
波をプラズマ生成室１１に導入するために石英の導入窓
１９を設けている。試料室１２にはガスを導入する導入
管１８と１図示されない排気系へ接続する排気管２１と
を備え、試料台１３には試料２０を配設している。プラ
ズマ生成室１１に導入した。２ガス（５ｓｅｃｍ）を磁
界とマイクロ波とによる電子サイクロトロン共鳴により
プラズマ化し、磁気コイル１６により発生する発散磁界
によってこのプラズマを試料室１２に導き出し、試料室
１２に導入したＳｉＨ４ガス（５ｓｅｃｍ）と反応させ
、試料２０の表面にＳｉ酸化物膜を形成した。なお試料
室１２のガス圧は３〜８ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒであ
った。
總酸化物を中間層として用いる場合は、ＳｉＨ。
の代りに塩化アルミニウムを導入して酸化物膜を形成し
たが、（ＣＨ３）３ Ａｕや（Ｃ２Ｈ５）３ＡＱを用い
ても同様にＡｎ酸化物膜を形成できる。
たが、（ＣＨ３）３ Ａｕや（Ｃ２Ｈ５）３ＡＱを用い
ても同様にＡｎ酸化物膜を形成できる。
つぎに硬質カーボン膜の形成方法を説明する。
第４図はＳｉ酸化物を中間膜として形成した基板上に硬
質カーボン膜を被覆する際に用いる装置の構成を示す図
である。図においてベルジャ３１は、硬質カーボン膜形
成用基板３２を保持する導電性ホルダ３５と、プラズマ
放電維持用電極３３、熱電子放出手段であるフィラメン
ト３４とを内蔵し、Ｃ２Ｈ４ガスを導入する流量制御機
３７等からなるガス導入系と、図示されない排気装置に
接続する排気管３８を備えている。なお、硬質カーボン
膜形成用基板３２は絶縁性ホルダ３６を介して導電性ホ
ルダ３５に設置されている。さらに導電性ホルダ３５は
ベルジャ３１外の高圧電源４０に接続し負の高電圧が印
加され、またプラズマ放電維持用電極３３はベルジャ３
１外の直流型１１ｊｉ（４１に接続し正の印加電圧が印
加されるようになっている。フィラメント３４はベルジ
ャ３１外の電源４２によって通電加熱できるようになっ
ている。
質カーボン膜を被覆する際に用いる装置の構成を示す図
である。図においてベルジャ３１は、硬質カーボン膜形
成用基板３２を保持する導電性ホルダ３５と、プラズマ
放電維持用電極３３、熱電子放出手段であるフィラメン
ト３４とを内蔵し、Ｃ２Ｈ４ガスを導入する流量制御機
３７等からなるガス導入系と、図示されない排気装置に
接続する排気管３８を備えている。なお、硬質カーボン
膜形成用基板３２は絶縁性ホルダ３６を介して導電性ホ
ルダ３５に設置されている。さらに導電性ホルダ３５は
ベルジャ３１外の高圧電源４０に接続し負の高電圧が印
加され、またプラズマ放電維持用電極３３はベルジャ３
１外の直流型１１ｊｉ（４１に接続し正の印加電圧が印
加されるようになっている。フィラメント３４はベルジ
ャ３１外の電源４２によって通電加熱できるようになっ
ている。
上記装置を用いてカーボン膜形成用基板３２上につぎの
ようにして硬質カーボン膜を形成した。
ようにして硬質カーボン膜を形成した。
ベルジャ内にＣ２Ｈ４ガスを導入し、流量制御機３７に
より流量を制御してベルジャ内圧力を３〜８Ｘ １Ｏ−
３Ｔｏｒｒ台にする。フィラメント３４を電ｇ４２によ
り通電加熱し熱電子を放出させ、放電維持用電極３３に
電流４１により正の電圧を印加して、フィラメント３４
から放出された熱電子を加速し引寄せることにより、フ
ィラメント３４と放電維持用電極３３間にプラズマを発
生させる。プラズマ中のイオンを導電性ホルダ３５に電
源４０より印加した負電圧により引出し、硬質カーボン
膜をカーボン膜形成用基板３２上に形成する。上記カー
ボン膜形成用基板３２を導電性ホルダ３５と絶縁ホルダ
３６を介し絶縁して設置するのは、中間膜のＳｉ酸化物
膜の絶縁破壊を防止するためである。カーボン膜形成用
基板３２に直接負電圧を印加した場合、Ｓｉ酸化物が絶
縁体であるため硬質カーボン膜形成面の電位とカーボン
膜形成用基板３２の電位との差により。
より流量を制御してベルジャ内圧力を３〜８Ｘ １Ｏ−
３Ｔｏｒｒ台にする。フィラメント３４を電ｇ４２によ
り通電加熱し熱電子を放出させ、放電維持用電極３３に
電流４１により正の電圧を印加して、フィラメント３４
から放出された熱電子を加速し引寄せることにより、フ
ィラメント３４と放電維持用電極３３間にプラズマを発
生させる。プラズマ中のイオンを導電性ホルダ３５に電
源４０より印加した負電圧により引出し、硬質カーボン
膜をカーボン膜形成用基板３２上に形成する。上記カー
ボン膜形成用基板３２を導電性ホルダ３５と絶縁ホルダ
３６を介し絶縁して設置するのは、中間膜のＳｉ酸化物
膜の絶縁破壊を防止するためである。カーボン膜形成用
基板３２に直接負電圧を印加した場合、Ｓｉ酸化物が絶
縁体であるため硬質カーボン膜形成面の電位とカーボン
膜形成用基板３２の電位との差により。
Ｓｉ酸化物中間膜に電圧が印加される。Ｓｉ酸化物中間
膜が薄膜の場合はこの電圧により絶縁破壊が発生する。
膜が薄膜の場合はこの電圧により絶縁破壊が発生する。
硬質カーボン形成時において、導電性ホルダ３５と絶縁
してカーボン膜形成用基板３２の代りに設置した電極上
に発生する電圧と導電性ホルダ３５に印加した電圧との
関係を第５図に示す。
してカーボン膜形成用基板３２の代りに設置した電極上
に発生する電圧と導電性ホルダ３５に印加した電圧との
関係を第５図に示す。
第５図の測定は、放電維持用電極３３の電流０．６Ａ、
ガス圧Ｉ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒにおいて行った。導
電性ホルダ３５に印加した負電圧に加速されたイオンが
導電性ホルダ３５と衝突すると２次電子が発生する。
ガス圧Ｉ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒにおいて行った。導
電性ホルダ３５に印加した負電圧に加速されたイオンが
導電性ホルダ３５と衝突すると２次電子が発生する。
この２次電子が絶縁して設置した電極に流入し、この電
極に負電圧を発生させる。同様の機構によって導電性ホ
ルダ３５に設置した絶縁物表面に負電圧が発生すること
を考えると、この絶縁した電極により測定された負電圧
と絶縁物表面に発生する電圧はほぼ等しいと°考えられ
る。第５図に示すように導電性ホルダ３５の印加電圧に
伴って絶縁電極電圧も上昇して行く。導電性ホルダ３５
の電圧３ｋＶに対して絶縁電極上の電圧は１．８ ｋＶ
である。
極に負電圧を発生させる。同様の機構によって導電性ホ
ルダ３５に設置した絶縁物表面に負電圧が発生すること
を考えると、この絶縁した電極により測定された負電圧
と絶縁物表面に発生する電圧はほぼ等しいと°考えられ
る。第５図に示すように導電性ホルダ３５の印加電圧に
伴って絶縁電極電圧も上昇して行く。導電性ホルダ３５
の電圧３ｋＶに対して絶縁電極上の電圧は１．８ ｋＶ
である。
カーボン膜形成用基板３２に上記導電性ホルダ３５と同
じ電圧を印加した場合、両者の差の電圧がＳｉ酸化物の
中間膜に印加されることになる。中間膜の厚さが薄い場
合は絶縁破壊が発生する。これを防止するために、導電
性ホルダ３５と絶縁してカーボン膜形成用基板３２を設
置した。上記のように導電性ホルダ３５に印加した電圧
によって絶縁物表面にも電圧が誘起され、この誘起され
た電圧により絶縁物表面にも硬質カーボン膜が形成され
るが。
じ電圧を印加した場合、両者の差の電圧がＳｉ酸化物の
中間膜に印加されることになる。中間膜の厚さが薄い場
合は絶縁破壊が発生する。これを防止するために、導電
性ホルダ３５と絶縁してカーボン膜形成用基板３２を設
置した。上記のように導電性ホルダ３５に印加した電圧
によって絶縁物表面にも電圧が誘起され、この誘起され
た電圧により絶縁物表面にも硬質カーボン膜が形成され
るが。
この硬質カーボン膜のマイクロビッカース硬度は２００
０〜３０００の値が得られた。
０〜３０００の値が得られた。
上記のように本発明によるコーティング膜およびその形
成方法は、基板上にプラズマを用いた膜形成法によりシ
リコン酸化物またはアルミニウム酸化物の被膜を形成す
る第１の工程と、熱陰極放電によりＣ２Ｈ４ガスをプラ
ズマ化し、上記被膜上に六方晶ダイアモンドとグラファ
イトからなる炭素膜を形成する第２の工程とよりなるた
め、付着性が強く、かつ摺動寿命が長いコーティング膜
およびその形成方法が得られ、バイトなどの切削工具や
摺動部品に本発明を利用した場合、従来より長寿命な切
削工具や摺動部品を得ることができる。
成方法は、基板上にプラズマを用いた膜形成法によりシ
リコン酸化物またはアルミニウム酸化物の被膜を形成す
る第１の工程と、熱陰極放電によりＣ２Ｈ４ガスをプラ
ズマ化し、上記被膜上に六方晶ダイアモンドとグラファ
イトからなる炭素膜を形成する第２の工程とよりなるた
め、付着性が強く、かつ摺動寿命が長いコーティング膜
およびその形成方法が得られ、バイトなどの切削工具や
摺動部品に本発明を利用した場合、従来より長寿命な切
削工具や摺動部品を得ることができる。
また本発明の形成方法によれば、直流電圧印加という簡
易な装置構成により、Ｓｉ酸化物やＭ酸化物の中間膜の
絶縁破壊を防止して容易に硬質被覆膜を形成することが
できる。
易な装置構成により、Ｓｉ酸化物やＭ酸化物の中間膜の
絶縁破壊を防止して容易に硬質被覆膜を形成することが
できる。
第１図は本発明によるコーティング膜の一実施例の構造
を示す断面図、第２図は上記実施例のコーティング膜と
従来の硬質カーボン膜との摺動試験による摩擦特性を示
す図、第３図はＳｉ酸化物膜を形成する一装置の構成図
、第４図は硬質カーボン膜形成装置の一構成図、第５図
は上記硬質カーボン膜形成時において絶縁電極に発生す
る電圧と導電性ホルダに印加した電圧との関係を示す図
である。 １・・・基板 ２・・・Ｓｉ酸化物またはＡｌｌ酸化物の被膜３・・・
硬質カーボン膜 １１・・・真空容器（プラズマ生成室）１２・・・試料
室 １３・・・基板台（試料台）１６・・・
マグネット（磁気コイル） １８・・・ガスの導入口 １９・・・マイクロ波導
入窓３３・・・放電維持用電極
を示す断面図、第２図は上記実施例のコーティング膜と
従来の硬質カーボン膜との摺動試験による摩擦特性を示
す図、第３図はＳｉ酸化物膜を形成する一装置の構成図
、第４図は硬質カーボン膜形成装置の一構成図、第５図
は上記硬質カーボン膜形成時において絶縁電極に発生す
る電圧と導電性ホルダに印加した電圧との関係を示す図
である。 １・・・基板 ２・・・Ｓｉ酸化物またはＡｌｌ酸化物の被膜３・・・
硬質カーボン膜 １１・・・真空容器（プラズマ生成室）１２・・・試料
室 １３・・・基板台（試料台）１６・・・
マグネット（磁気コイル） １８・・・ガスの導入口 １９・・・マイクロ波導
入窓３３・・・放電維持用電極
Claims (4)
- （１）基板上に形成したＳｉ酸化物またはＡｌ酸化物の
被膜と、該被膜上に形成した六方晶ダイアモンドとグラ
ファイトよりなる硬質カーボン膜とを備えたコーティン
グ膜。 - （２）基板上にプラズマを用いた膜形成法によりシリコ
ン酸化物またはアルミニウム酸化物の被膜を形成する第
１の工程と、熱陰極放電によりＣ＿２Ｈ＿４ガスをプラ
ズマ化し、上記被膜上に六方晶ダイアモンドとグラファ
イトからなる炭素膜を形成する第２の工程とよりなるコ
ーティング膜の形成方法。 - （３）上記第１の工程は、マイクロ波導入窓を有する真
空容器中に酸素または酸素とアルゴンとの混合ガスを導
入し、マグネットによって上記真空容器中に発生させた
磁界とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴を用い
て、酸素または酸素とアルゴンとの混合ガスプラズマを
生成し、マグネットの発散磁界により上記プラズマを基
板台およびガスの導入口を有する試料室に引き出し、導
入したＳｉＨ＿４または（ＣＨ＿３）＿３Ａｌなどのガ
スを上記プラズマによって励起させ、基板の被膜上にＳ
ｉ酸化物またはＡｌ酸化物を形成させることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項に記載したコーティング膜の形
成方法。 - （４）上記第２の工程は、真空容器中に熱電子放出用電
極と放電維持用電極と負の電圧が印加できる構造のホル
ダを配置し、該ホルダと絶縁して上記被膜を有する基板
をホルダ上に配置し、Ｃ＿２Ｈ＿４ガスを真空容器中に
導入して上記両電極の間にＣ＿２Ｈ＿４プラズマを生成
し、ホルダに負の電圧を印加して上記被膜上に六方晶ダ
イアモンドとグラファイトからなる炭素膜を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載したコーテ
ィング膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20802584A JPS6187870A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | コ−テイング膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20802584A JPS6187870A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | コ−テイング膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187870A true JPS6187870A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0536505B2 JPH0536505B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=16549423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20802584A Granted JPS6187870A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | コ−テイング膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187870A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728582A (en) * | 1985-08-13 | 1988-03-01 | Feldmuehle Aktiengesellschaft | Ceramic sliding element with aluminum oxide and silicon nitride members |
| US6365012B1 (en) * | 1990-07-24 | 2002-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
| US11702741B2 (en) * | 2021-12-13 | 2023-07-18 | Saudi Arabian Oil Company | Producing polycrystalline diamond compact cutters with coatings |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641372A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-18 | Mitsubishi Metal Corp | Surface covered ultra hard alloy member for cutting tool |
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS60114572U (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-02 | 富士電機株式会社 | 空気冷却器付外扇形回転電機 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20802584A patent/JPS6187870A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641372A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-18 | Mitsubishi Metal Corp | Surface covered ultra hard alloy member for cutting tool |
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS60114572U (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-02 | 富士電機株式会社 | 空気冷却器付外扇形回転電機 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728582A (en) * | 1985-08-13 | 1988-03-01 | Feldmuehle Aktiengesellschaft | Ceramic sliding element with aluminum oxide and silicon nitride members |
| US6365012B1 (en) * | 1990-07-24 | 2002-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
| US11702741B2 (en) * | 2021-12-13 | 2023-07-18 | Saudi Arabian Oil Company | Producing polycrystalline diamond compact cutters with coatings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536505B2 (ja) | 1993-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |