KR20190103558A - 리니어 icp 플라즈마 소스 및 rf 플라즈마 소스의 안테나 모듈의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 89
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
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Abstract
본 발명에 따른 ICP 플라즈마 소스는 안테나를 플라즈마 챔버의 내부에 배치시킴으로써 플라즈마 생성을 위한 RF 파워의 전달 효율을 높이고, 전극 안테나와 냉각수관을 분리하여 배치함으로써, 전극 안테나를 일정한 패턴 형태로 고정시키고 냉각도 원할히 수행하게 되어 플라즈마와 공정에 대한 재현성을 유지함과 동시에 플라즈마 소스의 설치와 취급을 간단하면서도 정확도를 유지할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
Description
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 ICP 플라즈마 소스의 안테나 모듈의 제조 공정을 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 ICP 플라즈마 소스의 안테나 모듈을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 ICP 플라즈마 소스를 이용한 이온빔 또는 전자빔 소스에 있어서, 안테나 모듈 및 빔 출력 모듈을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 ICP 플라즈마 소스에 있어서, 안테나 배치 구조에 대한 다른 실시 형태를 도시한 안테나 모듈의 저면도이다.
12, 40, 50 : 안테나 모듈
120, 400 : 세라믹 판
1202 : 상판
1204 : 하판
122, 410 : 전극 안테나
124 : 냉각수 관
126, 430 : 플라즈마 차폐막
60 : 빔 출력 모듈
610 : 1차 그리드
620 : 2차 그리드
Claims (15)
- 전체적으로 유전체로 이루어지고, 일면에 안테나 모듈이 장착될 개구부가 형성된 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버의 개구부에 장착된 안테나 모듈;
상기 안테나 모듈로 RF 전압을 인가하는 RF 전원부:
를 구비하고, 상기 안테나 모듈은,
세라믹 재질의 상판과 하판이 서로 합착되어 구성되어, 상기 플라즈마 챔버의 개구부에 탑재되는 형상으로 이루어지고, 하판의 일면이 상기 플라즈마 챔버의 내부를 향하도록 상기 개구부에 탑재된 세라믹 판;
상기 플라즈마 챔버의 내부를 향하도록 배치된 세라믹 판의 일면에 탑재되고, 양단부는 상기 RF 전원부와 연결되어 플라즈마 생성을 위한 전원을 인가받는 전극 안테나;
상기 세라믹 판의 상판과 하판의 서로 맞닿는 면들 중 하나에 형성되어 냉각수가 흐를 수 있도록 구성된 냉각수 관;
을 구비하여 상기 전극 안테나와 상기 냉각수 관이 서로 분리되어 배치된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스. - 제1항에 있어서, 상기 냉각수 관은 상기 전극 안테나가 형성된 면과 대향되는 상판의 일면에 형성되거나 상판과 맞닿는 하판의 일면에 형성된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 전극 안테나는 세라믹 판의 상판의 일면에 소정 형상의 안테나용 홈을 형성하고 상기 안테나용 홈에 전기 전도성 금속 파우더 또는 금속 페이스트를 채운 후 열처리 소결을 하여 형성된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
- 제1항에 있어서, 상기 냉각수 관은 상기 세라믹 판의 상판과 하판이 서로 맞닿는 면들 중 하나에 냉각수용 홈을 파고, 상기 냉각수용 홈이 형성된 상판 또는 하판과 나머지의 판을 서로 합착시켜, 냉각수 관이 형성된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
- 전체적으로 유전체로 이루어지고, 일면에 안테나 모듈이 장착될 개구부가 형성된 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버의 개구부에 장착된 안테나 모듈;
상기 안테나 모듈로 RF 전압을 인가하는 RF 전원부:
를 구비하고, 상기 안테나 모듈은,
세라믹 재질의 판상 형태로 구성되어, 일면이 상기 플라즈마 챔버의 내부를 향하도록 상기 플라즈마 챔버의 개구부에 탑재된 세라믹 판;
금속 재질의 튜브 형태로 이루어져 상기 플라즈마 챔버의 내부를 향하도록 배치된 세라믹 판의 일면에 탑재되고, 양단부는 상기 RF 전원부와 연결되어 플라즈마 생성을 위한 전원을 인가받는 전극 안테나;
을 구비하여 상기 튜브 형태의 전극 안테나는 내부로 냉각수가 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스. - 제5항에 있어서, 상기 세라믹 판은 일면에 전극 안테나를 탑재하기 위한 소정 형상의 안테나용 홈이 형성되고, 상기 안테나용 홈에 상기 전극 안테나가 탑재된 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 상기 전극 안테나의 표면이 세라믹으로 코팅되거나, 상기 전극 안테나의 전면에 전극 안테나로부터 일정 거리 이격된 위치에 세라믹 재질의 플라즈마 차폐막을 더 구비하여, 상기 전극 안테나가 플라즈마에 직접 닿지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 전극 안테나의 전면에 생성된 플라즈마로부터 이온 또는 전자를 선택적으로 추출하여 이온빔 또는 전자빔을 출력할 수 있도록 구성된 빔 출력 모듈을 더 구비하여,
상기 유도 결합형 플라즈마 소스를 이온빔 또는 전자빔 소스로 동작하도록 하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스. - 제8항에 있어서, 상기 빔 출력 모듈은,
전극 안테나의 전면에 생성되는 플라즈마를 가두어 둘 수 있도록 형성된 금속 재질의 플라즈마 하우징;
상기 플라즈마 하우징으로부터 플라즈마의 이온 또는 전자를 추출하기 위하여 플라즈마 하우징의 일면에 형성된 1차 그리드;
상기 1차 그리드로부터 추출된 이온 또는 전자를 가속시키기 위하여, 상기 1차 그리드의 전면에 1차 그리드와 일정 간격 이격된 위치에 배치된 2차 그리드;
를 구비하여, 상기 1차 그리드 및 2차 그리드에 인가되는 전압을 조절하여 2차 그리드를 통해 이온빔 또는 전자빔이 출력되는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스. - (a) 제1 세라믹 판의 제1 면에 소정 형상을 갖는 홈을 파서 냉각수용 홈을 형성하는 단계;
(b) 제2 세라믹 판의 제1 면에 전극 안테나의 패턴에 대응되는 소정 형상을 갖는 홈을 파서 안테나용 홈을 형성하는 단계;
(c) 상기 제1 세라믹 판의 제1 면과 제2 세라믹 판의 제2 면을 합착시켜 냉각수 관을 형성하는 단계;
(d) 상기 안테나용 홈에 전기 전도성 금속 파우더 또는 금속 페이스트를 채운 후 열처리 소결을 하여 제2 세라믹 판의 제1 면에 도체의 전극 안테나를 형성하는 단계;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법. - (a) 제2 세라믹 판의 제1 면에 전극 안테나의 패턴에 대응되는 소정 형상을 갖는 홈을 파서 안테나용 홈을 형성하는 단계;
(b) 상기 안테나용 홈이 형성된 제1 면과 대향되는 제2 세라믹 판의 제2 면에 홈을 파서 냉각수용 홈을 형성하는 단계;
(c) 냉각수용 홈이 형성된 상기 제2 세라믹 판의 제2 면에 제1 세라믹 판의 제1 면을 합착시켜 냉각수 관을 형성하는 단계;
(d) 상기 안테나용 홈에 전기 전도성 금속 파우더 또는 금속 페이스트를 채운 후 열처리 소결을 하여 제2 세라믹 판의 제1 면에 도체의 전극 안테나를 형성하는 단계;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법. - (a) 세라믹 판의 제1 면에 전극 안테나의 패턴에 대응되는 소정 형상을 갖는 홈을 파서 안테나용 홈을 형성하는 단계;
(b) 상기 안테나용 홈에 튜브 형태의 전극 안테나를 삽입하는 단계;
(c) 상기 세라믹 판의 제1 면에 형성된 전극 안테나의 전면에 전극 안테나로부터 일정 거리 이격된 위치에 플라즈마 차폐의 역할을 하는 플라즈마 차폐막을 형성하여, 전극 안테나가 플라즈마에 직접 닿는 것을 방지하는 단계;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법. - 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 안테나 모듈 제조 방법은,
(e) 상기 제1 세라믹 판의 제1 면에 형성된 전극 안테나의 전면에 전극 안테나로부터 일정 거리 이격된 위치에 플라즈마 차폐의 역할을 하는 플라즈마 차폐막을 형성하거나 상기 전극 안테나의 전면에 세라믹을 코팅하여 세라믹 코팅층을 형성하여, 전극 안테나가 플라즈마에 직접 닿는 것을 방지하는 단계; 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법. - 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 세라믹 판은 알루미나, 지르코니아, 보론나이트라이드, 파이로리틱 보론나이트라이드, 쿼츠, 파이렉스 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법.
- 제10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 차폐막 코팅은 알루미나 또는 지르코니아 세라믹 재질로 이루어지고, 플라즈마 차폐막 코팅의 두께는 최대 500 ㎛ 보다 작게 형성하여 RF 파워에 대한 손실이 발생되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 유도 결합형 플라즈마 소스의 안테나 모듈 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180023977A KR102045058B1 (ko) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 리니어 icp 플라즈마 소스 및 rf 플라즈마 소스의 안테나 모듈의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180023977A KR102045058B1 (ko) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 리니어 icp 플라즈마 소스 및 rf 플라즈마 소스의 안테나 모듈의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190103558A true KR20190103558A (ko) | 2019-09-05 |
KR102045058B1 KR102045058B1 (ko) | 2019-11-15 |
Family
ID=67949703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180023977A KR102045058B1 (ko) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 리니어 icp 플라즈마 소스 및 rf 플라즈마 소스의 안테나 모듈의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102045058B1 (ko) |
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US11705312B2 (en) | 2020-12-26 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Vertically adjustable plasma source |
CN113612012A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-11-05 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种可移动栅格式表面波离子回旋天线结构 |
CN113612012B (zh) * | 2021-07-28 | 2023-09-29 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种可移动栅格式表面波离子回旋天线结构 |
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Publication number | Publication date |
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KR102045058B1 (ko) | 2019-11-15 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180227 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20191022 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20191108 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20191111 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201007 Start annual number: 4 End annual number: 7 |