JPS6186728A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
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- JPS6186728A JPS6186728A JP20925984A JP20925984A JPS6186728A JP S6186728 A JPS6186728 A JP S6186728A JP 20925984 A JP20925984 A JP 20925984A JP 20925984 A JP20925984 A JP 20925984A JP S6186728 A JPS6186728 A JP S6186728A
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- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は液晶を利用した元スイッチに関する。
（２） 従来技術
従来、元スイッチとしてＬ ｉ Ｎｂ ０３等の結晶の
電気光学効果、熱光学効果及び磁気光学効果、あるいは
液晶の電気光学効果や熱光学効果を利用したものなどが
ある。結晶を用いた元スイッチは、応答速度が優れてい
る反面、光束利用効率やコントラスト比に問題があり、
又液晶を用い友光スイッチは、構成が簡便でコントラス
ト比が優れている反面、応答特性や光束利用効率に問題
がある。
電気光学効果、熱光学効果及び磁気光学効果、あるいは
液晶の電気光学効果や熱光学効果を利用したものなどが
ある。結晶を用いた元スイッチは、応答速度が優れてい
る反面、光束利用効率やコントラスト比に問題があり、
又液晶を用い友光スイッチは、構成が簡便でコントラス
ト比が優れている反面、応答特性や光束利用効率に問題
がある。
最近報告式れた比較的優れた元スイッチとして、例えば
特公昭５９−８０８ 、電気通信学会技術研究報告０Ｑ
Ｅｓｌ−ｔ１６．オプティカル・ノサイエティー・オブ
・アメリカ１９８０春号ｐ、１４７などに示されている
ように、ラビング処理やＳ ｉ Ｏ，Ｍｇ Ｆｔ等の斜
方蒸着処理などの配向処理を施し九電極間に液晶を充填
し、液晶の配向方向を電界で制御することにより入射光
が感じる屈折率を変化させて、光束の全反射、全透過の
スイッチングを行なうものがある。しかし前記配向処理
法では液晶の配向秩序度が小さく、温度安定性に欠は液
晶の異常屈折率と常屈折率の差（屈折率差）Δｎが小さ
い。又、応答特性や光束利用効率に問題があり、元スイ
ッチとして実用化するにはまだ不充分である。
特公昭５９−８０８ 、電気通信学会技術研究報告０Ｑ
Ｅｓｌ−ｔ１６．オプティカル・ノサイエティー・オブ
・アメリカ１９８０春号ｐ、１４７などに示されている
ように、ラビング処理やＳ ｉ Ｏ，Ｍｇ Ｆｔ等の斜
方蒸着処理などの配向処理を施し九電極間に液晶を充填
し、液晶の配向方向を電界で制御することにより入射光
が感じる屈折率を変化させて、光束の全反射、全透過の
スイッチングを行なうものがある。しかし前記配向処理
法では液晶の配向秩序度が小さく、温度安定性に欠は液
晶の異常屈折率と常屈折率の差（屈折率差）Δｎが小さ
い。又、応答特性や光束利用効率に問題があり、元スイ
ッチとして実用化するにはまだ不充分である。
（３） 発明の概要
本発明の目的は、従来の欠点を除去すると共に、より簡
便で高度な機能を有する実用的な光スィッチを提供する
ことにある。
便で高度な機能を有する実用的な光スィッチを提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る元スイッチは
、少なくとも一万に微細なグレーティング′Ｊｔ施した
透明基板間に液晶を充填し、該グレーティングにより液
晶を配向せしめた構造を有する。
、少なくとも一万に微細なグレーティング′Ｊｔ施した
透明基板間に液晶を充填し、該グレーティングにより液
晶を配向せしめた構造を有する。
該透明基板は透明電極、もしくは透明電極と透明絶縁体
により構成され、該透明電極間に電界を印加すると、静
的状態において前記グレーティングの４万同に配向して
いた液晶は、電界方向へ配向方向が変化する。従って、
電界印加の有無により、該グレーティング溝方向に偏光
した入射光に対する該液晶の屈折率は変化し、該入射光
を所定の角度で入射させることによって全反射、全透過
のスイッチングが可能となる。又、電界の印加量を適当
に変えることにより反射光及び透過光の光量を制御する
ことができることは言５までもない。 ′（４）実施例 第１図は本発明に係る元スイッチの基本構成を示す。ｌ
は透明電極、２は透明絶縁体、３は液晶を示す。第１図
（ａ）は一方の透明電極にグレーティングを施した透明
電極ｌの間に液晶３を充填し几もの、第１図（ｂ）は相
対する透明電極ｌに透明絶縁体２による層を設け、その
一方にグレーティングを施して液晶３を充填し友もの、
第１図（ｃ）は第１図（ｂ）において、相対する透明絶
縁体２の両方にグレーティングを施したものである。
により構成され、該透明電極間に電界を印加すると、静
的状態において前記グレーティングの４万同に配向して
いた液晶は、電界方向へ配向方向が変化する。従って、
電界印加の有無により、該グレーティング溝方向に偏光
した入射光に対する該液晶の屈折率は変化し、該入射光
を所定の角度で入射させることによって全反射、全透過
のスイッチングが可能となる。又、電界の印加量を適当
に変えることにより反射光及び透過光の光量を制御する
ことができることは言５までもない。 ′（４）実施例 第１図は本発明に係る元スイッチの基本構成を示す。ｌ
は透明電極、２は透明絶縁体、３は液晶を示す。第１図
（ａ）は一方の透明電極にグレーティングを施した透明
電極ｌの間に液晶３を充填し几もの、第１図（ｂ）は相
対する透明電極ｌに透明絶縁体２による層を設け、その
一方にグレーティングを施して液晶３を充填し友もの、
第１図（ｃ）は第１図（ｂ）において、相対する透明絶
縁体２の両方にグレーティングを施したものである。
ｇ１図（ａ）〜（Ｃ）に図示されたグレーティングは全
て鋸歯状であるが、該グレーティングの形状は、例えば
矩形状や正弦波状であっても構わない。但し該グレーテ
ィングは液晶の配向機能を有していなければならない。
て鋸歯状であるが、該グレーティングの形状は、例えば
矩形状や正弦波状であっても構わない。但し該グレーテ
ィングは液晶の配向機能を有していなければならない。
よって該グレーティングの大きさには制約が生じる。本
発明の際め検討では、該グレーティングの厚さは数百Ａ
以上は必要であり、グレーティング・ピッチは、数βｍ
以下が適当だと考えられる。又、使用する液晶は正の誘
電性？有するネマチック液晶もしくは強誘電性液晶が好
適で、透明電極にはＩ Ｔ Ｏ、５ｎ０２ 、 Ｉｎｔ
Ｏｓ等の材料、透明絶縁体はガラス、 ５１０２ 、
Ｔｔ０２ 、 Ａ−ｅｘ Ｏｓ等の材料で良い。
発明の際め検討では、該グレーティングの厚さは数百Ａ
以上は必要であり、グレーティング・ピッチは、数βｍ
以下が適当だと考えられる。又、使用する液晶は正の誘
電性？有するネマチック液晶もしくは強誘電性液晶が好
適で、透明電極にはＩ Ｔ Ｏ、５ｎ０２ 、 Ｉｎｔ
Ｏｓ等の材料、透明絶縁体はガラス、 ５１０２ 、
Ｔｔ０２ 、 Ａ−ｅｘ Ｏｓ等の材料で良い。
次に第１図（ｂ）の素子を用いて本元スイッチの機能を
説明する。第２図は本発明に係る光スィッチの機能を図
示したものであり、４は入射光、５は反射光、６は透過
光、７は電源を示す。
説明する。第２図は本発明に係る光スィッチの機能を図
示したものであり、４は入射光、５は反射光、６は透過
光、７は電源を示す。
本元スイッチに、グレーティングの溝方向（紙面に垂直
）に偏光した光束を所定の角度で入射させる時、静的状
態では入射光４の偏光方向と液晶３の配向方向が一致し
、入射光４に対する液晶３の実効屈折率は異常屈折率ｎ
ｅとなる。ここで透明電極１の屈折率Ｊ、透明絶縁体ｎ
ｇ及び液晶３の異常屈折率ｎｅ ７に一致させておけば
、第２図（ａ）のように入射光４は全て透過光６となり
出射する。
）に偏光した光束を所定の角度で入射させる時、静的状
態では入射光４の偏光方向と液晶３の配向方向が一致し
、入射光４に対する液晶３の実効屈折率は異常屈折率ｎ
ｅとなる。ここで透明電極１の屈折率Ｊ、透明絶縁体ｎ
ｇ及び液晶３の異常屈折率ｎｅ ７に一致させておけば
、第２図（ａ）のように入射光４は全て透過光６となり
出射する。
次に透明電極ｌの間に電界を印加すると、液晶３に電界
方向へと傾き始める。この時液晶３の屈折率は異常屈折
率ｎ。と常屈折率ｎ０の間で変化し、第２図（ｂ）のよ
うに入射光４は反射光５と透過光６に分配ちれる。最後
に、印加する電界量がある値に達すると、液晶３は電界
方向つまり電極面に垂直に配向され、入射光４に対する
液晶３の屈折率は常屈折率ｎ。となる。よって入射光４
が入射角θｉで入射した時、次の（１）式の条件を満足
すれば第２図（ｃ）のように入射光４は液晶３と透明絶
縁体２の界面で全反射され、反射＋、５となる。
方向へと傾き始める。この時液晶３の屈折率は異常屈折
率ｎ。と常屈折率ｎ０の間で変化し、第２図（ｂ）のよ
うに入射光４は反射光５と透過光６に分配ちれる。最後
に、印加する電界量がある値に達すると、液晶３は電界
方向つまり電極面に垂直に配向され、入射光４に対する
液晶３の屈折率は常屈折率ｎ。となる。よって入射光４
が入射角θｉで入射した時、次の（１）式の条件を満足
すれば第２図（ｃ）のように入射光４は液晶３と透明絶
縁体２の界面で全反射され、反射＋、５となる。
ｓｉｎ ６１ ＞ ｎＱ／ｎｇ＋＋＋＋＋＋＋＋ （１
）本発明で用いた微細グＶ−ティンダによる液晶配向法
は、通常のラビング処理やＳｉｎ、 ＭｇＦ’２等の斜
方蒸着による配向法と比較して、液晶の屈折率差Δｎや
温度安定性の機能を向上することが可能になる。第３図
にグレーティングによって配向された液晶の屈折率ｎ６
． ｎ□と前記通常の配向法による液晶の屈折率ｎ＠、
ｎＱの温度特性を示す。第３図より明らかなように、常
屈折率Ｋ。、ｎ０ｉｄあまり変化がないが異常屈折率ｎ
６はｎ。に比べて大きくなっており、又温度安定性も良
好である。
）本発明で用いた微細グＶ−ティンダによる液晶配向法
は、通常のラビング処理やＳｉｎ、 ＭｇＦ’２等の斜
方蒸着による配向法と比較して、液晶の屈折率差Δｎや
温度安定性の機能を向上することが可能になる。第３図
にグレーティングによって配向された液晶の屈折率ｎ６
． ｎ□と前記通常の配向法による液晶の屈折率ｎ＠、
ｎＱの温度特性を示す。第３図より明らかなように、常
屈折率Ｋ。、ｎ０ｉｄあまり変化がないが異常屈折率ｎ
６はｎ。に比べて大きくなっており、又温度安定性も良
好である。
以下水元スイッチの作成過程と性能評価の結果を示す。
第４図は本発明に係る元スイッチの立体図上水す。図に
記載された番号は第１因及び第２図における番号と同じ
ものを示す。なお、８は引き出し電極、９はグレーティ
ング電極領域を示している。
記載された番号は第１因及び第２図における番号と同じ
ものを示す。なお、８は引き出し電極、９はグレーティ
ング電極領域を示している。
ＳＦ４ガラス（不凍光学硝子製作所製、波長ｂ３ｚａ；
に対して屈折率１．７５）を第４図に示すような六面体
に切削し、底面及び両側面をニエートンリング数本以内
の平面度に研磨した後、メタノール、トリクレン、アセ
トン、純水により超音波洗浄を行なった。次に窒素ガス
により乾燥させ、窒素中１２０℃、２０分間のベーキン
グを行ない、真空装置内で該六面体の底面にイオン・グ
レーティング法により、ＩＴＯ膜を電極として１０００
Ａの厚さに成膜した。該ＩＴＯ膜の面抵抗は１８Ω／
ｓｑで、波長６３２８ Ａの元に対する屈折率は１．８
０であった。さらに光束が入出射する両側面に、電子ビ
ーム蒸着法によってＭｇＦ２膜を１１４６Ｈの厚さに成
膜し、該ＭｇＦ２膜面にＭｅ−Ｎｅレーザ光を垂直入射
したところ反射は殆んど生じなかった。続いて該ＩＴＯ
膜面にマイクロポジット１３５０ （シグレー製ゼジ
型レジスト）をスピナー塗布し、９０℃２０分間のプリ
ベーキング後４０００ Ａのレジスト膜を成膜し友。
に対して屈折率１．７５）を第４図に示すような六面体
に切削し、底面及び両側面をニエートンリング数本以内
の平面度に研磨した後、メタノール、トリクレン、アセ
トン、純水により超音波洗浄を行なった。次に窒素ガス
により乾燥させ、窒素中１２０℃、２０分間のベーキン
グを行ない、真空装置内で該六面体の底面にイオン・グ
レーティング法により、ＩＴＯ膜を電極として１０００
Ａの厚さに成膜した。該ＩＴＯ膜の面抵抗は１８Ω／
ｓｑで、波長６３２８ Ａの元に対する屈折率は１．８
０であった。さらに光束が入出射する両側面に、電子ビ
ーム蒸着法によってＭｇＦ２膜を１１４６Ｈの厚さに成
膜し、該ＭｇＦ２膜面にＭｅ−Ｎｅレーザ光を垂直入射
したところ反射は殆んど生じなかった。続いて該ＩＴＯ
膜面にマイクロポジット１３５０ （シグレー製ゼジ
型レジスト）をスピナー塗布し、９０℃２０分間のプリ
ベーキング後４０００ Ａのレジスト膜を成膜し友。
次にＨｅ−Ｃｄレーザ光（λ＝ ３２５０ りを交差角
３８°で該レジスト膜上に干渉露光させることにより、
電極中心部に０．５μｍピッチのレジストから形成され
たグレーティングを得た。続いて真空装置内に設置し、
Ａｒを用いたイオン・ミリング法によってＩＴＯ膜を２
０ＯＡの深さまでダレ−ティング状に食刻した後、アセ
トン中でマイクロボジッ） １３５０を溶解し、Ｈｅ−
Ｃｄレーザ光入射部のみが浅いグレーティング形状を持
つＩＴＯ膜電極をガラス六面体の底面に施した。
３８°で該レジスト膜上に干渉露光させることにより、
電極中心部に０．５μｍピッチのレジストから形成され
たグレーティングを得た。続いて真空装置内に設置し、
Ａｒを用いたイオン・ミリング法によってＩＴＯ膜を２
０ＯＡの深さまでダレ−ティング状に食刻した後、アセ
トン中でマイクロボジッ） １３５０を溶解し、Ｈｅ−
Ｃｄレーザ光入射部のみが浅いグレーティング形状を持
つＩＴＯ膜電極をガラス六面体の底面に施した。
上記ガラス六面体を二個製作し、両グレーティング電極
面を、該グレーティング溝方向を一致させて向かい合わ
せ、間隙部に正誘電性液晶ＲＯ−ＴＮ７０１ （ロシ
５Ｊ１）を充填した。又、間隔はマイラースペーサーを
用い５μ風とした。上記液晶ＲＯ−ＴＮ７０１の公称屈
折率は常屈折ＩＩ ｎ□ ＝ １．４９８゜異常屈折率
ｎ６＝１．６４８であり、本発明のグレーティングによ
り配向した該液晶は、測定の結果ｎ□ ＝ １．４９、
ｎｅ＝１．７５であった。よって屈折率差Δｎ （＝ｎ
６−ｎ□）が向上し、温度安定性も良好であっ九。
面を、該グレーティング溝方向を一致させて向かい合わ
せ、間隙部に正誘電性液晶ＲＯ−ＴＮ７０１ （ロシ
５Ｊ１）を充填した。又、間隔はマイラースペーサーを
用い５μ風とした。上記液晶ＲＯ−ＴＮ７０１の公称屈
折率は常屈折ＩＩ ｎ□ ＝ １．４９８゜異常屈折率
ｎ６＝１．６４８であり、本発明のグレーティングによ
り配向した該液晶は、測定の結果ｎ□ ＝ １．４９、
ｎｅ＝１．７５であった。よって屈折率差Δｎ （＝ｎ
６−ｎ□）が向上し、温度安定性も良好であっ九。
以上の方法で作成した素子にリード線をボンディングし
、電源と接続して第４図に示す元スイッチを構成した。
、電源と接続して第４図に示す元スイッチを構成した。
該光スィッチに対して、６０°の入射角でグレーティン
グの溝方向に偏光したＨｅ −Ｎｅレーザ光全入射させ
たところ、静的状態で、入射光４は該元スイッチを素通
りして透過光６となり、この時の入射光４に対する透過
光６０割合は９０係以上ニモ達した。又、１０ Ｖｐ−
ｐ 、 １ ｋＨｚのＡＣ電界を印加した場合、入射
光４は全反射されて反射光５となり、この時の入射光４
に対する反射光６の割合は、やはり９０チ以上であつ几
。
グの溝方向に偏光したＨｅ −Ｎｅレーザ光全入射させ
たところ、静的状態で、入射光４は該元スイッチを素通
りして透過光６となり、この時の入射光４に対する透過
光６０割合は９０係以上ニモ達した。又、１０ Ｖｐ−
ｐ 、 １ ｋＨｚのＡＣ電界を印加した場合、入射
光４は全反射されて反射光５となり、この時の入射光４
に対する反射光６の割合は、やはり９０チ以上であつ几
。
次に、スイッチング応答時間を確認するために、１０Ｖ
のステップ電圧を加えて出力飽和値の９０％に達する時
間を測定したところ１．０ ｍ５ｅｃとなった。
のステップ電圧を加えて出力飽和値の９０％に達する時
間を測定したところ１．０ ｍ５ｅｃとなった。
又、電圧を切って立ち下がり時間を測定したところ１．
５ ｍ５ｅｃとなった０ 第５図は本光スィッチの応用例である元スイッチング・
アレイを示す。以下、第５図に示す元スイッチング・了
レイの作成過程を述べる。ＳＦ６ガラス（不凍光学硝子
裏作断裂、波長６３２８λに対して屈折率１．８０）ｆ
ｆｉ二つの異なる半円柱状に成形して前記元スイッチと
同様の研磨、洗浄を行なった。
５ ｍ５ｅｃとなった０ 第５図は本光スィッチの応用例である元スイッチング・
アレイを示す。以下、第５図に示す元スイッチング・了
レイの作成過程を述べる。ＳＦ６ガラス（不凍光学硝子
裏作断裂、波長６３２８λに対して屈折率１．８０）ｆ
ｆｉ二つの異なる半円柱状に成形して前記元スイッチと
同様の研磨、洗浄を行なった。
続いて該二つの半円柱ガラスの腹面に、イオン・ブレー
ティング法によって第５図（ａ）に示すような短冊状の
ＩＴＯ膜パターンを得友。該短冊状ＩＴＯノ莫電極電極
隔は５０μｍとし、該ＩＴＯ膜の屈折率は１．８０、面
抵抗は１８０／ａｑであった。次に、該二つの半円柱ガ
ラスの背面に電子ビーム蒸着法によｔ） Ｎ１ｇ Ｆｔ
ｉｓ ｔ” １１４６大の厚さに成膜した。該Ｍｇ
Ｆｔ膜に垂直に白色光を入射させ几ところ、面からの反
射は殆んど生しなかつ念。
ティング法によって第５図（ａ）に示すような短冊状の
ＩＴＯ膜パターンを得友。該短冊状ＩＴＯノ莫電極電極
隔は５０μｍとし、該ＩＴＯ膜の屈折率は１．８０、面
抵抗は１８０／ａｑであった。次に、該二つの半円柱ガ
ラスの背面に電子ビーム蒸着法によｔ） Ｎ１ｇ Ｆｔ
ｉｓ ｔ” １１４６大の厚さに成膜した。該Ｍｇ
Ｆｔ膜に垂直に白色光を入射させ几ところ、面からの反
射は殆んど生しなかつ念。
以下前記光スイッチと同様の方法で、第５図（ａ）に示
すようにＩＴＯ膜電膜面極面レーティング９を形成した
。次に上記半円柱ガラスをグレーティング領域９を同か
い合わせて、中心軸を重ねて対向させ間隙部に正誘電性
液晶ＺＬＩ １２８５ （メルク製）を充填した。液晶
層の厚さにマイラースペーサーにより５μｍとした。最
後に短冊状電極及び対向する電極にリード線をポンディ
ングし、電源７と接続して第５図（ｂ）に示す光スイッ
チング・プレイを構成した。ここで、ノ１０ゲンランプ
光？シリンドリカル・レンズによってシート・ビーム状
とし、本元スイッチング・アレイに入射させ機能測定を
行なったところ、分解能、出力光強度、コントラスト比
、応答速度等の測定結果は、プリンター等に応用するの
に十分な性能であっ九。
すようにＩＴＯ膜電膜面極面レーティング９を形成した
。次に上記半円柱ガラスをグレーティング領域９を同か
い合わせて、中心軸を重ねて対向させ間隙部に正誘電性
液晶ＺＬＩ １２８５ （メルク製）を充填した。液晶
層の厚さにマイラースペーサーにより５μｍとした。最
後に短冊状電極及び対向する電極にリード線をポンディ
ングし、電源７と接続して第５図（ｂ）に示す光スイッ
チング・プレイを構成した。ここで、ノ１０ゲンランプ
光？シリンドリカル・レンズによってシート・ビーム状
とし、本元スイッチング・アレイに入射させ機能測定を
行なったところ、分解能、出力光強度、コントラスト比
、応答速度等の測定結果は、プリンター等に応用するの
に十分な性能であっ九。
（５）発明の詳細
な説明したように、本発明に係る元スイッチは構成が簡
便であるにもかかわらず光束利用効率が高く、コントラ
スト比に優れており、応答速度及び温度安定性も良好で
あり、元記録用、ｆｔ、表示用１元結合用１元通信用等
の各種装置に好適な光学装置である。
便であるにもかかわらず光束利用効率が高く、コントラ
スト比に優れており、応答速度及び温度安定性も良好で
あり、元記録用、ｆｔ、表示用１元結合用１元通信用等
の各種装置に好適な光学装置である。
Ｍ１図は本発明に係る元スイッチの基本構成図。
第２図は本光スィッチの機能を示す図。第３図は通常及
び本発明の配向処理法による液晶の屈折率の温度特性を
示す図。第４図は水元スイッチの立体図。第５図は水元
スイッチの応用例である光スイッチング・アレイを示す
図。 １・・・透明電極、 ２・・・透明絶縁体、 ３・・・
液晶、４・・・入射光、 ５・・・反射光、 ６・・・
透過光、７・−・電源、 ８・・・引き出し電極、８・
・・グレーティング領域、 ｎｏ、 ｎｅ・・・通常の配向法による液晶の常屈折率
と異常屈折率、ｎｏ、 ｎｅ・・・微細なルーティング
によって配向された液晶の常屈折率と異常屈折率。
び本発明の配向処理法による液晶の屈折率の温度特性を
示す図。第４図は水元スイッチの立体図。第５図は水元
スイッチの応用例である光スイッチング・アレイを示す
図。 １・・・透明電極、 ２・・・透明絶縁体、 ３・・・
液晶、４・・・入射光、 ５・・・反射光、 ６・・・
透過光、７・−・電源、 ８・・・引き出し電極、８・
・・グレーティング領域、 ｎｏ、 ｎｅ・・・通常の配向法による液晶の常屈折率
と異常屈折率、ｎｏ、 ｎｅ・・・微細なルーティング
によって配向された液晶の常屈折率と異常屈折率。
Claims (1)
- （１）少なくとも一方がグレーティング構造を有する基
板間に液晶を充填し、前記液晶の屈折率を変化させるこ
とにより、前記基板に所定の角度を成して入射する光束
の、前記基板と液晶との界面での反射もしくは透過の状
態を制御することを特徴とする液晶を利用した光スイッ
チ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20925984A JPS6186728A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光スイツチ |
| US06/782,558 US4729640A (en) | 1984-10-03 | 1985-10-01 | Liquid crystal light modulation device |
| DE19853535391 DE3535391A1 (de) | 1984-10-03 | 1985-10-03 | Fluessigkristall-lichtmodulationsvorrichtung |
| GB8524445A GB2166562B (en) | 1984-10-03 | 1985-10-03 | Liquid crystal light modulation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20925984A JPS6186728A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186728A true JPS6186728A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16569986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20925984A Pending JPS6186728A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-04 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002031788A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Sony Corp | 光学装置 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20925984A patent/JPS6186728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002031788A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Sony Corp | 光学装置 |
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