JPS6184836A

JPS6184836A - 薄膜形成方法

Info

Publication number: JPS6184836A
Application number: JP20762684A
Authority: JP
Inventors: Hideki Hasegawa; 長谷川　英機; Hideo Ono; 英男大野; Mitsuo Shimotsuma; 光夫下妻; Takayuki Sawada; 沢田　孝幸; Hiroaki Tagashira; 田頭　博昭
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1984-10-02
Filing date: 1984-10-02
Publication date: 1986-04-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は′ｒ４膜形成方法に係り、待に、プラズマを
利用したプラズ？ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関する。

（０亡釆Ｉ支（釘）半導体素子の製造プロセスに、プラズマが利用されるよ
うになって、プロセスのドライ化、低温化が可能となっ
た。このプラズマプロセスの一つに、ｆ＋！、温プラズ
マ中で気休状物質を反応させ、基板上に新しい固体の薄
膜を析出させるプラズマＣＶＤがあり、例えば、集積回
銘の素子間隔離絶縁用や最終的表面不活性層に、酸化シ
リコン膜や窒化シリコン膜を形成するなど多くの薄膜形
成に応用されている。

ところで、現在、これらのｒ４膜は、反応ガスを５０ｋ
Ｈｚ−１３，５６ＭＨｚの高周波によって励起し、２０
０〜３００℃に加熱した基板に堆積させるようにしてい
る。

（従来の技術の間Ｉｆｉ息）ところが、励起用の高周波のどの周波数がプラズマ反応
のために効果的であるが、分がっていないのが現状であ
る。仮に分ったとしても、工業バンド帯という法的な規
制の問題がある。通常は、周波数１−３ｋＨｚ＋２５ｋ
Ｈｚ、１５０ｋＨｚ、２００ｋＨｚ＋　４００　ｋＨｚ
あるいは１３．５６ＭＨｚとイッた工業バンド帯が用い
られる。高周波の低域側では、高周波電力の制御、たと
えばオートチューニング方式（高周波の整合状態を一定
状態に保持する方法）における整合が容易であるととら
に謙１；洩Ｘし波対策等の而で有利であるが、プラズマ
発生が不安定であることから、一般には高域、１．＋ｊ
に１３．５６ＭＨｚの高周波電力が使用されている。し
かし、このような高周波になると、パワー供給回路を分
布定数回路として設計する必要があり、電源系が極めて
複雑な構成となる問題がある。まｒこ、プラズマを効率
よく利用するためにその発生を局在化するマグネトロン
方式によるプラズマ閉じ込めも考慮せねばならない難点
もある。

第二には、基板の加熱の問題がある。プラズマＣＶＤを
用いれば、従前の常圧ＣＶＤと比べ確かに反応時の基板
温度を下げることができ、膜の熱的損傷が減少する。必
要な接着強度を得るため、およびプラズマを補助的にし
ろ加熱しないと原料〃スの分解が促進されないことがら
、プラズマＣＶＤにおいてら基板の加熱は必須である。

しかし、熱的ストレスが成膜に悪影響を残存させること
は否めず、問題となっている。

上記の各種問題は、解決の試みがなされようとはしてい
るが、全体としての最適化からは程達く、個別に、いわ
ば対処療法的にしか行い得ないのが現状である。この背
景には、原料が入内でのプラズマのメカニズムに関する
基礎的な把握が立ち遅れていることに原因がある。

（間ｍ点を解決するための手段）そこで、本発明者らは、プラズマ発生の基礎過程に検討
を加え、特に、プラズマプロセスで重要なパラメータと
なるプラズマ内の電子エネルギ分布の把握を試みた。

原料ガスを活性励起するために、定性的には、その〃ス
特有のしきい値以上のエネルギを与えねばならないこと
は定性的に理解され、またプラス゛マエネルギの上昇は
、電界によるプラズマ内の電子加速と強い関連がある。

このような観照に立ち、原料〃スに一定電界を印加した
場合の電子エネルギ分布のコンビュータンミニレーン３
ンを行った。

その結果、第２図に一例を示すように、従来の１３．５
６ＭＨｚよりはるかに低周波でのプラズマ励起のほうが
、高エネルギ電子の量が多いプラズマが得られることが
類推された。

この発明は、この知見、すなわち原料〃スの最適な励起
を可能ならしめるプラズマ内電子エネルギ分布を利用す
ることに着目し、現笑に８膜形成を行い、結果として、
従来の常圧プラズマＣＶＤと同等もしくはそれ以上の特
性をもった薄膜を得るに至った。

（発明の概要）本発明は、所定圧の真空中に導入しｒこ原料ブスに、低
周波の電気エネルギを供給して、第２図ｔこ例示するよ
うな高エネルギ電子の分布が多いプラズマを生成し、基
板上に前記原料Ｉスに対応した薄膜を堆積させることを
基本的なりｆ徴としている。

ここに、低周波の電気エネルギとは、特に好ましい範囲
として周波数が６ｋＨｚ以下の低周波電力をいい、周波
数がＯである定電圧（通常は一定の電界を形成）を含む
。

好ましくは、電気エネルギは平９〒平板電極を介して電
界をもりで与えられる。

（実施例）以１゛、尖施１シリにより本発明をＪ（１に的に説明す
る。

夫１．（ｌｉ例は、原料ゲスにンラ／（Ｓｉｌｌｔ）と
窒素（Ｎ２）を使用し、基板にシリコン窒化膜（Ｓ　ｉ
＋Ｎ　ｔ）を１１１ｉ積させるものである。基板は非加
熱、すなわち常温（室温）で、プラズマ発生用の電源は
５０Ｈｚの商用電源である。

第１図（Ａｌに示すように、装置溝成は、従来のプラズ
マＣＶ　Ｄとほぼ同仙であり、反応チェンバ（口に原料
〃ス導入系（２ンと排気系（３）を設け、反応チェンバ
（１）内に平行平板電極（４ａ）、（４ｂ）を設置した
ものである。平行平板電極（４ｍ）、（４ｂ）には、電
圧の昇圧を行う豊能を付加した５０Ｈｚの商用電源（５
）が接続される。基板（６）は、下部電極（・ｓｂ）上
に搭載される。

反応チェンバ（１）はステンレス鋼製で高さ６０ｃｘ、
直径４０ｃｉの円筒形である。平行平板電極（４ａ）、
（４ｂ）は、直径１５ｃｚのステンレス製である。そし
て、低周波５０Ｈｚによるプラズマ生成を、この電極間
にだけ局在させるように、バ／／エンの法則に従って、
ｐ−ｄ（ｐ：気圧、ｄ：ギヤノブＩｔ）の条１゛ｌが設
定されている。また、電極間を電界集中の少ない？Ｍ造
とするのが好ましく、本例では、電界集中の起らないハ
リノンプロファイルが使用されている。

反応チェンバ（１）は、４００１／　ｓｅａの拡散ポン
プと２５０り／　ｍ　ｉ口のロータリポンプにより真空
引きすることができ、到達真空度は約１０−’Ｔｏｒｒ
である。リーク率は１Ｏ−５Ｔｏｒｒ／ｍｉｎであり、
１Ｔｏｒｒ条件において３０分経過で約３Ｘ１０−２％
の不純物混入が考えられる。シリコン窒化膜の堆積条件
は、真空度１　、２　Ｔｏｒｒ、入力電力が約１．４Ｗ
、ギヤ７プｆｇ２．Ｏｃｘで、Ｎ２とＳｉＨ４の流量が
それぞれ５０〜４’ＯＯ３ＣＣＭと４〜５０８ＣＣＭで
ある。

Ｎ２とＳｉＨ，のガス純度は、それぞれ９９．９９９％
と９９．９５％である。

上記のプロセスで得られたシリコン窒化膜の特性を以下
に挙げる。

光学屈折率・・・・・・・・・・・・・・・２．０絶縁
耐圧　・・・・・・・・・・・・・・１　、２　Ｘ　１
０　’Ｖ／ｅｘ比抵抗ρ　・・・・・・・・・・・・・
・・４Ｘ］Ｏ’ＳΩＣ１比譲電率　　・・・・・・・・
・・・・　８第；（し１に、Ｉ、記低周波プラズマＣＶ
Ｄにより作成したシリコン窒化膜の屈折率を１．Ｉ７１
合〃ス（Ｎｌ＋５ｉ）１．）中の５ＩＨ４の分圧率ｋ（
＝　（Ｓ　１Ｈ１）／（（ＳｉＨｌ）＋（Ｎ＋］））で
プロ／トシたものを示す。この屈折率は、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザを光源とするエリプソメータにより測定された。９
ＣＶＤによって作られる化学量論的組成をもつＳ　ｉ　
ｚ　Ｎ　＋の屈折率は、２．０〜２．１であることが知
られている（ｆ野卓雄、１９ａ２＋ｒ半４体プラズマプ
ロセス技術」ｐ２３９＋産業図書）。Ｓｉ、Ｎ＝に近い
組成を、もつシリコン窒化膜を作るためには、屈折率を
２．０近辺にする必要がある。

第３図から明らかなように、ｋ＜５％の範囲の混合〃ス
プラズマで作られた膜がこれに適合する。

ｋ＞５％の領域では、ｋの上昇で屈折率が増加士る傾向
がある。比較のため、従来例（Ｒ、Ｇｅｒｅｔｈ　ａｎ
ｄＳｃｈｅｒｂｅｒ、１９７２．　Ｊ　、Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈ１！＋ｎ、　Ｓｏｃ、　、　１１９　。

１２４８−１２５４）による５００ｋＨｚプラズマの７
１７コン窒化膜（堆積基板温度２（）０〜３００°Ｃで
４１’ったもの）の屈折率を合わせてブａノドした。こ
の従来例では、ｋ＜０．５％の範囲でＪ＋を祈・ｉＸ２
、（）を示現しており、堆積率の点で４１６すると、本
実施例の低周波プラズマの方が有利である。

なお、同図中に、ノンラン（Ｓ　ｉ＋ＨＧ）　＋　Ｎ＋
のｌ昆合ガスプラズマによる値もプロットしであるが、
Ｓ　ＩＨｈ　＋　Ｎ　ｒプラズマに比べ、同一のｋで屈
折率が高い。これは、プラズマによる６１□Ｈ５の分解
で高次の活性種の発生が多く、堆積した膜中にＳｉ　　
Ｈ結合等が含まれるためと考えられる。

ｆｊＳ４図に、堆積率のｋに対する変化の一例を示す。

Ｎ２（３５７ＳＣＣＭ）＋ＳｉＨ，（ｋ％）において、
ｋ＝５％で約５０Ａ／ｍｉｎの堆＆を率である。これは
、商周波プラズマによる一般的なプＵセスで作成される
膜とほぼ同様である。ｋく１０％においてｋの増加【こ
伴ない堆積率も直線的に上昇している。

第５図に、ｋに対する比抵抗ρの変化を示す。ｋの増加
で比抵抗ρが思慮に減少することが見られ、ｋ’＝　２
　、０％で６．ｌＸ１０１ＳΩ随、に＝４．０％で４Ｘ
ＩＯ”ΩＣＲの値を示している。然ＣＶＤによるＳｉ＋
ＩＶ＋、の比抵抗は、１０”−〜１０１′ΩＣ１′Ｃ′
あることかり、本実施例のものは、非゛常に高い抵抗を
もっていることが分る。

第６図に、膜の絶縁破壊電界強度対にの特性を示す。図
から明らかなように、破壊強度は、しきい値をらつこと
がわかる。にく５％で非常に高い値１．２Ｘ１０’Ｖ／
ｃｚを示している。先に挙げた従来例における値も、あ
るに以下で高い値を示しており、この実施例における結
果と傾向を同じくしている。しかしながら、従来例のし
きい値は、ｋが０．０１％以下であるので、本実施例と
は約２桁の違いがある。

第７Ｉ２Ｉには、先に挙げた従来例の実験データである
、基板温度に対する絶縁破壊電界強度の変化を示してい
る。基板温度の上昇で破壊電界値が増し、５００ｋＨｚ
のプラズマでは、明らかに、基板温度を上げる必要のあ
ることが分る。このグラフ中に合わせで、本実施例のデ
ータをプロットするとΔ印となり、低温（非加熱）でも
高い破壊電界値が得られている。

以上の結果を総合すると、本実施例におけるような基板
Ｊ１加熱の室温プロセスｔこおい−Ｃも、υを米の熱Ｃ
ＶＤや基！ｆｉ温度約３００℃の歯周ｌ皮プラズマＣＶ
ＤＩＩ’得られるンリフン窒化膜と同等もしくはそれ以
上に良質な薄膜が形成できた。

なお、生成されるプラズマと作成された／リコン窒化膜
との関係を検討するため、Ｎ　２　＋　Ｓ　ＩＨ＋（５
０：５０）の混合ガスによるプラズマ発光分析を行った
（発光スペクトルの測定はモノクロメータと、２０００
〜８０００Ａの広帯域感度をもつ光電子増倍管を使用し
た）が、２０００〜３０００ＡにＳｉｌ＠起原子からの
発光が見られ、また３０００−４０００ＡにＮ２Ｉ＠起
分子がらの２　ｎｄ　ｐｏｓｉｔｉｖｅｂａｎｄの発光
が観測された。Ｎ２の正イオンからの１　ｓＬ　ｎｅｇ
ａｔｉｖｅ　ｂａｎｄの発光と、ＳｉＨ４から解離した
ＳｉＨ励起分子からの発光が、４０００Ａ近辺に現われ
た。この他、Ｎ原子からの発光（Ｈ工、Ｈβ。

Ｈ，）が４０００〜８０００人の領域で観測されている
。しかし、Ｎ励起原子からの発光は認められず、Ｎｌ：
関する情報は全く得られなかった。Ｓ＋（２ＵＵＯ＋２
５５０人）とＮ、（３３７１，３１５９Ａ）の発光強度
のｋにス・ｊする振舞いを調べると、Ｓｉの発光強度は
、ｋ＝２０％で極大値をもち、Ｎ２はｋに対して指数関
数的な減少を見せることが分っている。この８１の特性
は、混合ガス（Ｎ　２　＋Ｓ　ｉ　Ｈ＋　）の電離係数
α／ｐがｋに対しあるｋにおいて俺大値をもつ同一な傾
向となることから考えると、ｋが０〜１００％の変化で
プラズマ中の電子エネルギ分布が大さく変化するために
生じるものと解せられる。

ボルツマン方程式解析により、この電子エネルギ分布を
シミュレートした結果を第８図に示す。

明らかに、分布が大きく変化しており、Ｎ２プラズマの
方が高エネルギ電子が多い。また、５ｉＨ１は、大きな
解離断面積（６０ｅＶで約１．２Ｘ１０−”ｃ１２）の
ため、電子のエネルギが得られず高エネルギ電子が少な
いものと解せられる。

第８図によれば、Ｎ２に少量のＳｉＨ，を混合すること
によって、Ｎ２高エネルギプラズマ中で、Ｓ　ｉ　＋−
１、を効率よく分解することが推測でさ、良質なンリコ
／窒化１１りの製作がでさるｋ　＜　５　′３６のプラ
ズマ条１牛がこれ１こ相当するものと４乏られる。

シリコン窒化膜形成には、Ｓｉ　　Ｎ結合を作る必要が
あり、プラズマ中にＮ原子の存在がｆｆｌ！であると考
えられ、Ｎ原子のＮ２分子からの解離を考えた場合、解
離断面積や発光スペクトル測定から、Ｎ２励起分子に比
べ非常に少ないものと思われる。また、ｋ＜５％の領域
は、ＮＪＩＩ起号子が多く、Ｓｉ励起原子も少ない状態
であ：）、良質な膜形成に関与するものとして、Ｎ＋Ｒ
Ｊ起分子とＳｉ、ＳｉＨ等を考え、これらの間の衝突に
おいてＳｉ　　Ｎ結合が作られるものと考えられる。

更に、低周波プラズマを考元た場合、イオ／が動く充分
な時間があるため、その役割も大きく、堆積膜へのＮ２
゛イオンの衝突によって膜中のＮ不足を解消し、基板と
膜との密着ら増すｌＪのと考几られる。

現に、上記実施例で得られた膜と基板との接着強度は非
常に没れていることが分かっている。これは、プラズマ
が低周波によって生成されるため、ィオ／・ボン・ハー
ド効果がイＳ°効に作用していることによる。そして、
この効果は、Ｇ　ｋ　Ｈ７，以下で有効である。もっと
も、イオン・ボン・バード効果は６０ｋＨｚまで示現す
るが、顕著に有効である範囲として、０〜６ｋＨｚとし
ている。

なお、第１図に示した手打平板電極（４ａ）ｌ（４ｂ）
の開に、イオンの移動を制御する中間電極を設け、イオ
ン・ボン・バード効率を制御するようにするのが好まし
い。

犬に、本発明の薄膜形成方法を用いた応用例を説明する
。

（応用例）室温・低周波プラズマＣＶＤ法によるＳＩ、Ｎ。

膜のＩｎＰ−Ｍ　Ｉ　Ｓ−Ｆ　ＥＴ　ヘノ応用である。

良好なＭＩＳ界面を得るためには、ＩＩａ縁膜形成に伴
う半導体表面のｄｉｓｏｒｃｌｅｒを最小限にとどめる
ことが重要である。この点、絶縁膜が室温で密着性よく
形成できる上記手法は、半導体の損傷が少ないので、Ｓ
ｉプロ七スのみならず、化合物半導水プロセスにも有効
である。ＭＩＳ−ＦＥＴへの応用の立場かり、絶１吹膜
の良ごｉをｌ’ｌｌｌ断Ｖるｕ４として、チャネル移動
度とドレイン電流のドリフトをとりあげる。

Ｓ　ｉ　ｓ　Ｎ　４膜の堆（ｎ条件と、この嗅の電気的
性質を一＆１．表２に示す。

ＭＩＳ−ＦＥＴは、デート絶縁膜としてＳｌ、Ｎ４膜を
用いたものと、５ｉ＝Ｎ＋／ｎａＬｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ
　２重膜を月１いたらのを１１．製し、その性質をＪ、
、Ｉべた。

第′）図に、デート絶縁膜としてＳ　ｉ＋Ｎｔ／ｎａｔ
ｉｖｅｏｘｉｄｅ２１ｒＸｐを用いたＭＩＳ−ＦＥＴの
６膜造を示す。チャネル長、チャネル幅は、それぞれ５
−３５μｍ、２５０μｍとしている。

第１０図の製作プロセスの図解に従ってＭ　Ｉ　Ｓ・Ｆ
ＥＴの製作プロセスの概要を説明すると、（ａ）加速電
圧１０ｔＪｋｅＶ、ドース量Ｉ　Ｘ　１０　”ｃｍ−’
の条件で、鉄ドープ半絶縁性ＩｎＰＪＪ版にＳｉイオン
を注入する。その後、Ｓ　ｉ　Ｏ２を保護膜として、Ｈ
２＄囲気中において７２５°Ｃ，２０分間熱処理を行い
、表面をｎ′層化する。

（ｂ）Ａｕ　　Ｇｅを真空蒸着し、Ｈｚｎ囲気中で３９
５°Ｃ，６分間熱処理を行い、ソース・ドレインオーミ
ック電極を形成する。続けて、デート部分のｎ’Ｒをエ
ツチング１ａ（Ｈ＋ＳＯｔ：ＨｚＯ＋：Ｈ＋０＝３：１
：１）で除去する。

（ｃ）デート絶縁膜として、Ｓ：Ｊ＋＋を室温・低周波
５０Ｈｚの条件で３０００Ａ堆積する。ここで、Ｓ　ｉ
＋Ｎ　＋／ｎａｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ　２重膜とするに
は、Ｓｉ３Ｎ、を１１ｆ（貞・しる萌に、陽１歳酸化に
Ｌす２　＋１−１０ＯＡのｎａｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ層
を形成してす；く。

（ｄ）ＡＩデート電極を形成する。

こうして得られたＦＥＴのチャネル移動度をカーブトレ
ーサ（１００Ｈｚ）を用い、そのＩＯ−■Ｄｓ特性を調
べた。結果を第１１図に示す。チャネル艮、チャネル幅
は、それぞれ２７．５μｍ、２５０μｍである。

第４図は、ＦＥＴの飽和ドレイン電流’ｏｓｓの１７２
乗をデート電圧■Ｇに対してプ四ノドしｒこらのである
。

一般に５−”Ｇの傾きとチャネル移動度Ｌ：チャネル艮Ｗ：チャネル幅ＣＩ＝単位面積当りの絶縁膜容量。

これより、チャネル移動度はＣ−■測定により求めたＣ
１＝２．・￥３　Ｘ　Ｉ　Ｏ−”Ｆ／ｍ’を用イ゛Ｃ、
デ−ト絶１４１１ＱがＳｉ＋Ｎ＋／ｎａＬｉｖｅ　ｏｘ
ｉｄｅ２ｊ１４膜のらの（’　１５　Ｉｔ　Ｃ１ｃ＆’
／　ＶＺＩＳ　ｌ：ｌＮ　ｄｌりを用いたもので７００
ｃｘ’／＼ｌｓと求まる。

陽極酸化ＡＩ！＋Ｏ＋／ｎａｔｉｖｅ　ｏｘｉｄｅ２重
膜を用いたＩｎＰ−ＭＩＳ　・ＦＥＴでは、ａｓ−ｇｒ
ｏｗｎで得られるチャネル移動度が２００〜４００ｃｍ
’／Ｖｓであるので、本応用例のＳ　ｉｐＮ　Ｊ５１の
方がはるかに優れている。

ＦＥＴの電流ドリフトについては、ＩＤ　トリアド１、
Ｙ性を第１３図に示す、熱処理により、ｎａｔｉｖｅｏ
ｘｉｄｅ／ｉｊｌを形成したものでは、ドリフトの大幅
な減少が見られ、１１％の減少の後、定常値に達した。

これは、プラズマ陽極酸化Ａｌｔｏ　＞／ｎａｔｉｖｅ
ｏｘｉｄｅ２ｇＸ膜構造で得られた値より秀れている。

尚、本発明に係る、上述の実施例においては、ＳｉＨ，
＋Ｎ２の混合ブスで５ｉｆｆＮ、膜を形成するもののみ
を説明したが、Ｎ２に替えてＮ　Ｈ＋とじてもよく、ま
た、シランを単に分解して基板上に非晶質ａ−６ｉを形
成させたり、ＡＩの化合物にＮ２（もしくはＮ　Ｈ，）
を作用させてアルミニウムナイトライドの薄膜を形成さ
せたり、１ノｌ（＋、５ｉ１１．．Ｎ＋０〃スに基つい
ＣＬ”δＧ（す／Ｊ’ラス）膜を形成ｒるなと、これら
いずれのプラズマＣＶ　Ｄでも本ｆ−法を同様に適用す
ることを妨げるものではない。

また、上記実施例では、基板を非加熱としｔこが、加熱
することを妨げるものでなく、加熱することにより膜質
、接着強度をより一層向上させることがでさる可能性が
ある。

なおまた、第１図（Ａ）では竪型の反応容器で行う例を
説明したが、第１図（Ｂ）に示すように逆型でも可能で
ある。後者の場合、一時に多量の基板を処理できる利点
がある。

（発明の効果）本発明によれば、基本的に、直流または低周波電力を供
給するのみで高エネルギ電子の分布が多いプラズマを生
成でき、そのエネルギ電子に基づいて〃スか解を効率化
させてゆくものであり、イオン・ボン・バード効果とも
相まって、基板を非加熱とでき、プロセスのよＱ　−７
３の低温化が達成できる。

そして、この省エネルギ効果に加疋、丸木のよ）なノ古
仮加熱ヒータが不要となるととらに、高周波電源および
高周波励起に不可欠なマツチング回路等が不要となり、
装置（ｙ成を簡素化できるとともに取扱いも容易となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の詳細な説明するための
プラズマＣ，ＶＤ装置俣式図、第２図はシミエレーシシ
ンにより得た電子エネルギ分布関数を示す図、第３図、
第４図、第５図、第６図、第７図は実施例によって得た
シリコン窒化膜の各種の特性を従来例と合せて示した図
、第８図はプラズマの分析のために求めた電子エネルギ
分布関数を示す図、第９図ＪＩＯ図は本発明の応用例に
係るＦＥＴの補遺の説明図、第１１図、第１２図、第１
３図はその特性を説明するための図である。４ａ、４ｂ・・・平行平板電極、５・・・商用電源、６
・・・基板。特許出願人　大日本スクリーン製造株式会社代　環８人
　弁理±　　１１「　　川　幾　冶第１図（Ｂ）暮坂ム友　（’Ｃ）第１０図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空中に導入した原料ガスに、低周波の電気エネ
ルギを供給して、高エネルギ電子の分布が多いプラズマ
を生成し、基板上に前記原料ガスに対応した薄膜を堆積
させることを特徴とする薄膜形成方法。
（２）低周波の電気エネルギは、その周波数が６ｋＨｚ
以下である、特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜形成
方法。
（３）低周波の電気エネルギは、一定電界をもって供給
される特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜形成方法。
（４）電気エネルギは、平行平板電極により電界をもっ
て与えられ、プラズマの生成領域を電極間に局在させる
ように電極間隔をパツシエンの法則に従ったものとした
、特許請求の範囲第（１）項ないし第（３）項のいずれ
かに記載の薄膜形成方法。
（５）電極間を電界集中の少ない構造とした、特許請求
の範囲第（４）項記載の薄膜形成方法。
（６）電極間構造にハリソンプロファイルを用いた、特
許請求の範囲第（５）項記載の薄膜形成方法。
（７）電極間に中間電極を設け、イオンボンバード効率
を制御するようにした、特許請求の範囲第（４）項ない
し第（６）項のいずれかに記載の薄膜形成方法。
（８）原料ガスがＳｉＨ＿４とＮ＿２である、特許請求
の範囲第（１）項ないし第（７）項のいずれかに記載の
薄膜形成方法。