JPS6182256A - Battery backup type storage device - Google Patents

Battery backup type storage device

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Publication number
JPS6182256A
JPS6182256A JP59204862A JP20486284A JPS6182256A JP S6182256 A JPS6182256 A JP S6182256A JP 59204862 A JP59204862 A JP 59204862A JP 20486284 A JP20486284 A JP 20486284A JP S6182256 A JPS6182256 A JP S6182256A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
battery
voltage
power supply
voltage vdd
storage device
Prior art date
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Pending
Application number
JP59204862A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eisuke Ito
栄介 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6182256A publication Critical patent/JPS6182256A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To hold exactly data without inspecting frequently a battery by comparing a backup use battery with a reference voltage, and writing this comparing information in a specified address of a storage device. CONSTITUTION:When power is restored, a system power supply voltage VDD starts to rise, and when this voltage VDD exceeds a breakdown voltage of Zener diodes ZD1, ZD2, TRs Q1, Q3 become an on-state, by which Trs Q2, Q4 become on-state, and a chip enable signal rises to an H level. On the other hand, when a relay driver 17 is operated by a rise of the voltage VDD, a relay 16 becomes on, and a compared value of an electromotive force of a battery 14 and a voltage divided value of the voltage VDD by a comparator 15 is written on a RAM11 through a bus BUS. Accordingly, a CPU can decide whether the backup has been executed normally or not, by reading out its data.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、電源の遮断時にバッテリーによって記憶情
報を保持するバッテリーバックアップ形記憶装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a battery backup type storage device that retains stored information using a battery when power is cut off.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

従来、この種の記憶装置におけるバッテリーバックアッ
プ回路は、例えば第5図に示すように構成されている。
Conventionally, a battery backup circuit in this type of storage device is configured as shown in FIG. 5, for example.

第5図におり゛る11は半導体記憶装置(RAM )で
、このRAM 11の一方の電源端子vDDには、通常
はシステム電源から電源切換回路12を介して電力が供
給され、他方の電源端子GNDは接地される。今、RA
M 11がイネーブル状態であるとすると、このRAM
 11からシステムパスBUSを介して例えばCPU 
(図示しない)へデータが読み出され、あるいはCPU
からRAM 11ヘデータが書き込まれる。
Reference numeral 11 in FIG. 5 is a semiconductor memory device (RAM), one power supply terminal vDD of this RAM 11 is normally supplied with power from the system power supply via a power supply switching circuit 12, and the other power supply terminal vDD is normally supplied with power from the system power supply via a power supply switching circuit 12. GND is grounded. Now, R.A.
Assuming that M11 is enabled, this RAM
11 to the CPU via the system path BUS.
(not shown), or the CPU
Data is written to RAM 11 from there.

そして、システム電源が遮断されるとこのシステム電源
のパワーフェイル信号PFにより、RAM 11がデー
タ保持モードに切り換えられ、記憶保持(バックアップ
)用バッテリー13からダイオード14を介してRAM
 11に電力が供給される。
Then, when the system power supply is cut off, the RAM 11 is switched to data retention mode by the power fail signal PF of the system power supply, and data is transferred from the memory retention (backup) battery 13 to the RAM via the diode 14.
11 is supplied with power.

復電の際は、システム電源の電圧が充分に立ち上がった
ところで、電源切換回路12からRAM 11のチップ
イネーブル信号入力端子CEヘチップイネーブル信号が
供給されて、RAMIIがイネーブル状態となる。
When the power is restored, when the voltage of the system power supply rises sufficiently, a chip enable signal is supplied from the power supply switching circuit 12 to the chip enable signal input terminal CE of the RAM 11, and the RAM II becomes enabled.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、システム電源の復電後、バックアップ用バッ
テリー13によって保持していたRAM 11のデータ
は変わっていないものとして処理を始める。しかし、上
記バッテリー13の起電力が低下していると、データの
一部もしくは全ての内容が破壊され、システム全体の誤
動作や暴走を引き起こす可能性がある。
By the way, after the system power is restored, processing begins assuming that the data in the RAM 11 held by the backup battery 13 has not changed. However, if the electromotive force of the battery 13 decreases, part or all of the data may be destroyed, potentially causing malfunction or runaway of the entire system.

このような問題を避けるためには、必要以上の大容量の
バッテリーを使用するか、あるいは頻繁にバッテリーの
起電力を検査しなければならない。
To avoid such problems, it is necessary to use a battery with a larger capacity than necessary or to frequently test the electromotive force of the battery.

〔発明のU的〕[U-shaped invention]

この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、比較的小容量のバックアップ
用バッテリーでも頻繁な検査をすることなく確実なデー
タ保持が可能であり、信頼性を向上できるバッテリーバ
ックアソグ形記憶装置を梓供することである。
This invention was made in view of the above circumstances,
The purpose is to provide a battery-backed storage device that can securely retain data even with a relatively small-capacity backup battery without requiring frequent inspections, and that can improve reliability.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

すなわち、この発明においては、上記の目的を達成する
ために、バッテリーを用いて記憶情報を保持するシステ
ムにおいて、上記バックアップ用バッテリーの起電力を
比較器によって所定の基準電圧と比較し、この比較器に
よる上記バッテリーの起電力の検査情報を記憶装置の特
定番地に書き込み、システム側(CPU )でその特定
番地をアクセスすることにより、保持データの有効性を
確認できるようにしたものである。
That is, in order to achieve the above object, in the present invention, in a system that uses a battery to hold stored information, the electromotive force of the backup battery is compared with a predetermined reference voltage by a comparator, and the comparator By writing test information on the electromotive force of the battery to a specific address in the storage device and accessing the specific address on the system side (CPU), the validity of the held data can be confirmed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
するっ第1図におけるバックアップ用バッテリー13の
正極には、比較器15の一方の入力端が接続され、この
比較器15の他方の入力端には、システム電源と接地点
間に直列接続された抵抗R1とR2との接続点が接続さ
れる。上記比較器15から出力される比較出力データは
、リレー16およびシステムパスBUSを1毛てRAM
 J 1の所定記憶領域に書き込まれる。上記リレー1
6は、システム電源が供給されるリレードライバ17に
よって制御される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.One input terminal of a comparator 15 is connected to the positive electrode of the backup battery 13 in FIG. A connection point between resistors R1 and R2 connected in series between the system power supply and the ground point is connected to the end. The comparison output data output from the comparator 15 is stored in the RAM by connecting the relay 16 and the system path BUS.
It is written to a predetermined storage area of J1. Above relay 1
6 is controlled by a relay driver 17 to which system power is supplied.

なお、上記RAM 11には、cPUからシステム・ぐ
スBUS 、電源切換回路12を介して読み出し/書き
込み制御信号R汐が供給されるようになっている。
Note that the RAM 11 is supplied with a read/write control signal R from the cPU via the system bus and the power supply switching circuit 12.

第2図は、上記第1図における電源切換回路12の構成
例を示している。すなわち、システム電源と接地点間に
は、ツェナーダイオードZD、および抵抗R3が直列接
続される。上記ツェナーダイオードZD工と抵抗R3と
の接続点には抵抗R4の一端が接続され、この抵抗R4
の他端にはNPN形トランジスタQ1のペースが接続さ
れる。上記トランジスタQ、のエミッタは接地され、コ
レクタには抵抗R,を介してPNP形トランジスタQ、
のペースが接続される。このトランジスタQ、のエミッ
タには上記システム電源が接続され、コレクタからチッ
プイネーブル信号CEを得る。上記ツェナーダイオ−P
ZD’S″:L:抵抗R3〜Rs オヨヒ) ランシス
タQ、 +Q2はチップイネーブル信号cgの生成回路
を構成している。この回路と同様な構成で、ツェナーダ
イオードZD、、抵抗R6〜RsおよびトランジスタQ
3 、Q、が接続される。そして、上記トランジスタQ
4のコレクタ側から得られる信号が、抵抗R91R16
およびコンデンサC1から成る時定数回路18によって
遅延され、この遅延出力が読み出し/書き込み制御信号
R7としてRAM 11に供給される。この時定数回路
18から出力される信号R汐は、復電時に前記バッテリ
ー13の検査情報を書き込むためのものであり、通常動
作時にはCPUからシステムバスBUSを介して信号騎
が供給されるようになっている。また、前記システム電
源は、ダイオード19を介してRAM 11の電源端子
”DDに供給される。
FIG. 2 shows an example of the configuration of the power supply switching circuit 12 shown in FIG. 1 above. That is, a Zener diode ZD and a resistor R3 are connected in series between the system power supply and the ground point. One end of resistor R4 is connected to the connection point between the Zener diode ZD and resistor R3, and this resistor R4
The other end is connected to the base of an NPN transistor Q1. The emitter of the transistor Q is grounded, and the collector is connected to the PNP transistor Q through a resistor R.
The pace of is connected. The system power supply is connected to the emitter of this transistor Q, and the chip enable signal CE is obtained from the collector. The above Zener diode-P
ZD'S'': L: Resistors R3 to Rs (Oyohi) Runcisors Q and +Q2 constitute a generation circuit for the chip enable signal cg. With a configuration similar to this circuit, Zener diodes ZD, resistors R6 to Rs, and transistors Q
3, Q, are connected. And the above transistor Q
The signal obtained from the collector side of resistor R91R16
and a time constant circuit 18 consisting of a capacitor C1, and this delayed output is supplied to the RAM 11 as a read/write control signal R7. The signal R output from the time constant circuit 18 is used to write inspection information for the battery 13 when the power is restored, and the signal R is supplied from the CPU via the system bus BUS during normal operation. It has become. Further, the system power is supplied to the power terminal "DD" of the RAM 11 via a diode 19.

第3図は、前記第1図におけるリレードライバ17の構
成例を示している。システム電源と接地点間には、前記
リレー16のコイルRLおよびNPN形トランジスタQ
、が直列接続される。
FIG. 3 shows an example of the configuration of the relay driver 17 in FIG. 1. The coil RL of the relay 16 and the NPN transistor Q are connected between the system power supply and the ground point.
, are connected in series.

また、上記トランジスタQ、のペースとシステム電源と
の間には抵抗R□1が接続されるとともに、トランジス
タQiのペースと接地点間にはコンデンサC3が接続さ
れて成る。
Further, a resistor R□1 is connected between the pace of the transistor Q and the system power supply, and a capacitor C3 is connected between the pace of the transistor Qi and the ground.

次に上記のような構成において、第4図のタイムシーケ
ンスを用いて復電時の動作を説明する。時刻t0におい
て、システム電源の電圧vDDが上昇を始め、この電圧
vDDがツェナーダイオードZD、、ZD、のブレーク
ダウン電圧を越えると、トラン・ゾスタQl  、Q3
がオン状態となる。これによって、トランジスタQ2 
、Q4がオン状態となり、時刻t1にチップイネーブル
信号CEがハイ(“H″)レベルに立ち上がる。一方、
上記システム電源電圧■DDの上昇によって、時刻t2
にリレードライバ17のトランジスタQ6がオン状態と
なると、リレー16のコイルRLに励磁電流が流れ、こ
のリレー16がオンする。この時、比較器15によるバ
ッテリー13の起電力とシステム電源を抵抗R1、R2
によっで分圧した電圧との比較出力データがシステム・
々スBUSを介してRAM 11に書き込まれる。
Next, in the above configuration, the operation at the time of power restoration will be explained using the time sequence shown in FIG. At time t0, the voltage vDD of the system power supply starts to rise, and when this voltage vDD exceeds the breakdown voltage of the Zener diodes ZD, , ZD, the transistors Ql, Q3
turns on. As a result, transistor Q2
, Q4 are turned on, and chip enable signal CE rises to a high (“H”) level at time t1. on the other hand,
Due to the rise in the system power supply voltage ■DD, time t2
When the transistor Q6 of the relay driver 17 is turned on, an exciting current flows through the coil RL of the relay 16, and the relay 16 is turned on. At this time, the electromotive force of the battery 13 and the system power source by the comparator 15 are connected to the resistors R1 and R2.
The system output data is compared with the voltage divided by
The data is written to the RAM 11 via the bus BUS.

上記比較出力データが書き込まれる1’1.AM 11
のアドレスは、一般にバックアップ時にはアドレス入力
が電源電圧にゾルアップ、または接地側へゾルダウンさ
れているため、復電時にはrOJ番地または最終番地と
なる。前記トランジスタQ4のオン状態によって、ノー
ドNの電位は、(re −1−r 10 )c 1なる
時定数で時刻t3に’H”レベルに立ち上がる。ここで
r、は抵抗R9の抵抗値、r□。は抵抗RIOの抵抗値
である。なお、第4図におけるvDHはデータホールド
電圧、vTHRはリードサイクルになる時のスレッシュ
ホールド電圧、VDH′は基準入力の判断基準電圧、V
RLはリレー16のコイルRLに印加される電圧である
1'1 in which the above comparison output data is written. AM 11
The address generally becomes the rOJ address or the final address when the power is restored because the address input is soled up to the power supply voltage or down to the ground side during backup. Due to the on-state of the transistor Q4, the potential of the node N rises to the 'H' level at time t3 with a time constant of (re -1-r10)c1.Here, r is the resistance value of the resistor R9, r □. is the resistance value of the resistor RIO. In Fig. 4, vDH is the data hold voltage, vTHR is the threshold voltage at the time of a read cycle, VDH' is the judgment reference voltage of the reference input, and V
RL is a voltage applied to coil RL of relay 16.

このような構成によれば、時刻10.12間の期間に、
バッテリー13の起電力を検査したデータをRAM 1
1に書き込むことができるので、CPUによってこのデ
ータを読み出すことにより、・ぐツクアップが正常に行
なわれたか否がを判断できる。従って、必要以上の大容
量のバッテリーを使用したり、頻繁にバッテリーの起電
力を検査したりすることなく、システムの誤動作や暴走
を防止でき、信頼性を向上できる。
According to such a configuration, during the period between times 10 and 12,
The data obtained by testing the electromotive force of the battery 13 is stored in RAM 1.
Since this data can be written to 1, by reading this data by the CPU, it can be determined whether the pull-up has been performed normally. Therefore, system malfunctions and runaways can be prevented and reliability can be improved without using a battery with an unnecessarily large capacity or frequently inspecting the electromotive force of the battery.

なお、上記実施例では、電源切換回路12にハz4ワー
フエイル信号PFを用いていないが、この信号PFを用
いた構成にしても良い。
In the above embodiment, the power supply switching circuit 12 does not use the HAZ4 power fail signal PF, but a configuration using this signal PF may be adopted.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、比較的小容量の
バックアップ用バッテリーでも頻繁な検査をすることな
く確実なデータ保持が可能であり、信頼性を向上できる
バッテリーバックアップ形記憶装置が得られる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a battery backup type storage device that can securely retain data even with a relatively small capacity backup battery without requiring frequent inspections, and can improve reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例に係わるバッテリーバック
アップ形記憶装置の概略構成図、第2図は上記第1図に
おける電源切換回路の構成例を示す回路図、第3図は上
記第1図におけるリレードライバの構成例を示す回路図
、第4図は上記第1図の回路における復電、時のタイム
シーケンスを示す図、第5図は従来のバッテリーバック
アップ形記憶装置を説明するための図である。 11・・・半導体記憶装置(RAM )、12・・・電
源切換回路、13・・・パッチIJ’−115・・・比
較器(比較手段)、16・・・リレー、17・・・リレ
ードライバ。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a battery backup type storage device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the power supply switching circuit in FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a relay driver in the circuit shown in FIG. It is. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11...Semiconductor memory device (RAM), 12...Power switching circuit, 13...Patch IJ'-115...Comparator (comparison means), 16...Relay, 17...Relay driver .

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  バッテリーを用いて記憶情報を保持するシステムにお
いて、上記記憶情報保持用のバッテリーの起電力を所定
の基準電圧と比較する比較手段と、この比較手段による
バッテリーの起電力の検査に基づいて記憶素子にこの検
査情報を書き込む書き込み手段とを具備し、上記記憶素
子に書き込まれた検査情報を参照することにより、シス
テムCPUがバッテリーの起電力の減少を検出可能に構
成したことを特徴とするバッテリーバックアップ形記憶
装置。
In a system that uses a battery to retain stored information, there is a comparison means for comparing the electromotive force of the battery for storing the stored information with a predetermined reference voltage, and a comparison means that compares the electromotive force of the battery for storing the stored information with a predetermined reference voltage, and a comparison means that compares the electromotive force of the battery with a predetermined reference voltage. A battery backup type characterized in that the system CPU is configured to be able to detect a decrease in the electromotive force of the battery by referencing the test information written in the storage element. Storage device.
JP59204862A 1984-09-29 1984-09-29 Battery backup type storage device Pending JPS6182256A (en)

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JP59204862A JPS6182256A (en) 1984-09-29 1984-09-29 Battery backup type storage device

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JP59204862A JPS6182256A (en) 1984-09-29 1984-09-29 Battery backup type storage device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08249243A (en) * 1995-03-10 1996-09-27 Nec Corp Information processor capable of initializing memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08249243A (en) * 1995-03-10 1996-09-27 Nec Corp Information processor capable of initializing memory

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