JPS6169329A - 変圧器保護方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はディジタル方式の変圧器保護方式に係り、特に
演算式の係数となる保護対象変圧器固有の物理定数の設
定を簡便ならしめ、且つ高感度故障検出できる変圧器保
護方式に関する。

〔発明の背景〕

従来、変圧器の巻線短絡故障等の異常時における変圧器
保護は、変圧器各端子電流の差動電流を検出して行なわ
れている。差動電流は巻線故障の外、変圧器の励磁突入
電流によって生ずるため、励磁突入１１１．＃ｔ、中の
第２高調波成分含有率が多い性質を利用し、従来はいわ
ゆる第２高調波抑制方式として励磁突入電流による変圧
器保護リレーの誤動作を防止している。

ところが、送電系統の対地静電容量、リアクタンス及び
変圧器インピーダンス等によっては、故障電流中に第２
高調波付近の低次高調波成分を含むととがあり、従来の
第２高調波抑制法では変圧器保護リレーの動作遅延、ひ
いては誤不動作によシ重犬災害を招く恐れがある。

そこで、最近下記する特開昭５９−２５５２７号のよう
なディジタル方式が提案されている。

（ａ）　　変圧器各巻線の端子電圧及び端子電流を所定
のサンプリング間隔で導出する。

（ｂ）　　各巻線の端子電流より得られる差動電流が所
定の検出レベルを越えたとき、次の関係が成立するかど
うかの判定を行う。

Ｃｖ）−［／−）　（ｄ　ｉ／ｄ　ｔ　：１＝（０）　
　　　＝（１）又は （：ｙｌ（／ｖｄｔ）−［：／ｄｉ］＝［：０〕　　　
・−＝・−＝（２）ただし、〔Ｖ〕は各巻線端子電圧の
列ベクトル、（ｉ）は各巻線端子電流の列ベクトル、〔
ｔ〕は変圧器鉄心が磁気飽和しているときの各巻線の自
己及び相互イン ダクタンスから成るインダクタン ス行列、 （ｙ）は〔ｔ〕の逆行列で得られるアドミッタンス行列 であり、全て任意の基準巻数に換算した値である。

（Ｃ）　　励磁突入電流は変圧器鉄心が磁気飽和して生
ずるものであるから、判定式の性質よシ励磁突入の場合
（１）式又は（２）式がほぼ成立する。内部故障の場合
巻線が健全でなく、且つ一般に変圧器鉄心は磁気飽和し
ないので（１）式又は（２）式は成立しない。

（ｄ）　　そこで、（１）式又は（２）式の左辺の演算
を行い、演算値が非零となったときのみ内部故障と判定
し、しゃ断器トリップ許容信号を出力する。

以上のディジタル方式によると、波形にかかわらず内部
故障電流と励磁突入電流を判別でき、信頼性の高い変圧
器保護方式とすることができる。

上記ディジタル方式においては、演算誤差を考慮して、
（１）式又は（２）式左辺の演算値が略零が、非零かの
判定を行うのに適当な判定レベルを設定する。内部故障
を高感度検出するためには、判定レベルは低く設定する
程良い。このためには、判定式の係数であるインタフタ
ンス行列〔ｔ〕又はアドミッタンス行列〔ｙ〕を精度良
く設定しておかねばならない。これらの係数は保護対象
変圧器固有の物理定数であり、変圧器巻線寸法等にょシ
変圧器設計段階で計算により求め得るが、次のような問
題点がある。

（ａ）　　実際の値に対して計算値に若干の誤差が生ず
るのは避けられず、この誤差を許容する判定レベルが高
感度化の限界となる。

（ｂ）　　種々の巻線構造の変圧器に対して精度良く係
数を求めるだめの計算式は繁雑で、係数設定器まシの要
因となる。

（Ｃ）　　ｆ圧器の巻線寸法等が不明の場合、予め係数
〆　　　　　　を設定しておくことができない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、判
定式の係数として用いる保護対象変圧器固有の物理定数
を高精度で簡便に設定でき、且つ高感度故障検出ができ
るディジタル方式の変圧器保護方式を提供するにある。

〔発明の概要〕

前記目的を達成するために、本発明においては、保護対
象変圧器が正常のとき成立、異常のとき不成立となる所
定の判定式に基づく演算を第１の演算とすると、この判
定式が成立することを固定条件としたとき、サンプリン
グした電圧、電流を用いて、この判定式の係数である保
護対象変圧器固有の物理定数を逆算できることに着目し
てこれを第２の演算とし、ディジタル演算を行う計算機
自体に第２の演算を行わせることで、自動的に係数設定
を行なわせるようにしている。

又、この係数を書き変えｂ］能な不揮発性のメモリに記
憶することで、データの保存、再認定を容易にしている
。

〔発明の実施例〕

本発明による変圧器保護方式に用いる計算様の基本構成
を第１図に、演算フロー例を第２図に示し、以下説明を
加える。

第１図において、１はいわゆるＣＰＵと呼ばれる制御及
び演算を実行する演算部、２は記憶部、３は外部よシ係
数を設定する係数設定器、４は演算結果を出力するディ
ジタルアウトプットである。

記憶部２は、ＲＯＭ　（Ｒｅａｄ　Ｑｎ　Ｉｙ　Ｍｅｍ
ｏ　ｒｙ　）　テ構成されプログラムを記憶する第１の
メモリ２１、ＲＡ　Ｍ　（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ
　Ｍｅｍｏｒｙ　）で構成されデータを記憶する第２の
メモリ２２、書き変え可能な不揮発性の、例えば半導体
不揮発性メモリＥＡＲＯＭで構成されデータを記憶する
第３のメモリ２３から成っている。信号線１２は演算部
１より記憶部２、係数設定器３、ディジタルアウトプッ
ト４等へのアドレス指定信号送出用のバスで、このバス
を通して指定された記憶部２等のアドレスよシ、記憶内
容（命令あるいはデータ等）が別の信号線１１（データ
バス）を通して演算部１へ送られたシ、あるいは演算部
１よシの演算結果等が該尚アドレスの記憶素子にストア
されるようになっている。

第１図に示した計算機を変圧器保蝕用として用いる場合
のやや詳しい動作を次に説明する。

電圧変成器、電流変成器によシ取り出された保護対象変
圧器の各端子電圧、端子電流は、図示しないフィルタ、
アナログ／ディジタル変換器等を介して所定のサンプリ
ング間隔で計算機に取シ込１れ、データバス１１を介し
て第２のメモリ２２に記憶される。第１の演算における
判定式の係数は係数設定器３より外部設定され、データ
バス１１を介して第３のメモリ２３に記憶される。本発
明は第１の演算における判定式の係数を自動設定できる
ことが特徴であるが、係数の自動設定を要求する係数設
定信号は、係数設定器３より外部設定される。計算機が
この係数設定信号を検知したとき、第２のメモリ２２、
第３のメモリ２３のデータ等より、第２の演算によって
第１の演算における判定式の係数が求められ、第３のメ
モリに記憶される。第１の演算における判定式の係数が
確立した後は、該判定式に基づく第１の演算が行なわれ
、演算結果がディジタルアウトプット４から出力される
。

ディジタルアウトプット４から出力される演算結果の一
つは、しゃ断器トリップ許容信号であり、内部故障と判
定したときこの信号が出力される。

しゃ断器トリップ許容信号は単独で、あるいは他の信号
との所定の条件が成立したとき、図示しないしゃ断器ト
リップ用リレー接点に導出される。

第２図は、第３図に示す３巻線変圧器を保膿対象変圧器
としたときの、本発明による演算７０−例で、予め第１
のメモリ２１に記憶させておくものである。

第２図において、細枠で囲んだ各ステップは、前記した
従来のディジタル方式による演算、判定を行う第１の演
算部分を示す。大枠で囲んだ各ステップは、本発明の特
徴である、保護対象変圧器固有の物理定数を求め、第１
の演算における判定式の係数を設定するだめの第２の演
算部分を示す。

第３図において、５は変圧器鉄心、６１，６２゜６３は
それぞれ１次巻線、２次巻線、３次巻線を示す。Ｖｌ　
＋　Ｖ２　＋　Ｖｓ　＋　Ｌ　ｒ　Ｉ２　＋　Ｉｓはそ
れぞれ各巻線端子の電圧、電流を示す。図示しない電圧
変成器、電流変成器によって計算機に導入される各電圧
、電流は任意の基準巻数に換算されているものとして、
以下小文字で表わす。

以下、第３図を参照して、まず第２図の細枠で囲った第
１の演算部分の説明を行う。なお説明の簡単のため巻線
抵抗は無視するが、例えば１次巻線抵抗ｒ１を考慮する
場合、以下の説明におけるｖｌをｖＩ　−萌ｔｌ　　Ｋ
置き代えれば良い。

第２図において、ステップ８１で各電圧、電流をサンプ
リングし、ステップＳ２において差動電流Σｉを求める
。ステップＳ３でΣｉが所定の検出レベルεを越えてい
るかどうかの判定をし、越えていなければ健全であるか
ら、ステップＳ＋ｓによって健全判定し、１サンプリン
グの演算を完了する。なお係数設定が完了している場合
、係数設定信号は消去され、カウンタＣはＯとなってい
る。

Σｉ　力検出レベルεを越えていれば、内部故障又は励
磁突入であり、ステップＳ４へと進み、次に説明する判
定式に基つく演算判定を実行する。

第３図において、各巻線が健全で、鉄心が磁気飽和して
いるとき、前記の（１）式が成立し、（１）式を変形し
て（２）式が得られる。

（１）式及び（２）式の係数行列（４）、［：ｙ：］共
に保護対象変圧器固有の物理定数である。

−励磁突入電流は変圧器鉄心が磁気飽和して生ずるもの
であるから、励磁突入電流が発生している間、（１）式
及び（２）式が成立する。内部故障時は巻線が健全で々
く、且つ一般に鉄心は磁気飽和しないので（１）式及び
（２）式は不成立となる。そこで、（１）式又は（２）
式を内部故障と励磁突入を判別するだめの判定式として
用いることができる。

（２）式を展開すると、（３）納至（５）式が得られる
。

ｙｌＩ／ｖｔ　ｄｔ　＋’ｙ１２ｆｖ２ｄｔ＋ｙＨ３ｆ
　Ｖ３　ｄｔ　−ｆ　ｄｉ１＝０・・・・・・・・・（
３） Ｖ２ｔ／Ｖｔｄｔ＋ｙｚｚ、／”ｖｚｄｔ＋ｙ＋ａ／ｖ
ａｄｔ　　／ｄｊ２＝０・・・・・・・・・（４） ’Ｊｓ１／ｖ＋　ｄｔ＋Ｙ３ｚｆＶ２ｄｔ＋Ｙｓｓｆ　
Ｖｓｄｔ−／ｄｉｎ　＝０・・・・・・・・・（５） （３）納至（５）式の総和である ）’ｔｏ／Ｖ＋ｄｔ＋３’ｇｏ／Ｖｚｄｔ＋Ｖｏｔ／Ｖ
’３ｄｔ　　／ｄΣｉ＝０・・・・・・・・・（６） も又、（３）納至（５）式と同様に、内部故障と励磁突
入を判別する判定式として用いることができる。なお、
任意の基準巻数に換算された行列の対称性から、 Ｙｌｂ　＝ＹｋＪ　　　ｋ、ｊ＝１〜３　・・・・・・
（７）であり、又、 である。

これらのアドミツタンス値は、第１の演算における判定
式の係数として、外部より係数設定器に設定され、又は
後述する第２の演算によって求められ、第３のメモリに
記憶されている。

（３）納至（６）式が成立したら励磁突入であり健全判
壷する、又は少くとも１個の式が不成立なら内部故障判
定するために、第２図に示したフローに従い、次のよう
に（３）結盟（６）式左辺の演算を行なう。

差動電流Σｉが最初に所定の検出レベル８を越えたとき
を演算開始時点として第２図のステップ８１４で初期設
定を行い、２回目以降、Σｉがｅを越えている間、ステ
ップＳＳ以下の演算を行う。

ステップＳｌ、で演算する電流増分を、（９）式に示す
。

ｉ　１（ＯＬ　　ｉ　２　（０）＋　　ｉ　ｓ　（０）
＋Σ１（０）は差動電流Σ１が１回目に検出レベルを越
えたときの各電流値で、ステップ８１４において初期設
定されている。

次にステップＳ６で（１１式で示す電圧積分値を求める
。

差動電流Σｌが最初に所定の検出レベルεを越えたとき
、Ｓ＋　＋　Ｓｔ　＊　ＳｓはステップＳ目においてＯ
に初期設定されている。例えば台形則によるディジタル
積分手法は衆知なので、（１０）式の具体的演算式は省
略する。

ステップＳ７の演算は、ステップＳ９における演算のう
ち、後述する第２の演算と共通する演算部分を、プログ
ラムメモリ節約、演算時間短縮のために共通フローの部
分で実行するようにしたものである。

次にステップＳ９で次の演算を行う。

ステップ８１Ｇで演算されたＰｔ　ｌ　Ｐ２　ｒ　Ｐｓ
　ＩＰｏは、各々判定式（３）結盟（６）式における左
辺の演算値である。

ステップＳｔｔで演算値を判定し、ステップ８Ｂで内部
故障判定、又はステップ８１３で健全判定が行なわれる
。

内部故障判定したとき、単独で、又は他の判定法との所
定の条件が成立したとき、第１図のディジタルアウトプ
ット４より、しゃ断器トリップ許容信号を出力する。

以上で第１の演算に関する説明を終り、次に第２の演算
の説明を行う。

アドミッタンス行列〔ｙ〕における対角要素を求めるた
め、（３）結盟（５）式を変形するとａ２１納至Ｑ４）
式が得られる。

ｙｔｔ＝（ｆｄｌｔ　　（ｙ＋２／Ｖａｄｔ＋Ｙｔｓ／
Ｖ３ｄｔ））／ｆＶ＋ｄｔ・・・・・・・・・αａ ３’ａ２＝（−／ｄｉ２（ｙｇ＋、／Ｖ＋ｄｔ＋）’ａ
ｓ／Ｖｓｄｔ））／ｆＶｚｄｆ・・・・・・・・・０３ Ｙ３３＝（／ｄｉ３　　（３’ｓ＋ｆＶｔｄｔ＋ｙｓｚ
／ｖｚｄｌ）／／Ｖ３ｄｔ・・・・・・・・・ａ荀 Ｑり結盟（１４）式右辺に含まれるアドミッタンス定数
は、アドミッタンス行列（ｙ）における非対角要素であ
る。これらの非対角要素は３巻線変圧器の各巻線間の漏
れインダクタンスから、予め精度良く求め得ることを次
に示す。

第３図に示した３巻線変圧器は、鉄心が磁気飽和してい
るとき一般に第４図の等価回路で表わせる。第４図にお
いて（３）結盟（６）式が１戊立することが証明されて
いる。

又、一般に変圧器鉄心が磁気飽和していないとき、第４
図におけるＹ＋ｏ　ｒ　Ｙ２ｏ　＋　’Ｊｓｏの要素値
はほぼ零となるので、この要＊を第４図から取り除くと
第５図で示すように、〔ｙ〕の非対角要素である３個の
独立なアドミッタンス喪家から成る回路が得られる。

第５図は鉄心が磁気飽和していないときの３巻線変圧器
の通常の等価回路であり、３個の独立なアドミッタンス
要素は、３巻線変圧器の各巻線間に存在する３個の独立
な漏れインダクタンスにより求めることができる。

変圧器の各巻線間の漏れインダクタンスは、変圧器設計
段階で求め得るのは勿論、変圧器製造後の標準的な試験
データとして正確な測定値を得ることができるので、ア
ドミッタンス行列（ｙ〕における３個の非対角要素も又
予め正確に求めておくことができる。

（７）式の関係から０２）結盟０４）式右辺のアドミッ
タンス定数は全て既知となるので、予め外部よシ第１図
における係数設定器３を介して、第３のメモリ２３に記
憶させておく。

０２）結盟０４）式は、（３）結盟（５）式が成立する
ことを固定条件として導出された演算式であるから、変
圧器巻線が健全で、且つ鉄心が磁気飽和しているときに
演算した場合にのみ、保轄対象変圧器固有の正しいアド
ミッタンス定数が求まる。これは励磁突入試験を行うこ
とによって可能である。

そこで第２の演算によって係数自動設定を行う場合、励
磁突入試験を行う前に予め、係数自動設定を要求する係
数設定信号を、係数設定器３に設定しておく。果２図に
おけるカウンタＣは、第２の演算を実行するサンプリン
グステップ数をカラ、・　　　　　　　７トすれＯｆ・
！″初は０１イ＝７切イ′されている。

第２図における第２の演算を、係数設定信号とカウンタ
Ｃの状況別に次に説明する。

（ａ）　　係数設定信号あり、Ｃ＝００とき係数設定器
３に係数設定信号を設定した直後の状況である。励磁突
入試験を開始した当初の、差動電流Σ１が所定の検出レ
ベルεを越えないうちは、ステップＳ８．ステップ８１
７を経て、ステップ８１３で健全判定をし、状況は変ら
ない。

Σｉが最初にεを越えたとき、ステップ８１４゜８１５
を経て、ステップ８１ｇにおいてカウンタＣに１サイク
ル程度に相当するサンプリングステップ数を設定し、係
数設定信号を消去する。

（ｂ）　　係数設定信号あり、ＣＮ３のときこの状況は
あり得ない。

（Ｃ）　　係数設定信号なし、Ｃ〜Ｏのとき（ａ）にお
いてΣ１が最初にεを越えた後の状況である。Σ１がｅ
を越えていなければ、ステップＳ３．ステップ８１７を
経て、ステップＳｉ＠へと進む。Σ１がεを越えていれ
ば、ステップＳｓを経て、ステップ５ｉｌｌにおいて（
ｌり結盟（１４）式の演算によって仮の係数Ｙ１’ｘ　
ｌ　ｙ’２２１　）”３３を求め、ステップ８１９へと
１゜ ステップ８１９でカウンタＣの値を１減算した後、ステ
ップ８２ＧでＣの値がゼロかどうかの判定を行う。Ｃが
ゼロでないとき、状況は変らず、ステップ８１３へ進む
。Ｃがゼロのとき、ステップ８２１で仮の係数Ｙ’＋　
ｔ　・Ｙ’２２　＊　Ｙ’ｍｓを第３のメモリの所定の
アドレスに記憶する。又、（８）式によ’）　Ｖ＋ｏ　
ｌ　Ｙ２Ｏ＊　’１８０を求め、同様に第３のメモリの
所定のアドレスに記憶し、これにより全ての係数が確定
する。

（ｄ）　　係数設定信号なし、Ｃ＝０ 係数が既に確定していて、係数自動設定を要求しない場
合、又は、（Ｃ）によシ係数が確定した後の状況で、前
記の第１の演算を行う。

以上説明した係数自動設定のタイムチャートを第６図に
示す。

次に本発明の応用例、変形例について説明する。

第２図で示した本発明の演算フロー例では、第２の演算
を実行している所定の時間の間は、常に健全判定をして
おり、しゃ断器トリップ許容信号の出力が禁止されてい
るが、この間も第１の演算を実行して、内部故障か、健
全かの判定をすることができる。

例えば、第２の演算ステップＳｓ　、　８１ｓ　＋　Ｓ
＋＊　＋８２０　＋　８２１　　の部分を、第１の演算
の轍路ステップであるステップ８１２．８１３の後で実
行する。この場合、ステップ８２１において仮の係数を
、第３のメモリにおける他のアドレスに記憶するように
しておくことで、必要であればこれを係数設定器などを
介して外部に取り出し、予め設定しておいた係数の精度
確認をすることができる。

又、係数設定のだめの励磁突入試験時の内部故障発生に
対処するため、予めアドミッタンス定数３’＋ｔ　ｌ　
）’２２　＋　ｙ３３　として真値と異なる値、例えば
Ｏを設定しておくことで常に内部故障判定させ、第２の
演算が終了した所定の時間の後にしゃ断器トリップ許容
信号を出力させることができる。

ステップ５ｔｆｌにおいて、す／プリングステップ毎ニ
ａ３納至（１４）式で求めた仮ノ係数Ｙ’ｕ　、　Ｙ’
ｚｚ　ｒｙ′３３は、理想的には不変である。しかし、
演算誤差等によって、実際にはサンプリングステップ毎
に値が若干異なると考えられる。そこで、サンプリング
ステップ毎に求めた複数の仮の係数から、ステップ８２
１において第３のメモリに設定する係数を選択する方法
の幾つかを次に示す。

第１の方法は、特定のサンプリングステップでの値を選
択することである。演算誤差が小さく、できるだけ真値
に近い値を選択するために、例えば、第２の演算を行っ
ている所定の時間の間において、差動電流Σｉが最大の
とき、又はａ乃結盟Ｉ式右辺の分母の値が最大のときに
求めた仮の係数を選択することができる。

第２の方法は、複数のサンプリングステップでの値の平
均値を用いることである。この場合、差動電流Σｉが所
定の検出レベルｅを越えた最初のステップ、又は最後の
ステップは、変圧器鉄心磁気飽和の程度が低いと考えら
れるので、どちらか一方、又は両方を除外し、残りのサ
ンプリンゲスど１　　　　テップでの値の平均値を用い
ることができる。

以上は、保護対象変圧器の１相分についての係数設定法
である。三相変圧器の各相について個々に上記方法で係
数を設定することができる。しかし、励磁突入電流は三
相の全てに発生するとは限らず、係数が確定しない相が
生ずることを防ぐだめの方法について次に示す。

第１の方法は、特定の１相の係数を三相共通の係数とし
て選択することである。例えば、第２の演算を行ってい
る所定の時間の間において、差動電流Σｉの値が最大と
なった相の係数を選択する。

第２の方法は、少くとも２相の係数の平均値を三相共通
の係数として選択することである。

第３の方法は、係数が確定しない相が生じた場合、係数
が確定した他の１相の係数値、又は他の２相の係数の平
均値を、当該相の係数値として選択することである。

又、差動電流Σｉが検出レベルεを越えず、係数設定信
号が消去されない相が生ずるのを防ぐために、３相のう
ちの任意の１相の差動電流Σｉが最初に検出レベルεを
越えたとき、第２の演算を行う所定の時間の経過が３相
同時に開始するよう、カウンタＣを設定するととができ
る。

更に、第２の演算によって係数を求める励磁突入試験時
において、 （ａ）　　複数のサンプリングステップにおいて、第２
の演算によって求めた係数が演算誤差を越えて不一致の
とき１ 、（ｂ）各相毎の第２の演算によって求めた係数におい
て、少くとも２相の係数が演算誤差を越えて不一致のと
き、 内部故障と判定し、しゃ断器トリップ許容信号、又は警
告信号を出力することができる。

以上の本発明の説明ではアドミッタンス行列（ｙ）にお
ける対角要素Ｙｔｔ　ｓ　’Ｉｚｚ　＊　Ｙｓａをまず
求め、次に（８）式により’／１ｏ　＋　’Ｊ２ｏ　、
　’ｊｓｏを求める方法を示した。これは逆の手順でも
良い。即ち、（８）式をａノ結盟（Ｉ４）式に代入する
ことで、逆の手順が得られることが明らかである。

又、本発明は３巻線変圧器に限らず、任意の多巻線変圧
器に適用され得る。例えば、Ｎ巻線変圧器の場合、アド
ミッタンス行列［ｙ）の対角要素はＮ個、非対角要素は
Ｎ　（Ｎ−１）個である。

［ｙ］は対称行列であるから、Ｎ　（Ｎ−１）／２個の
独立な非対角要素は、同数の独立な漏れインダクタンス
よシ、予め正確な値を設定しておくことができる。従っ
て、Ｎ個の対角要素は（１３納至（１（式に対応するＮ
個の演算式により求めることができる。

〔発明の効果〕

以上、本発明によれば、ディジタル方式の変圧器保護方
式において、判定式の係数となる保護対象変圧器固有の
物理定数を簡単に、精度良く設定でき、且つ高感度故障
検出できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いる計算機の基本構成図、第２図は
本発明の演算フロー図、第３図は３巻線変圧器の路線図
、第４図及び第５図はその等価回路、第６図は本発明に
よる変圧器保護方式の動作タイムチャートである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プログラムを記憶する第１のメモリと、データを記
   憶する第２のメモリと、データを記憶する書き変え可能
   な不揮発性の第３のメモリと、外部より係数を設定する
   係数設定器と、所定の順序に従って第１のメモリよりプ
   ログラムを取出してこれを解析し、第２及び第３のメモ
   リのデータ等を得て演算を行う演算部と、演算結果を出
   力するディジタルアウトプットより成る計算機を用い、
   保護対象変圧器に関する例えば電圧、電流のような所定
   の検出物理量を所定のサンプリング間隔で第２のメモリ
   に取込み、該検出物理量を変数とし、且つ予め第３のメ
   モリに設定しておく、例えばインダクタンス、アドミッ
   タンスのような保護対象変圧器固有の物理定数を係数と
   し、且つ保護対象変圧器が正常のとき成立する所定の判
   定式に基づく第１の演算を行い、判定式が不成立のとき
   ディジタルアウトプットより警告信号又はしゃ断器トリ
   ップ許容信号を出力するものにおいて、係数設定器より
   外部から設定される係数設定信号の有無を検知し、係数
   設定信号が有るとき、所定の時間の間、上記検出物理量
   を用いて上記判定式が成立する係数値を求める第２の演
   算を行い、該計数値を上記第１の演算における判定式の
   係数として、第３のメモリに格納するように構成したこ
   とを特徴とする変圧器保護方式。 ２、上記第１の演算における判定式は、検出物理量とし
   て保護対象変圧器の各巻線の端子電圧及び端子電流又は
   端子電流より得られる差動電流を変数とし、且つ保護対
   象変圧器固有の物理定数として該変圧器鉄心磁気飽和時
   の巻線インダクタンス又はアドミッタンスを係数とし、
   且つ該変圧器鉄心磁気飽和時に成立するものであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の変圧器保護方
   式。 ３、上記係数設定器より外部から設定される係数設定信
   号有りを検知し、且つ保護対象変圧器の３相各相毎の端
   子電流の差動電流が所定値以上であることを検知したと
   き、当該相の上記第２の演算を行う所定の時間の経過が
   開始する、又は３相同時に第２の演算を行う所定の時間
   の経過が開始するように構成したことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の変圧器保護方式。 ４、上記第２の演算によって求めた複数回のサンプリン
   グステップにおける係数値において、特定回のサンプリ
   ングステップ時の係数値を、又は複数回のサンプリング
   ステップ時の係数値の平均を、上記第１の演算における
   判定式の係数として第３のメモリに格納するように構成
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の変圧
   器保護方式。 ５、保護対象変圧器の３相各相の上記第２の演算によっ
   て求めた係数値において、自相の第２の演算によって求
   めた係数値を、又は他相の第２の演算によって求めた係
   数値を、又は自相の第２の演算と他相の第２の演算によ
   って求めた係数値の平均を、自相の上記第１の演算にお
   ける判定式の係数として、第３のメモリに格納するよう
   に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の変圧器保護方式。 ６、上記第２の演算によって求めた係数値において、同
   一相の複数のサンプリングステップ時の係数値が、又は
   少くとも２相の係数値が、演算誤差を越えて不一致のと
   き、ディジタルアウトプットから警告信号又は、しゃ断
   器トリップ許容信号を出力するように構成したことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の変圧器保護方式。