JPS6167250A - Lead frame - Google Patents

Lead frame

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Publication number
JPS6167250A
JPS6167250A JP18844684A JP18844684A JPS6167250A JP S6167250 A JPS6167250 A JP S6167250A JP 18844684 A JP18844684 A JP 18844684A JP 18844684 A JP18844684 A JP 18844684A JP S6167250 A JPS6167250 A JP S6167250A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
frame
intermediate frame
lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP18844684A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsuyoshi Aoki
強 青木
Michio Ono
小野 道夫
Osamu Inoue
修 井上
Kazuto Tsuji
和人 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP18844684A priority Critical patent/JPS6167250A/en
Publication of JPS6167250A publication Critical patent/JPS6167250A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate the need for deburring at a portion between unit patterns on a lead frame and elaborate the edge portion of a resin seal, by providing an intermediate frame at said portion so as to be parallel to the outer frames. CONSTITUTION:An intermediate frame 11 is disposed between two tie bars 3 and also between two resin seal parts M in such a manner that the frame 11 extends parallel to two outer frames 2. In addition, the lateral edges of the intermediate frame 11 are in close proximity with the resin seal parts M, respectively. Thus, any molten resin which flows during a molding step is blocked by the intermediate frame 11, so that substantially no resin burr is formed. When support bars 5 are cut by means of pinch-cutting, the intermediate frame 11 is cut off, and any resin burr is simultaneously removed. Accordingly, it is made possible to reduce the number of burrs at the edge of each resin seal part M markedly.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はプラスチックモールド封止型の半導体装置に用
いられるリードフレームに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a lead frame used in a plastic mold-sealed semiconductor device.

エポキシ樹脂などの熱硬化性プラスチック樹脂によって
封止される型(レジンモールド型)の半導体装置は、他
のセラミックやキャン封止型の半導体装置に比べ、生産
能率が良くて安価に製造できるために、現在ICをはじ
めとして殆どの汎用性半導体装置の主体構造となってい
る。
Semiconductor devices that are sealed with thermosetting plastic resin such as epoxy resin (resin mold type) have higher production efficiency and can be manufactured at lower cost than other ceramic or can-sealed semiconductor devices. Currently, it is the main structure of most general-purpose semiconductor devices including ICs.

このようなレジンモールド型半導体装置には、複数個の
半導体装置が組み立てられるリードフレームが用いられ
、そのリードフレームに半導体チップが取付けられ、ワ
イヤーポンディングがなされて、最後に多数のリードフ
レームが同時にプラスチック樹脂で封止される。
Such resin-molded semiconductor devices use a lead frame on which multiple semiconductor devices are assembled, a semiconductor chip is attached to the lead frame, wire bonding is performed, and finally a large number of lead frames are assembled simultaneously. Sealed with plastic resin.

次いで、リードフレームに付設している不要のフレーム
枠を切断除去し、リード曲げを行なって、半導体装置に
仕上げられるが、この時、出来上がった樹脂封止部の外
部には余分の付着がなく、肌美しく仕上がることが要望
される。
Next, the unnecessary frame attached to the lead frame is cut and removed, and the leads are bent to complete the semiconductor device. At this time, there is no excess adhesion on the outside of the finished resin sealing part. Beautiful skin is desired.

[従来の技術] 通常、リードフレームは8〜10個の半導体装置が一列
に横方向に並列して組み立てられる長尺もので、材料は
鉄合金あるいは銅合金からなる厚さが0.25mm程度
(0,1〜1龍の間にある)の金属板を用いて作成され
、パターンニングはプレス型による打抜きか、あるいは
エツチングで行なわれる。
[Prior Art] Usually, a lead frame is a long piece in which 8 to 10 semiconductor devices are assembled in a row in parallel in the horizontal direction, and is made of iron alloy or copper alloy and has a thickness of about 0.25 mm ( The patterning is performed by punching with a press die or by etching.

このようなリードフレームに、上記したチップを取付け
、ワイヤーボンディングがなされた後、多数のリードフ
レームが一度に樹脂封止されるが、この樹脂封止工程(
モールド工程)は加熱溶融した樹脂材を金型に鋳込むも
ので、上下の金型にリードフレームを挟んで樹脂を注入
するハツチ処理である。
After the above-mentioned chip is attached to such a lead frame and wire bonding is performed, many lead frames are resin-sealed at once, but this resin sealing process (
The molding process involves casting heated and molten resin into a mold, and is a hatching process in which the lead frame is sandwiched between the upper and lower molds and the resin is injected.

一般に、ボンディングなどの組立工程は自動化された流
れ作業工程となっているのに対して、モールド工程はバ
ッチ処理となるから、出来るだけ大きな金型を使用して
一度に多数のリードフレームを同時に封止する方法が作
業能率が良い。従って、作業能率を上げるため、一般に
、大きな金型を使用して封止作業が行なわれる。
In general, assembly processes such as bonding are automated assembly processes, while molding processes are batch processes, so a large number of lead frames are sealed at once using the largest possible mold. The method of stopping is more efficient. Therefore, in order to increase work efficiency, a large mold is generally used to perform the sealing work.

しかし、ICには種々の外形があって、小型のICでは
、組み立てた小さなリードフレームを、非常に多量に金
型に挿入することになり、その面から大変工数が掛かつ
てコストアンプとなる。従って、最近では従来の1列に
単位パターン(1半導体装置を形成するパターン)を横
方向に並列したリードフレームの他に、縦方向に複数の
単位パターンを並べ、更にこれを従来と同じく横方向に
並べたリードフレームが使用されるようになってきた。
However, ICs have various external shapes, and in the case of small ICs, a large number of assembled small lead frames must be inserted into a mold, which requires a large number of man-hours and increases costs. Therefore, in addition to the conventional lead frame in which unit patterns (patterns forming one semiconductor device) are arranged horizontally in one row, multiple unit patterns are arranged in the vertical direction, and these are further arranged in the horizontal direction as in the past. Lead frames arranged side by side have come to be used.

第2図(a)は1列に横方向に並列したリードフレーム
の単位パターンの平面図を示しており、本例は14本の
リードピンをもった、所謂デュアルインライン・パッケ
ージ(D I T)タイプのリードフレームである。
FIG. 2(a) shows a plan view of a unit pattern of lead frames arranged horizontally in one row, and this example is a so-called dual-in-line package (DIT) type with 14 lead pins. This is a lead frame.

また、第2図(′b)は縦方向に2つの単位パターンを
並べ、これを横方向に並列にしたリードフレームの縦方
向の2単位パターンの平面図であり、本例は8本のリー
ドビンをもったパンケージのリードフレームである。
Furthermore, FIG. 2('b) is a plan view of a vertical two unit pattern of a lead frame in which two unit patterns are arranged in the vertical direction and these are paralleled in the horizontal direction, and this example has eight lead bins. This is a lead frame for a pan cage.

何れも、このような単位パターンが8〜10個並列に接
続されて、1つのリードフレームが形成されている。図
において、点線で囲んだ部分Mが樹脂封止部を示し、第
2図世)に示す2つの単位パターンには2つの樹脂封止
部Mがあり、2パターンが縦列となって、その縦列の2
パターンが8〜10個並列して、合計で16〜20個の
半導体装置が作成されるリードフレームである。これに
対して、第2図ia+のリードフレームは1単位パター
ンが8〜10個並列に並んだ8〜10個の半導体装置が
作成されるリードフレームである。
In each case, 8 to 10 such unit patterns are connected in parallel to form one lead frame. In the figure, the part M surrounded by the dotted line indicates the resin sealing part, and the two unit patterns shown in Figure 2) have two resin sealing parts M, and the two patterns are arranged in a vertical line. 2
This is a lead frame in which 8 to 10 patterns are arranged in parallel to form a total of 16 to 20 semiconductor devices. On the other hand, the lead frame shown in FIG. 2 ia+ is a lead frame in which 8 to 10 semiconductor devices in which 8 to 10 unit patterns are arranged in parallel are fabricated.

これらの図において、1はリード、2はフレーム、3は
連結条(ダムバー)、4はステージ(半導体チップの取
付は部分)、5はサポートバー(ステージサポートバー
)を示している。
In these figures, 1 is a lead, 2 is a frame, 3 is a connecting strip (dam bar), 4 is a stage (a part for mounting a semiconductor chip), and 5 is a support bar (stage support bar).

[発明が解決しようとする問題点] 上記のモールド工程において、樹脂封止部Mはモールド
樹脂材で固着されるが、その場合に、加熱された熔融樹
脂が樹脂封止部Mに流れ込んで、封止用の上下金型の隙
間に樹脂が流出し、その隙間にはリードフレームが挟ま
れているから、リードフレームの厚さだけモールド封止
部Mの周囲に、樹脂のハリができる。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above molding process, the resin sealing part M is fixed with a molding resin material, but in that case, heated molten resin flows into the resin sealing part M, Since the resin flows out into the gap between the upper and lower molds for sealing and the lead frame is sandwiched in the gap, a firmness of the resin is created around the mold sealing part M by the thickness of the lead frame.

このパリは樹脂封止部Mの四周に現れて、フレーム2と
連結条3とに曲まれた枠状部分(第2図fat参照;斜
線で示す)に形成される。構造上、このパリFは避けら
れないものとなっている。
This gap appears on the four peripheries of the resin sealing part M and is formed in a frame-shaped part (see fat in FIG. 2; indicated by diagonal lines) bent by the frame 2 and the connecting strip 3. Structurally, this Paris F is unavoidable.

従って、従来より、リードフレームのフレーム2や連結
条3を切断する前処理として、連結条3と樹脂封止部M
との間のパリ抜きを行なっており、ポンチでパリを打抜
く処理がなされている。ここで、フレーム2と樹脂封止
部Mとの間隙は比較的幅が狭(、この部分のパリ抜きは
行なわれていない。
Therefore, conventionally, as a pre-treatment for cutting the frame 2 and the connecting strip 3 of the lead frame, the connecting strip 3 and the resin-sealed portion M
The edges are punched out with a punch. Here, the gap between the frame 2 and the resin sealing portion M is relatively narrow (although this portion is not deburred).

以上に説明したパリを打抜(処理は、第2図(a)に示
す縦方向に1列の単位パターンのリードフレームと、第
2図(b)に示す縦方向に2列の単位パターンのリード
フレームと同様であるが、第2図(blに示すリードフ
レームの場合には、2つの樹脂封止部Mの間にも樹脂パ
リが出来て、この間隙Sの打抜き処理が必要である。
The above-described blanks are punched (the process is carried out by punching a lead frame with one vertical row of unit patterns shown in FIG. 2(a), and a lead frame with two vertical rows of unit patterns shown in FIG. 2(b)). Although it is similar to the lead frame, in the case of the lead frame shown in FIG.

しかし、この間隙Sは他のパリ部分よりも幅広くて、同
様にポンチで打抜き処理を行なっても、パリを樹脂封止
部Mの側端から完全に除去することが難しく、第3図(
a)、 (b)に示す半導体装置の平面図と斜視図のよ
うに、樹脂封止部Mの一側面に、破断面がギザギザにな
った大きなパリが残こる。
However, this gap S is wider than other parts of the burr, and even if punching is performed in the same manner, it is difficult to completely remove the burr from the side edges of the resin sealing part M, as shown in FIG.
As shown in the plan view and perspective view of the semiconductor device shown in a) and (b), a large hole with a jagged fracture surface remains on one side of the resin sealing portion M.

本発明は、この樹脂封止部Mの一側面に付着するパリを
少なくするリードフレームの構造を提案するものである
The present invention proposes a lead frame structure that reduces the amount of particles that adhere to one side of the resin-sealed portion M.

[問題点を解決するための手段] その目的は、平行に設けられた2つの外側フレームの間
に複数のリードフレーム単位パターンが縦に接続されて
いるリードフレームにおいて、前記リードフレーム単位
パターン間に前記外側フレームと平行な中枠が設けられ
ているリードフレームによって達成される。
[Means for Solving the Problem] The purpose is to provide a lead frame in which a plurality of lead frame unit patterns are vertically connected between two outer frames provided in parallel. This is achieved by a lead frame provided with an inner frame parallel to the outer frame.

ここで、リードフレーム単位パターンとは1つの半導体
装置を形成するための1パターンのことである。
Here, the lead frame unit pattern is one pattern for forming one semiconductor device.

[作用] 即ち、ポンチPによって、上記のパリを打ち抜く前処理
を行なった際、完全に樹脂のハリが取り除かれないため
、リードフレームのこの間隙部分Sに中枠を設けておき
、同部分でのパリ抜きを不要とし、樹脂端部の仕上がり
を精巧なものとした後、ピンチカットによってこの中枠
を除く処理を行なうものである。
[Function] That is, when the above-mentioned pre-treatment for punching out the holes is performed using the punch P, the firmness of the resin is not completely removed, so an intermediate frame is provided in this gap S of the lead frame, and This process eliminates the need for deburring and provides a fine finish to the edges of the resin, followed by pinch cutting to remove the inner frame.

[実施例] 以下2図面を参照して実施例によって詳細に説・明する
[Example] Hereinafter, an example will be described in detail with reference to two drawings.

第1図は本発明にかかるリードフレームの2列単位パタ
ーンの平面図を示しており、第2図(b)と同一部材に
は同一記号が付しである。
FIG. 1 shows a plan view of a two-row unit pattern of a lead frame according to the present invention, and the same members as in FIG. 2(b) are given the same symbols.

図中、11は本発明にかかる中枠で、2つの連結条3の
間にあり、且つ2つの樹脂封止部Mの間にあって、両側
のフレーム2に平行して設けられている。更に、中枠1
1の側端は樹脂封止部Mに接近して設けられており、こ
のようにすれば、モールド工程において熔融樹脂が流れ
た際、この中枠11で樹脂が阻止され、樹脂によるパリ
が殆どなくなる。
In the figure, reference numeral 11 denotes an intermediate frame according to the present invention, which is located between the two connecting strips 3 and between the two resin sealing parts M, and is provided parallel to the frames 2 on both sides. Furthermore, middle frame 1
The side end of 1 is provided close to the resin sealing part M, and in this way, when the molten resin flows during the molding process, the resin is blocked by the inner frame 11, and most of the resin particles are removed. It disappears.

かくして、ピンチ力・ノドによって、サポートバー5を
切断すれば、中枠11は切り離され、同時に僅かの樹脂
のパリも除去されて、樹脂封止部Mのこの側面でのパリ
は非常に少なくなる。即ち、本発明にかかるリードフレ
ームを使用すれば、破断面のギザギザが解消され、フレ
ーム2と樹脂封止部Mとの間の側面と同程度、またはそ
れ以上にパリが少なくなる。そのため、外形不良が無く
精度が良くなり、半導体装置の歩留や品質も向上する。
Thus, when the support bar 5 is cut with a pinch force or a throat, the middle frame 11 is separated, and at the same time, a small amount of resin debris is removed, and the debris on this side of the resin sealing part M is extremely reduced. . That is, by using the lead frame according to the present invention, the jaggedness of the fractured surface is eliminated, and the number of cracks is reduced to the same level as or more than that of the side surface between the frame 2 and the resin sealing part M. Therefore, there is no external defect, the precision is improved, and the yield and quality of semiconductor devices are also improved.

尚、この場合、樹脂封止後の整形工程は、樹脂パリ抜き
、連結条切断、リード曲げ、サポートバー切断(ピンチ
カット)がある。また、サポートバーの切断を連結条の
切断と同時に行なえば、更に作業性が良くなる。
In this case, the shaping process after resin sealing includes resin deburring, connecting strip cutting, lead bending, and support bar cutting (pinch cutting). Further, if the support bar is cut at the same time as the connecting strip, the work efficiency will be further improved.

[発明の効果] 従って、本発明によれば、樹脂封止型ICにおいて、封
止表面が美麗に仕上げられて、半導体装置の品位が極め
て良くなる効果がある。
[Effects of the Invention] Therefore, according to the present invention, in a resin-sealed IC, the sealing surface can be beautifully finished, and the quality of the semiconductor device can be extremely improved.

尚、上記は、縦方向に2つの単位パターンを有するリー
ドフレームを実施例として説明したが、その他のリード
フレーム、例えば縦方向に3つの単位パターンを有する
リードフレーム等にも適用できることは当然である。
Although the above description has been given as an example of a lead frame having two unit patterns in the vertical direction, it is of course applicable to other lead frames, such as a lead frame having three unit patterns in the vertical direction. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明にかかるリードフレームの2列単位パタ
ーンの平面図、 第2図(a)は従来のリードフレームの1列単位パター
ンの平面図、 第2回申)は従来の他のリードフレームの2列単位パタ
ーンの平面図、 第3図(al、 (blは第2図(′b)のリードフレ
ームによって作成した半導体装置の平面図と斜視図であ
る。 図において、 1はリード、      2はフレーム、3は連結条(
ダムバー、又はタイバー)、4はステージ、     
5はサポートバー、11は本発明にかかる中枠、 Mは樹脂封止部、 F、Sは樹脂のハリが発生する間隙、 を示している。 代理人 弁理士 松 岡 宏 四 部 第 1 図 第2図 第2図 第3図
FIG. 1 is a plan view of a two-row unit pattern of a lead frame according to the present invention, FIG. 2 (a) is a plan view of a one-row unit pattern of a conventional lead frame, and FIG. A plan view of a two-column unit pattern of the frame, and FIGS. 3A and 3B are a plan view and a perspective view of a semiconductor device fabricated using the lead frame of FIG. 2 is the frame, 3 is the connecting strip (
dam bar or tie bar), 4 is the stage,
5 is a support bar, 11 is an intermediate frame according to the present invention, M is a resin sealing portion, and F and S are gaps where resin stiffness occurs. Agent Patent Attorney Hiroshi Matsuoka Part 4 Part 1 Figure 2 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 平行に設けられた2つの外側フレームの間に複数のリー
ドフレーム単位パターンが縦に接続されているリードフ
レームにおいて、前記リードフレーム単位パターン間に
前記外側フレームと平行な中枠が設けられていることを
特徴とするリードフレーム。
In a lead frame in which a plurality of lead frame unit patterns are vertically connected between two parallel outer frames, an intermediate frame parallel to the outer frame is provided between the lead frame unit patterns. A lead frame featuring
JP18844684A 1984-09-07 1984-09-07 Lead frame Pending JPS6167250A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299368A (en) * 1987-05-29 1988-12-06 Sony Corp Manufacture of semiconductor element housing package

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS558635B2 (en) * 1973-03-23 1980-03-05

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