JPS6166106A - 温度補償回路 - Google Patents
温度補償回路Info
- Publication number
- JPS6166106A JPS6166106A JP18763384A JP18763384A JPS6166106A JP S6166106 A JPS6166106 A JP S6166106A JP 18763384 A JP18763384 A JP 18763384A JP 18763384 A JP18763384 A JP 18763384A JP S6166106 A JPS6166106 A JP S6166106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- circuit
- temperature
- output
- temperature coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体変換器の温度上昇にともなう出力感度
の変化を補償する温度補償回路に関する。
の変化を補償する温度補償回路に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、半導体変換器として、半導体ピエゾ抵抗素子を用
いた圧力変換器がよく知られている。該ピエゾ抵抗素子
のゲージ率は一般に負の温度特性を示し、該ピエゾ抵抗
素子のブリッジ回路から成る変換器の圧力感度は周囲温
度の上昇に伴ない低下する。この感度低下を補償する感
度温度補償法として、従来、半導体ピエゾ抵抗素子（一
般に拡散層抵抗が利用される）の抵抗値が一般に正の温
度特性を示すことを利用して、ブリッジ回路と電圧源の
間に直列に通出な値の抵抗を挿入り、、周囲温度が上昇
した場合にブリッジ回路の励起端子間に加わる電圧が上
昇するようにして圧力感度の低下を補償する方法が採ら
れてい２・。第３図にそのような温度補償回路の構成例
を示す。
いた圧力変換器がよく知られている。該ピエゾ抵抗素子
のゲージ率は一般に負の温度特性を示し、該ピエゾ抵抗
素子のブリッジ回路から成る変換器の圧力感度は周囲温
度の上昇に伴ない低下する。この感度低下を補償する感
度温度補償法として、従来、半導体ピエゾ抵抗素子（一
般に拡散層抵抗が利用される）の抵抗値が一般に正の温
度特性を示すことを利用して、ブリッジ回路と電圧源の
間に直列に通出な値の抵抗を挿入り、、周囲温度が上昇
した場合にブリッジ回路の励起端子間に加わる電圧が上
昇するようにして圧力感度の低下を補償する方法が採ら
れてい２・。第３図にそのような温度補償回路の構成例
を示す。
図において−Ｖψ−１まピエゾ抵抗１素子１，２，３．
４から成るブリッジ回路、５は定電圧源、６はブリッジ
回路＋００と定電圧源５の間に直列に挿入された補償用
抵抗である。
４から成るブリッジ回路、５は定電圧源、６はブリッジ
回路＋００と定電圧源５の間に直列に挿入された補償用
抵抗である。
［７かしながら、第３図に示した補償回路では、補償用
抵抗６の抵抗値により温度特性だけでなく常温でブリッ
ジ回路に供給される電圧もまた変化するため、温度補償
と常温での圧力感度とをそれぞれ独立には調整できない
という欠点があった。
抵抗６の抵抗値により温度特性だけでなく常温でブリッ
ジ回路に供給される電圧もまた変化するため、温度補償
と常温での圧力感度とをそれぞれ独立には調整できない
という欠点があった。
一方、上記感度低下の集積化レベルでの補償回路の従来
例として、 （１）バイポーラトランジスタのベース嘗エミッタ間順
方向電圧■Ｂｇの負の温度係数を利用し、電源電圧から
■ＢＢに比例した電圧を差しひくことによりブリッジ励
起電圧を温度上昇に対して直線的に増大させるようにし
た温度補償回路（信学技報１８０−２ｏ）、 （２）電流密度の異なる２個のバイポーラ・トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の差Δ■Ｂ１１が絶対温度
に比例することを利用して、ブリッジ励起電圧に正の温
度係数を与えるようにした温度補償回路（信学技報１８
３−１３１）が報告されている。
例として、 （１）バイポーラトランジスタのベース嘗エミッタ間順
方向電圧■Ｂｇの負の温度係数を利用し、電源電圧から
■ＢＢに比例した電圧を差しひくことによりブリッジ励
起電圧を温度上昇に対して直線的に増大させるようにし
た温度補償回路（信学技報１８０−２ｏ）、 （２）電流密度の異なる２個のバイポーラ・トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の差Δ■Ｂ１１が絶対温度
に比例することを利用して、ブリッジ励起電圧に正の温
度係数を与えるようにした温度補償回路（信学技報１８
３−１３１）が報告されている。
上記２例はいずれもバイポーラ技術を用いて構成されて
いる。しかしながら集積化変換器の目標は、多機能化、
インテリジェント化にあり、これらの目標を実現する集
積回路技術としては、バイポーラ技術よりもＭＯ８技術
の方が優れている。
いる。しかしながら集積化変換器の目標は、多機能化、
インテリジェント化にあり、これらの目標を実現する集
積回路技術としては、バイポーラ技術よりもＭＯ８技術
の方が優れている。
すなわち、将来の集積化変換器には、半導体検知素子と
同一基板上に、単に温度補償機能のみでなく、増幅機能
、マルチプレックス機能、チップ内での演算処理機能、
コンビーータとのディジタルインターフェースを可能に
するＡ／Ｄ変換及びディジタル信号処理機能等を搭載す
ることが要求される。これらの要求には、スイッチトキ
ャパシタ回路、アナログ・スイッチ、Ａ、／Ｄ刺敷マイ
クプロセッサ等を含むアナログ・ディジタル混載回路の
分野で実績があり、バイポーラ技術に比べ、低消費電力
と大規模集積化が可能なＭＩＳ 集積回路技術が適して
いる。
同一基板上に、単に温度補償機能のみでなく、増幅機能
、マルチプレックス機能、チップ内での演算処理機能、
コンビーータとのディジタルインターフェースを可能に
するＡ／Ｄ変換及びディジタル信号処理機能等を搭載す
ることが要求される。これらの要求には、スイッチトキ
ャパシタ回路、アナログ・スイッチ、Ａ、／Ｄ刺敷マイ
クプロセッサ等を含むアナログ・ディジタル混載回路の
分野で実績があり、バイポーラ技術に比べ、低消費電力
と大規模集積化が可能なＭＩＳ 集積回路技術が適して
いる。
しかしながら、これまでに報告された集積化レベルでの
感度７晶度袖筐小討いずれもバイポーラ集積化を前提と
しており、基本的にＭＩＳ集積化プロセスとけ共存し々
い。
感度７晶度袖筐小討いずれもバイポーラ集積化を前提と
しており、基本的にＭＩＳ集積化プロセスとけ共存し々
い。
また％ＭＩＳ ｍ造プロセスで実現可能な第３図に示し
た補償回路には前述のように感度温度補償と感度調整を
独立に達成できないという根本的な欠点があった。
た補償回路には前述のように感度温度補償と感度調整を
独立に達成できないという根本的な欠点があった。
以上のように、従来の温度補償回路には、感度温度補償
と感度調整を独立に達成でき、かつＭＩＳ集積化に適１
〜たものがなかった。
と感度調整を独立に達成でき、かつＭＩＳ集積化に適１
〜たものがなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除去し、ＭＩ
Ｓ集積化に適した温度補償回路を提供することにある。
Ｓ集積化に適した温度補償回路を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、基準電圧発生回路と、反転側入力端子
が抵抗を介して該基準電圧発生回路出力に接続されると
ともに前記抵抗よりも大きな正の抵抗温度係数を有する
感温拡散抵抗を介して出力端子に接続され、かつ非反転
側入力端子がコモン端子に接続された反転形演算坩幅回
路と、検知対象の変化に応答して抵抗値変化を示す検知
素子を含み、前記反転和演算増幅回路出力により励起さ
れる検出回路とを備えたことを特徴とする淵度補償回路
がイηられる。
が抵抗を介して該基準電圧発生回路出力に接続されると
ともに前記抵抗よりも大きな正の抵抗温度係数を有する
感温拡散抵抗を介して出力端子に接続され、かつ非反転
側入力端子がコモン端子に接続された反転形演算坩幅回
路と、検知対象の変化に応答して抵抗値変化を示す検知
素子を含み、前記反転和演算増幅回路出力により励起さ
れる検出回路とを備えたことを特徴とする淵度補償回路
がイηられる。
（実施例）
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す図である。
図において、１ｊＱｕは第３図に示したと同じくピエゾ
抵抗素子１．２．３．４ から成るブリッジ回路、１
０け基準電圧発生回路、２０け非反転側入力端子が接地
された演算増幅器、２１け該演Ｗ増幅器２０の反転側入
力端子と基準電圧発生回路１０の間に接続された抵抗、
２２ｔｉ演算増幅器２０の反転側入力端子と出力端子の
間に接続された抵抗２１よりも大きな正の温度係数を有
する感温拡散抵抗であり、演算増幅器２０の出力電圧で
ブリッジ回路１００が励起される構成になっている 本実施例における抵抗２Ｉとｇ温拡散抵抗２２は、演算
増幅器２０の出力電圧の一部を反転側入力端子に戻すい
わゆる負帰還ループを形成しており、演算増幅器２０も
含めた回路としては、基準電圧発生回路１０の出力電圧
に対する反転形回路を構成している。そして、本実施例
の特徴とするところは、帰還ループが、抵抗２１と抵抗
２１よりも大き々正の温度係数を有する感温拡散抵抗２
２で構成されている点にある。この場合の抵抗２１とし
ては、実用上温度に不感な抵抗と見々し得る程度に温度
係数の小さな、例えば金属皮膜抵抗等を用いることがで
きる。また、感温拡散抵抗２２としては、例えばピエゾ
抵抗素子と同一基板上の圧力不感部に形成された不純物
拡散領域からなる拡散抵抗を用いることができる。
抵抗素子１．２．３．４ から成るブリッジ回路、１
０け基準電圧発生回路、２０け非反転側入力端子が接地
された演算増幅器、２１け該演Ｗ増幅器２０の反転側入
力端子と基準電圧発生回路１０の間に接続された抵抗、
２２ｔｉ演算増幅器２０の反転側入力端子と出力端子の
間に接続された抵抗２１よりも大きな正の温度係数を有
する感温拡散抵抗であり、演算増幅器２０の出力電圧で
ブリッジ回路１００が励起される構成になっている 本実施例における抵抗２Ｉとｇ温拡散抵抗２２は、演算
増幅器２０の出力電圧の一部を反転側入力端子に戻すい
わゆる負帰還ループを形成しており、演算増幅器２０も
含めた回路としては、基準電圧発生回路１０の出力電圧
に対する反転形回路を構成している。そして、本実施例
の特徴とするところは、帰還ループが、抵抗２１と抵抗
２１よりも大き々正の温度係数を有する感温拡散抵抗２
２で構成されている点にある。この場合の抵抗２１とし
ては、実用上温度に不感な抵抗と見々し得る程度に温度
係数の小さな、例えば金属皮膜抵抗等を用いることがで
きる。また、感温拡散抵抗２２としては、例えばピエゾ
抵抗素子と同一基板上の圧力不感部に形成された不純物
拡散領域からなる拡散抵抗を用いることができる。
したがって、いま抵抗２１及び感温拡散抵抗２２の抵抗
値をＲ，、Ｒ，とし５．基準電圧発生回路１０の出力電
圧をｖｒｅｆ とすると、 演算増幅器２０の出力電
圧すなわちブリッジ回路上に供給される励起電圧ｖｅｘ
ｏは次式で与えられることになる。
値をＲ，、Ｒ，とし５．基準電圧発生回路１０の出力電
圧をｖｒｅｆ とすると、 演算増幅器２０の出力電
圧すなわちブリッジ回路上に供給される励起電圧ｖｅｘ
ｏは次式で与えられることになる。
ことに、Ｒ，（０）及びαは、感温拡散抵抗２２の基準
温度における抵抗ｆ１ｎ及び抵抗温度係数、ｔけ基準温
度からの温度遷移である。上式から明らかなように、本
実施例によれば、ブリッジ回路Ｌｖｐ励起雷圧Ｖ。ＸＣ
に感温拡散抵抗２２の温度係数αに基づく正の温度係数
を伺与することができるので、ピエゾ抵抗係数の負の温
度係数に基づく圧力感度の負の温度係数を効果的に補償
することが可能である。
温度における抵抗ｆ１ｎ及び抵抗温度係数、ｔけ基準温
度からの温度遷移である。上式から明らかなように、本
実施例によれば、ブリッジ回路Ｌｖｐ励起雷圧Ｖ。ＸＣ
に感温拡散抵抗２２の温度係数αに基づく正の温度係数
を伺与することができるので、ピエゾ抵抗係数の負の温
度係数に基づく圧力感度の負の温度係数を効果的に補償
することが可能である。
さらに本実施例では、基準電圧発生回路１０の出力電圧
Ｖｒｅｆあるい＆：ｊ″（８）抗２１の抵抗値Ｒ１を調
整することにより、温度補償とけ独立に常温での圧力感
度を調整することがでへるので、第３図に示した従来の
袖陵回路の欠点が完全に解消される。
Ｖｒｅｆあるい＆：ｊ″（８）抗２１の抵抗値Ｒ１を調
整することにより、温度補償とけ独立に常温での圧力感
度を調整することがでへるので、第３図に示した従来の
袖陵回路の欠点が完全に解消される。
また、本実施例（（１吏用さｈた基準電圧発生回路１０
ハ、エンハンスメント形ＭＯ８ＰＢＴとデプリーション
Ｊ［ＭＯ８ＦＥ’ｌ”のスレッショルド電圧を検出する
回路方式（アイ・イーＯイーーイー・ジャーナルオプ拳
ソリッド・ステート・サーキッツ（ＩＥＥＢＪ 、５ｏ
ｌｉｄ−８ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ ）１３巻、１
９７８年。
ハ、エンハンスメント形ＭＯ８ＰＢＴとデプリーション
Ｊ［ＭＯ８ＦＥ’ｌ”のスレッショルド電圧を検出する
回路方式（アイ・イーＯイーーイー・ジャーナルオプ拳
ソリッド・ステート・サーキッツ（ＩＥＥＢＪ 、５ｏ
ｌｉｄ−８ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ ）１３巻、１
９７８年。
７６７−７７４ページを用いることにより現在のＭＯ８
集積回路技術で容易に実現可能であり、これとＭＯ８演
算増幅器、感温拡散抵抗、拡散形ピエゾ抵抗素子をオン
チップ一体化することによりＮ丁Ｏ８集積化さ九た温度
補償回路が実現される。
集積回路技術で容易に実現可能であり、これとＭＯ８演
算増幅器、感温拡散抵抗、拡散形ピエゾ抵抗素子をオン
チップ一体化することによりＮ丁Ｏ８集積化さ九た温度
補償回路が実現される。
したがって、本実施例によれば、上記従来技術の欠点が
ことごとく解消され、ＭＯ８集積化に適した極めて有用
な温度補償回路が得られる。
ことごとく解消され、ＭＯ８集積化に適した極めて有用
な温度補償回路が得られる。
上記実施例において、圧力感度係数を零にするためＶＣ
は、ブリッジ励起電圧の温度係数すなわち感温拡散抵抗
２２の抵抗温度係数α（正の値）を、ブリッジ回路１０
りを構成するピエゾ抵抗素子１〜４のピエゾ抵抗係数の
温度係数と等しく選べばよい。これは、一般には、ピエ
ゾ抵抗素子１〜４と感温拡散抵抗２２を構成する不純物
拡散領域の不純物濃度をそれぞれ適宜制御することによ
シ達成される。ｎ形シリコン基板に形成され７ｔｐ形不
純物領域から々る拡散抵抗の場合１表面不純物ａ度が３
Ｘ］０”及び２ｘｌＯｃｍ （Ｄ２点ニオイテ、抵抗
温度係数（正の値）とピエゾ抵抗係数温度係数（負の値
）の絶対値が等１−〈々る。したがって表面不純物濃度
を上記条件Ｃてし！べげ、感度温度補償のための感温拡
散抵抗２２をピエゾ抵抗素子１〜４と同一工程で製造す
ることが可能となり、きわめて効果的でかつ製造プロセ
スの簡単化された感度温度補償が達成できる。
は、ブリッジ励起電圧の温度係数すなわち感温拡散抵抗
２２の抵抗温度係数α（正の値）を、ブリッジ回路１０
りを構成するピエゾ抵抗素子１〜４のピエゾ抵抗係数の
温度係数と等しく選べばよい。これは、一般には、ピエ
ゾ抵抗素子１〜４と感温拡散抵抗２２を構成する不純物
拡散領域の不純物濃度をそれぞれ適宜制御することによ
シ達成される。ｎ形シリコン基板に形成され７ｔｐ形不
純物領域から々る拡散抵抗の場合１表面不純物ａ度が３
Ｘ］０”及び２ｘｌＯｃｍ （Ｄ２点ニオイテ、抵抗
温度係数（正の値）とピエゾ抵抗係数温度係数（負の値
）の絶対値が等１−〈々る。したがって表面不純物濃度
を上記条件Ｃてし！べげ、感度温度補償のための感温拡
散抵抗２２をピエゾ抵抗素子１〜４と同一工程で製造す
ることが可能となり、きわめて効果的でかつ製造プロセ
スの簡単化された感度温度補償が達成できる。
なお、ピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗係数と感温拡散抵抗
の４１（抗温度係数の絶対値が異なる場合にも同様に本
発明は適用可能である１、そのような場合の構成の一例
を第２図に示す。すなわち、第２図は本発明の第２の実
施例を示す図で、基本的には第１図とほぼ同一構成であ
るが、演算増幅器２００反転側入力端子と出力端子の間
にピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗係数温度係数（負の値）
の絶対値よりも大きな正の温度係数を有する感温拡散抵
抗３２が接続されており、該感温拡散抵抗３２と並列に
抵抗３３が接続されている。該並列−１ｊＸ抗３３は、
演算増幅器２０の反転側入力端子と出力端子の間の抵抗
値の抵抗温度係数を感温拡散抵抗３２固有の抵抗温度係
数より低下させ、実質的にピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗
温度係数と同程度にするために適当な値に調整され、感
度温度補償を達成する。この構成によれば、ピエゾ抵抗
素子のピエゾ抵抗係数温度係数（負の値）の絶対値が抵
抗温度係数（正の値）と異なる場合でも、感温拡散抵抗
３３をピエゾ抵抗素子１〜４と同一工程で製造すること
が可能に々す、ピエゾ抵抗素子の表面不純物濃度選択の
自由度が増大する。
の４１（抗温度係数の絶対値が異なる場合にも同様に本
発明は適用可能である１、そのような場合の構成の一例
を第２図に示す。すなわち、第２図は本発明の第２の実
施例を示す図で、基本的には第１図とほぼ同一構成であ
るが、演算増幅器２００反転側入力端子と出力端子の間
にピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗係数温度係数（負の値）
の絶対値よりも大きな正の温度係数を有する感温拡散抵
抗３２が接続されており、該感温拡散抵抗３２と並列に
抵抗３３が接続されている。該並列−１ｊＸ抗３３は、
演算増幅器２０の反転側入力端子と出力端子の間の抵抗
値の抵抗温度係数を感温拡散抵抗３２固有の抵抗温度係
数より低下させ、実質的にピエゾ抵抗素子のピエゾ抵抗
温度係数と同程度にするために適当な値に調整され、感
度温度補償を達成する。この構成によれば、ピエゾ抵抗
素子のピエゾ抵抗係数温度係数（負の値）の絶対値が抵
抗温度係数（正の値）と異なる場合でも、感温拡散抵抗
３３をピエゾ抵抗素子１〜４と同一工程で製造すること
が可能に々す、ピエゾ抵抗素子の表面不純物濃度選択の
自由度が増大する。
なお、−ト記２実施例では、抵抗２１を実用上温度に不
感と見なせる程度に温度係数の少さい金属皮膜抵抗とし
たが、これば比較的小さな固有の温度係数をもつ例えば
前記感温拡散抵抗より高不純物濃度の拡散抵抗としても
よい。また、抵抗２１をトリミングが可能な厚膜または
薄膜抵抗としてもよい。
感と見なせる程度に温度係数の少さい金属皮膜抵抗とし
たが、これば比較的小さな固有の温度係数をもつ例えば
前記感温拡散抵抗より高不純物濃度の拡散抵抗としても
よい。また、抵抗２１をトリミングが可能な厚膜または
薄膜抵抗としてもよい。
以上、ピエゾ抵抗素子を用いた圧力変換器の場合を例に
本発明を説明したが、本発明は圧力変換器のみならず、
検知対象の変化に応答して抵抗値変化を示す半導体検知
素子を用いる半導体変換器の温度補償回路に広く適用で
きる。
本発明を説明したが、本発明は圧力変換器のみならず、
検知対象の変化に応答して抵抗値変化を示す半導体検知
素子を用いる半導体変換器の温度補償回路に広く適用で
きる。
（発明の効果）
このような本発明によれば、バイポーラトランジスタを
使用しないので標準のＭＴＳ製造プロセスで製造でき、
かつ温度補償と出力感度を独立に調整し得る機構を備え
た優れた温度補償回路が実現される。本発明による温度
補償回路は半導体変換器のマイクロコンビーータとの組
合せによるインテリジェント化に著しく寄与し、その効
果は大きいものである。
使用しないので標準のＭＴＳ製造プロセスで製造でき、
かつ温度補償と出力感度を独立に調整し得る機構を備え
た優れた温度補償回路が実現される。本発明による温度
補償回路は半導体変換器のマイクロコンビーータとの組
合せによるインテリジェント化に著しく寄与し、その効
果は大きいものである。
第１図、第２図は本発明の実施例を示す回路図。
第３図は半導体変換器の温度補償回路の従来例を示す回
路図、 １０ｃ） ・・・ブリッジ回路、 １，２，３．４・
・・・・半導体ピエゾ抵抗素子、 ５・・・・定甫圧
源、６゛・・温度補償用抵抗、 １０ ・基準電圧発
生回路、 ２０ ・・・演算増幅器、 ２１．３３・・
・・・抵抗、２２．３２・・・・・・感温拡散抵抗。 代理人弁理士 内 原 晋 １、 −二 −・′
路図、 １０ｃ） ・・・ブリッジ回路、 １，２，３．４・
・・・・半導体ピエゾ抵抗素子、 ５・・・・定甫圧
源、６゛・・温度補償用抵抗、 １０ ・基準電圧発
生回路、 ２０ ・・・演算増幅器、 ２１．３３・・
・・・抵抗、２２．３２・・・・・・感温拡散抵抗。 代理人弁理士 内 原 晋 １、 −二 −・′
Claims (1)
- 基準電圧発生回路と、反転側入力端子が抵抗を介して該
基準電圧発生回路出力に接続されるとともに前記抵抗よ
りも大きな正の抵抗温度係数を有する感温拡散抵抗を介
して出力端子に接続され、かつ非反転側入力端子がコモ
ン端子に接続された反転形演算増幅回路と、検知対象の
変化に応答して抵抗値変化を示す検知素子を含み前記反
転形演算増幅回路出力により励起される検出回路とを備
えたことを特徴とする温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187633A JPH0721402B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187633A JPH0721402B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 温度補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166106A true JPS6166106A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0721402B2 JPH0721402B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=16209522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187633A Expired - Lifetime JPH0721402B2 (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721402B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100305A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Conversion circuit |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59187633A patent/JPH0721402B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100305A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Conversion circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0721402B2 (ja) | 1995-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4556807A (en) | Pressure transducer with temperature compensation circuit | |
| US5042307A (en) | Amplifying compensation circuit for semiconductor | |
| US4558238A (en) | Pressure transducer using integrated circuit elements | |
| EP0543056B1 (en) | Temperature dependent current generator | |
| JP4568982B2 (ja) | 物理量検出装置 | |
| US5134885A (en) | Circuit arrangement for measuring a mechanical deformation, in particular under the influence of a pressure | |
| US6101883A (en) | Semiconductor pressure sensor including a resistive element which compensates for the effects of temperature on a reference voltage and a pressure sensor | |
| US6011422A (en) | Integrated differential voltage amplifier with programmable gain and input offset voltage | |
| JPH0972805A (ja) | 半導体センサ | |
| JPS6166106A (ja) | 温度補償回路 | |
| JP2575611B2 (ja) | 集積回路化半導体変換器 | |
| JPS6166105A (ja) | 温度補償回路 | |
| JPH0972755A (ja) | 信号値の温度依存性補償回路 | |
| JP3544102B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08226862A (ja) | センサおよび該センサにおける測定範囲変動を温度補償する方法 | |
| JPS60152912A (ja) | 温度補償回路 | |
| JPH05281254A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH0682844B2 (ja) | 半導体歪変換装置 | |
| JPS61144884A (ja) | 温度補償回路 | |
| JPH0414512B2 (ja) | ||
| RU2165602C2 (ru) | Полупроводниковый датчик давления | |
| JPH0519796Y2 (ja) | ||
| JPS63210635A (ja) | 半導体センサの検出回路 | |
| JPS62267604A (ja) | 半導体変換器の温度補償回路 | |
| JPH09101211A (ja) | 半導体圧力センサのスパン電圧温度補償回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |