JPS6163487A - 光記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は有機材料を利用した光記録素子に関し、特に高
度に分子配向された有機薄膜を利用した高信頼・高密度
記録の可能な光記録素子に関するものである。

［従来の技術］ 最近、オフィス・オートメーション（ＯＡ）ノ中心的存
在として光ディスクが脚光を集めている。

その理由は光ディスク一枚で、大量の文書、文献などを
記録（又は記憶）できるからであり、したがって該光デ
ィスクを用いる情報記憶装置を導入するとオフィスにお
ける文書、文献の整理、管理に一大変革をもたらすもの
である。又、該光デイスク用記録素子としては安価性、
製作容易性、高密度記録性等の特徴を有する有機材料か
らなる素子が注目されている。

この様な有機記録材を用いる従来技術の中で、特に発色
剤と期化剤の接触による発色反応を利用する二成分系の
光記録素子（日経産業新聞　昭和５８年１０月１８日）
が報告されている。

従来の該光記録素子の１例を図面に基づいて説明すると
、第２図（ａ）に示す様に発色剤層７と期化剤層５とが
光吸収層６によって隔てられて基板１上に積層された構
成からなるものである。

発色剤（ロイコ体）及び期化剤は各々単独で存在すると
きは無色又は淡色である。

該記録素子に記録を行うときは、第２図（ｂ）に示す様
に光吸収層６の所望の位置にレーザ光８を照射すると、
光吸収層のレーザ光を照射された部分はレーザ光を吸収
して溶融し破れて小さな穴があ　く　。

その結果、第２図（ｃ）に示す様に光吸収層６によって
隔てられていた発色剤と期化剤がこの小さな穴を通じて
混ざり合い発色する。情報はこの発色点９の形で記録な
いし記憶され、読み出しは別の光源で該記録素子上を走
査し発色点による反射率、透過率等の変化を検出するこ
とにより行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記の光記録素子に於いて、記録の高密度化を図るため
には光吸収層６が極力薄く、平坦で、かつ膜厚のむらの
ないものが望ましい、しかしながら、従来の光記録素子
において、光吸収層は例えば真空蒸着法又は回転塗布法
などによって基板上に被膜されているため、厚さを２０
０〜５００Ａ以下に薄くしようとすればピンホールが多
発しやすく、このピンホールの箇所で発色剤と期化剤の
２成分が接触して発色するため、信頼性に欠ける欠点が
あった。その上、前記の従来の被膜方法で形成される各
層の膜内の分子分布配向がランダムであるため、光照射
に伴って膜内で光散乱が生じ、微視的にみた場合、各光
照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってくる。さら
に、上述の被膜方法では光ディスクの基板を大面積化す
ると、膜厚のむらが生じ、記録品質のむらが発生する等
の欠点があった。

したがって、光記録素子としては、膜内の分子分布・配
向が一様で、ピンホールも膜厚のむらもないことが望ま
しく、またできる限り膜厚が薄いことが、記録の高密度
化、高信頼化のために要望される０本発明はかかる要望
に鑑みてなされたもので、本発明の目的は高信頼・高密
度記録が可能な光記録素子を提供することにある０本発
明の別の目的は製作容易で安価な光記録素子を提供する
ことにある０本発明のさらに別の目的は大面積の光記録
素子を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］即ち、本
発明は通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるＡ
層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
ノール性化合物からなるＢ層とを積層し、さらに光吸収
層を設けてなり、力１　つ （イ）前記Ｂ層はフェノール性化合物の単分子膜又はそ
の累積膜からなる層、 から構成されることを特徴とする光記録素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明に係わる光記録素子は２成分系の発色反応を利用
するものであり、詳しくは染料のロイコ体と該染料のロ
イコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合物との
発色反応を利用するものである。

したがって、本発明に係わる光記録素子は通常無色ない
し淡色の染料のロイコ体からなるＡ層と、前記染料のロ
イコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合物から
なるＢ層とを接して積層し、さらに光を吸収して加熱さ
れる光吸収層を外側に設けて構成されるものである。

本発明に用いられるＡ層の通常無色ないし淡色の染料の
ロイコ体としては例えばトリフェニルメタン系、フルオ
ラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラ
ン系等があり、それ等に含まれる具体的な化合物の詳細
を掲示すると第１表の通りである。

本発明においてＡｔｔｍは従来の被膜方法により形成さ
れる膜であれば如何なる膜でもよく、それ等の中で例え
ば蒸着膜、塗布膜、浸漬膜、ラミネート等の塩８１膜か
らなる層が好ましい。

次に、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるＢ層
のフェノール性化合物としては、例えばｐ−ｔ−ブチル
フェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、フェノ
ールフタレイン、ビスフェノールＡ、４−ヒドロキシジ
フェノキシド、４−ヒドロキシアセトフェノン、３．５
−キシレノール、チモール、ヒドロキノン、４−ターシ
ャリ−ブチルフェノール、４−ヒドロオキシフェノキシ
ド、メチル−４−ヒドロオキシベンゾエート、カテコー
ル、４−ヒドロオキシアセトフェノン、レゾルシン、４
−ターシャリ−オクチルカテコール、　４，４′−セカ
ンダリ−ブチリデンジフェノール、　２，２′−ジヒド
ロキシジフェニル、２，２′−メチレンビス（４−メチ
ル−〇−ターシャリーブチルフェノール）、　２．２′
−ビス（４′−オキシフェニル）プロパン、　４．４′
−イソプロピリデンビス（２−ターシャリ−ブチルフェ
ノール）、　４．４′−セカンダリ−ブチリデンジフェ
ノール、ピロガロール、フロログルシン、フロログルシ
ンカルボン酸等が挙げられる。

本発明においてＢ層は単分子膜又はその累ｉ　ＩＩりか
らなる層から形成されるために、前記のフェノール性化
合物は分子内の適当な部位に親木基、疎水基又はその両
方の基を導入した誘導体を用いる必要がある。

疎水基及び親木基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数５〜３０の長鎖アルキル基、
親木基としてはカルボキシル基及びその金属塩（例えば
カドミウム塩）が望ましい。

なお、Ａ層及びＢ層の膜厚は２００人から１０座の範囲
が望ましく、好適には１，０００人から１色の範囲であ
る。

次に、本発明における光吸収層の形成に用いられる光吸
収性物質としては赤外線を吸収する光吸収色素であれば
如何なるものでもよく、例えば赤外線を吸収して溶融す
る溶融性光吸収色素、又は赤外線を吸収して昇華する昇
華性光吸収色素も用いることができるが、特に非溶融性
色素、非昇華性色素が好適である。

該かる光吸収色素の一例をあげれば、銅フタロシアニン
、バナジウムフタロシアニン等の金属フタロシアニン、
含金属アゾ染料、酸性アゾ染料、フルオレスセイン等の
キサンチン系色素等がある。

該光吸収層は従来の被膜方法により形成される膜であれ
ば如何なる膜でもよく、それ等の中で例えば蒸着膜、塗
布膜、浸漬膜、ラミネート等の堆積膜からなる層が好ま
しい。

なお光吸収層の膜厚は９０八から１．０００への範囲が
望ましく、好適には１４０　Ａから４００Ａの範囲であ
る。

また、本発明において基板に使用される材料としては、
シリコン等の半導体材料、アルミ等の金属材料、好適に
は強化ガラス、及びアクリル（ＰＭＭＡ）　、ポリカー
ボネート（ＰＣ）　、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニー
ル（ｐｖｃ　）　、ポリスチレン等のプラスチック材料
、セラミック材料等が好ましい。

本発明に係わる光記録素子はＢ層がフェノール性化合物
の単分子膜又はその累積膜からなる層から構成されるこ
とを１つの特徴とするものである。

かかる分子の高秩序性及び高配向性を有する単分子膜又
はその累積膜を作成する方法としては、例えば１．Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロジェット
法（ＬＢ法）を用いる。ラングミュア・プロジェット法
は、例えば分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子
において、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適
度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向
けて単分子の層になることを利用して単分子膜または単
分子の累積膜を作成する方法である。水面上の単分子層
は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開している
ときは、一分子当り面積Ａと表面圧■との間に二次元理
想気体の式、 ｒＩＡ＝ｋＴ が成り立ち、°゛気体膜”となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の°“凝縮膜（また
は固体膜）”になる、凝縮膜はプラスチック基板、ガラ
ス基板などの種々の材質や形状を有する担体の表面へ一
層ずつ移すことができる。

次に本発明に使用するフェノール性化合物である親木基
、疎水基を併有する有機分子の単分子膜又はその累積膜
を形成する方法についてさらに詳述する。

まず該有機分子をベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶
剤に溶解し、シリンダ等でこれを第３図に概略した単分
子累積膜形成装置の水槽ｌＯ内の水相１１上に展開させ
る。

該有機分子は、溶剤の揮発に伴って、親木基１２を水相
に向け、疎水基１３を気相に向けた状態で水相１１上に
展開する。

次にこの析出物（有機分子）が水相１１上を自由に拡散
して広がりすぎないように仕切板（または浮子）１４を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板１
４を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制
御し、表面圧を徐々に上昇させ、累８１膜の製造に−す
る表面圧■を設定することができる。この表面圧を維持
しながら静かに清浄な基板１４を垂直に上下させること
により単分子＋１！２１Ｂが基板上に移しどられる。単
分子膜１８は以上で製造されるが、単分子層累積膜１７
は前記の操作を繰り返すことにより所望の累積数の単分
子層累積膜が形成される。

例えば表面が親木性である基板１５を水面を横切る方向
に水中から引き上げると該有機分子の親木基が基板１５
側に向いた単分子層１６が基板１５上に形成される。前
述のように基板１５を上下させると、各工程ごとに１枚
ずつ単分子層１６が積み重なっていく。成膜分子の向き
が引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、この方法に
よると各層間は′；＃機分子の親木基と親木基、有機分
子の疎水基と疎水基が向かい合ういわゆるＹ型膜が形成
される（第４図（ａ））。

Ｙ型膜は有機分子の親水基同志、疎水基同志が向い合っ
ているので強固である。

それに対し、基板１５を水中に引き下げるときにのみ、
基板面に該有機分子を移し取る方法もある。

この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、疎水基が基板１５側に向いたＸ型
膜が形成される（第４図（ｂ）　）　、反対に全ての層
において親木基が基板１５側に向いた累積膜はＸ型膜と
呼ばれる（第４図（Ｃ）　）　。

Ｘ型膜は基板１５を水中から引上げるときにのみ、基板
面に有機分子を移し取ることによって得られる。

以上の方法によって基板上に形成される単分子膜及び単
分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性・配向性を
有しており、これらのｎ口で記録層を構成することによ
って、光熱的記録の可能な高密度で高解像度の記録機溌
を有する記録素子を得ることができる。また、これら成
膜方法はその原理からも分る通り、非常に筒車な方法で
あり、上記のような優れた記録機能を有する記録素子を
低コストで提供することができる。

以上述べた、本発明における単分子膜または単分子累積
膜を形成する基板は特に限定されないが、基板表面に界
面活性物質が付着していると、単分子層を水面から移し
とる時に、単分子膜が乱れ良好な単分子膜または単分子
層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用す
る必要がある。

基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されており基板からの剥離、剥落を生じることはほ
とんどないが、付着力を強化する目的で基板と単分子膜
または単分子層累積膜の間に接着層を設けることもでき
る。さらに単分子層形成条件例えば水相の水素イオン浸
度、イオン種、水温、担体上げ下げ速度あるいは表面圧
の選択等によって付着力を強化することもできる。

次に、Ａ層又は光吸収層の堆積膜の形成方法は前記染料
のロイコ体又は光吸収性物質にバインダーと水を添加し
た水混和物を、ボールミル等を用いて粉砕混合した後、
基板等の上に従来の通常の方法で塗着して行う。

本発明に用いられる前記バインダーとしてはゼラチン、
でんぷんのごとき天然高分子物、−硝酸繊維素、カルボ
キシメチルセルローズのごとき繊維素誘導体、塩化ゴム
、環化ゴムのごとき天然ゴム可塑物などの半合成高分子
物、ポリイソブチレン、ポリスチロール、テルペン樹脂
、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタ
アクリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリアク
リルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドン、ポリアセタール樹脂、ポリ塩化
ビニル、ポリビニルピリジン、ポリビニルカルバゾール
、ポリブタジェン、ポリスチレン−ブタジェン、ブチル
ゴム、ポリオキシメチレン、ポリエチレンイミン、ポリ
エチレンイミンハイドロクロライド、ポリ（２−アクリ
ルオキシエチルジメチルスルホニウムクロライド）など
のごとき重合型合成高分子、フェノール樹脂、アミノ樹
脂、トルエン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アリル樹脂、ポリカーボネート、ポリアマイド
樹脂、ポリエーテル樹脂、珪素樹脂、フラン樹脂、チオ
コールゴムなどのごとき縮合重合型合成高分子、ポリウ
レタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂などのごとき付加重合
型樹脂が挙げられる。

以上に説明した方法で製造される本発明に係わる光記録
素子の構成の１例を示すと、第１図（ａ）に示す通り、
染料のロイコ体からなるＡ層２とフェノール性化合物か
らなる８層４とを積層し、ざらに該Ｂ暦４の上に光吸収
層３を設けてなり、８層４が単分子膜又はその累積膜、
Ａ層２及び光吸収層３は堆積膜からなる積層体で、光吸
収層３を基板ｌ上に支持し、基板／光吸収層／Ｂ層／Ａ
層の順に積層してなるものである。この場合Ａ層２と８
層４とを逆にして、基板／光吸収層／Ａ層７８層の順に
積層してもよい。

さらに、他の例を示すと、第１図（ｂ）に示す通り、Ａ
層２と３層４とを積層し、ざらに該Ａ層２の上に光吸収
層３を設けて積層体を形成し、３層４を基板ｌ上に支持
し、基板／Ｂ層／Ａ層／光吸収層の順に積層してなるも
のである。この場合、前記と同様にＡ層２と３層４とを
逆にして、基板／Ａ層／Ｂ層／光吸収層の順に積層して
もよい。

また、上記の第１図（ａ）　、　（ｂ）に示すいずれの
構成においても前記の積層体を２設置上積重ねて基板上
に支持してもよい。

本発明に係わる光記録素子は染料のロイコ体からなるＡ
層とフェノール性化合物からなるＢ層とを古着せしめて
構成されているが、従来、該Ａ層と該Ｂ層が接触すると
発色反応が行われるために最初からＡ層とＢ層を接触せ
しめた構成からなる。

光記録素子の実現は不可能であった。

しかしながら、本発明に係わる光記録素子においては、
Ｂ層が分子の高度の秩序性・配向性を有する単分子膜及
びその累積膜によって構成されているため、分子内の非
反応性部位を介して１反応性部位同志を隔てることがで
き、上記の構成をとることが可能となったのである。

即ち、フェノール性化合物の分子の反応性部位と染料の
ロイコ体の分子の反応性部位とが接触すれば発色が生ず
るが１分子の反応性部位と分子の非反応性部位（例えば
、アルキル鎖）との接触では発色反応は行われない。

従って、分子の非反応性部位によって接触面が構成され
るように、単分子膜又はその累積膜を構成すればよい、
接触面を構成する非反応性部位はフェノール性化合物の
分子のもので形成すればよい、−例をあげれば、疎水性
部位（アルキル鎖）を接触面とするように単分子膜又は
その累積膜を形成すればよい。

また、本発明に係わる光記録素子はＡ層とＢ層とを密着
させて積層し、さらに光吸収層を外側に設けて構成され
ているので、赤外線照射によって光吸収層が加熱され、
その熱伝導によってＡ層の染料のロイコ体とＢ層のフェ
ノール性化合物とが加熱接触して発色反応が進行し、所
定の位置に発色点を形成し情報を記録することができる
。

したがって本発明に係る光記録素子は主として光ディス
クとして使用することができる。該光ディスクから、情
報を書き込んだり或いは読取ったりするための光ピツク
アップの光学系を有する情報記憶装置の１例を第５図に
示す。

該情報記憶装置は、制御回路２７と光ピツクアップ光学
系からなる書き込み手段と、本発明に係わる光記録素子
と、出力回路２８と光ピツクアップ光学系からなる読取
り手段とによって構成される。

書き込みは次のようにして行う、制御回路２７は半導体
レーザ２６の発振を制御する。従って、入力情報は制御
回路２７及び半導体レーザ２６によって光信号に変換さ
れる。光信号２９は第５図に示す光ピツクアップ光学系
を通って同期回転している光デイスク１日の記録層上に
結像され、上述の発色メカニズムにより発色記録される
。

読取りは次のようにして行う、半導体レーザ２６から発
する低出力の連続発振光を読取り光として使う、低出力
であるから、読取り中に発色記録が行われることはない
からである。または他の可視光用光源を読取り用光源と
して用いてもよい。

該読取り用光線は光ディスク１８の基板表面に結像し反
射されるが、反射率は発色点とそうでない箇所とで異な
るから、この反射光を光ピツクアップ光学系を通してフ
ォトダイオード２５の受光面にあてることにより電気信
号に変換し、再生読み出しを行う。

該かる再生信号のコントラストを上げ、画質等の向上を
図るためには、光記録素子の基板上にアルミ等の金属反
射層を付設することが好ましい。

金属反射層の膜厚は１，０００　Ａ〜２，０００人が好
適である。その他必要に応じて誘電体ミラーでもよい。

更に、Ａ層、Ｂ層、光吸収層等を保護するために最外層
の表面に保護層を設けてもよい。そのような保護層用材
料としては５ｉ０２等の誘電体、プラスチック樹脂、他
の重合性ＬＢ膜等が好適である。

［実施例］ 以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。尚、下記において特に記述のない限り「部」は「重量
部」を、「％」は「重量％」を表わすものとする。

合成例１（フェノール性化合物の合成例）フ　ノールフ
　レイン；゛ 式（１） ％式％ で示されるオルトキシレン誘導体１部を、Ｖ２Ｏ。

（五酸化バナジウム）を触媒として、熱空気（４００℃
−５００℃）を導入することにより式（ｎ） （ＯＨ２）、ヮＣＨヨ　０ で示される無水フタル酸誘導体を得た。

次に、これにフェノール２部、　Ｈ２ＳＯ４適当量を加
え、１３０℃で加熱し。

式（ＩＮ） で示されるフェノールフタレイン誘導体０．１部を得た
。

実施例１ （１）光吸収層の形成方法 厚さｌｈ■、直径１８０膳曹０円板上のガラス（ディス
ク）基板を充分に清浄にした０次に、光吸収性物質であ
るバナジウムフタロシアニン７部、バインダーとしてポ
リビニルアルコール１部、水４０部を混合し、さらにボ
ールミルを用いて数時間、粉砕混合し、基板上に回転塗
布して、バインダー中に分散したバチジウムフタロシア
ニンの堆積（膜厚０．０１５　りを形成した各試料を得
た。

（２）８層の形成方法 次に、前記（１）で得た各試料のガラス基板上に形成し
た光吸収層の上に、前述の単分子累積装置ヲ用いてフェ
ノール性化合物であるフェノールフタレイン誘導体の単
分子累積膜を形成した。

該フェノールフタレイン誘導体の単分子累積膜の形成方
法は、下記のように行った。

光吸収層を形成した基板が水面と垂直になるようにして
、基板を水中に沈めた後、フェノールフタレイン誘導体
を濃度２　Ｘ　１０’　ｍｏｌ／ｉのクロロホルム溶液
にして水面上に滴下し単分子膜を水面上に展開する０表
面圧を３０ｄｙｎｅ／ａｍに設定し、速度２　ｃ＋ｓ／
ｓｉｎで基板を上下して第２表に示す各層に累積した単
分子累積１１ＩＣＹ型膜）を各試料に作成した。

（３）Ａ層の形成方法 次に、前記（２）で各試料のガラス基板上に形成した８
層の上に、染料のロイコ体であるクリスタルバイオレッ
トラクトンの堆積膜を形成した。

形成方法はクリスタルバイオレットラクトン７部、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコール１部、水１００部を
混合し、さらにボールミルを用いて数時間、粉砕混合し
、基板の８層上に回転塗布して、バインダー中に分散し
たクリスタルバイオレットラクトンの堆積膜（膜厚１Ｊ
Ｌ）を得た。

（４）性能試験 上述の方法により製作された本発明に係る光記録素子と
比較例として従来の同様の構成（全てが単分子膜又はそ
の累積膜を使用しないで構成）に係る光ディスクを第５
図に示す情報記憶装置を用いて以下の記録条件下で記録
した後、読取り再生を行うことにより両者の性能比較を
行った。

〈記録条件〉 半導体レーザ波長　８３０ｎｍ レーザ出力　　６〜９１ 記録周波数　　５　ＭＨｚ 光ディスクの回転ｆｌ　　１．ＦＪＯＯｒｐｒｎ以上の
条件下で読み出しをレーザ出力ＩＩＩＩＷで行い、信号
／雑音比を求めた結果を第２表に示す・ ：ｉＳｚ表の結果よりＮｏ、１（Ｂ層が単分子膜からな
る場合）とＮｏ、６とを比較すると、　Ｎｏ、１の方が
信号／雑音比において顕著に優れることが認められる。

　Ｎｏ、１とＮｏ、ｆｌはほぼ同じ膜厚であるが、性能
にこのような差異が生ずるのはＮｏ、１の方がピンホー
ル等の欠陥が少ないためと思われる。

同様に、ＮＯ１２〜Ｎｏ、５（Ｂ層が単分子の累積膜か
らなる場合）とＮＯ６７との比較では、Ｎｏ、２〜Ｎ０
０５の方が信号／雑音比において優れることが認められ
る。

［発明の効果］ 以上説明した様に本発明に係わる光記録素子はＢ層が単
分子膜又はその累積膜からなる層、Ａ層及び光吸収層は
堆積膜からなる層で構成されているので、以下に示すよ
うな優れた効果がある。

（１）従来の単分子膜又はその累ｍ膜を使用していない
光記録素子と比較して信号／雑音比が高く、記録の信頼
性を向上させることができる。

（２）光記録素子のピンホール等の物理的欠陥を大幅に
減少させることができる。

（３）従来の光記録素子と比べて、より高密度記録が可
能である。

（４）光記録素子の大面積化が可能である。

（５）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しないために
発色効率及び忠実性が向上する。

（６）光吸収層がＡ層とＢ層との間に介在しないために
実質記録層を薄くすることができ、より高密度記録が可
能である。

（７）発色効率が良く、発色剤等としてすぐれているが
、単分子膜又はその累積層を形成しにくい材料、又は単
分子膜又はその累積層を形成しやすい誘導体に化学変化
（合成）することが経費上困難な材料を堆積膜に用いる
ことができる利点がある。

（８）積層体の一部に堆積膜を用いているので、感度が
向上し、製作の際に材料の選択の巾が広く製造が容易で
あり、又読み取りの際コントラストと非コントラストの
差がつきやすい等の光学物性・上の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は各々本発明に係わる光
記録素子の実施態様を示す概略構成断面図、第２図（ａ
）〜ｆｆ４２図（ｃ）は従来゛の光記録素子の記録プロ
セスを示す説明図、第３図は単分子累積膜形成装置の概
略構成断面図、第４図（ａ）〜第４図（ｃ）は単分子累
積膜の作製工程図及び第５図は情報記憶装置のブロック
図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるＡ
   層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
   ノール性化合物からなるＢ層とを積層し、さらに光吸収
   層を設けてなり、かつ （イ）前記Ｂ層はフェノール性化合物の単分子膜又はそ
   の累積膜からなる層、 から構成されることを特徴とする光記録素子。