JPS6137485A - 光記録素子 - Google Patents

光記録素子

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JPS6137485A
JPS6137485A JP59159113A JP15911384A JPS6137485A JP S6137485 A JPS6137485 A JP S6137485A JP 59159113 A JP59159113 A JP 59159113A JP 15911384 A JP15911384 A JP 15911384A JP S6137485 A JPS6137485 A JP S6137485A
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JP
Japan
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layer
light
film
monomolecular
absorbing
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JP59159113A
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Inventor
Yukio Nishimura
征生 西村
Harunori Kawada
河田 春紀
Masahiro Haruta
春田 昌宏
Yutaka Hirai
裕 平井
Noritaka Mochizuki
望月 則孝
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6137485A publication Critical patent/JPS6137485A/ja
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  • Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は有機材料を利用した光記録素子に関し、特に高
度に分子配向された有機薄11りを利用した高信頼・高
密度記録の可能な光記録素子に関するものである。
[従来の技術] 最近、オフィス・オートメーション(OA)の中心的存
在として光ディスクが脚光を集めている。
その理由は光ディスク一枚で、大]°l、の文書、文献
などを記録(又は記t!りできるからであり、したがっ
て該光ディスクを用いる情報記憶装置4を導入するとオ
フィスにおける文書1文献の整理、管理に一大変革をも
たらすものである。又、該光デイスク用記録素子として
は安価性、製作容易性、高密度記録性等の特徴を有する
有機材料からなる素子が注目されている。
この様な有機記録材を用いる従来技術の中で。
特に発色剤と期化剤の接触による発色反応を利用する二
成分系の光記録素子が報告されている(日経産業新聞 
昭和58年lO月180)。
従来の該光記録素子の1例を図面に基づいて説明すると
、第2図(a)に示す様に発色剤層7と期化剤層5とが
光吸収に’7Bによって隔てられて基板1上に積層され
た構成からなるものである。
発色剤(ロイコ体)及び期化剤は各々単独で存在すると
きは無色又は淡色である。
該記録素子に記録を行うときは、第2図(b)に示す様
に光吸収層6の所望の位置にレーザ光8を照射すると、
光吸収層のレーザ光を照射された部分はレーザ光を吸収
して溶融し破れて小さな穴があく。
その結果、第2図(C)に示す様に光吸収層6によって
隔てられていた発色剤と期化剤がこの小さな穴を通じて
混ざり合い発色する。情報はこの発色点9の形で記録な
いし記憶され、読み出しは別の光源で該記録素子上を走
査し発色点による反射率、透過率等の変化を検出するこ
とにより行われる。
[発明が解決しようとする問題点] 上記の光記録素子に於いて、記録の高密度化を図るため
には光吸収層6が極力薄く、平坦で、かつ膜厚のむらの
ないものが望ましい、しかしながら、従来の光記#1素
子において、光吸収層は例えば真空蒸着法又は回転塗布
法などによって基板上に被膜されているため、厚さを2
00〜500A以下に薄くシようとすればピンホールが
多発しやすく、このピンホールの箇所で発色剤と期化剤
の2成分が接触して発色するため、信頼性に欠ける欠点
があった。その上、前記の従来の被膜方法で形成される
各層の膜内の分子分布配向がランダムであるため、光照
射に伴って膜内で光散乱が生じ、微視的にみた場合、各
光照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってくる。さ
らに、上述の被膜方法では光ディスクの基板を大面積化
すると、膜厚のむらが生じ、記録品質のむらが発生する
等の欠点があった。
したがって、光記録素子としては、膜内の分子分布・配
向が一様で、ピンホールも膜厚のむらもないことが望ま
しく、またできる限り膜厚が薄いことが、記録の高密度
化、高信頼化のために要望される0本発明はかかる要望
に鑑みてなされたもので、本発明の目的は高信頼・高密
度記録が可ず走な光記録素子を提供することにある0本
発明の別の目的は製作容易で安価な光記録素子を提供す
ることにある0本発明のさらに別の目的は大面積の光記
録素子を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]及び[作用]即ち、本
発明は通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるA
層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
ノール性化合物からなるBiと、A層とBiとの間に介
在する光吸収層とからなり、かつ (イ)前記B層はフェノール性化合物の単分子膜又はそ
の累積膜からなる層。
(ロ)前記光吸収層は光吸収性物質の単分子膜又はその
累積膜からなる層 から構成されることを特徴とする光記j2素子である。
以下1本発明の詳細な説明する。
本発明に係わる光記録素子は2X&、分糸の発色反応を
利用するものであり、@Tしくは染料のロイコ体と該染
料のロイコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合
物との発色反応を利用するものである。
したがって、未発11に係わる光記録素子は通常無色な
いし淡色の染料のロイコ体からなるA層と、前記染料の
ロイコ体と接触して発色せしめるフェノール性化合物か
らなるB層と、A層とB層との間に介在し、光を吸収し
て発熱し自身が溶融ないし昇華する光吸収層とから基本
的に構成されるものである。
本発明に用いられるA層の通常無色ないし淡色の染料の
ロイコ体としては例えばトリフェニルメタン系、フルオ
ラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラ
ン系等があり、それ等に含まれる具体的な化合物の詳細
を掲示すると第1表の通りである。
本発明においてA層は従来の被膜方法により形成される
n!Jであれば如何なる膜でもよく、それ等の中で例え
ば蒸着膜、塗布膜、浸漬膜、ラミネート等の堆積膜から
なる層が好ましい。
次に、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるB層
のフェノール性化合物としては、例えばp−t−ブチル
フェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、フェノ
ールフタレイン、ビスフェノールA、4−ヒドロキシジ
フェノキシド、4−ヒドロキシアセトフェノン、315
−キシレノール、チモール、ヒドロキノン、4−ターシ
ャリ−ブチルフェノール、α−ナフトール、4−ヒドロ
オキシフェノキシド、β−ナフトール、メチル−4−ヒ
ドロオキシベンゾエート、カテコール、4−ヒドロオキ
シアセトフェノン、レゾルシン、4−ターシャリ−オク
チルカテコール、4.4’−セカンダリ−ブチリデンジ
フェノール、2,2′−ジヒドロキシジフェニル、2.
2′−メチレンビス(4−メチル−6−ターシャリ−ブ
チルフェノール)、2.2’−ビス(4′−オキシフェ
ニル)プロパン、4.4’−イソプロピリデンビス(2
−ターシャリ−ブチルフェノール)、4.4′−セカン
タ゛リーブチリデンジフェノール、ピロガロール、フロ
ログルシン、フロログルシンカルボン酸等が挙げられる
本発明においてB層はcti分子膜又はその累積膜から
なる層から形成されるために、前記のフェノール性化合
物は分子内の適当な部位に親水基、疎水基又はその両方
の基を導入した誘導体を用いる必要がある。
疎水基及び親木基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数5〜30の長鎖アルキル基、
親水基としてはカルボキシル基及びその金属塩(例えば
カドミウム塩)が望ましい。
なお、A層及びB層の膜厚は200AからlOルの範囲
が望ましく、好適には1.00OAから1=の範囲であ
る。
次に1本発明における光吸収層の形成に用いられる光吸
収性物質としては赤外線を吸収しで溶融する溶融性光吸
収色素、又は赤外線を吸収して昇華する昇華性光吸収色
素が好適である。
該かる光吸収色素の一例をあげれば、銅フロシアニン、
バナジウムフタロシアニン等の金属フタロシアニン、含
金属アゾ染料、酸性アゾ染料、フルオレスセイン等のキ
サンチン系色素等がある。
該光吸収層は単分子膜又はその累積膜からなる層から形
成されるために、前記の光吸収性物質は分子内の適当な
部位に親木基、疎水基又はその両方の基を導入した誘導
体を用いる必要がある。
疎水基及び親水基には一般に使用されるものであれば如
何なるものでも用いることができるが、特に好ましくは
疎水基としては炭素原子数5〜3゜の&’lAアルキル
基、親水基としてはカルボキシル基及びその金属塩(例
えばカドミウム塩)が望ましい。
なお光吸収層の膜厚は30Aから1.000 Aの範囲
が望ましく、好適には50Aから20OAの範囲である
また1本発明において基板に使用される材料としては、
シリコン等の半導体材料、アルミ等の金属材料、好適に
は強化ガラス、及びアクリル(PMMA) 、ポリカー
ポネー1− (PC) 、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニール(pvc ) 、ポリスチレン等のプラスチック
材料、セラミック材料等が好ましい。
本発明に係わる光記録素子は、B層はフェノール性化合
物の単分子膜又はその累積膜からなる層及び光吸収層は
光吸収性物質の単分子膜又はその累積膜からなる層から
構成されることを1つの特徴とするものである。
かかる分子の高秩序性及び高配向性を有する単分子膜又
はその累積膜を作成する方法としては、例えば1.La
ngmuirらの開発したラングミュア・プロジェット
法(La法)を用いる。ラングミュア・プロジェット法
は、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子
において、両者のバランス(両親媒性のバランス)が適
度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向
けて単分子の層になることを利用して単分子n!2また
は単分子の累積膜を作成する方法である。水面上の単分
子層は二次元系の特徴をもつ0分子がまばらに散開して
いるときは、一分子当り面a Aと表面圧nとの間に二
次元理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、゛気体膜′°となる。ここに、kはポルツ
マン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の°゛凝縮Its!
 (または固体膜)パになる。凝!I膜はプラスチック
基板、ガラス基板などの種々の材質や形状を有する担体
の表面へ一層ずつ移すことができる。
次に本発明に使用するフェノール性化合物又は光吸収性
物質である親水基、疎水基を併有する有機分子の単分子
nり又はその累積膜を形成する方法についてさらに詳述
する。
まず該有機分子をベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶
剤に溶解し、シリンダ等でこれを第3図に概略した単分
子累積膜形成装置の水槽lO内の水相11上に展開させ
る。
該有機分子は、溶剤の揮発に伴って、親木基12を水相
に向け、疎水基13を気相に向けた状態で水相11上に
展開する。
次にこの析出物(有機分子)が水相11上を自由に拡散
して広がりすぎないように仕切板(または浮子)14を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その夾合状fijに比例した表面圧■を得る。この仕切
板14を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態
を制御し1表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適
する表面圧■を設定することができる。この表面圧を維
持しながら静かに清浄な基板14を垂直に上下させるこ
とにより単分子膜16が基板」二に移しとられる。中分
子11り16は以上で製造されるが、−゛11分子層累
積膜17は前記の操作を繰り返すことにより所望の累積
数の単分子層累積膜が形成される。
例えば表面が親水性である基板15を水面を横切る方向
に水中から中き上げると該有機分子の親木基が基板15
側に向いた単分子層16が基板15上に形成される。前
述のように基板15を上下させると、各工程ごとに1枚
ずつ単分子層16が積み重なっていく。成膜分子の向き
が引上げ工程と浸せき工程で逆になるので、この方法に
よると各層間は有機分子の親水基と親水基、有機分子の
疎水基と疎水ノ、(が向かい合ういわゆるY型11りが
形成される(第4図(a) ) 。
Y型11りは有機分子の親水基同志、疎水基同志が向い
合っているので強固である。
それに対し、基板15を水中に引き下げるときにのみ、
基板面に該有機分子を移し取る方法もある。
この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代はな
く全ての層において、疎水基が基板15側に向いたX型
膜が形成される(第4図(b) ) 、反対に全ての層
において親木基が基板15側に向いた累積膜はZ型膜と
呼ばれる(第4図(C) ) 。
Z型膜は基板15を水中から引上げるときにのみ、基板
面に有機分子を移し取ることによって得られる。
以上の方法によってノ^板上に形成される単分子膜及び
単分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性・配向性
を有しており、これらの膜で記録層を構成することによ
って、光熱的記録の可能な高密度で高解像度の記Q機能
を有する記録素子を得ることができる。また、これら成
膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡単な方法で
あり、上記のような優れた記録機能を有する記録素子を
低コストで提供することができる。
以上述べた、本発明における単分子1模または単分子累
積膜を形成すφ基板は特に限定されないが、基板表面に
界面活性物質が付着していると、単分子層を水面から移
しとる時に、単分子膜が乱れ良好な単分子膜または単分
子層累積膜ができないので基板表面が清浄なものを使用
する必要がある。
基板上の単分子膜または単分子層累積膜は、十分に強く
固定されておリノ^板からの剥離、剥落を生じることは
ほとんどないが、付着力を強化する目的で基板と単分子
膜または単分子層累積膜の間に接lI層を設けることも
できる。さらに単分子層形成条件例えば水相の水素イオ
ン濃度、イオン種、水ill^、担体上げ下げ速度ある
いは表面圧の選択等によって付着力を強化することもで
きる。
次に、A層の堆vi膜の形成方法は前記染料のロイコ体
にバインダーと水を添加した水混和物を、ボールミル等
を用いて粉砕混合した後、基板等の上に従来の通常の方
法で塗着して行う。
本発明に用いられる前記バインダーとしてはゼラチン、
でんぷんのごとき天然高分子物、硝酸繊M目モ、カルボ
キシメチルセルローズのごとき#、敲維素誘導体、塩化
ゴム、環化ゴムのごとき天然ゴム可塑物などの半合成高
分子物、ポリイソブチレン、ポリスチロール、テルペン
樹脂、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ
メタアクリル酸エステル、ポリアクリルニトリル、ポリ
アクリルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリアセタール樹脂、ポリ
塩化ビニル、ポリビニルピリジン、ポリビニルカルバゾ
ール、ポリブタジェン、ポリスチレン−ブタジェン、ブ
チルゴム、ポリオキシメチレン、ポリエチレンイミン、
ポリエチレンイミンハイドロクロライド、ポリ(2−ア
クリルオキシエチルジメチルスルホニウムクロライド)
などのごとき重合型合成高分子、フェノール樹脂、アミ
ノ樹脂、トルエン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、アリル樹脂、ポリカーボネート、ポリアマ
イド樹脂、ポリエーテル樹脂、珪素樹脂、フラン樹脂、
チオコールゴムなどのごとき縮合重合型合成高分子、ポ
リウレタン、ポリ尿素、エポキシ樹脂などのごとき付加
重合型樹脂が挙げられる。
以上に説明した方法で製造される本発明に係わる光記録
素子の構成の1例を示すと、第1図に示す通り、染料の
ロイコ体からなるA層2、フェノール性化合物からなる
8層4及びA層とB層の間に介在する光吸収性物質、か
らなる光吸収層3からなり、8層4及び光吸収層3は単
分子+1Q又はその累積IIg、A層2は堆積1模から
なる積層体で、B層4を基板1上に支持し、基板/B層
/光吸収層/A層の川nに)111層してなるものであ
る。
さらに、他の例として前記積層体のA層を基板上に支持
し、基&/A層/光吸収層/B層の順に積層してもよく
、又前記積層体を2設置上積重ねて最下層のA層又はB
層を基板上に支持してもよい。
本発明に係わる光記録素子はA層とB層とを光吸収層に
よって隔離して構成されているので、赤外線照射によっ
て光吸収層を溶融ないし昇華せしめて所望の位置に孔を
あけることにより、A層の発色性化合物とB層の期化性
化合物が接触して発色反応が進行し、該位置に発色点を
形成し情報を記録することができる。
したがって本発明に係る光記録素子は主として光ディス
クとして使用することができる。該光ディスクから、情
報を書き込んだり或いは読取ったりするための光ピツク
アップの光学系を有する情報記憶装置の1例を第5図に
示す。
該情報記憶装置は、制御回路27と光ピツクアップ光学
系からなる書き込み手段と、本発明に係わる光記録素子
と、出力回路28と光ピツクアップ光学系からなる読取
り手段とによって構成される。
書き込みは次のようにして行う、制御回路27は半導体
レーザ26の発振を制御する。従って、入力情報は制御
回路27及び半導体レーザ26によって光信号に変換さ
れる。光信号29はFSS図に示す光ピツクアップ光学
系を通って同期回転している光ディスク18の記録層上
に結像され、上述の発色メカニズムにより発色記録され
る。
読取りは次のようにして行う、半導体レーザ26から発
する低出力の連続発振光を読取り光として使う、低出力
であるから、読取り中に発色記録が行われることはない
からである。または他の可視光用光源を読取り用光源と
して用いてもよい。
該読取り用光線は光ディスク18の基板表面に結像し反
射されるが、反射率は発色点とそうでない箇所とで異な
るから、この反射光を光ビックアップ光学系を通してフ
ォトダイオード25の受光面にあてることにより電気信
号に変換し、再生読み出しを行う。
該かる再生信号のコントラストを上げ、画質等の向上を
図るためには、光記録素子の基板上にアルミ等の金属反
射層を付設することが好ましい。
金属反射層の11り厚は1,000 A〜2,000 
Aが好適である。その他必要に応じて誘電体ミラーでも
よい。
更に、A層、B層、光吸収層等を保護するために最外層
の表面に保護層を設けてもよい、そのような保護層用材
料としてはSiO□等の誘電体、プラスチック樹脂、他
の重合性LB膜等が好適である。
[実施例] 以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する
。尚、下記において特に記述のない限りr yxy J
は「重量部」を、「%Jは「重量%」を表わすものとす
る。
合成例1(光吸収性物質の合成例) バ ジ ム   ロシ ニン纏 ゛ 1ゝ尿素10部と
10〜15%りん酸水溶液1部を混合溶解した後、さら
に無水フタル酸2部、vOC見。
(バナジル塩) 10部及び 式(I) で表わされる無水フタルシアニンの誘導体8部を加え、
100°Cにて5時間加熱した。冷却した後。
2%希Na0)1水溶液100部を加え、加水分解した
後、クロマトグラフィにより分s L、式(n) を式■中、Rは C)I(C)12)、、 CH。
を表わす〕で示される目的物質(/クナジウムフタロシ
アニン誘導体)0.1部を得た。
合成例2(フェノール性化合物の合成例)フ ノールフ
タレイン1二    5 式(III) (C)12)、、、CH3 で示されるオルトキシレン1,1導体1部を、VLOS
(五酸化バナジウム)を触媒として、熱空気(400℃
−500℃)を導入することにより式(IV) で示される無水フタル酸誘導体を得た。
次に、これにフェノール2部、H2SO4適当量を加え
、130℃で加熱し。
式(V) で示されるフェノ−フタレイン誘導体0.7部を得た。
゛実施例1 (1) B層の形成方法 厚さlh+s、直径!80■の円板上のガラス(ディス
ク)ノA板を充分に枯浄にした0次に前述の単分子累J
/i装置を用いてフェノール性化合物であるフェノール
フタレイン誘導体の単分子累積膜を形成した。
該フェノールフタレイン誘導体の単分子累積膜の形成方
法は、下記のように行った。
基板が水面と垂直になるようにして、基板を水中に沈め
た後、フェノールフタレイン誘導体を、ln度2×lO
°3mol/文のクロロホルム溶液にして水面上に滴下
し単分子膜を水面上に展開する。
表面圧を30dyne/cmに設定し、速度2 cm/
ff1inで基板を上下して27層に累積した単分子累
積膜(Y型IE≧)を作成した。
同様の方法により、1層、50層、200層、400層
の単分子累積膜を各々作成した各試料を得た。
(2)光吸収層の形成方法 次に、前記(1)で得た各試料のガラス基板上に形成し
たB層の上に、前、述の単分子累積装置を用いて光吸収
性物質であるバナジウムフタロシアニン誘導体の単分子
累積膜を形成した。
該バナジウムフタロシアニン誘4体の単分子累積膜の形
成方法は、下記のように行った。
B層を形成した基板が水面と垂直になるようにして、基
板を水中に沈めた後、バナジウムフタロシアニン誘導体
を濃度2 X 10層3mol/fLのクロロホルム溶
液にして水面上に滴下し単分子膜を水面上に展開する0
表面圧を30dyne/cmに設定し、速度2 cm/
winで基板を上下して第2表に示す各層に累積した単
分子累積膜(Y型膜)を各試料に作成した。
(3)A層の形成方法 次に、前記(2)で各試ネ′lのガラス基板上に形成し
た光吸収層の上に、染料のロイコ体であるクリスタルバ
イオレットラクトンの堆積膜を形成した。
形成方法はクリスタルバイオレットラクトン7部、バイ
ンダーとしてポリビニルアルコール1部、水+Of)部
を混合し、さらにボールミルを用いて数時間、粉砕混合
し、基板の光吸収層上に回転塗布して、バインダー中に
分散したクリスタルバイオレットラクトンの堆積膜(膜
厚1ル)を得た。
(4)性能試験 上述の方法により製作された本発明に係る光記録素子と
、比較例として従来の同様の構成(全てが単分子Di又
はその累積膜を使用しないで構成)に係る光ディスクを
第5図に示す情報記憶装置を用いて以下の記録条件下で
記録した後、読取り再生を行うことにより両者の性能比
較を行った。
〈記録条件〉 半導体レーザ波長 830n劇 レーザ出力  6〜9I 記録周波数  5 MH2 光ディスクの回転数1.80Orpm 以上の条件下で読み出しをレーザ出力1mWで行い、信
号/雑音比を求めた結果を第2表に示す・ 第2表 註・・・本は比較例を示し、各層の形成は回転塗布法に
より行った。
第2表の結果よりNo、l(B層及び光吸収層が単分子
膜からなる場合)とN006とを比較すると、No、 
lの方が信号/雑音比において顕著に優れることが認め
られる。 No、1とN016はほぼ回じ膜厚であるが
、性能にこのような差異が生ずるのはN001の方がピ
ンホール等の欠陥が少ないためと思われる。同様に、N
002〜No、5(B層及び光吸収層が単分子の累積膜
からなる場合)とN017との比較では、No、2〜N
o、5の方が信号/雑音比において優れることが認めら
れる。
[発明の効果] 以上説明した様に本発明に係わる光記録素子はB層及び
光吸収層が単分子膜又はその累v1膜からなる層、A層
は堆積膜からなる層で構成されているので、以下に示す
ような優れた効果がある。
(1)従来の単分子膜又はその累積膜を使用していない
光記録素子と比較して信号/雑音比が高く、記録の信頼
性を向上させることができる。
(2)光記録素子のピンホール等の物理的欠陥を大幅に
減少させることができる。
(3)従来の光記録素子と比べて、より高密度記録が可
能である。
(4)光記録素子の大面積化が可能である。
(5)発色効率が良く、発色剤としてすぐれているが、
単分子N又はその累積層を形成しにくい材料、又は単分
子膜又はその累積層を形成しやすい誘導体に化学変化(
合成)することが経費上困難な材料を堆積膜に用いるこ
とができる利点がある。
(6)積層体の一部に堆積膜を用いているので、感度が
向上し、製作の際に材料の選択の巾が広く製j貨が容易
であり、又読み取りの際コントラストと非コントラスト
の差がつきやすい等の光学物性上の効果がある。   
  ゛
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる光記録素子の1例を示す概略構
成断面図、第2図(a)〜第2図(c)は従来の光記録
素子の記録プロセスを示す説明図、第3図は単分子累積
膜形成装置の概略構成断面図、第4図(a)〜第4図(
c)は単分子累積膜の作製工程図及び第5図は情報記憶
装置のブロック図である。 1 、15・・・基板     2・・・A層 。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)通常無色ないし淡色の染料のロイコ体からなるA
    層と、前記染料のロイコ体と接触して発色せしめるフェ
    ノール性化合物からなるB層と、A層とB層との間に介
    在する光吸収層とからなり、かつ (イ)前記B層はフェノール性化合物の単分子膜又はそ
    の累積膜からなる層、 (ロ)前記光吸収層は光吸収性物質の単分子膜又はその
    累積膜からなる層 から構成されることを特徴とする光記録素子。
JP59159113A 1984-07-31 1984-07-31 光記録素子 Pending JPS6137485A (ja)

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JP59159113A JPS6137485A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光記録素子
US07/233,902 US4933221A (en) 1984-07-31 1988-08-17 Optical recording device

Applications Claiming Priority (1)

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JP59159113A JPS6137485A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光記録素子

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