JPS6162525A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6162525A JPS6162525A JP60171275A JP17127585A JPS6162525A JP S6162525 A JPS6162525 A JP S6162525A JP 60171275 A JP60171275 A JP 60171275A JP 17127585 A JP17127585 A JP 17127585A JP S6162525 A JPS6162525 A JP S6162525A
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- aromatic hydrocarbon
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
- C08G77/455—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences containing polyamide, polyesteramide or polyimide sequences
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は非導電性縮合重合体、その製造における中間
体、それらの製造方法及び使用方法に関する。
体、それらの製造方法及び使用方法に関する。
種々の電気的に非導電性のポリイミドは電子回路におけ
る絶縁体および誘電体としての用途と同様当分野で既知
である。これらのポリイミドは２段階の手順で製造され
ることが多く、第１段階はポリアミド酸を生成する二無
水物とジアミンとの反応である。次にポリアミド酸を基
体上に塗布し加熱してポリイミド絶縁層を形成する。
る絶縁体および誘電体としての用途と同様当分野で既知
である。これらのポリイミドは２段階の手順で製造され
ることが多く、第１段階はポリアミド酸を生成する二無
水物とジアミンとの反応である。次にポリアミド酸を基
体上に塗布し加熱してポリイミド絶縁層を形成する。
超小型電子工学の用途において、誘電体に模様をつける
には写真平版操作を用いるのがしばしば便利である。典
型的にはポリアミド酸及びフォトレジスト層は連続的に
基体上に塗布される一フオ゛トレジスト層をマスクし、
露出させ現像を行ない、その後ポリアミド酸をエツチン
グし、フォトレジスト層を取り除き、ポリアミド酸を焼
きつけ、画像を有するポリイミド誘電体層を形成させる
。
には写真平版操作を用いるのがしばしば便利である。典
型的にはポリアミド酸及びフォトレジスト層は連続的に
基体上に塗布される一フオ゛トレジスト層をマスクし、
露出させ現像を行ない、その後ポリアミド酸をエツチン
グし、フォトレジスト層を取り除き、ポリアミド酸を焼
きつけ、画像を有するポリイミド誘電体層を形成させる
。
誘電体層又は誘電体前駆体層をエツチングするのに乾式
エツチング及び湿式エツチング方法の両者が用いられる
。乾式エツチングでは上記のようにフォトレジストを露
出させ現像し、プラズマ、反応性イオン又は類似の方法
によりエツチングを行なう。これらの方法は一般に、誘
電体部分が実質的に垂直な縁部を有する鮭明な像をつく
るのに有効である。しかし、乾式エツチング法は比較的
手間がかかり、しばしば誘電体層とフォトレジスト層と
の間に二酸化けい素のバリヤ一層を設ける必要がある。
エツチング及び湿式エツチング方法の両者が用いられる
。乾式エツチングでは上記のようにフォトレジストを露
出させ現像し、プラズマ、反応性イオン又は類似の方法
によりエツチングを行なう。これらの方法は一般に、誘
電体部分が実質的に垂直な縁部を有する鮭明な像をつく
るのに有効である。しかし、乾式エツチング法は比較的
手間がかかり、しばしば誘電体層とフォトレジスト層と
の間に二酸化けい素のバリヤ一層を設ける必要がある。
これはまた労力の集中が必要であり、その結果は再現性
のないことが多い。
のないことが多い。
湿式エツチング方法はエツチング溶液、典型的にはアル
カリ性のものを用いる。アルカリ性現像溶液はまた、は
とんどの環境において用いられるので、ポジのフォトレ
ジストを現像し、同時にポリアミドＭＷをエツチングす
るために単一の溶液を用いることが通常可能である。
カリ性のものを用いる。アルカリ性現像溶液はまた、は
とんどの環境において用いられるので、ポジのフォトレ
ジストを現像し、同時にポリアミドＭＷをエツチングす
るために単一の溶液を用いることが通常可能である。
絶縁材料として有用なことが知られているポリイミドに
は、シロキサンポリイミドがある。例えば米国特許第３
，３２５，４５０号及び第３，３４５、Ｑ０２号を参照
のこと。シロキサンポリイミドは超小型電子工学用を含
む多くの用途における絶縁体として有利な性質を有する
。例えばそれらは非常に平面状の被膜を形成し、プライ
マーの塗布なしに基体によく接着する。しかしながら前
駆体であるシロキサンポリアミド酸に像をつくるための
湿式エツチング方法は、ある欠点を持ち、シロキサンポ
リイミド誘電体の使用をさまたげる。
は、シロキサンポリイミドがある。例えば米国特許第３
，３２５，４５０号及び第３，３４５、Ｑ０２号を参照
のこと。シロキサンポリイミドは超小型電子工学用を含
む多くの用途における絶縁体として有利な性質を有する
。例えばそれらは非常に平面状の被膜を形成し、プライ
マーの塗布なしに基体によく接着する。しかしながら前
駆体であるシロキサンポリアミド酸に像をつくるための
湿式エツチング方法は、ある欠点を持ち、シロキサンポ
リイミド誘電体の使用をさまたげる。
このような欠点の１つは、アルカリ性エツチング溶液が
フォトレジストをひどくアンダーカットする傾向である
。これは不均一の幅の線と間隔を生じ、特に、フォトレ
ジストマスクにおけるよりもかなり広い間隔をもたらす
。別の欠点は、シロキサンポリアミド酸がエツチング溶
液との接触面上に浮渣又はスカムを生じる傾向である。
フォトレジストをひどくアンダーカットする傾向である
。これは不均一の幅の線と間隔を生じ、特に、フォトレ
ジストマスクにおけるよりもかなり広い間隔をもたらす
。別の欠点は、シロキサンポリアミド酸がエツチング溶
液との接触面上に浮渣又はスカムを生じる傾向である。
この浮渣はアルカリに不溶であり、従ってエツチングが
不完全となり、特に誘電体層の厚さが約４ミクロンより
大きい場合にそうである。この浮渣はまた、下層の導電
性基体上にも残り、電気的接点等の製造を困難にしたり
又は不可能にする。
不完全となり、特に誘電体層の厚さが約４ミクロンより
大きい場合にそうである。この浮渣はまた、下層の導電
性基体上にも残り、電気的接点等の製造を困難にしたり
又は不可能にする。
従って、本発明の主な目的は、絶縁体として有用なシロ
キサンポリイミド及びその中間体であるポリアミド酸を
製造することである。
キサンポリイミド及びその中間体であるポリアミド酸を
製造することである。
他の目的は写真平版−湿式エツチング溶液でより容易か
つ正確に像をつくることができるシロキサンポリアミド
酸を製造することである。
つ正確に像をつくることができるシロキサンポリアミド
酸を製造することである。
また、別の目的は、アルカリ性エツチング溶液により容
易かつ完全に除去されるシロキサンポリアミド酸を製造
することである。
易かつ完全に除去されるシロキサンポリアミド酸を製造
することである。
ざらに別の目的は、シロキサンポリイミド及びポリアミ
ド酸中間体を製造する方法を提供することである。
ド酸中間体を製造する方法を提供することである。
また、その他の目的は、上記性質を有するシロキサンポ
リイミドから成る誘電体層をもつ電子装＠（任意には超
小型電子工学規模）及びその製造のための湿式エツチン
グ方法を提供することである。
リイミドから成る誘電体層をもつ電子装＠（任意には超
小型電子工学規模）及びその製造のための湿式エツチン
グ方法を提供することである。
その他の目的は一部明らかであり、一部は以後明らかに
なるであろう。
なるであろう。
本発明は、比較的低分子量の既知のシロキサンポリアミ
ド酸及びそれより製造されたポリイミドが、特に超小型
電子工学用において、誘電体前駆体として前記ポリアミ
ド酸を用いる主な障害となっているという発見に基づく
。これはこの種の低分子量の重合体が、湿式エツチング
操作の間においてアンダーカットや浮渣を特に生じやす
いことからきている。
ド酸及びそれより製造されたポリイミドが、特に超小型
電子工学用において、誘電体前駆体として前記ポリアミ
ド酸を用いる主な障害となっているという発見に基づく
。これはこの種の低分子量の重合体が、湿式エツチング
操作の間においてアンダーカットや浮渣を特に生じやす
いことからきている。
従って本発明は、一つには式
（Ｉ）
を有する構造単位から実質的に成り、共重合体分子光た
りこの単位を平均少くとも５０個有するチッ素及びけい
素含有共重合体に係わる。
りこの単位を平均少くとも５０個有するチッ素及びけい
素含有共重合体に係わる。
但し、Ｑｌは炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウから
成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭素
−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結合
基であり、Ｑｌはそれぞれ独立に、芳香族炭化水素基又
は式 （を有する２価の基であり、このＱ・基の少くとも約１
０モル％が式ＩＩを有し、 Ｒ１はアルキレン基、 Ｒ２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基、ＸがＯ
ＨでＹがＮ ＋−１でめるか、ＸとＹとが一緒になって
Ｎであり、 ｎは少くとも１である。
成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭素
−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結合
基であり、Ｑｌはそれぞれ独立に、芳香族炭化水素基又
は式 （を有する２価の基であり、このＱ・基の少くとも約１
０モル％が式ＩＩを有し、 Ｒ１はアルキレン基、 Ｒ２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基、ＸがＯ
ＨでＹがＮ ＋−１でめるか、ＸとＹとが一緒になって
Ｎであり、 ｎは少くとも１である。
これまでの記載から明らかなように、この発明の共重合
体は二無水物をジアミンと反応させて得られる種類の比
較的高分子量のシロキサンポリイミド又はポリアミド酸
である。分子中二無水物より誘導された部分においてＱ
ｌは炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウ原子を含む広
い範囲の結合基の任意のものである。この結合基は、ア
ルキレン、アリーレン、カルボニル、アミン（ＮＨ及び
ＮＲ３の両方を含み、Ｒ３はアルキル又はアリールで必
る）、エーテル、スルフィド、スルホン等の、いくつか
の当分野で認められた結合基又はそれらの組合わせのう
ちの任意のものである。前記′の基の組合わせには、例
えば２，２−ビス（４−オキシフェニル）、ｐ−フェニ
レンジアミノ及びｍ−フェニレンジチオがおる。特に好
ましいのはカルボニル基である。Ｑｌは２−又は３−の
位置で、好ましくは３−の位置で式■のベンゼンジカル
ボン酸部分に結合しうる。
体は二無水物をジアミンと反応させて得られる種類の比
較的高分子量のシロキサンポリイミド又はポリアミド酸
である。分子中二無水物より誘導された部分においてＱ
ｌは炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウ原子を含む広
い範囲の結合基の任意のものである。この結合基は、ア
ルキレン、アリーレン、カルボニル、アミン（ＮＨ及び
ＮＲ３の両方を含み、Ｒ３はアルキル又はアリールで必
る）、エーテル、スルフィド、スルホン等の、いくつか
の当分野で認められた結合基又はそれらの組合わせのう
ちの任意のものである。前記′の基の組合わせには、例
えば２，２−ビス（４−オキシフェニル）、ｐ−フェニ
レンジアミノ及びｍ−フェニレンジチオがおる。特に好
ましいのはカルボニル基である。Ｑｌは２−又は３−の
位置で、好ましくは３−の位置で式■のベンゼンジカル
ボン酸部分に結合しうる。
Ｑｌはそれぞれ独立に、芳香族炭化水素基°［例えばｍ
−フェニレン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレ
ン）メチレン、好ましくは後者］又は式 （式中Ｒ１はアルキレン、Ｒ２は低級アルキル又は低級
芳香族炭化水素基、即ら７個までの炭素原子を含むもの
）を有する基である。Ｒ１が直鎖Ｃ３−５アルキレン基
であることが最も多く、特にトリメチレン基であり、Ｒ
２はメチル又はフェニルであり、特にメチルである。ｎ
の値は少くとも１であり、通常１〜約１０００１好まし
くは約１〜１０である。共重合体中の０２の少くとも約
１０モル％、好ましくは約２５〜４０モル％が式ＩＩを
有する。
−フェニレン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレ
ン）メチレン、好ましくは後者］又は式 （式中Ｒ１はアルキレン、Ｒ２は低級アルキル又は低級
芳香族炭化水素基、即ら７個までの炭素原子を含むもの
）を有する基である。Ｒ１が直鎖Ｃ３−５アルキレン基
であることが最も多く、特にトリメチレン基であり、Ｒ
２はメチル又はフェニルであり、特にメチルである。ｎ
の値は少くとも１であり、通常１〜約１０００１好まし
くは約１〜１０である。共重合体中の０２の少くとも約
１０モル％、好ましくは約２５〜４０モル％が式ＩＩを
有する。
この発明の共重合体の重要な特徴は、共重合体分子光た
りの構造単位の平均数である。この値は、構造単位の平
均分子量によって重合体の数平均分子ｍを割ることによ
り決定される。本発明の最７ＪＱの値は５０である。最
も多いのは、この値が少くとも１００である場合であり
、好ましくは少くとも１５０である。
りの構造単位の平均数である。この値は、構造単位の平
均分子量によって重合体の数平均分子ｍを割ることによ
り決定される。本発明の最７ＪＱの値は５０である。最
も多いのは、この値が少くとも１００である場合であり
、好ましくは少くとも１５０である。
式１を有する構造単位から成るシロキサンポリアミド酸
は、（Ａ）式 ％式％ を有する少くとも１種の二無水物と、（Ｂ）式（ＩＶ） （式中Ｒ１、Ｒ２及びｎは前記定義の通り）を有する少
くとも１種のシロキサンジアミン又はこれと（Ｃ）式 （Ｖ） Ｈ２Ｎ−Ａ−ＮＨ２ （式中Ａは芳香族炭化水素基）を有する少くとも１種の
芳香族ジアミンとの混合物（前記混合物は少くとも約１
０モル％の試薬Ｂを含む）との極性非プロトン性溶媒中
での既知の反応によって製造できる。しかしながら通常
の状態においてこの反応により製造されたシロキサンポ
リアミド酸は、低分子量のため、相当するシＯギサンポ
リイミドがアンダーカット及び浮渣生成の前記欠点を有
することが本発明により見出された。もう一つの発見は
、これらの欠点がない程度に十分高い分子量を有する共
重合体が、高度に精製されほとんど無水の物質を試薬Ａ
、Ｂ及びＣ及び溶媒りとして用いることにより、製造さ
れるという点である。これらの物質の精製は既知の方法
で行なうことができる。このように、固体試薬は再結晶
ざゼ、一方液体はシリカゲル、硫酸マグネシウム、塩化
カルシウム又は分子ふるいのような適当な乾燥剤に接触
させて乾燥するか、蒸留するか又は両方により行なう。
は、（Ａ）式 ％式％ を有する少くとも１種の二無水物と、（Ｂ）式（ＩＶ） （式中Ｒ１、Ｒ２及びｎは前記定義の通り）を有する少
くとも１種のシロキサンジアミン又はこれと（Ｃ）式 （Ｖ） Ｈ２Ｎ−Ａ−ＮＨ２ （式中Ａは芳香族炭化水素基）を有する少くとも１種の
芳香族ジアミンとの混合物（前記混合物は少くとも約１
０モル％の試薬Ｂを含む）との極性非プロトン性溶媒中
での既知の反応によって製造できる。しかしながら通常
の状態においてこの反応により製造されたシロキサンポ
リアミド酸は、低分子量のため、相当するシＯギサンポ
リイミドがアンダーカット及び浮渣生成の前記欠点を有
することが本発明により見出された。もう一つの発見は
、これらの欠点がない程度に十分高い分子量を有する共
重合体が、高度に精製されほとんど無水の物質を試薬Ａ
、Ｂ及びＣ及び溶媒りとして用いることにより、製造さ
れるという点である。これらの物質の精製は既知の方法
で行なうことができる。このように、固体試薬は再結晶
ざゼ、一方液体はシリカゲル、硫酸マグネシウム、塩化
カルシウム又は分子ふるいのような適当な乾燥剤に接触
させて乾燥するか、蒸留するか又は両方により行なう。
試薬はすべて、はぼ無水の状態で貯蔵すべきである。
この発明の方法に有用な極性非プロトン性溶剤には例え
ばＮ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド及びジメチルスルホキシドがある。好
ましいのはＮ−メチルピロリドンである。
ばＮ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド及びジメチルスルホキシドがある。好
ましいのはＮ−メチルピロリドンである。
この発明の比較的高分子量のシロキサンポリアミド酸共
重合体の１ｍを次の実施例によって説明する。
重合体の１ｍを次の実施例によって説明する。
大塵■ユ
３．３’ 、４．４’ −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物５４ｇ （０，１７モル）をＮ−メチルピ
ロリドン２５０厭に溶かす。ビス（４−アミノフェニル
）メタン２３．２２ＣＩ （０，１２モル）及び１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン１２．６０（０，０５モル）の混合物を加え、混合物
を空温において２４時間かく拌する。市販の二無水物は
酢酸及び無水酢酸の混合物から再結晶させ、ジアミンは
トルエンから再結晶させ、シロキサンジアミンは真空下
で蒸留し、Ｎ−メチルピロリドンは４−オングストロー
ムの分子ふるい上で乾燥したものである。
ン酸二無水物５４ｇ （０，１７モル）をＮ−メチルピ
ロリドン２５０厭に溶かす。ビス（４−アミノフェニル
）メタン２３．２２ＣＩ （０，１２モル）及び１，３
−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン１２．６０（０，０５モル）の混合物を加え、混合物
を空温において２４時間かく拌する。市販の二無水物は
酢酸及び無水酢酸の混合物から再結晶させ、ジアミンは
トルエンから再結晶させ、シロキサンジアミンは真空下
で蒸留し、Ｎ−メチルピロリドンは４−オングストロー
ムの分子ふるい上で乾燥したものである。
純度のデータを表■に示す。
表 Ｉ
物 ＴＩｔｌＩＴ１度笠級 凹 最初のｖｌ
最終の値二無水物 市販 融点
２１８〜２２０℃ ２２４〜２２６℃ビス（４−７ミ
ノフ エ二ル）メタン 試薬 融点 ８８〜９３℃
９２〜９３℃シロキサンジアミン 試ｉｎ沸点
１３３℃／１０トル溶 媒
試薬 水分含ｍ ６４０ｐｐｍ
１２２ｐｐｍ得られるシロキサンポリアミド酸は、
分子光たり約１８４個の構造単位に相当する９９，００
０の数平均分子量（ゲル浸透クロマトグラフィーにより
測定）を有する。未精製物質から製造された対照重合体
は、約２２個の構造単位に相当する１２、Ｑ００の数平
均分子量を有する。
最終の値二無水物 市販 融点
２１８〜２２０℃ ２２４〜２２６℃ビス（４−７ミ
ノフ エ二ル）メタン 試薬 融点 ８８〜９３℃
９２〜９３℃シロキサンジアミン 試ｉｎ沸点
１３３℃／１０トル溶 媒
試薬 水分含ｍ ６４０ｐｐｍ
１２２ｐｐｍ得られるシロキサンポリアミド酸は、
分子光たり約１８４個の構造単位に相当する９９，００
０の数平均分子量（ゲル浸透クロマトグラフィーにより
測定）を有する。未精製物質から製造された対照重合体
は、約２２個の構造単位に相当する１２、Ｑ００の数平
均分子量を有する。
この発明の共重合体は、前述のように電子回路における
誘電体として特に有用である。従って本発明の他の態様
は導電性及び誘電性要素から成る電子機器における改良
であり、この改良は本発明の共重合体く×及びＹは一緒
になってＮである）を前記誘電性要素の少くとも一部と
して用いることから成る。また別の態様は次の工程を含
む電子機器を製造する方法である。
誘電体として特に有用である。従って本発明の他の態様
は導電性及び誘電性要素から成る電子機器における改良
であり、この改良は本発明の共重合体く×及びＹは一緒
になってＮである）を前記誘電性要素の少くとも一部と
して用いることから成る。また別の態様は次の工程を含
む電子機器を製造する方法である。
ここに記載したシロキサンポリアミド酸共重合体（Ｘが
ＯＨ，ＹがＮＨ）の被膜を導電性基体上に付着する工程
、 前記共重合体被膜上にフォトレジスト層を形成する工程
、 前記フォトレジスト層を露出させ現像する工程、前記共
重合体被膜をアルカリ水溶液でエツチングする工程、 前記フォトレジスト層を除去する工程、及び前記共重合
体被膜を焼きつけ、誘電性シロキサンポリイミド共重合
体（×及びＹは一緒になってＮである）を形成する工程
、 この発明の方法における最初の工程は導電性基体、通常
金属基体上にシロキサンポリアミド酸を形成させること
である。シロキサンポリアミド酸被膜は、上記のように
適当な溶媒のポリアミド酸溶液を含むスピン−コーティ
ング操作によって通常形成される。
ＯＨ，ＹがＮＨ）の被膜を導電性基体上に付着する工程
、 前記共重合体被膜上にフォトレジスト層を形成する工程
、 前記フォトレジスト層を露出させ現像する工程、前記共
重合体被膜をアルカリ水溶液でエツチングする工程、 前記フォトレジスト層を除去する工程、及び前記共重合
体被膜を焼きつけ、誘電性シロキサンポリイミド共重合
体（×及びＹは一緒になってＮである）を形成する工程
、 この発明の方法における最初の工程は導電性基体、通常
金属基体上にシロキサンポリアミド酸を形成させること
である。シロキサンポリアミド酸被膜は、上記のように
適当な溶媒のポリアミド酸溶液を含むスピン−コーティ
ング操作によって通常形成される。
次にポリアミド酸被膜をフォトレジスト塗布、露光、現
像の慣用の工程を含む写真平版の方法によって模様をつ
ける。本発明の好ましい具体例では、フォトレジストの
現像及びシロキサンポリアミド酸被膜のエツチングは、
約０．１〜１、ＱＭ、特に約０．２〜０．５Ｍの濃度の
アルカリ水溶液、典型的には水酸化ナトリウム又は水酸
化カリウム又は水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液
に接触させることにより同時に行なえる。エツチング−
現像工程の温度は通常的２０〜５０°Ｃであり、普通的
２５〜３０″Ｃである。
像の慣用の工程を含む写真平版の方法によって模様をつ
ける。本発明の好ましい具体例では、フォトレジストの
現像及びシロキサンポリアミド酸被膜のエツチングは、
約０．１〜１、ＱＭ、特に約０．２〜０．５Ｍの濃度の
アルカリ水溶液、典型的には水酸化ナトリウム又は水酸
化カリウム又は水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液
に接触させることにより同時に行なえる。エツチング−
現像工程の温度は通常的２０〜５０°Ｃであり、普通的
２５〜３０″Ｃである。
エツチング工程につづき、フォトレジスト層を（有機溶
媒（例えば酢酸エチルのようなエステル）で除去し、模
様のついたシロキサンポリアミド酸を一般に約１００〜
３５０℃の範囲の温度で焼きつけ、電気的接触のために
ざらに導電性要素を沈着するのに適した空間又は穴によ
り分離された線又は棒の形をとる、望みのポリイミド誘
電体要素を製造する。
媒（例えば酢酸エチルのようなエステル）で除去し、模
様のついたシロキサンポリアミド酸を一般に約１００〜
３５０℃の範囲の温度で焼きつけ、電気的接触のために
ざらに導電性要素を沈着するのに適した空間又は穴によ
り分離された線又は棒の形をとる、望みのポリイミド誘
電体要素を製造する。
この発明は、前記誘電性要素の少くとも一部が高々横に
１０ミクロンの距離だけ分離された超小型電子回路に特
に適している。しかし、より太きいす法の回路の製造に
も使用できる。
１０ミクロンの距離だけ分離された超小型電子回路に特
に適している。しかし、より太きいす法の回路の製造に
も使用できる。
この発明のシロキサンポリイミドの超小型電子回路の誘
電体としての有用性を次の実施例により説明する。
電体としての有用性を次の実施例により説明する。
大旗■２
Ｎ−メチルピロリドンに溶融させた実施例１の共重合体
生成物を金属基体上にスピンコーティングし、焼きつけ
により６ミクロンのポリイミド誘。
生成物を金属基体上にスピンコーティングし、焼きつけ
により６ミクロンのポリイミド誘。
電体層に変換される厚さのポリアミド酸層とする。
溶剤を９０〜１３０’Ｃの特定の温度において１時間乾
燥させることにより除去し、その後慣用のノ
ｊボラックフォトレジストをＩＩしてマスクし１００ミ
クロンの間隔で分離された２５０ミクロン幅の誘電体ラ
インの模様をつける。
燥させることにより除去し、その後慣用のノ
ｊボラックフォトレジストをＩＩしてマスクし１００ミ
クロンの間隔で分離された２５０ミクロン幅の誘電体ラ
インの模様をつける。
０．３５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液の４分間の接触によ
りフォトレジストを現像しポリアミド酸を腐食させる。
りフォトレジストを現像しポリアミド酸を腐食させる。
次にフォトレジストを酢酸エチルで取り除き、ポリアミ
ド酸をそれぞれ１００℃、２００℃及び３００″Ｃで１
時間焼きつけることにより望みのポリイミド誘電体層に
変える。
ド酸をそれぞれ１００℃、２００℃及び３００″Ｃで１
時間焼きつけることにより望みのポリイミド誘電体層に
変える。
種々の乾燥温度で得られるエツチング方法の完全さの度
合及びアンダーカットの割合を表■にあげる。アンダー
カットの割合は、式（１−Ｂ／Ａ）Ｘ１００（但しＡは
マスクラインの幅、即ち２５０ミクロンであり、Ｂは誘
電体に実際につくられたラインの幅である）によって決
まる。
合及びアンダーカットの割合を表■にあげる。アンダー
カットの割合は、式（１−Ｂ／Ａ）Ｘ１００（但しＡは
マスクラインの幅、即ち２５０ミクロンであり、Ｂは誘
電体に実際につくられたラインの幅である）によって決
まる。
表■
実施例１ 対 照
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑ＾１は炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウか
ら成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭
素−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結
合基であり、Ｑ＾２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素
基又は式 （II） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する２価の基であり、Ｑ＾２基の少くとも約１０モ
ル％が式IIを有し、Ｒ＾１はアルキレン基であり、Ｒ＾
２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基であり、Ｘ
がＯＨでＹがＮＨであるか、あるいはＸ及びＹが一緒に
なってＮであり、ｎは少くとも１である） を有する構造単位から実質的に構成され、共重合体分子
当たり前記単位を平均少くとも５０個含む、チッ素及び
けい素含有共重合体。 ２、前記単位を平均少くとも１００個含む特許請求の範
囲第１項記載の共重合体。 ３、芳香族炭化水素基であるＱ＾２の各基が、ｍ−フェ
ニレン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレン）メ
チレンであり、Ｒ＾１が直鎖Ｃ＿３＿−＿５アルキレン
基であり、Ｒ＾２がメチル又はフェニルである特許請求
の範囲第２項記載の共重合体。 ４、Ｑ＾１がカルボニルである特許請求の範囲第３項記
載の共重合体。 ５、Ｑ＾２基の約２５〜４０モル％が式IIを有し、ｎが
約１〜１０、Ｒ＾１がトリメチレン、Ｒ＾２がメチルで
ある特許請求の範囲第４項記載の共重合体。 ６、式 （III） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する少くとも１種の二無水物（Ａ）を、式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する少くとも１種のシロキサンジアミン（Ｂ）又は
これと式 （Ｖ）Ｈ＿２Ｎ−Ａ−ＮＨ＿２ （式中Ａは芳香族炭化水素基） を有する少くとも１種の芳香族ジアミン（Ｃ）との混合
物（該混合物は少くとも約１０モル％の試薬Ｂを含む）
と極性非プロトン性溶媒（Ｄ）中で反応し、前記試薬（
Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）並びに溶媒（Ｄ）はそれぞれ高
度に精製され実質的に無水である。 式 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑ＾１は炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウか
ら成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭
素−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結
合基であり、Ｑ＾２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素
基又は式 （II） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する２価の基であり、Ｑ＾２基の少くとも約１０モ
ル％が式IIを有し、Ｒ＾１はアルキレン基であり、Ｒ＾
２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基であり、Ｘ
がＯＨでＹがＮＨであり、ｎは少くとも１である） を有する構造単位から実質的に構成され、共重合体分子
当たり前記単位を平均少くとも５０個含む、チッ素及び
けい素含有共重合体の製造方法。 ７、固形試薬はすべて再結晶させ、液体はすべて適当な
乾燥剤に接触させることにより乾燥するか蒸留するか又
はその両方を行なう特許請求の範囲第６項記載の方法。 ８、芳香族炭化水素基であるＱ＾２の各基がｍ−フェニ
レン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレン）メチ
レンであり、Ｒ＾１が直鎖Ｃ＿３＿−＿５アルキレン基
であり、Ｒ＾２がメチル又はフェニルである特許請求の
範囲第７項記載の方法。 ９、Ｑ＾１がカルボニルであり、Ｑ＾２基の約２５〜４
０モル％が式IIを有し、ｎが約１〜１０、Ｒ＾１がトリ
メチレン、Ｒ＾２がメチルであり、溶媒がＮ−メチルピ
ロリドンである特許請求の範囲第８項記載の方法。 １０、導電性及び誘電性要素から成る電子装置において
、前記誘電性要素の少くとも一部が、式 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑ＾１は炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウか
ら成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭
素−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結
合基であり、Ｑ＾２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素
基又は式 （II） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する２価の基であり、Ｑ＾２基の少くとも約１０モ
ル％が式IIを有し、Ｒ＾１はアルキレン基であり、Ｒ＾
２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基であり、Ｘ
及びＹは一緒になってＮであり、ｎは少くとも１である
） を有する構造単位から実質的に構成され、共重合体分子
当たり前記単位を平均少くとも５０個含む、チッ素及び
けい素含有共重合体からなる改良された装置。 １１、共重合体が前記単位を平均少くとも１００個含む
特許請求の範囲第１０項記載の装置。 １２、芳香族炭化水素基であるＱ＾２の各基が、ｍ−フ
ェニレン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレン）
メチレンでありＲ＾１が直鎖Ｃ＿３＿−＿５アルキレン
基であり、Ｒ＾２がメチル又はフェニルである特許請求
の範囲第１１項記載の装置。 １３、前記誘電性要素の少くとも一部が、横に高々１０
ミクロン離されている特許請求の範囲第１２項記載の装
置。 １４、Ｑ＾１がカルボニルである特許請求の範囲第１３
項記載の装置。 １５、Ｑ＾２基の約２５〜４０モル％が式IIを有し、ｎ
が約１〜１０であり、Ｒ＾１がトリメチレンである特許
請求の範囲第１４項記載の装置。 １６、導電性基体上に、 式 （ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑ＾１は炭素、水素、チッ素、酸素及びイオウか
ら成る群より選ばれた原子から成り、炭素−炭素又は炭
素−チッ素多重結合を含まない少くとも１個の２価の結
合基であり、Ｑ＾２はそれぞれ独立に、芳香族炭化水素
基又は式 （II） ▲数式、化学式、表等があります▼ を有する２価の基であり、Ｑ＾２基の少くとも約１０モ
ル％が式IIを有し、Ｒ＾１はアルキレン基であり、Ｒ＾
２は低級アルキル又は低級芳香族炭化水素基であり、Ｘ
がＯＨでＹがＮＨであり、ｎは少くとも１である） を有する構造単位から実質的に構成され、共重合体分子
当たり前記単位を平均少くとも５０個含む、チッ素及び
けい素含有共重合体の被膜を付着する工程、 前記共重合体被膜上に、フォトレジスト層を付着する工
程、 該フォトレジスト層を露出させ、現像する工程、前記共
重合体被膜をアルカリ水溶液でエッチングする工程、 前記フォトレジスト層を取り除く工程、及び前記共重合
体被膜をベーキングし、Ｘ及びＹが一緒になってＮとな
つた誘電性共重合体を形成する工程、 を含む電子装置を製造する方法。 １７、芳香族炭化水素基であるＱ＾２の各基が、ｍ−フ
ェニレン、ｐ−フェニレン又はビス（４−フェニレン）
メチレンであり、Ｒ＾１が直鎖Ｃ＿３＿−＿５アルキレ
ン基であり、Ｒ＾２がメチル又はフェニルである特許請
求の範囲第１６項記載の方法。 １８、共重合体被膜が共重合体溶液のスピンコーティン
グにより形成される特許請求の範囲第１７項記載の方法
。 １９、Ｑ＾１がカルボニルである特許請求の範囲第１６
項記載の方法。 ２０、Ｑ＾２基の約２５〜４０モル％が式IIを有し、ｎ
が約１〜１０、Ｒ＾１がトリメチレン、Ｒ＾２がメチル
である特許請求の範囲第１９項記載の方法。 ２１、フォトレジストの現像及び共重合体被膜のエッチ
ングを同時に行なう特許請求の範囲第２０項記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/639,640 US4668755A (en) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | High molecular weight siloxane polyimides, intermediates therefor, and methods for their preparation and use |
| US639640 | 1984-08-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6162525A true JPS6162525A (ja) | 1986-03-31 |
| JP2503206B2 JP2503206B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=24564955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171275A Expired - Lifetime JP2503206B2 (ja) | 1984-08-10 | 1985-08-05 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668755A (ja) |
| JP (1) | JP2503206B2 (ja) |
| DE (1) | DE3526269C2 (ja) |
| FR (1) | FR2574416B1 (ja) |
| GB (1) | GB2162854B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118424A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 可溶性シリコ−ン−イミドコポリマ− |
| JPS61118425A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | ジグライム可溶性シロキサン−イミド共重合体の製造方法 |
| JPS63260924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-27 | オクシデンタル ケミカル コーポレーション | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
| JPH0243221A (ja) * | 1988-06-10 | 1990-02-13 | Occidental Chem Corp | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
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| US4931310A (en) * | 1988-11-25 | 1990-06-05 | International Business Machines Corporation | Process for treating the surface of polyimides to improve properties to receive metal layer |
| KR0159287B1 (ko) * | 1991-01-24 | 1999-01-15 | 윤종용 | 실록산 변성 폴리이미드 수지의 제조방법 |
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| CN103926885B (zh) * | 2013-01-11 | 2017-11-14 | 空中客车营运有限公司 | 集中装置、方法、计算机可读介质和飞行器 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
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| DE9203458U1 (ja) * | 1992-02-10 | 1992-06-04 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 6380 Bad Homburg, De |
-
1984
- 1984-08-10 US US06/639,640 patent/US4668755A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-05-20 GB GB8512735A patent/GB2162854B/en not_active Expired
- 1985-07-19 FR FR858511078A patent/FR2574416B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-23 DE DE3526269A patent/DE3526269C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-08-05 JP JP60171275A patent/JP2503206B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPS61118424A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | 可溶性シリコ−ン−イミドコポリマ− |
| JPS61118425A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-06-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | ジグライム可溶性シロキサン−イミド共重合体の製造方法 |
| JPS63260924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-27 | オクシデンタル ケミカル コーポレーション | 新規可溶性ポリイミドシロキサン及びその製法及び用途 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2574416B1 (fr) | 1992-02-28 |
| US4668755A (en) | 1987-05-26 |
| GB2162854A (en) | 1986-02-12 |
| FR2574416A1 (fr) | 1986-06-13 |
| JP2503206B2 (ja) | 1996-06-05 |
| DE3526269C2 (de) | 2003-06-26 |
| DE3526269A1 (de) | 1986-03-20 |
| GB8512735D0 (en) | 1985-06-26 |
| GB2162854B (en) | 1989-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |