JPS6161643A - Catalyst composition - Google Patents

Catalyst composition

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JPS6161643A
JPS6161643A JP59183882A JP18388284A JPS6161643A JP S6161643 A JPS6161643 A JP S6161643A JP 59183882 A JP59183882 A JP 59183882A JP 18388284 A JP18388284 A JP 18388284A JP S6161643 A JPS6161643 A JP S6161643A
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JP
Japan
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sputtering
target
carrier
sputtered
catalyst
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Pending
Application number
JP59183882A
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Japanese (ja)
Inventor
ピーター フランシス・カーシア
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EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
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Publication date
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Publication of JPS6161643A publication Critical patent/JPS6161643A/en
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の触媒は表面積の小さい粒状の坦体または基体と
、このノ、(体−Lにスパッタされた薄膜複合付着物を
含む。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The catalyst of the present invention comprises a small surface area particulate carrier or substrate and a thin film composite deposit sputtered onto the substrate.

坦体物質は小さな表面積を有し、使用反応条件で安定で
ある。耐火物質、例えば5in2. AIユ0□TiO
2、MgO、Sin: 、及びS r s N+のよう
な酸化物。
The carrier material has a small surface area and is stable at the reaction conditions used. Refractory material, for example 5in2. AI Yu0□TiO
2. Oxides such as MgO, Sin: , and S r s N+.

窒化物及び炭化物が好ましい、安定性の要求を満足する
ガラスも使用できる。特に好ましいものはAl2O,及
び5in2Lである。粒状坦体の表面積は好ましくはl
Om”/g以下である0粒子寸法は重要でないが、製造
の容易さから、以下に記載するように100gm以上で
あることが好ましい。
Glasses satisfying stability requirements can also be used, with nitrides and carbides being preferred. Particularly preferred are Al2O and 5in2L. The surface area of the granular carrier is preferably l
Zero particle size of less than Om''/g is not critical, but for ease of manufacture, 100 gm or more is preferred, as described below.

スパッタされた薄膜複合付着物は、Pt、 Pd、Ag
、Au、Re、 Rh、 Ru及びIrc7)ような1
またはそれ以上の触媒的活性金属及び共スパッタ坦体物
質を含む。共スパッタ坦体物質は好ましくは酸化物、窒
化物または炭化物であり、更に好ましくは基体への良好
な結合及び付着を得るために粒状坦体物質と同一物質で
ある。共スパッタ坦体物質及び坦体物質として特に好ま
しいものは酸化物A1□0.及びSiO□である。
Sputtered thin film composite deposits include Pt, Pd, Ag
, Au, Re, Rh, Ru and Irc7)
or more catalytically active metals and co-sputter carrier materials. The co-sputter carrier material is preferably an oxide, nitride or carbide, more preferably the same material as the particulate carrier material to obtain good bonding and adhesion to the substrate. Particularly preferred as co-sputter carrier material and carrier material are oxides A1□0. and SiO□.

複合スパッタコーティング、即ち付着物は、金属及び共
スパッタ坦体物質の単一ターゲットからの、または金属
または合金及び共スパッタ坦体物質の別々のターゲ”/
 トからの同時または後続的なスパッタリングにより生
成される。複合スパッタ付a物が2個の金属及び共スパ
ッタ坦体物質を含む場合について説明すれば、l、2、
または3個のターゲットを使用できる。1ターゲツトは
全3物質から製造される。2ターゲツトは1個の・くと
 1個の共スパッタ坦体物質、または 1個の金属−強
スパフタ坦体物質と 1個の他の金属とからなる。3タ
ーゲツトは各金属と共スパッタ坦体物質の夫々のターゲ
ットからなる。
Composite sputter coatings, or deposits, can be made from a single target of metal and co-sputtered carrier material or from separate targets of metal or alloy and co-sputtered carrier material.
produced by simultaneous or subsequent sputtering from To explain the case where the composite sputtered material includes two metals and a co-sputter carrier material, l, 2,
Or you can use 3 targets. One target is made from all three substances. The two targets consist of one column and one co-sputtered carrier material, or one metal-strong sputtered carrier material and one other metal. The three targets consist of a respective target of each metal and a co-sputter carrier material.

複合スパッタ付着物は各成分の均一な混合物であること
が好ましい。これは全成分を単一ターゲットから発生さ
せることにより容易に達成できる。この場合1粒状用体
はスパッタの間振動または回転させて混合できる0例え
ば、圧電気ドライバーまたはオーディオスピーカーに連
結した血中の粒子を振動させることにより、または皿に
連結した操作アームにより手で攪拌することにより粒子
を混合でき、若しくはスパッタリングを中断してスパッ
タリング室の外で粒子を混合してもよい、複数のターゲ
ットから同時に/後続的にスパッタリングする場合、ス
パッタリングは数回中断し、粒子は室外で混合される。
Preferably, the composite sputter deposit is a homogeneous mixture of each component. This is easily achieved by generating all components from a single target. In this case, the granular material can be mixed by vibration or rotation during sputtering, for example by vibrating blood particles connected to a piezoelectric driver or an audio speaker, or by hand stirring by an operating arm connected to a dish. When sputtering simultaneously/successively from multiple targets, the sputtering is interrupted several times and the particles are mixed outside the sputtering chamber. mixed in.

複数ターゲラI・の場合、スパッタ成分の良好な混合物
を与えるために、坦体粒子の乗っているテーブルを回転
することが必要である。テーブルの毎分の回転速度は各
成分の良好な混合の為に十分な速さである。かかる回転
を伴なって製造されたAg/SiO□複合物の場合複合
線回折及び透過電子マイクロスコピーにより、複合フィ
ルムはアモルファス5iOzマトリツクス中に分散した
直径100五 以下のAg粒子からなることが確認され
た。好ましい坦体粒子の寸法は100  ルm以上であ
る。これ以下では粒子の混合及び十分な被覆が困難であ
る。上限寸法は使用する装置及び方法での触媒坦体とし
ての有用性により制限されるのみである。
In the case of multiple target particles, it is necessary to rotate the table on which the carrier particles rest in order to provide a good mixture of the sputtered components. The rotation speed of the table per minute is fast enough for good mixing of the components. In the case of the Ag/SiO□ composite produced with such rotation, compound line diffraction and transmission electron microscopy confirmed that the composite film consisted of Ag particles with a diameter of less than 100 Ω dispersed in an amorphous 5 iOz matrix. Ta. Preferred carrier particle dimensions are greater than 100 lumens. If it is less than this, it is difficult to mix the particles and coat them sufficiently. The upper size limit is limited only by its usefulness as a catalyst support in the equipment and process used.

特にRFスパッタリングは好ましい共スパッタ坦体物質
ターゲットに適合する。@初に1通常の真空ポンプによ
りスパッタリング室を 10〜10トルに排気する。少
量のアルゴンガスを供給し、スパッタされるべきターゲ
ット物質と坦体テーブルとの間に13.58 MHzの
イオン化RFフィールドを適用する。正にチャージした
アルゴンイオンが負の電位のターゲットに向って加速さ
れる。アルゴンイオンがターゲットの金属種を打出し、
これが坦体上に付着する。アルゴンの圧力は通常は5×
1O〜20XlOトルであるが、他の圧力も使用できる
。ネオン、クリプトン、キセノンのような他の不活性ガ
スも使用できるが、アルゴンが安価で容易に人手でき且
つスパッタリング収率が良いので好ましい0本方法はR
Fスパッタリングに限定されず、他のスパッタリング、
例えば別の加速イオン源を使用するイオンビーム スパ
ッタリング、またはRFまたはDOマグネトロン(増強
された磁気フィールド)スパッタリングのいずれかによ
り実施できる。
RF sputtering in particular is compatible with preferred co-sputter carrier material targets. @First, evacuate the sputtering chamber to 10 to 10 torr using a conventional vacuum pump. A small amount of argon gas is supplied and a 13.58 MHz ionizing RF field is applied between the target material to be sputtered and the carrier table. Positively charged argon ions are accelerated toward a target at negative potential. Argon ions hit the target metal species,
This adheres onto the carrier. The pressure of argon is usually 5×
10-20X10 torr, but other pressures can also be used. Although other inert gases such as neon, krypton, and xenon can be used, the preferred method is R because argon is cheap, easy to handle, and has a good sputtering yield.
Not limited to F sputtering, other sputtering,
For example, it can be performed either by ion beam sputtering using another accelerated ion source, or by RF or DO magnetron (enhanced magnetic field) sputtering.

複数ターゲットからのスパッタリングの利点は各ターゲ
ットの電圧を変更することにより共スパッタされた触媒
の組成を変え得ることである。
An advantage of sputtering from multiple targets is that by changing the voltage on each target, the composition of the co-sputtered catalyst can be varied.

例えば、溶融シリカ粒子上に八g/5iO2Lの組成を
形成する場合、5iOzターゲツトの約1500Vに対
して1g9−ゲyト(1)電圧を100V、 250V
、 500V、750v及び100OVに’dJfDし
た同一持続時間の実験において、八8のC度は各0.0
38%、0.175%、0.83%、1.22%及び1
.87%(基体及びスパッタ複合物の全重量に基すいて
)に制御された。この電圧範囲において、スパッタ付着
物中のAgの容積濃度は4%(100V) カラ70%
(100OV ) 、残部(fsi02.、 マチ変化
した。
For example, when forming a composition of 8g/5iO2L on fused silica particles, the 1g9-gate (1) voltage is 100V, 250V for a 5iOz target of about 1500V.
, In experiments of the same duration with 'dJfD at 500V, 750v and 100OV, the C degree of 88 was 0.0 respectively.
38%, 0.175%, 0.83%, 1.22% and 1
.. 87% (based on the total weight of substrate and sputtered composite). In this voltage range, the volume concentration of Ag in the sputter deposit is 4% (100V) and 70%
(100OV), remainder (fsi02., gusset changed).

別々の金属ターゲット及び非金属ターゲットからの複数
金属触媒のスパッタリング、例えば5iOL上のAg/
Au/5iO1,においては、金属の割合もターゲット
電圧によってM制御できる。 Ag/Au/5i01フ
イルムはAg/Au原子比が3515.88/12 、
75/25 、85/35及び60ハ0で製造できた。
Sputtering of multi-metal catalysts from separate metal and non-metal targets, e.g. Ag/on 5iOL
In Au/5iO1, the metal ratio can also be controlled by the target voltage. The Ag/Au/5i01 film has an Ag/Au atomic ratio of 3515.88/12,
It was possible to manufacture it in 75/25, 85/35 and 60ha0.

これらの比は、(式中、Rはスパッタリング速度及びV
はスパッタリング電圧である)に従って予測できる方法
(例えば、Handobook of Th1n fi
lm Technology、Maissel and
 Gland )でスパッタリング電圧に依存する。非
金属に対する全金属の相対濃度は共スパッタ非金属ター
ゲット(SiO2,)に対する全金属ターゲット電圧(
VA、 + −)を調節することにより制御できる。
These ratios are (where R is the sputtering rate and V
is the sputtering voltage) (e.g. Handbook of Th1n fi
lm Technology, Maissel and
Gland) and depends on the sputtering voltage. The relative concentration of total metals to non-metals is determined by the total metal target voltage (
It can be controlled by adjusting VA, +-).

Ag/Au/Sin□複合VI膜はAg/Au合金ター
合金タープントO□ターゲットからスパッタリングによ
り製造できる。溶融シリカを原子比130 AgハOA
uの合金ターゲット及び5j02ターゲツトからのスパ
ッタにより被覆した。約1500Vの5i02に対し合
金ターゲット電圧を500v、750v及びtooov
とした同一持続時1#J1のスパッタリング実験におい
て、金属濃度は重量で0.46−1.15−1.79%
に変化した。全ケースにおいてフィルム中のAg/A 
u原子比は原子吸収分析によりターゲットと同一の80
 Ag/40 Auであることが確認された。
The Ag/Au/Sin□ composite VI film can be manufactured by sputtering from an Ag/Au alloy tarpunto O□ target. Fused silica with atomic ratio of 130 Ag OA
Coated by sputtering from a U alloy target and a 5j02 target. Alloy target voltage 500v, 750v and tooov for 5i02 of about 1500v
In the sputtering experiment of 1#J1 with the same duration, the metal concentration was 0.46-1.15-1.79% by weight.
It changed to Ag/A in the film in all cases
The u atomic ratio is 80, which is the same as the target, according to atomic absorption analysis.
It was confirmed that it was Ag/40 Au.

Ag/5i02またはAg/^u/5s02コーチング
は単一の複合ターゲットから製造することもできる0例
えば、Ag/SiO□ターゲットは微粉砕したAg及び
S r 02粉末を88/12の重量比でボールミル中
で混合して製造できる。混合粉末は10,0001bg
で直径2インチの円板に圧縮され、空気中640℃で1
6時間焼成される。得られた円板はターゲットとして複
合触媒の製造に使用される。これらのターゲットから得
られた薄膜のX線回折はアモルファス シリカマトリッ
クス中に分散した直径約55λのAg微粒子を確認した
。これらの結果は回転する基体上に別々のAg及びSi
O□ターゲットからのスパッタリングにより得られたも
のと類似している。
Ag/5i02 or Ag/^u/5s02 coatings can also be produced from a single composite target. For example, the Ag/SiO□ target is ball milled from finely ground Ag and Sr02 powders in a weight ratio of 88/12. It can be manufactured by mixing inside. Mixed powder is 10,0001bg
It was compressed into a 2-inch diameter disc at
Bake for 6 hours. The obtained disks are used as targets in the production of composite catalysts. X-ray diffraction of thin films obtained from these targets confirmed fine Ag particles with a diameter of about 55λ dispersed in an amorphous silica matrix. These results demonstrate that separate Ag and Si on a rotating substrate
Similar to that obtained by sputtering from an O□ target.

スパッタされた複合付着物の表面積は、フィルムあ厚さ
に無関係な平滑な蒸着またはスパッタ金属フィルムの表
面積とは対象的に、コーティングフィルムの厚さの増加
に従って増加する。このことは回転基体テーブルLの#
融シリカ粒子に別々のAg及びSiO□ターゲットから
スパッタリングして製造したAg/SiO2複合付着物
についての第1表に説明されている。
The surface area of sputtered composite deposits increases as the thickness of the coating film increases, as opposed to the surface area of smooth deposited or sputtered metal films, which is independent of film thickness. This means that # of rotary base table L is
Table 1 describes Ag/SiO2 composite deposits prepared by sputtering fused silica particles from separate Ag and SiO□ targets.

1−±−1 銀ターゲット電圧  スパッタ時間  表面積V  ポ
ルト   −エ旭、ニー  工11□500     
       3        0.112500 
          8        0.1837
50            3        0.
124750            8      
  0.2451000            3 
       0.1491000         
    fi         0.313溶融シリ力
粒子自体の表面積は無視できる程度(< 0.03+a
”/g )であるので、コーティング粒子の表面積は付
着物に帰する。実際の金属量の測定から、第1表におけ
る金属のみの表面積は約20m”/gであると3f価さ
れた。
1-±-1 Silver target voltage Sputtering time Surface area V Porto-E Asahi, Ni Engineering 11□500
3 0.112500
8 0.1837
50 3 0.
124750 8
0.2451000 3
0.1491000
fi 0.313 The surface area of the molten silicon particles themselves is negligible (< 0.03+a
"/g), so the surface area of the coating particles is attributed to the deposits. From the measurement of the actual amount of metal, the surface area of the metal alone in Table 1 was determined to be about 20 m"/g.

木発IJJの触媒の作用は多数の特定の方法により立証
された。
The catalytic action of wood IJJ was demonstrated by a number of specific methods.

小表面積の溶融シリカ上にスパッタしたAg/SiO2
触媒は、同−坦体粒子上にスパッタしたAg単独触媒よ
りも酸化脱水素によるメタノールからのホルムアルデヒ
ド合成について活性であり、バルクAgのたんに1/1
00のAgM)なのにメタノールの高転化で少なくとも
同等の収量及び低転化で1〜2%増の収量を与える。溶
融シリカ粒子上のAg/MgO及びAg/Au/SiO
□付着物も商用の流速で高い活性度、選択性及び安定性
が得られる。
Ag/SiO2 sputtered on small surface area fused silica
The catalyst is more active for formaldehyde synthesis from methanol by oxidative dehydrogenation than Ag alone catalyst sputtered onto the same carrier particles, and is only 1/1 as active as bulk Ag.
00 AgM), yet it gives at least the same yield at high conversions of methanol and 1-2% more yield at low conversions. Ag/MgO and Ag/Au/SiO on fused silica particles
□High activity, selectivity and stability of deposits can be obtained at commercial flow rates.

小表面積の溶融シリカ上にスパッタしたPd/!Jim
zフィルムの触媒は過酸化物合成における水素添加触媒
として高い安定性を示す。
Sputtered Pd/! onto small surface area fused silica! Jim
The z-film catalyst exhibits high stability as a hydrogenation catalyst in peroxide synthesis.

[実施例] 支ム亘ユニ」 溶融シリカしたへglsioz複合物からなる触媒をA
gと5i02.の別々のターゲットからの同時RFスパ
ッタリングにより製造した。溶融シリカ粒子(平均寸法
約2鵬−)をターゲット下方の回転基体  ・テーブル
上の数個のパイレックス皿に入れ、スパッタされた付着
物で被覆した。実施例1〜3では約1m2/gの及び実
施例4では約14gの溶融シリカを使用した。各ターゲ
ットに与えられた電圧を第2表に示す。
[Example] A catalyst consisting of a fused silica heglsioz composite
g and 5i02. were manufactured by simultaneous RF sputtering from separate targets. Fused silica particles (average size approximately 2 mm) were placed in several Pyrex dishes on a rotating substrate table below the target and coated with the sputtered deposit. About 1 m<2>/g of fused silica was used in Examples 1-3 and about 14 g in Example 4. The voltages applied to each target are shown in Table 2.

庇−ヱー1 実施例 銀ターゲット電圧  シリカターゲット−煕よ
  VA   ポルト   IL菫ん(L口4    
    1000           140G各実
施例において、アルゴン圧は8XlO=トルに維持され
及び粒状坦体は5回転/分で回転させた。スパッタリン
グ室の外で定期的に粒子を混合しながら6時間スパッタ
リングを続けた。
Eave-E-1 Example Silver target voltage Silica target-Hiyo VA Porto IL Sumiran (L mouth 4
1000 140G In each example, the argon pressure was maintained at 8XlO=Torr and the particulate carrier was rotated at 5 revolutions/min. Sputtering continued for 6 hours with periodic particle mixing outside the sputtering chamber.

これらの触媒はその後メタノールからのホルムアルデヒ
ドの合成に使用した。方法及び実験技術は米国特許第4
21.9509号(Rao及びN1elsen )に記
載されている。メタノールからホルムアルデヒドへの所
定の転化に関して、複合触媒を使用した収量はバルク銀
の場合よりも低転化で大きく及び高転化で少なくとも同
じであったが、Ag6度はバルクAg触媒の 1/+0
0にすぎなかった。「メタノール転化」とは供給メタノ
ールのモル当り他の生成物に転化したメタノールのモル
数を意味する。
These catalysts were then used in the synthesis of formaldehyde from methanol. The method and experimental technique are covered by U.S. Patent No. 4.
No. 21.9509 (Rao and Nelsen). For a given conversion of methanol to formaldehyde, yields using the composite catalyst were greater at low conversions and at least as high at high conversions than with bulk silver, but 6° Ag was 1/+0 lower than that of bulk Ag catalyst.
It was only 0. "Methanol conversion" means the number of moles of methanol converted to other products per mole of methanol fed.

「ホルムアルデヒド選択性」とは転化されたメタノール
のモル当り形成されたホルムアルデヒドのモル数を意味
する0重量%金属(例えば、WtXAg)とは金属の重
量を坦体及びスパッタ付着物の合計重量で除して100
倍した値を意味する。結果をバルク銀の結果と併せて第
3表に示す。
"Formaldehyde selectivity" means the number of moles of formaldehyde formed per mole of methanol converted. 0 wt% metal (e.g., WtXAg) means the weight of metal divided by the combined weight of support and sputter deposits. then 100
means the multiplied value. The results are shown in Table 3 together with the bulk silver results.

笈五皇」 AgとにgOの別々のターゲットからのRFスパッタリ
ングにより、溶融シリカ上にスパッタされたAg/Mg
O複合物から成る触媒を製造した0回転テーブル上の数
個のパイレックス皿に分道された約17gの溶融シリカ
(平均寸法的2 as)がスパッタ被覆された。スパッ
タ電圧はAg上で500V及びMgO上で1200Vで
あった。アルゴンの圧力は3X10  )ルに維持し及
び粒状坦体は5回転1分で回転した。
Ag/Mg sputtered onto fused silica by RF sputtering from separate targets of Ag and gO
Approximately 17 g of fused silica (average size 2 as) was sputter coated on several Pyrex pans on an O-rotary table that produced a catalyst consisting of an O-composite. Sputter voltage was 500V on Ag and 1200V on MgO. The argon pressure was maintained at 3×10 ) and the granular support was rotated for 5 revolutions in 1 minute.

スパッタリング時間は8時間であり、定期的にスパッタ
リング室外で粒子を混合した。
The sputtering time was 8 hours, and the particles were mixed periodically outside the sputtering chamber.

この触媒はホルムアルデヒドの合成に使用し、その結果
を第3表に示した。
This catalyst was used for the synthesis of formaldehyde and the results are shown in Table 3.

支庭携」 Ag/5i02重量比88/12のAgとSiOユとを
均質に混合した複合固体ターゲットからのRFスパッタ
リングによりAg/S iO1複合触媒を製造した。1
個のパイレックス血中の約m2/gの溶融シリカ粒子(
平均寸法的2mm )をスパッタ被覆した。スパッタリ
ングの間、真空室中に在るアームを取り付けた皿を機械
的に動かして粒子を混合した。ターゲット電圧は220
0 Vであり、アルゴン圧は8×10  であり及びス
パッタリングしかんは2時間であった。
An Ag/SiO1 composite catalyst was produced by RF sputtering from a composite solid target in which Ag and SiO were homogeneously mixed at a Ag/5i02 weight ratio of 88/12. 1
approximately m2/g of fused silica particles in Pyrex blood (
2 mm in average size) were sputter coated. During sputtering, an arm-mounted dish in the vacuum chamber was moved mechanically to mix the particles. Target voltage is 220
0 V, argon pressure was 8×10 and sputtering time was 2 hours.

ホルムアルデヒドの合成に使用した詩の結果を第3表に
示す。
Table 3 shows the results of the poems used in the synthesis of formaldehyde.

1五M1 Ag/Au合金ターゲットと5iOzターゲツトからの
同時RFバッタリングにより、45重丑%金屈を含むA
g/Au/SiO□複合触奴を製造した0合金ターゲツ
トの組成はAg130原子%及びAu40原子%であっ
た。ターゲットの下方の回転テーブルL二の数個のパイ
レックス皿に分配された約10gの溶融シリカ粒子をス
パッタ付着物で被覆した。スパッタリング電圧は1合金
ターゲツトで500V及びSiO□で1700Vであっ
た。アルゴン圧は8X10  )ルに維持し及び粒子は
5回転/分で回転させた。スパッタリング時間は4時間
であり、定期的にスパッタリング室外で粒子を混合した
。実施例7(a)は触媒として60/40 Ag/Au
合金触奴を使用したコントロールである。
By simultaneous RF battering from 15M1 Ag/Au alloy target and 5iOz target, A containing 45% gold
The composition of the 0 alloy target from which the g/Au/SiO□ composite contact was made was 130 atomic % Ag and 40 atomic % Au. Approximately 10 g of fused silica particles distributed in several Pyrex pans on rotary table L2 below the target were coated with sputter deposits. The sputtering voltage was 500V for the 1-alloy target and 1700V for the SiO□ target. The argon pressure was maintained at 8×10 ) and the particles were rotated at 5 revolutions/min. The sputtering time was 4 hours, and the particles were mixed periodically outside the sputtering chamber. Example 7(a) uses 60/40 Ag/Au as catalyst.
It is a control using alloy tentacles.

触媒はホルムアルデヒドの合成に使用した。結果を第3
表に示す。
The catalyst was used for the synthesis of formaldehyde. 3rd result
Shown in the table.

出願友代理人弁収1:鈴江武彦 実施例  重量%Ag、 Ag/Au    モル比−
籾一   、・ −、F−瓦乙五ヱヱニ上A    バ
ルク(Ag)       0.2800.360 1     0、180        0.284(
Ag/5iOa)        0.3032   
  0.63        0.28(Ag/SiO
□)        0.3803        1
.2             0.285(Ag/S
iO□)        a、3854       
 2.05            0.288(Ag
/Sin□)        0.3515     
   0.58             0.284
(Ag/MgO) 6        2.0             
0.23B(Ag/Sin□) 7        4.5             
0.258(Ag/^u/SiO□) 7(a)    /<ルク(Ag/Au)      
0.236〜−じL−一人一 床温度   転化メタノール  ホルムアルデヒド選択
性℃    −一原一一一一〇 84.0    75.2         92.4
700    91.0         92.7f
19Q     6[f、9         94.
170G     77.8         93.
8895      75.4           
 93.071G       94.3      
      92.0695      7[1,79
3,070090,192,8
Applicant's attorney's payment 1: Example by Takehiko Suzue Weight %Ag, Ag/Au molar ratio -
Momoichi , -, F-Gile Otsugo Enijo A Bulk (Ag) 0.2800.360 1 0, 180 0.284 (
Ag/5iOa) 0.3032
0.63 0.28 (Ag/SiO
□) 0.3803 1
.. 2 0.285 (Ag/S
iO□) a, 3854
2.05 0.288 (Ag
/Sin□) 0.3515
0.58 0.284
(Ag/MgO) 6 2.0
0.23B (Ag/Sin□) 7 4.5
0.258 (Ag/^u/SiO□) 7(a) /<Luku(Ag/Au)
0.236~-diL - per person per bed temperature Converted methanol Formaldehyde selectivity °C - 11110 84.0 75.2 92.4
700 91.0 92.7f
19Q 6 [f, 9 94.
170G 77.8 93.
8895 75.4
93.071G 94.3
92.0695 7[1,79
3,070090,192,8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、表面積10m^2/g以下及び粒径100μm以上
の粒状坦体と、スパッタされその表面上に密接に付着し
た触媒活性な金属及び共スパッタ坦体物質とを含み、該
触媒活性金属は全触媒の0.01〜5.0重量%であり
及びスパッタされた付着物の3〜80容積%である複合
触媒。 2、共スパッタ坦体物質は粒状坦体と同一組成を有する
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項の触媒。 3、粒状坦体が耐火物であることを特徴とする、特許請
求の範囲1第2項の触媒。 4、粒状坦体が酸化物、窒化物、または炭化物であるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第3項の触媒。 5、粒状坦体がSiO_2、Al_2O_3、TiO_
2、SiCまたはSi_3N_4であることを特徴とす
る、特許請求の範囲第4項の触媒。 6、触媒活性金属がPt、Pd、Ag、Au、Re、R
h、RuまたはIr、若しくはこれらの混合物であるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第5項の触媒。 7、粒状坦体がAl_2O_3、SiO_2またはMg
Oであることを特徴とする、特許請求の範囲第6項の触
媒。 8、触媒活性金属がAg、Ag/Au、Pd、またはp
tであることを特徴とする、特許請求の範囲第7項の触
媒。
[Claims] 1. A particulate carrier having a surface area of 10 m^2/g or less and a particle size of 100 μm or more, and a catalytically active metal and co-sputtered carrier material sputtered and closely adhered on the surface thereof, A composite catalyst in which the catalytically active metal is 0.01-5.0% by weight of the total catalyst and 3-80% by volume of the sputtered deposit. 2. The catalyst according to claim 1, characterized in that the co-sputter carrier material has the same composition as the particulate carrier. 3. The catalyst according to claim 1, item 2, wherein the granular carrier is a refractory. 4. The catalyst according to claim 3, wherein the particulate carrier is an oxide, nitride, or carbide. 5. The granular carrier is SiO_2, Al_2O_3, TiO_
2. The catalyst according to claim 4, characterized in that it is SiC or Si_3N_4. 6. Catalytically active metal is Pt, Pd, Ag, Au, Re, R
6. Catalyst according to claim 5, characterized in that it is Ru, Ru or Ir, or a mixture thereof. 7. The granular carrier is Al_2O_3, SiO_2 or Mg
7. Catalyst according to claim 6, characterized in that O. 8. Catalytically active metal is Ag, Ag/Au, Pd, or p
Catalyst according to claim 7, characterized in that t.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6057812A (en) * 1992-02-20 2000-05-02 Hitachi, Ltd. Image display apparatus which both receives video information and outputs information about itself
JP2010012437A (en) * 2008-07-06 2010-01-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Environmental-conscious oxygen oxidation process by inorganic oxide catalyst having metal nanoparticles carried thereon

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JPS5220990A (en) * 1975-06-10 1977-02-17 Atomic Energy Authority Uk Catalysts* its manufacture and catalytic gas phase reactions using same

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