JPS6158893A - 化合物半導体の気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体の気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6158893A JPS6158893A JP18207284A JP18207284A JPS6158893A JP S6158893 A JPS6158893 A JP S6158893A JP 18207284 A JP18207284 A JP 18207284A JP 18207284 A JP18207284 A JP 18207284A JP S6158893 A JPS6158893 A JP S6158893A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- vapor phase
- tube
- reaction tube
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の気相成長装置に係シ、特に成長
後の均一性に優れた角形の反応管の減圧機構に関し、有
機金属を原料ガスとして用い、る化合物半導体の気相成
長に適合するものである。
後の均一性に優れた角形の反応管の減圧機構に関し、有
機金属を原料ガスとして用い、る化合物半導体の気相成
長に適合するものである。
従来の化合物半導体の気相成長装置を第２図に示す。図
において、反応管１の中に、ウェハ５を載置したサセプ
タ６を配置し、左方から原料ガス４を導入する。２はス
テンレスのフランジであ）、排気孔３を有する。図Ｂは
ａ−α′線断面図であシ、減圧する時に管が大気圧で壊
れるのを防止するため、円形の管を用いる。ところが、
円形の管を用いるとスペースのむだが多く（上・下の空
間）、ガスの交換が速くできないという欠点がある。そ
こで、反応管１を図Ｃのように角形にしてむだなスペー
スをなくすことが考えられる。しかし、この場合、気相
成長層の均一性を良くし、反応ガスの切換を急速に行う
ため減圧すると、大気圧で反応管が壊れる恐れがある。
において、反応管１の中に、ウェハ５を載置したサセプ
タ６を配置し、左方から原料ガス４を導入する。２はス
テンレスのフランジであ）、排気孔３を有する。図Ｂは
ａ−α′線断面図であシ、減圧する時に管が大気圧で壊
れるのを防止するため、円形の管を用いる。ところが、
円形の管を用いるとスペースのむだが多く（上・下の空
間）、ガスの交換が速くできないという欠点がある。そ
こで、反応管１を図Ｃのように角形にしてむだなスペー
スをなくすことが考えられる。しかし、この場合、気相
成長層の均一性を良くし、反応ガスの切換を急速に行う
ため減圧すると、大気圧で反応管が壊れる恐れがある。
一方、従来、第３図に示すごとく、角形の内管１２と、
丸形外管１１を一体に形成し、角形内管１２の中にウェ
ハ５とサセプタ６を配置し、角形内管１２に原料ガス４
を導入する気相成長装置がある。
丸形外管１１を一体に形成し、角形内管１２の中にウェ
ハ５とサセプタ６を配置し、角形内管１２に原料ガス４
を導入する気相成長装置がある。
この装置によれば、角形内管１２はむだなスペースがな
いのでガスの切換が速くでき、また減圧するとき、大気
圧は丸形外管１１のみにかかるため反応管の破壊の恐れ
がないという利点がある。しかし、このような二′Ｍ栴
造の反応管を一体に形成するのに製造上の困難性がち９
、また実際の気相成長時に、取扱いが面倒であるという
問題がある。
いのでガスの切換が速くでき、また減圧するとき、大気
圧は丸形外管１１のみにかかるため反応管の破壊の恐れ
がないという利点がある。しかし、このような二′Ｍ栴
造の反応管を一体に形成するのに製造上の困難性がち９
、また実際の気相成長時に、取扱いが面倒であるという
問題がある。
本発明は、従来角形反応管を用いて減圧気相成長を行う
のが困難であυ、特に有機金属を原料ガスに用いた化合
物半導体の気相成長の利点が十分生かせないという問題
を解決しようとするものである。
のが困難であυ、特に有機金属を原料ガスに用いた化合
物半導体の気相成長の利点が十分生かせないという問題
を解決しようとするものである。
本発明においては、有機金属を原料とする化合物半導体
の気相成長装置において、反応管を二重にし、角形の内
管と丸形の外管で構成し、該内管と外管の双方に各別の
減圧手段を接続する。そして、角形の内管を減圧する際
、丸形の外管と角形の内管の間を排気して、内管の圧力
と同程度、に減圧する。それによシ、丸形の外管にのみ
大気圧がかかるが、上述のように丸形の外管は大気圧に
耐えることができ、他方、角形の外管は圧力がかからな
いので破摸する恐れがない。従って、充分に角形内管を
減圧できる。
の気相成長装置において、反応管を二重にし、角形の内
管と丸形の外管で構成し、該内管と外管の双方に各別の
減圧手段を接続する。そして、角形の内管を減圧する際
、丸形の外管と角形の内管の間を排気して、内管の圧力
と同程度、に減圧する。それによシ、丸形の外管にのみ
大気圧がかかるが、上述のように丸形の外管は大気圧に
耐えることができ、他方、角形の外管は圧力がかからな
いので破摸する恐れがない。従って、充分に角形内管を
減圧できる。
第１図は本発明の一実施例であシ、７ランジ２７．２８
の間に角形・の内管２２と丸形の外管２１を装着してい
る。内管２２は原料ガス導入口２３を有し、内管２２と
外管２１との間には、置換ガス（Ｎ、）導入口２４が、
また７ランジ２７には内管２２と外管２１との間に接続
した排気口２６が設けられている。
の間に角形・の内管２２と丸形の外管２１を装着してい
る。内管２２は原料ガス導入口２３を有し、内管２２と
外管２１との間には、置換ガス（Ｎ、）導入口２４が、
また７ランジ２７には内管２２と外管２１との間に接続
した排気口２６が設けられている。
また、７ランジ２７には内管２３の排気口２５が設けら
れている。
れている。
実際の気相成長においては、角形の外管２２の内部は、
排気口２５で減圧され、丸形の内管２１との間は排気口
２６で排気される。それによシ、角形の内管２２の内外
の圧力差をなくすことができ、角形の内管が壊れる恐れ
がなく、安全な処理がで、 きる。そして、ｗ！Ｊ１図
の構成の気相成長装置は、内管２２と外管２１はそれぞ
れ別個に製造することができ、装置の組立、ウェハ２９
の装填・取出し。
排気口２５で減圧され、丸形の内管２１との間は排気口
２６で排気される。それによシ、角形の内管２２の内外
の圧力差をなくすことができ、角形の内管が壊れる恐れ
がなく、安全な処理がで、 きる。そして、ｗ！Ｊ１図
の構成の気相成長装置は、内管２２と外管２１はそれぞ
れ別個に製造することができ、装置の組立、ウェハ２９
の装填・取出し。
装置の分解洗浄等も簡単に行なえる。そして、角形の内
管２２は充分に減圧され、むだなスペースもないので角
形の反応管による利点と減圧の相刺的効果によって、有
機金属を原料ガスとする気相成長が良好に行なえる。
管２２は充分に減圧され、むだなスペースもないので角
形の反応管による利点と減圧の相刺的効果によって、有
機金属を原料ガスとする気相成長が良好に行なえる。
以下に、本発明装置によるＧαＡｔの気相成長の例を示
す。
す。
ＧαＡｘ基板に次の２Ｎの気相成長を行った。
（第１眉）
原料ガス
Ｈ２ベース ５Ｌ
ｒＡｒＧ（）リメチルガリウム） ５０ｃｃ／分６％
ＡｚＨＢ ２００ ａｃ／分圧力（内管）
１０ Ｔｏｒｒ 圧力（外管） １０ Ｔｏｒｒ 成長温度 ７００℃ 成長速度 ０．１５μｍ／分 （第２Ｎ） 上述の第１層と同じ条件に加えてＨ２Ｓａ （４ベース
３０ｐ７＋ｎ）を１０ｃｃ／分流す。
ＡｚＨＢ ２００ ａｃ／分圧力（内管）
１０ Ｔｏｒｒ 圧力（外管） １０ Ｔｏｒｒ 成長温度 ７００℃ 成長速度 ０．１５μｍ／分 （第２Ｎ） 上述の第１層と同じ条件に加えてＨ２Ｓａ （４ベース
３０ｐ７＋ｎ）を１０ｃｃ／分流す。
（不純物濃度分布）
上記気相成長のプロフィルを第４図に示す。図示のごと
く、本実施例では、ガスの切換がきわめて速くでき、急
峻な不純物濃度分布が得られる。
く、本実施例では、ガスの切換がきわめて速くでき、急
峻な不純物濃度分布が得られる。
これに対して、従来の丸形管による減圧気相成長では不
純物濃度分布にダレを生ずる。
純物濃度分布にダレを生ずる。
本発明によれば、角形の反応管を用いた減圧気相成長が
可能となり、有機金属を原料ガスとする気相成長を均一
に行うことができる。そして、本発明によればガスの切
換えを急速に行うことができるため、急峻な不純物濃度
分布を得ることができる。また、本発明装置はその製造
が簡単にでき、取扱いも容易である。
可能となり、有機金属を原料ガスとする気相成長を均一
に行うことができる。そして、本発明によればガスの切
換えを急速に行うことができるため、急峻な不純物濃度
分布を得ることができる。また、本発明装置はその製造
が簡単にでき、取扱いも容易である。
第１図Ａ、Ｂは、それぞれ本発明の化合物半導体の気相
成長装置の一実施例の側断面図及び継断面図、 第２図Ａ、Ｅ、Ｃは、それぞれ従来の化合物半導体の気
相成長装置の側断面図、縦断面図、及び他の従来例の縦
断面図、 第３図Ａ、Ｅは、それぞれ従来の化合物半導体の気相成
長装置の再に他の従来例の側断面図及び゛ｒ乏断面図、 第４図は本発明の装置による気相成長例の不純物濃度分
布を示す図。 （主な符号） ２１・・・（丸形の）外管 ２２・・・（角形の）内管 ２３・・・原料ガス導入口 ２４・・・置換ガス導入口 ２５・・・排気口 ２６・・・排気口 ２７・・・７ランジ ２８・・・７２ンジ ２９・・・ウェハ
成長装置の一実施例の側断面図及び継断面図、 第２図Ａ、Ｅ、Ｃは、それぞれ従来の化合物半導体の気
相成長装置の側断面図、縦断面図、及び他の従来例の縦
断面図、 第３図Ａ、Ｅは、それぞれ従来の化合物半導体の気相成
長装置の再に他の従来例の側断面図及び゛ｒ乏断面図、 第４図は本発明の装置による気相成長例の不純物濃度分
布を示す図。 （主な符号） ２１・・・（丸形の）外管 ２２・・・（角形の）内管 ２３・・・原料ガス導入口 ２４・・・置換ガス導入口 ２５・・・排気口 ２６・・・排気口 ２７・・・７ランジ ２８・・・７２ンジ ２９・・・ウェハ
Claims (1)
- 有機金属を原料とする化合物半導体の気相成長装置にお
いて、反応管を二重に構成し、成長基板が配置される内
管の断面を角形に、外管の断面を丸形となし、該内管及
び内管と外管との間にそれぞれ減圧手段を接続すること
を特徴とする化合物半導体の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18207284A JPS6158893A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18207284A JPS6158893A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158893A true JPS6158893A (ja) | 1986-03-26 |
Family
ID=16111858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18207284A Pending JPS6158893A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4991540A (en) * | 1987-06-30 | 1991-02-12 | Aixtron Gmbh | Quartz-glass reactor for MOCVD systems |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP18207284A patent/JPS6158893A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4991540A (en) * | 1987-06-30 | 1991-02-12 | Aixtron Gmbh | Quartz-glass reactor for MOCVD systems |
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