JPS6158471A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
- Publication number
- JPS6158471A JPS6158471A JP17990784A JP17990784A JPS6158471A JP S6158471 A JPS6158471 A JP S6158471A JP 17990784 A JP17990784 A JP 17990784A JP 17990784 A JP17990784 A JP 17990784A JP S6158471 A JPS6158471 A JP S6158471A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- terminals
- circuit
- photorelay
- power supply
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は電源装置、より詳しくは商用交流から直流出力
を得る電源装置に関する。
を得る電源装置に関する。
〈従来技術〉
商用交流から直流出力を得る従来のブリッジ整流方式の
電源装置においては、交流電圧が１００Ｖのときの直流
出力電圧に対して交流電圧が２２０Ｖのときの直流出力
電圧が約２倍となり、異なった商用交流電圧に対して一
定電圧の直流出方が必要な場合には適していなかった。
電源装置においては、交流電圧が１００Ｖのときの直流
出力電圧に対して交流電圧が２２０Ｖのときの直流出力
電圧が約２倍となり、異なった商用交流電圧に対して一
定電圧の直流出方が必要な場合には適していなかった。
〈発明の目的〉
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、簡単な構成で異なった交流電圧に対して一定電圧
の直流出力が得られるようにした電源装置を提供するこ
とである。
的は、簡単な構成で異なった交流電圧に対して一定電圧
の直流出力が得られるようにした電源装置を提供するこ
とである。
〈発明の構成〉
本発明においては、倍圧整流と直接整流とが可能である
整流手段と、交流電源電圧に応じた信号を出力する信号
出力手段と、この信号出力手段からの信号に応じて動作
するソリッドステートホトリレーあるいはこれと同等の
機能を有する回路素子または回路手段とを備え、上記ソ
リッドステートホトリレーあるいはこれと同等の回路素
子または回路手段によって上記整流手段を倍圧整流が可
能な状態または直接整流が可能な状態のいずれかに切り
換えるようにしたことを特徴とする。
整流手段と、交流電源電圧に応じた信号を出力する信号
出力手段と、この信号出力手段からの信号に応じて動作
するソリッドステートホトリレーあるいはこれと同等の
機能を有する回路素子または回路手段とを備え、上記ソ
リッドステートホトリレーあるいはこれと同等の回路素
子または回路手段によって上記整流手段を倍圧整流が可
能な状態または直接整流が可能な状態のいずれかに切り
換えるようにしたことを特徴とする。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例について説明する。
第１図は電源装置の回路構成を示している。α１１１子
ｔｌ、ｔ２間には、抵抗Ｒ２，ダイオードＤ６゜ツェナ
ーダイオードＺＤ２並びに抵抗Ｒ３が直列に接続され、
抵抗Ｒ３と並列にコンデンサＣ４が接続される。端子ｔ
ｌ＋ｔ２間には、さらに、抵抗Ｒ１，ダイオードＤ５及
びツェナーダイオードＺＤ１が直列に接続され、ツェナ
ーダイオードＺＤ１と並列にコンデンサＣ３が接続され
る。
ｔｌ、ｔ２間には、抵抗Ｒ２，ダイオードＤ６゜ツェナ
ーダイオードＺＤ２並びに抵抗Ｒ３が直列に接続され、
抵抗Ｒ３と並列にコンデンサＣ４が接続される。端子ｔ
ｌ＋ｔ２間には、さらに、抵抗Ｒ１，ダイオードＤ５及
びツェナーダイオードＺＤ１が直列に接続され、ツェナ
ーダイオードＺＤ１と並列にコンデンサＣ３が接続され
る。
端子ｔ１．ｔ２間には、また、ダイオードブリッジＤＢ
の交流側端子が接続され、ダイオードブリッジＤＢの第
１の直流側端子がコンデンサＣ１゜Ｃ２を直列に介して
接地され、ダイオードブリッジＤＢの第２の直流側端子
が接地される。ダイオードブリッジＤＢの第１の直流側
端子には、さらに、高周波トランスＴの１次巻線が接続
され、この１次巻線にスイッチング素子Ｑｓｗのコレク
タが接続され、スイッチング素子Ｑｓｗのエミッタが接
地される。このスイッチング素子Ｑ ｓ ｗのベースに
は図示しない信号源が接続される。高周波トランスＴの
２次巻線には整流器Ｄ７と平滑コンデンサＣ５が直列に
接続され、平滑コンデンサＣ５と並列に負荷Ｒが接続さ
れる。
の交流側端子が接続され、ダイオードブリッジＤＢの第
１の直流側端子がコンデンサＣ１゜Ｃ２を直列に介して
接地され、ダイオードブリッジＤＢの第２の直流側端子
が接地される。ダイオードブリッジＤＢの第１の直流側
端子には、さらに、高周波トランスＴの１次巻線が接続
され、この１次巻線にスイッチング素子Ｑｓｗのコレク
タが接続され、スイッチング素子Ｑｓｗのエミッタが接
地される。このスイッチング素子Ｑ ｓ ｗのベースに
は図示しない信号源が接続される。高周波トランスＴの
２次巻線には整流器Ｄ７と平滑コンデンサＣ５が直列に
接続され、平滑コンデンサＣ５と並列に負荷Ｒが接続さ
れる。
上述のツェナーダイオードＺＤ２と抵抗Ｒ３の接続点が
トランジスタＱ１のベースに接続され、このトランジス
タＱ１のエミッタが端子Ｌ２に接続される。トランジス
タＱ１のコレクタは、抵抗Ｒ４を介してソリッドステー
トホトリレーＳＳＲの端子１に接続されるとともに、ト
ランジスタＱ２のベースに接続される。トランジスタＱ
２のコレクタは抵抗Ｒ５を介してソリッドステートホト
リレーＳＳＲの端子２に接続され、トランジスタＱ２の
エミッタは端子ｔ２に接続される。
トランジスタＱ１のベースに接続され、このトランジス
タＱ１のエミッタが端子Ｌ２に接続される。トランジス
タＱ１のコレクタは、抵抗Ｒ４を介してソリッドステー
トホトリレーＳＳＲの端子１に接続されるとともに、ト
ランジスタＱ２のベースに接続される。トランジスタＱ
２のコレクタは抵抗Ｒ５を介してソリッドステートホト
リレーＳＳＲの端子２に接続され、トランジスタＱ２の
エミッタは端子ｔ２に接続される。
ソリッドステートホトリレーＳＳＲでは、端子１．２間
には発光ダイオードＬＥＤが接続され、端子３．４間に
ホトトライアックＰＴが接続される。そして、ソリッド
ステートホトリレーＳＳＲの端子３は端子ｔ２に接続さ
れ、ソリッドステートホトリレー５Ｓ）Ｒの端子４はコ
ンデンサＣ１とコンデンサＣ２との接続点に接続される
。
には発光ダイオードＬＥＤが接続され、端子３．４間に
ホトトライアックＰＴが接続される。そして、ソリッド
ステートホトリレーＳＳＲの端子３は端子ｔ２に接続さ
れ、ソリッドステートホトリレー５Ｓ）Ｒの端子４はコ
ンデンサＣ１とコンデンサＣ２との接続点に接続される
。
端子ｔ１．ｔ２間には、電圧が１００Ｖまたは２２０ｖ
の商用交流電源ｅが接続される。
の商用交流電源ｅが接続される。
以下、上述の回路の動作について説明する。
ソリッドステートホトリレーＳＳＲは、端子１゜２間に
電流を流すと、発光ダイオードＬＥＤが発光し、ホトト
ライアックＰＴが導通して、端子３゜４間が導通状態に
なる。端子１，２間に電流が流れない場合には、端子３
，４間は非導通状態になる。 。
電流を流すと、発光ダイオードＬＥＤが発光し、ホトト
ライアックＰＴが導通して、端子３゜４間が導通状態に
なる。端子１，２間に電流が流れない場合には、端子３
，４間は非導通状態になる。 。
抵抗Ｒ１は電圧降下用の抵抗であり、この抵抗Ｒ１，ダ
イオードＤ５．ツェナーダイオードＺＤ１並びに平滑コ
ンデンサＣ３よりなる回路の点Ｐ１において、直流電圧
Ｅ、が得られる。また、電圧降下用抵抗Ｒ２，ダイオー
ドＤ６．ツェナーダイオードＺＤ２．抵抗Ｒ３並びに平
滑コンデンサＣ４よりなる回路の点Ｐ２において、ツェ
ナーダイオードＺＤ２のツェナー電圧Ｅｚ０２より高い
電圧がツェナーダイオードＺＤ２に印加されたときにの
み、直流電圧Ｅが得られる。
イオードＤ５．ツェナーダイオードＺＤ１並びに平滑コ
ンデンサＣ３よりなる回路の点Ｐ１において、直流電圧
Ｅ、が得られる。また、電圧降下用抵抗Ｒ２，ダイオー
ドＤ６．ツェナーダイオードＺＤ２．抵抗Ｒ３並びに平
滑コンデンサＣ４よりなる回路の点Ｐ２において、ツェ
ナーダイオードＺＤ２のツェナー電圧Ｅｚ０２より高い
電圧がツェナーダイオードＺＤ２に印加されたときにの
み、直流電圧Ｅが得られる。
交流電源ｅの電圧が２２０ｖの場合、ツェナーダイオー
ドＺＤ２に印加される電圧がツェナー電圧ＥｚＤ２より
高く、点Ｐ２に直流電圧Ｅが生じる。そして、この電圧
已によりトランジスタＱ１が導通状態になり、抵抗Ｒ４
の電圧降下により、トランジスタＱ１のコレクタはＯ■
にほぼ近いトランジスタＱ１のコレクタ、エミッタ間飽
和電圧Ｖｃεｓａｔになる。したがって、トランジスタ
Ｑ２は非導通状態になり、ソリッドステートホトリレー
ＳＳＲの端子１，２間には電流が流れず、ソリッドステ
ートホトリレーＳＳＲの端子３，４間が非導通状態とな
る。
ドＺＤ２に印加される電圧がツェナー電圧ＥｚＤ２より
高く、点Ｐ２に直流電圧Ｅが生じる。そして、この電圧
已によりトランジスタＱ１が導通状態になり、抵抗Ｒ４
の電圧降下により、トランジスタＱ１のコレクタはＯ■
にほぼ近いトランジスタＱ１のコレクタ、エミッタ間飽
和電圧Ｖｃεｓａｔになる。したがって、トランジスタ
Ｑ２は非導通状態になり、ソリッドステートホトリレー
ＳＳＲの端子１，２間には電流が流れず、ソリッドステ
ートホトリレーＳＳＲの端子３，４間が非導通状態とな
る。
第２図はこのソリッドステートホトリレーＳＳＲ□ の
端子３．４間が非導通状態のときの第１図の回路の等価
回路を示す。この場合には、ダイオニドブリッジＤＢの
４個のダイオードＤＩ、Ｄ２．Ｄ３゜Ｄ４により交流電
圧ｅが直接全波整流され、コンデンサＣＩ、Ｃ２の直列
容量により平滑化されて得られた直流電圧Ｅ１が負荷Ｒ
Ｌに供給される。
端子３．４間が非導通状態のときの第１図の回路の等価
回路を示す。この場合には、ダイオニドブリッジＤＢの
４個のダイオードＤＩ、Ｄ２．Ｄ３゜Ｄ４により交流電
圧ｅが直接全波整流され、コンデンサＣＩ、Ｃ２の直列
容量により平滑化されて得られた直流電圧Ｅ１が負荷Ｒ
Ｌに供給される。
コンデンサＣ１とコンデンサＣ２の静電容量値は、はぼ
同じである。
同じである。
交流電源ｅの電圧が１００■の場合、ツェナーダイオー
ドＺＤ２に印加される電圧がツェナー電圧Ｅｚ０２より
低く、点Ｐ２において直流電圧Ｅは得られず、トランジ
スタＱ１は非導通状態になる。したがって、トランジス
タＱ２のベースに直流電圧Ｅ１が生じている点Ｐ１から
抵抗Ｒ４を通じて電流が流れ、トランジスタＱ２は導通
状態になる。この結果、ソリッドステートホトリレーＳ
ＳＲの端子１，２間に抵抗Ｒ５，トランジスタＱ２を通
じて点Ｐ１から電流が流れ、ソリッドステートホトリレ
ーＳＳＲの端子３，４間が導通状態になる。
ドＺＤ２に印加される電圧がツェナー電圧Ｅｚ０２より
低く、点Ｐ２において直流電圧Ｅは得られず、トランジ
スタＱ１は非導通状態になる。したがって、トランジス
タＱ２のベースに直流電圧Ｅ１が生じている点Ｐ１から
抵抗Ｒ４を通じて電流が流れ、トランジスタＱ２は導通
状態になる。この結果、ソリッドステートホトリレーＳ
ＳＲの端子１，２間に抵抗Ｒ５，トランジスタＱ２を通
じて点Ｐ１から電流が流れ、ソリッドステートホトリレ
ーＳＳＲの端子３，４間が導通状態になる。
第３図はこのソリッドステートホトリレーＳＳＲの端子
３，４間が導通状態のときの第１図の回路の等価回路を
示す。この場合には、ダイオードブリッジＤＢの２個の
ダイオードＤｉ、Ｄ２と平滑コンデンサＣＩ、Ｃ２によ
り交流電圧ｅが倍圧全波整流され、直流電圧２Ｅ２が負
荷ＲＬに供給される。この直流電圧２Ｅ２は、交流電圧
ｅが１００■のほぼ２倍の２２０■であるときの上述の
直流電圧Ｅ１とほぼ等しい。
３，４間が導通状態のときの第１図の回路の等価回路を
示す。この場合には、ダイオードブリッジＤＢの２個の
ダイオードＤｉ、Ｄ２と平滑コンデンサＣＩ、Ｃ２によ
り交流電圧ｅが倍圧全波整流され、直流電圧２Ｅ２が負
荷ＲＬに供給される。この直流電圧２Ｅ２は、交流電圧
ｅが１００■のほぼ２倍の２２０■であるときの上述の
直流電圧Ｅ１とほぼ等しい。
以上のように、交流入力電圧が２２０■の場合にはソリ
ッドステートホトリレーＳＳＲの端子３゜４間を非導通
とし、交流入力電圧が２２０■の約１／２である１００
■の場合にはソリッドステートホトリレーＳＳＲの端子
３，４間を導通状態とすることにより、交流入力電圧が
２２０Ｖと１００■のいずれにおいても、直流出力電圧
をほぼ一定とすることができる。そして、この交流入力
電圧の変化に応じて回路を切り換えるのに、ソリッドス
テートホトリレーＳＳＲのように、発光ダイオードＬＥ
Ｄであるコントロール部とホトトライア・レフＰＴであ
るスイッチング部とが電気的に絶縁されているものを用
いることにより、第１図に示すように回路構成が簡単に
なる。
ッドステートホトリレーＳＳＲの端子３゜４間を非導通
とし、交流入力電圧が２２０■の約１／２である１００
■の場合にはソリッドステートホトリレーＳＳＲの端子
３，４間を導通状態とすることにより、交流入力電圧が
２２０Ｖと１００■のいずれにおいても、直流出力電圧
をほぼ一定とすることができる。そして、この交流入力
電圧の変化に応じて回路を切り換えるのに、ソリッドス
テートホトリレーＳＳＲのように、発光ダイオードＬＥ
Ｄであるコントロール部とホトトライア・レフＰＴであ
るスイッチング部とが電気的に絶縁されているものを用
いることにより、第１図に示すように回路構成が簡単に
なる。
第１図の回路において、スイッチング素子Ｑｓｗは、負
荷端の電圧に応じたＰＷＭ制御（パルス幅変調制御）に
より安定化した直流出力を得るスイッチングレギュレー
タを構成する。このスイッチングレギュレータに入力す
る直流電圧を、上述の回路により１００ｖから２２０■
までの交流入力電圧に対してほぼ一定とすることにより
、従来のブリッジ整流方式のように、１００ｖから２２
０■までの交流入力電圧に対してスイッチングレギュレ
ータに入力する直流電圧が２倍に変化する場合に較べて
、 ｉ）平滑コンデンサＣ５の容量が約１／４になるｉｉ）
スイッチング素子Ｑｓｗの電流定格が半分でよい ｉｉｉ ）スイッチングトランスＴの２次巻線の巻数を
少なくできる ｉｖ）ＰＷＭ制御の制御範囲が狭くてよいので、スイッ
チング周波数を高くすることができるなどの特長が得ら
れ、”装置の小型化及びコストダウンが可能になる。
荷端の電圧に応じたＰＷＭ制御（パルス幅変調制御）に
より安定化した直流出力を得るスイッチングレギュレー
タを構成する。このスイッチングレギュレータに入力す
る直流電圧を、上述の回路により１００ｖから２２０■
までの交流入力電圧に対してほぼ一定とすることにより
、従来のブリッジ整流方式のように、１００ｖから２２
０■までの交流入力電圧に対してスイッチングレギュレ
ータに入力する直流電圧が２倍に変化する場合に較べて
、 ｉ）平滑コンデンサＣ５の容量が約１／４になるｉｉ）
スイッチング素子Ｑｓｗの電流定格が半分でよい ｉｉｉ ）スイッチングトランスＴの２次巻線の巻数を
少なくできる ｉｖ）ＰＷＭ制御の制御範囲が狭くてよいので、スイッ
チング周波数を高くすることができるなどの特長が得ら
れ、”装置の小型化及びコストダウンが可能になる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明においては、ソリッドステ
ートホトリレーあるいはこれと同等の機能を有する回路
素子または回路手段により交流電源電圧に応じて倍圧整
流と直接整流とを切り換えるようにしたから、簡単な構
成で異なった交流入力電圧に対して一定である直流出力
電圧が得られるとともに、スイッチングレギュレータの
定格を下げることができ、装置の小型化とコストダウン
が可能となる。
ートホトリレーあるいはこれと同等の機能を有する回路
素子または回路手段により交流電源電圧に応じて倍圧整
流と直接整流とを切り換えるようにしたから、簡単な構
成で異なった交流入力電圧に対して一定である直流出力
電圧が得られるとともに、スイッチングレギュレータの
定格を下げることができ、装置の小型化とコストダウン
が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図と第３
図は第１図の回路の等価回路を示す回路図である。 ＤＢ・・・・・ダイオードブリッジ ＣＩないしＣ５・−・コンデンサ Ｒ１ないしＲ５−・・抵抗 Ｄ５．Ｄ６・−・ダイオード ＺＤＩ、ＺＤ２・−ツェナーダイオードＱ１．Ｑ２・−
・トランジスタ Ｓ Ｓ Ｒ−ソリッドステートホトリレーＱ ｓ ｗ−
・スイッチング素子 ｅ・−・商用交流電源 Ｔ−・スイッチングトランス Ｄ７・−・整流器
図は第１図の回路の等価回路を示す回路図である。 ＤＢ・・・・・ダイオードブリッジ ＣＩないしＣ５・−・コンデンサ Ｒ１ないしＲ５−・・抵抗 Ｄ５．Ｄ６・−・ダイオード ＺＤＩ、ＺＤ２・−ツェナーダイオードＱ１．Ｑ２・−
・トランジスタ Ｓ Ｓ Ｒ−ソリッドステートホトリレーＱ ｓ ｗ−
・スイッチング素子 ｅ・−・商用交流電源 Ｔ−・スイッチングトランス Ｄ７・−・整流器
Claims (2)
- （１）倍圧整流と直接整流とが可能である整流手段と、
交流電源電圧に応じた信号を出力する信号出力手段と、
この信号出力手段からの信号に応じて動作するソリッド
ステートホトリレーあるいはこれと同等の機能を有する
回路素子または回路手段とを備え、上記ソリッドステー
トホトリレーあるいはこれと同等の機能を有する回路素
子または回路手段によって上記整流手段を倍圧整流が可
能な状態または直接整流が可能な状態のいずれかに切り
換えるようにしたことを特徴とする電源装置。 - （２）上記整流手段によって得られた直流出力電圧を安
定化するスイッチングレギュレータを備えた特許請求の
範囲第１項記載の電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17990784A JPS6158471A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17990784A JPS6158471A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158471A true JPS6158471A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16073992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17990784A Pending JPS6158471A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158471A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343568A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-24 | Nippon Chemicon Corp | 交流入力自動切換回路 |
| JPS6389061A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 交流入力自動切換回路 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP17990784A patent/JPS6158471A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343568A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-24 | Nippon Chemicon Corp | 交流入力自動切換回路 |
| JPS6389061A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 交流入力自動切換回路 |
| JPH0417030B2 (ja) * | 1986-10-01 | 1992-03-25 | Nippon Chemicon |
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