JPS6158306A - Parallel connection circuit of transistor - Google Patents
Parallel connection circuit of transistorInfo
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- JPS6158306A JPS6158306A JP59180076A JP18007684A JPS6158306A JP S6158306 A JPS6158306 A JP S6158306A JP 59180076 A JP59180076 A JP 59180076A JP 18007684 A JP18007684 A JP 18007684A JP S6158306 A JPS6158306 A JP S6158306A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数個のトランジスタを並列接続する回路に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a circuit that connects a plurality of transistors in parallel.
第2図は従来のトランジスタの並列接続回路を示す図で
ある。同図において、Q□、Q2は夫々が並列接続され
ているトランジスタ、T。FIG. 2 is a diagram showing a conventional parallel connection circuit of transistors. In the figure, Q□ and Q2 are transistors connected in parallel, respectively.
は帰還巻線N1、駆動巻線N2、制御巻線N。are the feedback winding N1, the drive winding N2, and the control winding N.
を有する駆動トランス、T1 は上記各トランジスタ
Q1、Q2 に流れる電流を均等にするバランサ用変
流器であシ、該変流器の等しい巻数の1次巻線N、及び
2次巻線N、は夫々トランジスタQ□ 、Q2 のエ
ミッタに直列接続されてい 。The drive transformer T1 is a balancer current transformer that equalizes the current flowing through each of the transistors Q1 and Q2, and the current transformer has a primary winding N and a secondary winding N having the same number of turns. are connected in series to the emitters of transistors Q□ and Q2, respectively.
る。1.2は主回路端子である。尚、各巻線に付されて
いる黒点は同一極性を示す。Ru. 1.2 is the main circuit terminal. Note that the black dots attached to each winding indicate the same polarity.
次にこの回路の動作を説明する。今、各トランジスタQ
ユ 、Q2 が負荷電流を等しく分担しているとすれ
ば、トランジスタQ、 、Q2 のエミッタ電流は
等しい。従ってバランサ用変流器T8 の巻線Np%
Ns に流れる電流も等しく、巻線N、と巻線N3
は逆極性で且つ等しい巻数であるから夫々の電流の形
成する磁束は打消し合って巻線N %N8 の両端電圧
は零である。Next, the operation of this circuit will be explained. Now, each transistor Q
If U and Q2 share the load current equally, the emitter currents of transistors Q, Q2 and Q2 are equal. Therefore, the winding Np% of the balancer current transformer T8
The current flowing through Ns is also equal, and winding N and winding N3
Since they have opposite polarities and the same number of turns, the magnetic fluxes formed by the respective currents cancel each other out, and the voltage across the winding N %N8 is zero.
ところが、今、電流バランスが崩れて、例えばトランジ
スタQ1 の電流がトランジスタQ2 の電流よりも
増加したとするとこの増加した電流の磁束の変化によシ
巻線N、 (従って巻線N3にも)には図示極性の電
圧e1 が誘起される。However, if the current balance collapses and, for example, the current of transistor Q1 increases more than the current of transistor Q2, the change in the magnetic flux of this increased current causes windings N and N (therefore also winding N3) to A voltage e1 of the polarity shown is induced.
該電圧e1 は駆動巻線N2 の電圧e0 と逆極
性なのでトランジスタのバイアスを浅<シ、エミツタ電
流全減少させる。同時に巻線N3 に誘起された電圧−
elは駆動巻線N2 のt圧e0 と同極性であって
トランジスタQ2 のバイアスを深くシ、エミッタ電
流を増加させる。これによりトランジスタQ、 、Q
2 の電流のアンバランスが補償される。以上の説明
はトランジスタQ工の電流の増加についてのみの説明で
あるが電流の減少についても同様に説明できる。又、ト
ランジスタQ2 についても全く同様である。Since the voltage e1 has the opposite polarity to the voltage e0 of the drive winding N2, the bias of the transistor is reduced and the emitter current is completely reduced. At the same time, the voltage induced in winding N3 -
el has the same polarity as the t-pressure e0 of the drive winding N2, deeply biasing the transistor Q2 and increasing the emitter current. This results in transistors Q, ,Q
2 current imbalance is compensated for. The above explanation is only about the increase in the current of the transistor Q, but the same explanation can be applied to the decrease in the current. The same applies to transistor Q2.
しかしこの従来回路では、上記トランジスタQ□ とQ
2 の特性上の相異から該トランジスタQ1、Q2t
−同時にターンオフ、或はターンオフさせることが難し
く、従ってターンオン時にはターンオンの遅いトランジ
スタに、又ターンオフ時にはターンオフの速いトランジ
スタニ夫々電圧2E(Eは主回路端子1.2間に印加さ
れる電源電圧)が印加される為、耐圧の高いトランジス
タを必要とするという欠点がめった。However, in this conventional circuit, the transistors Q□ and Q
2, the transistors Q1 and Q2t
- It is difficult to turn off or turn off at the same time, so the voltage 2E (E is the power supply voltage applied between the main circuit terminals 1 and 2) is applied to the transistor that turns on slowly when turning on, and to the transistor that turns off quickly when turning off. Since the voltage is applied, it rarely requires a transistor with a high withstand voltage.
本発明は以上の欠点を除去するために、上記バランサ用
変流器の1次巻線或は/及び2次巻線の両端にダイオー
ドを接続したことを特徴とするトランジスタの並列接続
回路を提供するものである。In order to eliminate the above drawbacks, the present invention provides a parallel connection circuit of transistors, characterized in that diodes are connected to both ends of the primary winding and/or secondary winding of the current transformer for balancer. It is something to do.
本発明は上記のような構成になっているので、トランジ
スタのターンオン及びターンオフ時に、トランジスタの
エミッタに接続されたバランサ用変流器の各巻線に誘起
する電圧上上記ダイオードの順方向ドロップ電圧以下に
抑制することにより並列接続された各トランジスタがほ
ぼ同時にターンオン、ターンオフするように動作させる
ことができると共に、各トランジスタのコレクタ・エミ
ッタ間電圧を電源電圧と上記ダイオードの順方向ドロッ
プ電圧の和の電圧以下に抑制することができる。Since the present invention has the above configuration, when the transistor is turned on and off, the voltage induced in each winding of the balancer current transformer connected to the emitter of the transistor is lower than the forward drop voltage of the diode. By suppressing the voltage, each transistor connected in parallel can be operated to turn on and turn off almost simultaneously, and the voltage between the collector and emitter of each transistor can be lowered to the sum of the power supply voltage and the forward drop voltage of the diode. can be suppressed to
第1図は本発明の一実施例を示す図でおる。 FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
同図において、変流器T1 の巻数の等しい1次巻M
N、及び2次巻線N、の両端に夫々巻線N、 、N、に
発生するTt8Et−制限するダイオ−欅 ドD1.
D、 が接続されている。In the same figure, the primary winding M having the same number of turns of the current transformer T1
Tt8Et-limiting diodes D1.N and Tt8Et-limiting diodes D1.
D, is connected.
次にこの回路の動作を説明する。トランジスタQ1、Q
2 が共にオンしている状態の動作は第2図の説明と同
様であるので省略し、トランジスタQ1、Q2 のタ
ーンオン時、ターンオフ時の動作について説明する。Next, the operation of this circuit will be explained. Transistor Q1, Q
Since the operation in the state where both transistors Q1 and Q2 are on is the same as the explanation in FIG. 2, the explanation will be omitted, and the operation when the transistors Q1 and Q2 are turned on and turned off will be explained.
先ストランジスタのターンオン時の動作について説明す
る。例えはトランジスタのターンオン時にトランジスタ
Q8 がQ2 よシ先にオンしようとすると、巻線
N、に黒点を正とする電圧が誘起し、ダイオードD2?
!−通して電流iD2が流れる。この為トランジスタQ
2 のエミッタ電圧は負の電圧−vD2(vD2はダイ
オードD2 の順方向ドロップ電圧)となフ、トラン
ジスタQ2のペース・エミッタ間は順方向バイアスとな
ってトランジスタQ2七オンさせるように作用する。他
方トランジスタQ1 のエミッタ電圧は正の電圧vD2
となってトランジスタQ1 のペース・エミッタ間は
逆バイアスとなり、トランジスタQ1t″オフさせるよ
うに作用する。このようにしてトランジスタのターンオ
ン時にはトランジスタQ、 、Q、 t−はぼ同時
にオンさせることができると共に、トランジスタQ2
のコレクタ・エミッタ間電圧’iE+vD2に抑制する
ことができる。The operation when the first transistor is turned on will be explained. For example, when the transistor is turned on, if transistor Q8 tries to turn on before Q2, a voltage with the black dot as positive is induced in the winding N, and the diode D2?
! - a current iD2 flows through it. For this reason, transistor Q
Since the emitter voltage of transistor Q2 is a negative voltage -vD2 (vD2 is the forward drop voltage of diode D2), a forward bias is applied between the pace and emitter of transistor Q2, which acts to turn on transistor Q2. On the other hand, the emitter voltage of transistor Q1 is a positive voltage vD2
As a result, a reverse bias is created between the pace and emitter of the transistor Q1, which acts to turn off the transistor Q1t''.In this way, when the transistors are turned on, the transistors Q, , Q, and t- can be turned on almost simultaneously. , transistor Q2
The collector-emitter voltage can be suppressed to 'iE+vD2.
次にトランジスタのターンオフ時の動作について説明す
る。例えばトランジスタのターンオフ時にトランジスタ
Q1 がQ2 よシ先にオフしようとすると、巻線
Np に黒点を負とする電圧が誘起し、ダイオードD
1 全通して電流’DIが流れる。この為トランジスタ
Q1 のエミッタ電圧は負の電圧−vD8(vDlは
ダイオードD□ の順方向ドロップ電圧)となシ、トラ
ンジスタQ1のペース・エミッタ間は順方向バイアスと
なってトランジスタQ1 kオンさせるように作用する
。他方トランジスタQ2 のエミッタ電圧は正の電圧
vDよとなってトランジスタQ2 のペース・エミッ
タ間は逆バイアスとなり、トランジスタQ2ヲオフさせ
るように作用する。このようにしてトランジスタのター
ンオフ時にはトランジスタQl 、Q2 k−はぼ同
時にオフさせることができると共に、トランジスタQ0
のコレクターエミッタ間電圧’kE+VD1に抑制
することができる。Next, the operation when the transistor is turned off will be explained. For example, if transistor Q1 tries to turn off before Q2 when the transistor is turned off, a voltage that makes the black dot negative is induced in the winding Np, and the diode D
1 Current 'DI flows throughout. Therefore, the emitter voltage of the transistor Q1 becomes a negative voltage -vD8 (vDl is the forward drop voltage of the diode D□), and the space between the pace and emitter of the transistor Q1 becomes a forward bias, turning on the transistor Q1. act. On the other hand, the emitter voltage of the transistor Q2 becomes a positive voltage vD, and a reverse bias is created between the pace and emitter of the transistor Q2, which acts to turn off the transistor Q2. In this way, when the transistors are turned off, the transistors Ql and Q2k- can be turned off almost simultaneously, and the transistor Q0
The collector-emitter voltage can be suppressed to 'kE+VD1.
第3図は本発明の他の一実施例上水す図である。同図に
おいて、T1、T2 は1次巻線N、1、N と2次
巻線N、Ns□の巻数比が1:nでp2
81
おる同一規格の変流器であシ、2次巻線N、1、N8□
の両端に夫々ダイオードD1、D2 が接続されてい
る。この実施例と第1図の実施例とは。FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the same figure, T1 and T2 have a turns ratio of 1:n between the primary winding N, 1, N and the secondary winding N, Ns□, and p2
81 Use a current transformer of the same standard, secondary winding N, 1, N8□
Diodes D1 and D2 are connected to both ends of the diodes D1 and D2, respectively. What is this embodiment and the embodiment shown in FIG.
第1図の実施例がトランジスタQ、 、Q2 のエ
ミッタに直列接続されている巻線に誘起される電圧を該
巻線の両端に接続されているダイオードD1、D2
により直接制限しようとするものであるのに対してこの
実施例は変流器T、、T2の2次巻線N、、%N、□に
発生する電圧を制限することによって間接的に変流器T
、 、T201次巻線N SN の電圧を制限し
ようとするとpi p2
ころが異なるのみで、動作は第1図の実施例で説明した
のとほぼ同様であり、同様の効果が得られる。特にこの
実施例においては変流器T1、T2 の1次巻線と2次
巻線の巻数比’に1 : nとしているので、ダイオー
ドD□ 、D2 t−流れる電流は第1図の実施例に
用いられているダイオ−)”Dl、D、 t−流れる
tmの1/nで足りることとなシ、電流容量の小さなダ
イオードを用いることができ、装置k小型化するのに適
している。In the embodiment of FIG. 1, the voltage induced in the windings connected in series with the emitters of the transistors Q, , Q2 is transferred to the diodes D1, D2 connected across the windings.
In contrast, in this embodiment, the voltage generated in the secondary windings N, , %N, □ of the current transformers T, , T2 is indirectly limited by limiting the voltage. Vessel T
, , When attempting to limit the voltage of the T20 primary winding N SN , the operation is almost the same as that described in the embodiment of FIG. 1, with the only difference being the roller pi p2 , and the same effects can be obtained. In particular, in this embodiment, the turns ratio between the primary and secondary windings of the current transformers T1 and T2 is 1:n, so the current flowing through the diodes D□ and D2 t- is the same as that of the embodiment shown in FIG. Since 1/n of the current tm is sufficient for the diodes (Dl, D, t) used in
第4図は本発明の他の一実施例を示す図である。同図に
おいて、T1 〜T3 は1次巻線Np0〜Np3と
2次巻線Ns1〜N8.の巻数比が1:nである同一規
格の変流器であり、1次善線N、1〜Np3の両端に夫
々ダイオードD□ 〜D3 が接続嘔れている。この
実施例は第1図の実施例が2つのトランジスタQ1、Q
2 の並列接続回路であるのに対して、3つのトランジ
スタQ1〜Q3の並列接続回路でるる点が異なるが、動
作は第1図の実施例で述べたのとほぼ同様であシ同様−
の効果が得られる。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, T1 to T3 are primary windings Np0 to Np3 and secondary windings Ns1 to N8. The current transformers are of the same standard and have a turns ratio of 1:n, and diodes D□ to D3 are connected to both ends of the first-order wires N, 1 to Np3, respectively. This embodiment differs from the embodiment of FIG. 1 in that it has two transistors Q1 and Q.
The difference is that the circuit is a parallel connection circuit of three transistors Q1 to Q3, whereas the circuit is a parallel connection circuit of three transistors Q1 to Q3, but the operation is almost the same as that described in the embodiment of FIG.
The effect of this can be obtained.
尚、以上の実施例ではトランジスタ12個或は6個差列
接続した回路について述べたが、4個以上のトランジス
タ全並列接続した回路についても同様に実施することが
できる。又、巻線の両端に接続するダイオードは1個に
限らず必要に応じて数個直列接続したものを使用するこ
とができる。In the above embodiments, a circuit in which 12 or 6 transistors are connected in parallel has been described, but a circuit in which four or more transistors are all connected in parallel can be similarly implemented. Further, the number of diodes connected to both ends of the winding is not limited to one, but several diodes connected in series can be used as necessary.
以上述べ次ように本発明は複数個のトランジスタを並列
接続する回路において、上記各トランジスタのエミッタ
に変流器の1次巻線或は2次巻線を直列接続し、且つ該
変流器の1次巻線或は/及び2次巻線の両端にダイオー
ドを接続したこと七特徴とするトランジスタの並列接続
回路でおる。本発明はこのような特徴を有する°ので並
列接続された複数個のトランジスタをほぼ同時にターン
オン、ターンオフすることができると共に、上記各トラ
ンジスタのコレクタ・エミッタ間電圧?電源電圧と上記
ダイオードの順方向ドロップ電圧の和以下に抑制するこ
とができる。As described above, the present invention provides a circuit in which a plurality of transistors are connected in parallel, in which the primary winding or the secondary winding of a current transformer is connected in series to the emitter of each of the transistors, and the current transformer's primary winding or secondary winding is This is a parallel connection circuit of transistors characterized in that diodes are connected to both ends of the primary winding and/or the secondary winding. Since the present invention has such characteristics, it is possible to turn on and turn off a plurality of transistors connected in parallel almost simultaneously, and the voltage between the collector and emitter of each transistor can be reduced. It can be suppressed to a value equal to or less than the sum of the power supply voltage and the forward drop voltage of the diode.
第1図は本発明の一実施例上水す図、第2図は従来のト
ランジスタの並列接続回路を示す図、第3図及び第4図
は本発明の他の一実施例を示す図でおる。
1.2・・・主回路端子
Ql、 Q2. QB・・・トランジスタT ・・・駆
動トランス No・・・帰還巻線N2・・・駆動巻線
N3・・・制御巻線T1.T2.T3・・・バ
ランサ用変流器N、 、N 、N 、N ・・
・1次巻線pi p2 p3
N、、N、□、 N82. Nl53・・・2次巻線D
1. D2. D、・・・ダイオード特許出願人 オ
リジン電気株式会社
先 1 図
第 2 図
1.2−一一玉C]踵ス)
にb、Qz・−一トラ)9スフ
To−−−A区重カFう)大
丁ドー Iす:1〕す秤1jう矢壁シ
Dl、D2−−・フ゛イ才−ば
+)z・−主回路!痛今
Q+、Qz −−−1−ラ〉ジ入り
To −−コ区勤トラ〉人
エピ司イラ〉が弔蛮法恭FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a conventional parallel connection circuit of transistors, and FIGS. 3 and 4 are diagrams showing another embodiment of the present invention. is. 1.2... Main circuit terminal Ql, Q2. QB...Transistor T...Drive transformer No...Feedback winding N2...Drive winding N3...Control winding T1. T2. T3...Current transformer for balancer N, , N, N, N...
・Primary winding pi p2 p3 N,, N, □, N82. Nl53...Secondary winding D
1. D2. D, ... Diode patent applicant Origin Electric Co., Ltd. 1 Figure 2 Figure 1.2-11 ball Fu) Main circuit! Itaima Q+, Qz −−−1−ra〉ji entered To−−Ku Kintora〉Epijira〉 is condolence service
Claims (1)
記各トランジスタのエミッタに変流器の1次巻線或は2
次巻線を直列接続し、且つ該変流器の1次巻線或は/及
び2次巻線の両端にダイオードを接続したことを特徴と
するトランジスタの並列接続回路。In a circuit in which multiple transistors are connected in parallel, the emitter of each transistor is connected to the primary winding or secondary winding of a current transformer.
1. A parallel connection circuit of transistors, characterized in that secondary windings are connected in series, and diodes are connected to both ends of the primary winding and/or secondary winding of the current transformer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59180076A JPS6158306A (en) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Parallel connection circuit of transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59180076A JPS6158306A (en) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Parallel connection circuit of transistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6158306A true JPS6158306A (en) | 1986-03-25 |
JPH0261176B2 JPH0261176B2 (en) | 1990-12-19 |
Family
ID=16077033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59180076A Granted JPS6158306A (en) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | Parallel connection circuit of transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6158306A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5953523A (en) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Flame-retardant for synthetic resin |
EP0287166A2 (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-19 | Philips Patentverwaltung GmbH | Initial-current surge limiting circuitry for a switching transistor |
US20090055664A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Funai Electric Co., Ltd. | Communication Device |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59180076A patent/JPS6158306A/en active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5953523A (en) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Flame-retardant for synthetic resin |
JPS6218572B2 (en) * | 1982-09-22 | 1987-04-23 | Sumitomo Bakelite Co | |
EP0287166A2 (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-19 | Philips Patentverwaltung GmbH | Initial-current surge limiting circuitry for a switching transistor |
US20090055664A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Funai Electric Co., Ltd. | Communication Device |
US8214659B2 (en) * | 2007-08-20 | 2012-07-03 | Funai Electric Co., Ltd. | Communication device having pull-up voltage supply circuit supplying pull-up voltage via one power supply during standby state and another power supply during power-on state |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0261176B2 (en) | 1990-12-19 |
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