JPS6157685B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6157685B2 JPS6157685B2 JP56078217A JP7821781A JPS6157685B2 JP S6157685 B2 JPS6157685 B2 JP S6157685B2 JP 56078217 A JP56078217 A JP 56078217A JP 7821781 A JP7821781 A JP 7821781A JP S6157685 B2 JPS6157685 B2 JP S6157685B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- surge
- voltage
- varistor
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 Cc 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Co+3].[Co+3] KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明はパルス応答性およびサージ負荷寿命に
優れた酸化亜鉛を主成分とする焼結型バルク構造
の電圧非直線抵抗素子（以下バリスタと記す）に
関するものである。 過電圧保護素子や避雷器にバリスタが広く用い
られている。バリスタの電圧−電流特性は、 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）a で表わされる。但し、Ｃは抵抗に相当する定数、
ａは電圧非直線指数と呼ばれる。一般にバリスタ
の特性は、ａと、ある特定電流における電圧であ
るバリスタ電圧で表わされる。ｘは通常0.1〜
1mA／cm2における電圧−電流特性より求める。
また、バリスタ電圧は便宜的に1mAの電流を流
した時の端子電圧（Ｖ1nA）で表わすことが多
い。バリスタとしては、バリスタ電圧が適当な範
囲（通常厚み１mmあたり数10〜数100Vである。）
にあり、ａが大きいほど望ましい。 バリスタとしては炭化硅素を高温で焼き固めた
SiCバリスタと酸化亜鉛を主成分とする焼結体自
身が電圧非直線性を示す（バルク非直線性の）
ZnOバリスタが良く知られている。しかし過電圧
保護素子として考えた場合、ほとんどすべての特
性でZnOバリスタの方がSiCバリスタよりも優れ
ており、現在では主としてZnOバリスタが用いら
れるようになつてきた。 ZnOバリスタは、主成分のZnOに、酸化ビスマ
ス（Bi2O3）、酸化コバルト（Co2O3）、酸化マン
ガン（MnO2）などを少量加えて混合し、成型の
後1000℃〜1400℃で焼結させることにより得られ
る。このようにして作られるZnOバリスタは、従
来のSiCバリスタのａが３〜７であつたのに対し
30〜50あるいはそれ以上のものも得られるため、
過電圧保護素子の主流となつている。 ところでサイリスタなどのスイツチング機能を
有する半導体素子が電力変換に広く用いられるよ
うになり、それと共にスイツチングによつて発生
する過電圧から保護する素子が必要となつてき
た。とくに転流サージと呼ばれる過電圧は立上り
時間が早いため、応答性に優れた過電圧保護素子
が必要とされている。また転流サージは電圧とし
ては高くないが50ないしは60Hzの割合で加わる
ため、繰返しサージ負荷に強い過電圧素子が必要
とされている。すなわち１回あたりのサージ電流
は大きくないが（通常10A以下）、繰返し加わる
ため、電力に換算すると相当大きな負荷になるも
ので、しかも交流的（パルスの極性が１回毎に異
なる）に加わるものである。従来の用途では、こ
のような特性は必要とされなかつた。そのため特
性的にも十分でなかつた。 本発明は上記の問題点に鑑みて成されたもので
あり、パルス応答性、サージ負荷寿命特性に優れ
たバリスタを提供するもので、以下にその実施例
と共に詳細を説明する。 実施例 １ ZnO粉末に少量のBi2O3，Cc2O3、MnO2，
Sb2O3，BaO，B2O3，Al2O3、MgOの粉末を、添
加量をいろいろ変えて加え、十分混合し、250〜
400Kg／cm2の圧力で、直径17.5mm、厚み２mmの円
板状に圧縮成型した。 ついで1150℃〜1350℃の空気中で２時間焼成
し、その後両平面を研磨し、アルミニウムの溶射
電極を設けた。このようにして得られた素子の単
位厚みあたりのバリスタ電圧（1nA／mm）、α、パ
ルス応答性、サージ負荷寿命特性を測定した。結
果を第１表に示す。なおパルス応答性は、無誘導
抵抗負荷に対してピークまでの立上り時間が
50ns（ナノ秒）であるような矩形波パルスを試
料に印加し、50μｓ（マイクロ秒）後に試料に流
れる電流が1Aになるような条件に設定した時に
得られる図面に示すような試料両端の電圧波形に
おいて、電圧ピークＶpと、矩形波パルス印加後
50μｓ後の電圧Vsとの差（Ｖp−Vs）をVsで除
した値に100をかけて％表示した値ΔＶpで評価し
た。すなわちΔＶp＝Ｖｐ−Ｖｓ／Ｖｓ×100（％）であ る。 サージ負荷寿命は、サージ電流が最大1A以下
で60Hzの割合で交流的に加わり、サージ継続時
間が40μｓ以上、サージ電力が0.1W／cm2になる
条件で100時間印加した後のバリスタ電圧の初期
値に対する変化率ΔＶ1nAで評価した。 なお本実施例におけるZnOの量は、100モル％
から添加物総量の占めるモル％を引いた量であ
り、以下の各実施例についても同様である。
優れた酸化亜鉛を主成分とする焼結型バルク構造
の電圧非直線抵抗素子（以下バリスタと記す）に
関するものである。 過電圧保護素子や避雷器にバリスタが広く用い
られている。バリスタの電圧−電流特性は、 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）a で表わされる。但し、Ｃは抵抗に相当する定数、
ａは電圧非直線指数と呼ばれる。一般にバリスタ
の特性は、ａと、ある特定電流における電圧であ
るバリスタ電圧で表わされる。ｘは通常0.1〜
1mA／cm2における電圧−電流特性より求める。
また、バリスタ電圧は便宜的に1mAの電流を流
した時の端子電圧（Ｖ1nA）で表わすことが多
い。バリスタとしては、バリスタ電圧が適当な範
囲（通常厚み１mmあたり数10〜数100Vである。）
にあり、ａが大きいほど望ましい。 バリスタとしては炭化硅素を高温で焼き固めた
SiCバリスタと酸化亜鉛を主成分とする焼結体自
身が電圧非直線性を示す（バルク非直線性の）
ZnOバリスタが良く知られている。しかし過電圧
保護素子として考えた場合、ほとんどすべての特
性でZnOバリスタの方がSiCバリスタよりも優れ
ており、現在では主としてZnOバリスタが用いら
れるようになつてきた。 ZnOバリスタは、主成分のZnOに、酸化ビスマ
ス（Bi2O3）、酸化コバルト（Co2O3）、酸化マン
ガン（MnO2）などを少量加えて混合し、成型の
後1000℃〜1400℃で焼結させることにより得られ
る。このようにして作られるZnOバリスタは、従
来のSiCバリスタのａが３〜７であつたのに対し
30〜50あるいはそれ以上のものも得られるため、
過電圧保護素子の主流となつている。 ところでサイリスタなどのスイツチング機能を
有する半導体素子が電力変換に広く用いられるよ
うになり、それと共にスイツチングによつて発生
する過電圧から保護する素子が必要となつてき
た。とくに転流サージと呼ばれる過電圧は立上り
時間が早いため、応答性に優れた過電圧保護素子
が必要とされている。また転流サージは電圧とし
ては高くないが50ないしは60Hzの割合で加わる
ため、繰返しサージ負荷に強い過電圧素子が必要
とされている。すなわち１回あたりのサージ電流
は大きくないが（通常10A以下）、繰返し加わる
ため、電力に換算すると相当大きな負荷になるも
ので、しかも交流的（パルスの極性が１回毎に異
なる）に加わるものである。従来の用途では、こ
のような特性は必要とされなかつた。そのため特
性的にも十分でなかつた。 本発明は上記の問題点に鑑みて成されたもので
あり、パルス応答性、サージ負荷寿命特性に優れ
たバリスタを提供するもので、以下にその実施例
と共に詳細を説明する。 実施例 １ ZnO粉末に少量のBi2O3，Cc2O3、MnO2，
Sb2O3，BaO，B2O3，Al2O3、MgOの粉末を、添
加量をいろいろ変えて加え、十分混合し、250〜
400Kg／cm2の圧力で、直径17.5mm、厚み２mmの円
板状に圧縮成型した。 ついで1150℃〜1350℃の空気中で２時間焼成
し、その後両平面を研磨し、アルミニウムの溶射
電極を設けた。このようにして得られた素子の単
位厚みあたりのバリスタ電圧（1nA／mm）、α、パ
ルス応答性、サージ負荷寿命特性を測定した。結
果を第１表に示す。なおパルス応答性は、無誘導
抵抗負荷に対してピークまでの立上り時間が
50ns（ナノ秒）であるような矩形波パルスを試
料に印加し、50μｓ（マイクロ秒）後に試料に流
れる電流が1Aになるような条件に設定した時に
得られる図面に示すような試料両端の電圧波形に
おいて、電圧ピークＶpと、矩形波パルス印加後
50μｓ後の電圧Vsとの差（Ｖp−Vs）をVsで除
した値に100をかけて％表示した値ΔＶpで評価し
た。すなわちΔＶp＝Ｖｐ−Ｖｓ／Ｖｓ×100（％）であ る。 サージ負荷寿命は、サージ電流が最大1A以下
で60Hzの割合で交流的に加わり、サージ継続時
間が40μｓ以上、サージ電力が0.1W／cm2になる
条件で100時間印加した後のバリスタ電圧の初期
値に対する変化率ΔＶ1nAで評価した。 なお本実施例におけるZnOの量は、100モル％
から添加物総量の占めるモル％を引いた量であ
り、以下の各実施例についても同様である。
【表】
【表】
第１表からわかるように、0.1〜3.0モル％の
Bi2O3，0.1〜5.0モル％のCo2O3，0.1〜3.0モル％
のMnO2，0.1〜5.0モル％のSb2O3，0.01〜3.0モ
ル％のBaO，0.01〜3.0モル％のB2O3，0.0005〜
0.025モル％のAl2O3，0.05〜25.0モル％のMgOを
含む焼結体は、αが30以上、パルス応答性が15％
以下、サージ負荷寿命が15％以下の特性を有して
おり、このような特性は上記８成分の添加物が１
つ欠けても得られないものである。 参考のために、第１表にそれぞれ一成分が欠け
た場合の特性を示す。一成分でも欠けた場合に
は、αまたは、パルス応答性またはサージ負荷寿
命のうち少なくとも一つ以上の特性が上記値に達
していないのがわかる。 実施例 ２ 実施例１における代表的組成について、Al2O3
のかわりに、同量のGa2O3を加えて試料を作り、
実施例１と同様の測定を行つた。その結果を第２
表に示す。
Bi2O3，0.1〜5.0モル％のCo2O3，0.1〜3.0モル％
のMnO2，0.1〜5.0モル％のSb2O3，0.01〜3.0モ
ル％のBaO，0.01〜3.0モル％のB2O3，0.0005〜
0.025モル％のAl2O3，0.05〜25.0モル％のMgOを
含む焼結体は、αが30以上、パルス応答性が15％
以下、サージ負荷寿命が15％以下の特性を有して
おり、このような特性は上記８成分の添加物が１
つ欠けても得られないものである。 参考のために、第１表にそれぞれ一成分が欠け
た場合の特性を示す。一成分でも欠けた場合に
は、αまたは、パルス応答性またはサージ負荷寿
命のうち少なくとも一つ以上の特性が上記値に達
していないのがわかる。 実施例 ２ 実施例１における代表的組成について、Al2O3
のかわりに、同量のGa2O3を加えて試料を作り、
実施例１と同様の測定を行つた。その結果を第２
表に示す。
【表】
【表】
第２表と第１表を比較することにより、Ga2O3
がAl2O3とほぼ同様の効果を示すことがわかる。
したがつて、0.1〜3.0モル％のBi2O3，0.1〜5.0モ
ル％のCo2O3，0.1〜3.0モル％のMnO2，0.1〜5.0
モル％のSb2O3，0.01〜3.0モル％のBaO，0.01〜
3.0モル％のB2O3，0.0005〜0.025モル％の
Ga2O3，0.05〜25.0モル％のMgOを含む焼結体は
αが30以上、パルス応答性が15％以下、サージ負
荷寿命が15％以下の特性を有しており、この特性
は上記８成分が同時に存在することによつて初め
て得られるものである。 なお、実施例には特に示さなかつたが、実施例
(1)および(2)の結果より、Al2O3とGa2O3を同時に
加えても同様の効果の得られることは明らかであ
る。 酸化亜鉛バリスタ材料にBaOとB2O3を加える
と、直流負荷に対する安定性の改善されることが
知られており、かつ酸化亜鉛バリスタ材料にアル
ミニウムまたはガリウムを添加すると制限電圧特
性（大電流における電圧とＶ1nAの比）、サージ耐
量（数100A以上の大電流、２回印加に対する耐
量）、パルス負荷寿命（100A程度のサージ電流の
多数回印加に対する耐量）が改善されることが知
られている。しかしながら、本発明で用いている
材料組成において、８種類の添加物のうち１成分
でも加えなかつた場合には、αで30以上、パルス
応答性で15％以下、サージ負荷寿命で15％以下の
特性を同時に満たすのは得られなかつた。 またBi2O3，Co2O3，MnO2，Sb2O3に加えて
Cr2O3を加えるとαの良いバリスタの得られるこ
とが知られているが、本発明材料組成に１モル％
のCr2O3を添加したところ、サージ負荷寿命特性
が15％より大きくなつた。 なお、上記した実施例ではいずれも酸化物原料
を用いて行つたが、焼結後酸化物になるものであ
れば酸化物に限る必要はなく、たとえばハロゲン
化物や、硝酸塩、硫化物、炭酸塩の形で添加して
もよい。 以上述べた如く、本発明は特定の材料組成を選
ぶことにより、αおよびパルス応答性、サージ負
荷寿命に優れた、サイリスタなどの電力変換装置
用半導体素子の過電圧保護に適した素子を供給す
るものである。
がAl2O3とほぼ同様の効果を示すことがわかる。
したがつて、0.1〜3.0モル％のBi2O3，0.1〜5.0モ
ル％のCo2O3，0.1〜3.0モル％のMnO2，0.1〜5.0
モル％のSb2O3，0.01〜3.0モル％のBaO，0.01〜
3.0モル％のB2O3，0.0005〜0.025モル％の
Ga2O3，0.05〜25.0モル％のMgOを含む焼結体は
αが30以上、パルス応答性が15％以下、サージ負
荷寿命が15％以下の特性を有しており、この特性
は上記８成分が同時に存在することによつて初め
て得られるものである。 なお、実施例には特に示さなかつたが、実施例
(1)および(2)の結果より、Al2O3とGa2O3を同時に
加えても同様の効果の得られることは明らかであ
る。 酸化亜鉛バリスタ材料にBaOとB2O3を加える
と、直流負荷に対する安定性の改善されることが
知られており、かつ酸化亜鉛バリスタ材料にアル
ミニウムまたはガリウムを添加すると制限電圧特
性（大電流における電圧とＶ1nAの比）、サージ耐
量（数100A以上の大電流、２回印加に対する耐
量）、パルス負荷寿命（100A程度のサージ電流の
多数回印加に対する耐量）が改善されることが知
られている。しかしながら、本発明で用いている
材料組成において、８種類の添加物のうち１成分
でも加えなかつた場合には、αで30以上、パルス
応答性で15％以下、サージ負荷寿命で15％以下の
特性を同時に満たすのは得られなかつた。 またBi2O3，Co2O3，MnO2，Sb2O3に加えて
Cr2O3を加えるとαの良いバリスタの得られるこ
とが知られているが、本発明材料組成に１モル％
のCr2O3を添加したところ、サージ負荷寿命特性
が15％より大きくなつた。 なお、上記した実施例ではいずれも酸化物原料
を用いて行つたが、焼結後酸化物になるものであ
れば酸化物に限る必要はなく、たとえばハロゲン
化物や、硝酸塩、硫化物、炭酸塩の形で添加して
もよい。 以上述べた如く、本発明は特定の材料組成を選
ぶことにより、αおよびパルス応答性、サージ負
荷寿命に優れた、サイリスタなどの電力変換装置
用半導体素子の過電圧保護に適した素子を供給す
るものである。
図面はパルス応答性の評価方法の説明図であ
る。
る。
Claims (1)
- １ ビスマスをBi2O3の形に換算して0.1〜3.0モ
ル％、コバルトをCo2O3の形に換算して0.1〜5.0
モル％、マンガンをMnO2の形に換算して0.1〜
3.0モル％、アンチモンをSb2O3の形に換算して
0.1〜5.0モル％、バリウムをBaOの形に換算して
0.01〜3.0モル％、ホウ素をB2O3の形に換算して
0.01〜3.0モル％、アルミニウムまたはガリウム
をAl2O3またはGa2O3の形に換算して0.0005〜
0.025モル％、マグネシウムをMgOの形に換算し
て0.05〜25.0モル％添加物として含むZnOを主成
分とする焼結体から成る電圧非直線抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56078217A JPS57193002A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Voltage nonlinear resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56078217A JPS57193002A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Voltage nonlinear resistance element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57193002A JPS57193002A (en) | 1982-11-27 |
| JPS6157685B2 true JPS6157685B2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=13655873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56078217A Granted JPS57193002A (en) | 1981-05-22 | 1981-05-22 | Voltage nonlinear resistance element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57193002A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016104990A1 (de) | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Epcos Ag | Keramikmaterial, Varistor und Verfahren zum Herstellen des Keramikmaterials und des Varistors |
-
1981
- 1981-05-22 JP JP56078217A patent/JPS57193002A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57193002A (en) | 1982-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3806765A (en) | Voltage-nonlinear resistors | |
| US4045374A (en) | Zinc oxide voltage-nonlinear resistor | |
| US3805114A (en) | Voltage-nonlinear resistors | |
| US3778743A (en) | Voltage-nonlinear resistors | |
| EP0159820A1 (en) | Zinc oxide voltage - non-linear resistor | |
| US4060661A (en) | Voltage-dependent resistor | |
| CA1331508C (en) | Voltage non-linear type resistors | |
| US3838378A (en) | Voltage-nonlinear resistors | |
| US4397775A (en) | Varistors with controllable voltage versus time response | |
| JPS6157685B2 (ja) | ||
| JPS6157684B2 (ja) | ||
| US4549981A (en) | Voltage limiting composition and method of fabricating the same | |
| JPH0425681B2 (ja) | ||
| JPS6157683B2 (ja) | ||
| JPS6329807B2 (ja) | ||
| KR0153126B1 (ko) | 전압 비직선 저항체 및 그 제조방법 | |
| JP2985559B2 (ja) | バリスタ | |
| JP2715718B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP2715717B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS622442B2 (ja) | ||
| JPS5941286B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子とその製造方法 | |
| KR810000920B1 (ko) | 전압비직선 저항체 | |
| KR810000919B1 (ko) | 전압비직선 저항체 | |
| JPS6059724B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPH0732085B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 |