JPS6157102A - 発振逓倍器 - Google Patents
発振逓倍器Info
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- JPS6157102A JPS6157102A JP17956784A JP17956784A JPS6157102A JP S6157102 A JPS6157102 A JP S6157102A JP 17956784 A JP17956784 A JP 17956784A JP 17956784 A JP17956784 A JP 17956784A JP S6157102 A JPS6157102 A JP S6157102A
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- JP
- Japan
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- frequency
- oscillation
- brf3
- resonator
- band
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発振逓倍器、特に帯域阻止形発振器を構成する
帯域阻止用のＢ ＲＦ （［１，ｚｎｄ ｌ１ｅｊｅｃ
Ｌｉｏｎ Ｆｌｔｔａｒ）として基本周波数ｆ０を反射
させると共に当該基本周波数ｒ０の整数倍の高調波に対
してずれた周波数を高次共振周波数としてもつ形の誘電
体共振器の如き共振器を用い、マイクロ波の発振・逓倍
を簡単な構成によって行うようにした発振逓倍器に関す
るものである。
帯域阻止用のＢ ＲＦ （［１，ｚｎｄ ｌ１ｅｊｅｃ
Ｌｉｏｎ Ｆｌｔｔａｒ）として基本周波数ｆ０を反射
させると共に当該基本周波数ｒ０の整数倍の高調波に対
してずれた周波数を高次共振周波数としてもつ形の誘電
体共振器の如き共振器を用い、マイクロ波の発振・逓倍
を簡単な構成によって行うようにした発振逓倍器に関す
るものである。
従来、マイクロ波を発振・逓倍する発振逓倍器は、例え
ば第６図図示の如く帯域反射形の発振器ｌの出力端に基
本発振周波数ｆ０を反射するが、基本周波数の２倍の高
調波２ｆ、を通過させるＢＰ Ｆ （Ｂａｎｄ Ｐａ５
ｓ Ｆｉｌｔａｒ） ２を配置する構成を１采用し、
基本発振周波数の２倍の高調波を出力端（ＯＵＴ）に接
続した負荷ＺＬに供給していた。該構成は１個のデバイ
スで発振と逓倍動作とを行うことができる利点がある。
ば第６図図示の如く帯域反射形の発振器ｌの出力端に基
本発振周波数ｆ０を反射するが、基本周波数の２倍の高
調波２ｆ、を通過させるＢＰ Ｆ （Ｂａｎｄ Ｐａ５
ｓ Ｆｉｌｔａｒ） ２を配置する構成を１采用し、
基本発振周波数の２倍の高調波を出力端（ＯＵＴ）に接
続した負荷ＺＬに供給していた。該構成は１個のデバイ
スで発振と逓倍動作とを行うことができる利点がある。
詳述すると、発振器１は例えばドレイン接地型ＦＥＴｌ
−１、ＢＲＦ （Ｂａｎｄ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｆｉ
ｌｔｅｒ） １ ２および安定化抵抗Ｚ、（５０オーム
）から構成されている。そして、該ドレイン接地型ＦＥ
Ｔｌ−１のゲート（Ｇ）に当該基本周波数ｆ０を反射す
る安定化共振器であるＢＲＦＩ−２を接続すると共に安
定化抵抗Ｚ０（５０オーム）を接続することにより、安
定に発振させるようにしている。このとき、発振させた
基本周波数ｒ０がドレイン接地型ＦＥＴｌ−１のソース
（Ｓ）からＢＰＦ２に供給されるが、前述した如く咳Ｂ
ＰＦ２を通過する周波数が２ｒ０であるため、当該基本
周波数ｆ０の電力は反射されてしまう、しかし、ドレイ
ン接地型ＦＥＴｌ−１の非線形性によって高次の周波数
２（６，３ｆｏ、４ｆ、 ・・・等が発生しており、
そのうちで前記ＢＰＦ２を通過する周波数２ｒｏの電力
が出力端（ＯＵＴ）に接続された負荷ＺＬに供給される
こととなる。
−１、ＢＲＦ （Ｂａｎｄ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｆｉ
ｌｔｅｒ） １ ２および安定化抵抗Ｚ、（５０オーム
）から構成されている。そして、該ドレイン接地型ＦＥ
Ｔｌ−１のゲート（Ｇ）に当該基本周波数ｆ０を反射す
る安定化共振器であるＢＲＦＩ−２を接続すると共に安
定化抵抗Ｚ０（５０オーム）を接続することにより、安
定に発振させるようにしている。このとき、発振させた
基本周波数ｒ０がドレイン接地型ＦＥＴｌ−１のソース
（Ｓ）からＢＰＦ２に供給されるが、前述した如く咳Ｂ
ＰＦ２を通過する周波数が２ｒ０であるため、当該基本
周波数ｆ０の電力は反射されてしまう、しかし、ドレイ
ン接地型ＦＥＴｌ−１の非線形性によって高次の周波数
２（６，３ｆｏ、４ｆ、 ・・・等が発生しており、
そのうちで前記ＢＰＦ２を通過する周波数２ｒｏの電力
が出力端（ＯＵＴ）に接続された負荷ＺＬに供給される
こととなる。
しかし、従来の発振逓倍器は前述した如く、発振器ｌが
帯域反射形発振器であるため、安定化抵抗Ｚ０が必要と
なってしまい、構造が複雑になると共に回路調整が繁雑
になってしまうという問題点があった。また、当該発ｉ
器ｌの出力側に基本周波数ｆｏの電力を反射して高調波
の内の所望のものを通過させるＢＰＦ２が必要となって
しまい、更に構造が複雑となつてしまうという問題点が
あった。
帯域反射形発振器であるため、安定化抵抗Ｚ０が必要と
なってしまい、構造が複雑になると共に回路調整が繁雑
になってしまうという問題点があった。また、当該発ｉ
器ｌの出力側に基本周波数ｆｏの電力を反射して高調波
の内の所望のものを通過させるＢＰＦ２が必要となって
しまい、更に構造が複雑となつてしまうという問題点が
あった。
本発明は、前記問題点を解決するために、増幅素子と出
力端との間に基本周波数ｆ。の電力を反射させると共に
当該基本周波数ｒ０の整数倍の高調波からずれた形の高
次共振周波数を備えた誘電体共振器等からなる帯域阻止
用共振器を配置することにより、Ｎｊｌｌな構成によっ
て発振・逓倍を効率良好に行っている。そのため、本発
明の発振逓倍器は、増幅素子と共振器とを備えた発振逓
倍器において、前記増幅素子と出力端との間に基本モー
ドの周波数を反射させる帯域阻止形共振器を設け、該帯
域阻止形共振器は前記基本モードの周波数の整数倍の関
係にある高調波に対してずれた崗次共振周波数をもつ共
振器によって構成され、前記出力端から前記高調波成分
の信号を出力することを特徴としている。
力端との間に基本周波数ｆ。の電力を反射させると共に
当該基本周波数ｒ０の整数倍の高調波からずれた形の高
次共振周波数を備えた誘電体共振器等からなる帯域阻止
用共振器を配置することにより、Ｎｊｌｌな構成によっ
て発振・逓倍を効率良好に行っている。そのため、本発
明の発振逓倍器は、増幅素子と共振器とを備えた発振逓
倍器において、前記増幅素子と出力端との間に基本モー
ドの周波数を反射させる帯域阻止形共振器を設け、該帯
域阻止形共振器は前記基本モードの周波数の整数倍の関
係にある高調波に対してずれた崗次共振周波数をもつ共
振器によって構成され、前記出力端から前記高調波成分
の信号を出力することを特徴としている。
以下図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図および第３（
２Ｉは第１図図示本発明の１実施例構成を説明する説明
図、第４図は第°１図図示本発明の１実施例構成の具体
例、第５図は本発明の他の実施例構成図を示す。
２Ｉは第１図図示本発明の１実施例構成を説明する説明
図、第４図は第°１図図示本発明の１実施例構成の具体
例、第５図は本発明の他の実施例構成図を示す。
図中、３はＢ ＲＦ （Ｂａｎｄ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ
Ｆｉｌｔｅｒ）、３−１．６は誘電体共振器、４．４
−１はドレイン接地型ＦＥＴ、５．５−１．８はオープ
ン・スタブ、６−１．６−２は導体、６−３はセラミッ
ク鋸板、６−４は共振器、７−１は金属基板、７−２は
ｍｆｉ体、７−３はＡｕ薄膜、９はＢＰＦ （Ｂａｎｄ
Ｐａｓ！＋Ｆｉｌｔｅｒ）を表す。
Ｆｉｌｔｅｒ）、３−１．６は誘電体共振器、４．４
−１はドレイン接地型ＦＥＴ、５．５−１．８はオープ
ン・スタブ、６−１．６−２は導体、６−３はセラミッ
ク鋸板、６−４は共振器、７−１は金属基板、７−２は
ｍｆｉ体、７−３はＡｕ薄膜、９はＢＰＦ （Ｂａｎｄ
Ｐａｓ！＋Ｆｉｌｔｅｒ）を表す。
第１図（イ）はドレイン接地型ＦＥＴのソースから出力
を取り出す接続形式のものであり、第１図（ロ）はゲー
トから出力を取り出す接続形式のものである。第１図（
イ）および（ロ）図示発振逓倍器は夫々ＢＲＦ３、ドレ
イン接地型ＦＥ７４およびオープン・スタブ５によって
構成され、出力端に負荷ＺＬ（５０オーム）が接続され
ている。
を取り出す接続形式のものであり、第１図（ロ）はゲー
トから出力を取り出す接続形式のものである。第１図（
イ）および（ロ）図示発振逓倍器は夫々ＢＲＦ３、ドレ
イン接地型ＦＥ７４およびオープン・スタブ５によって
構成され、出力端に負荷ＺＬ（５０オーム）が接続され
ている。
図中ＢＲＦ３は本発明に係わるものであり、基本周波数
ｆ０の電力を反射せしめるように設定されかつ当該基本
周波数ｒ０の整数倍の高調波からずれた周波数を高次共
ｉ周波数としてもつものであり、誘電体共振器等によっ
て構成されている。
ｆ０の電力を反射せしめるように設定されかつ当該基本
周波数ｒ０の整数倍の高調波からずれた周波数を高次共
ｉ周波数としてもつものであり、誘電体共振器等によっ
て構成されている。
また、図中オープン・スタブＳはドレイン接地型１１７
４のゲートあるいはソースに接続され、ＢＰＦ３等によ
って決定された基本周波数【。の信号を位相反転した形
で反射し、安定に発振させるためのものである。
４のゲートあるいはソースに接続され、ＢＰＦ３等によ
って決定された基本周波数【。の信号を位相反転した形
で反射し、安定に発振させるためのものである。
帯域阻止周波数をｆｏに設定したＢＰＦ３を、第１図（
イ）および（ロ）図示の７［（、ドレイン接地型Ｆ’
Ｅ Ｔの出力端に接続した場合、当該ＢＲＦ３によって
決定された法木周波ｔ７Ｊ、ｒ ｏで発振が行われる。
イ）および（ロ）図示の７［（、ドレイン接地型Ｆ’
Ｅ Ｔの出力端に接続した場合、当該ＢＲＦ３によって
決定された法木周波ｔ７Ｊ、ｒ ｏで発振が行われる。
該発振した基本周波数ｆ０の電力がＢＰＦ３に供給され
るけれども、当該ＢＲＦ３の帯域阻止周波数が丁度当３
Ｍ本周波数ｆ０に設定しであるため、反射されてドレイ
ン接地型ＦＥＴ４に戻されてしまう。このとき、当咳ド
レイン接地型ＦＥＴ４が存する非線形特性によって基本
周波数ｆ０の整数倍に相当する高調波２ｆ、、３（。
るけれども、当該ＢＲＦ３の帯域阻止周波数が丁度当３
Ｍ本周波数ｆ０に設定しであるため、反射されてドレイ
ン接地型ＦＥＴ４に戻されてしまう。このとき、当咳ド
レイン接地型ＦＥＴ４が存する非線形特性によって基本
周波数ｆ０の整数倍に相当する高調波２ｆ、、３（。
・・も発生しており、ＢＲＦ３に供給されることとなる
。この際、ＢＲＦ３として、後述する如く基本周波数ｆ
。の整数倍の高調波からずれた周波数を高次共振周波数
としてもつ誘電体共振器等を用いることにより、ドレイ
ン接地型ＦＥＴ４によって発振・逓倍された高調波２ｒ
ｏはＢＲＦ３によって阻止されることなく、第１図（イ
）および（ロ）図示２ｆｏの如く負荷Ｚ、に供給される
こととなる。
。この際、ＢＲＦ３として、後述する如く基本周波数ｆ
。の整数倍の高調波からずれた周波数を高次共振周波数
としてもつ誘電体共振器等を用いることにより、ドレイ
ン接地型ＦＥＴ４によって発振・逓倍された高調波２ｒ
ｏはＢＲＦ３によって阻止されることなく、第１図（イ
）および（ロ）図示２ｆｏの如く負荷Ｚ、に供給される
こととなる。
換言すれば、ドレイン接地型ＦＥ７４の出力端に接続さ
れたＢ ＲＦ 、３によっていわゆる帯域阻止形発振器
として基本周波数ｒ０で発振すると共に、当該ＢＲＦ３
の高次共振周波数ｒｔが基本周波数ｆ０の整数倍になら
ないよう構成されているため、該高次共振周波数の電力
はＢＲＦ３を通過し、負荷Ｚ、に供給されることになる
。以下第２図および第３図を用いてＢＲＦ３の構造およ
び周波数特性を詳細に説明する。
れたＢ ＲＦ 、３によっていわゆる帯域阻止形発振器
として基本周波数ｒ０で発振すると共に、当該ＢＲＦ３
の高次共振周波数ｒｔが基本周波数ｆ０の整数倍になら
ないよう構成されているため、該高次共振周波数の電力
はＢＲＦ３を通過し、負荷Ｚ、に供給されることになる
。以下第２図および第３図を用いてＢＲＦ３の構造およ
び周波数特性を詳細に説明する。
第２図はＢＲＦ３である誘電体共振器６の断面図を示す
０図中誘電体共振器６は導体６−１上にセラミ、り基板
６−３および共振器６−４を順次重ねる形で配置し、横
倒を開放しかつ空間を経でぶ体６−２によって覆われる
形の構造からなり、上面から見た場合には後述する第４
図（イ）図中３−１に示すように円形の形をしている。
０図中誘電体共振器６は導体６−１上にセラミ、り基板
６−３および共振器６−４を順次重ねる形で配置し、横
倒を開放しかつ空間を経でぶ体６−２によって覆われる
形の構造からなり、上面から見た場合には後述する第４
図（イ）図中３−１に示すように円形の形をしている。
該構成を採用した誘電体共振器６がＢＲＦ３として用い
られた場合には、基本モードがＴＥ （Ｏ１，δ）とな
り、高次モードがＴＥ（０１，１＋δ）等となる。該高
次モードＴＥ （０１，１＋６）の周波数は、基本モー
ドの周波数ｒ０の２倍と一敗しない０次に具体的に第３
図を用いて説明する。
られた場合には、基本モードがＴＥ （Ｏ１，δ）とな
り、高次モードがＴＥ（０１，１＋δ）等となる。該高
次モードＴＥ （０１，１＋６）の周波数は、基本モー
ドの周波数ｒ０の２倍と一敗しない０次に具体的に第３
図を用いて説明する。
第３図（イ）はＴＥ （ＯＬ、 δ）モードのＢＲＦ
特性例を示し、第３図（ロ）はＴＥ（０１，１＋δ）モ
ードのＢＲＦ特性例を示す、横軸は周波数（ＧＨ２）を
示し、縦軸は帯域阻止ｉ （ｄ ｂ）を示す。
特性例を示し、第３図（ロ）はＴＥ（０１，１＋δ）モ
ードのＢＲＦ特性例を示す、横軸は周波数（ＧＨ２）を
示し、縦軸は帯域阻止ｉ （ｄ ｂ）を示す。
第３図（イ）図中基本モードの周波数ｆ０を１８．６５
７０Ｈ２とした場合、第３図（ロ）図中２次の高次共振
周波Ｂｒｚ は３７．５９６ＧＨ２となる。これは、基
本モードの周波ｆｒ！１．ｒ、−１８゜６５７Ｇ）ＩＺ
を２倍した３ ７．３１４ＣＨ’Ｚからずれた周波数の
２次の高次共振周波数をもつことを示している。従って
、第１Ｉ２Ｉ図示ＢＲＦ３として第２図図示の如き誘電
体共振器６を使用した場合には、基本モードの周波数ｒ
０の２倍の高調波周波数２ｆ、を第１図（イ）および（
ロ）図示矢印で示す如く負荷Ｚ、に供給することが可能
となる。
７０Ｈ２とした場合、第３図（ロ）図中２次の高次共振
周波Ｂｒｚ は３７．５９６ＧＨ２となる。これは、基
本モードの周波ｆｒ！１．ｒ、−１８゜６５７Ｇ）ＩＺ
を２倍した３ ７．３１４ＣＨ’Ｚからずれた周波数の
２次の高次共振周波数をもつことを示している。従って
、第１Ｉ２Ｉ図示ＢＲＦ３として第２図図示の如き誘電
体共振器６を使用した場合には、基本モードの周波数ｒ
０の２倍の高調波周波数２ｆ、を第１図（イ）および（
ロ）図示矢印で示す如く負荷Ｚ、に供給することが可能
となる。
第４図は第１図（イ）図示発振逓倍器の具体的な描成例
を示し、第４図（伺は平面図、第４図（ロ）は第４図（
イ）の中央断面図を示す。図中オープン・スタブ５−１
、ドレイン接地型ＦＥＴ４−１およびＢＲＦ３−１は夫
々第１図（イ）図中オーブン スタブ５、ドレイン接地
型ＦＥＴ４およびＢＲＦ３に対応する。これらの各素子
はＩＣの製造技術を用いて作成されるものであり、金属
４仮７−１上に：六電体７−２を配置し、該誘電体７−
２の上に接続線であるＡｕ（金）薄膜７−３、オープン
・スタブ５−１および誘電体共振器Ｃ（、）３−１をホ
トエツチングによって図示の如くいわゆるマイクロスト
リップ状あるいは円形等の所望の形に夫々形成したもの
である。そして、右側の出力端にｆＬ荷抵抗ＺＬが接続
されている。
を示し、第４図（伺は平面図、第４図（ロ）は第４図（
イ）の中央断面図を示す。図中オープン・スタブ５−１
、ドレイン接地型ＦＥＴ４−１およびＢＲＦ３−１は夫
々第１図（イ）図中オーブン スタブ５、ドレイン接地
型ＦＥＴ４およびＢＲＦ３に対応する。これらの各素子
はＩＣの製造技術を用いて作成されるものであり、金属
４仮７−１上に：六電体７−２を配置し、該誘電体７−
２の上に接続線であるＡｕ（金）薄膜７−３、オープン
・スタブ５−１および誘電体共振器Ｃ（、）３−１をホ
トエツチングによって図示の如くいわゆるマイクロスト
リップ状あるいは円形等の所望の形に夫々形成したもの
である。そして、右側の出力端にｆＬ荷抵抗ＺＬが接続
されている。
第５図は第１図図示発振逓倍器の基本周波数ｆ。の発振
の安定化と逓倍効率の向上を図った回路構成例を示す。
の安定化と逓倍効率の向上を図った回路構成例を示す。
図中ＢＲＦ３の出力端■と接地との間に、図示の如く特
性インピーダンスＺ０と１／４波長（基本周波数ｆ０に
対して）からなるオーブン スタブ８とを直列に接続し
たものを接続している。咳構成を採用することにより、
ＢＲＦ３を介して漏れてきた基本周波数［。の電力が吸
収されることとなり、出力端■と負荷ハとの間に前述し
た２倍の高調波２【。のみを通過させるＢ Ｐ Ｆ （
ＢａｎｄＰａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ） ９を配置するこ
とにより、周波数成分２ｆｏ成分のみを正しく取り出す
ことが可能となる。
性インピーダンスＺ０と１／４波長（基本周波数ｆ０に
対して）からなるオーブン スタブ８とを直列に接続し
たものを接続している。咳構成を採用することにより、
ＢＲＦ３を介して漏れてきた基本周波数［。の電力が吸
収されることとなり、出力端■と負荷ハとの間に前述し
た２倍の高調波２【。のみを通過させるＢ Ｐ Ｆ （
ＢａｎｄＰａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ） ９を配置するこ
とにより、周波数成分２ｆｏ成分のみを正しく取り出す
ことが可能となる。
以上説明した如く、本発明によれば、増幅素子と出力端
との間に基本周波数１０の電力を反射させると共に当該
基本周波数ｒ０の整数倍の亮調波からずれた周波数を高
次共振周波数としてもつ誘電体共振器等からなる帯域阻
止用共Ｎ＆器を配置しているため、前編な構成によって
マイクロ波等の発振・逓倍を行わせることができる。
との間に基本周波数１０の電力を反射させると共に当該
基本周波数ｒ０の整数倍の亮調波からずれた周波数を高
次共振周波数としてもつ誘電体共振器等からなる帯域阻
止用共Ｎ＆器を配置しているため、前編な構成によって
マイクロ波等の発振・逓倍を行わせることができる。
第１図は本発明の１実施例構成図、第２図および第３図
は第１図図示本発明の１実施例構成を説明する説明図、
第４図は第１図図示本発明の１実施例構成の具体例、第
５図は本発明の他の実施例構成図、第６図は従来の発振
逓倍器の構成図を示す。 図中、３はＢ ＲＦ （Ｂａｎｄ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ
ＦｉｌＬｅｒ）、３−１．６は誘電体共振器、４．４
−１はドレイン接地型ＦＥＴ、５．５−１．８はオープ
ン・スクブ、６−１．６−２は４体、６−３はセラミッ
ク基板、６−４は共振器、７−１は金属基板、７−２は
誘電体、７−３はＡｕａ膜、９はＢＰＦ （Ｂａｎｄ
Ｐａ５ｓ Ｆｉｌｔｅｒ）を表す。
は第１図図示本発明の１実施例構成を説明する説明図、
第４図は第１図図示本発明の１実施例構成の具体例、第
５図は本発明の他の実施例構成図、第６図は従来の発振
逓倍器の構成図を示す。 図中、３はＢ ＲＦ （Ｂａｎｄ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ
ＦｉｌＬｅｒ）、３−１．６は誘電体共振器、４．４
−１はドレイン接地型ＦＥＴ、５．５−１．８はオープ
ン・スクブ、６−１．６−２は４体、６−３はセラミッ
ク基板、６−４は共振器、７−１は金属基板、７−２は
誘電体、７−３はＡｕａ膜、９はＢＰＦ （Ｂａｎｄ
Ｐａ５ｓ Ｆｉｌｔｅｒ）を表す。
Claims (2)
- （１）増幅素子と共振器とを備えた発振逓倍器において
、前記増幅素子と出力端との間に基本モードの周波数を
反射させる帯域阻止形共振器を設け、該帯域阻止形共振
器は前記基本モードの周波数の整数倍の関係にある高調
波に対してずれた高次共振周波数をもつ共振器によって
構成され、前記出力端から前記高調波成分の信号を出力
することを特徴とする発振逓倍器。 - （２）前記帯域阻止形共振器として誘電体共振器を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の発
振逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956784A JPS6157102A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956784A JPS6157102A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 発振逓倍器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157102A true JPS6157102A (ja) | 1986-03-24 |
Family
ID=16067990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17956784A Pending JPS6157102A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157102A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157103A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Sony Corp | 同調発振器 |
| JPH02114705A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Nec Corp | マイクロ波発振器 |
| JP2005286706A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Yokowo Co Ltd | 逓倍発振器およびそれを用いた送受信モジュール |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP17956784A patent/JPS6157102A/ja active Pending
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