JPS6157011A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置Info
- Publication number
- JPS6157011A JPS6157011A JP17784784A JP17784784A JPS6157011A JP S6157011 A JPS6157011 A JP S6157011A JP 17784784 A JP17784784 A JP 17784784A JP 17784784 A JP17784784 A JP 17784784A JP S6157011 A JPS6157011 A JP S6157011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- bias
- output
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。
先ず、第４図を参２照して、従来の磁気抵抗効果（以下
ＭＲという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一
例を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ
−Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１１上に（こ
の基＆ （１１が導電性を有する場合には、これの上に
被着された５ＩＯ２等の絶縁層（２）を介して）、後述
するＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるた
めのバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電躾
より成るバイアス導体（３）が被着され、このパイ、ア
ス導体（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ糸金合金のＭＲ磁性薄
膜から成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、この
ＭＲ感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各
一端が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を
横切、る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する
磁気コアとしての、例えばＭ。
ＭＲという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一
例を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ
−Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１１上に（こ
の基＆ （１１が導電性を有する場合には、これの上に
被着された５ＩＯ２等の絶縁層（２）を介して）、後述
するＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるた
めのバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電躾
より成るバイアス導体（３）が被着され、このパイ、ア
ス導体（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ糸金合金のＭＲ磁性薄
膜から成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、この
ＭＲ感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各
一端が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を
横切、る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する
磁気コアとしての、例えばＭ。
パーマロイから成る対の磁性層（７）及び（８）が被着
される。基板（１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基板ａ〔が接合される。
される。基板（１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基板ａ〔が接合される。
しかして、一方の磁性層（７）と基板（１）の前方端と
の間には□、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを
有する非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて
、前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁
気ギャップｇが臨むように、基板（１）、ギャップスペ
ーサ層（１１）、磁性層（７）、保護層（９）及び保護
基板（ＩＩの前方面が研磨されて磁気テープの如き磁気
記録媒体との対接面（１２）が形成される。
の間には□、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを
有する非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて
、前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁
気ギャップｇが臨むように、基板（１）、ギャップスペ
ーサ層（１１）、磁性層（７）、保護層（９）及び保護
基板（ＩＩの前方面が研磨されて磁気テープの如き磁気
記録媒体との対接面（１２）が形成される。
又、磁気ギャップｇを構成する磁性層（７）の後方端と
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。両磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前方
端は、絶縁層＋６１の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部′（１３）において磁気的には結合され
るようなされる。５かくして、基板’（１＋−’。
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。両磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前方
端は、絶縁層＋６１の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部′（１３）において磁気的には結合され
るようなされる。５かくして、基板’（１＋−’。
磁気ギャップｇ−磁性層（７１−Ｍ Ｒ感磁部（５）−
磁性層（８）一基板（１）の閉磁路から成る磁気回路が
形成される。
磁性層（８）一基板（１）の閉磁路から成る磁気回路が
形成される。
：Ｉ Ｃ（７）よう１１ Ｍ ＲｍＷ５Ｋ
” ｙ Ｆ ｆｆ１（ｈ Ｃおい７．よ、その磁気記録
媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上述の
磁気回路を流れることによって、この磁気回路中のＭＲ
感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外部磁界
に応じて変化する。
” ｙ Ｆ ｆｆ１（ｈ Ｃおい７．よ、その磁気記録
媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上述の
磁気回路を流れることによって、この磁気回路中のＭＲ
感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外部磁界
に応じて変化する。
そこで、ＭＲ感磁部（５）に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体」二の記録信号の再生を行う。
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体」二の記録信号の再生を行う。
この場合、ＭＲ感磁部（５）が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
このバイアス磁界は、バイアス導体（３）への通電によ
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
即ち、この種のＭＲ型磁気ヘッド装置は、第５図にその
概略的構成を示すように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ｉＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ｉｎＲの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＦＩが与
えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ５
が与えられる。そして、この信号磁界Ｈ，による抵抗変
化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点
の電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を介し
て増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子’（１５
）より出力するもの（である。
概略的構成を示すように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ｉＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ｉｎＲの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＦＩが与
えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ５
が与えられる。そして、この信号磁界Ｈ，による抵抗変
化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点
の電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を介し
て増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子’（１５
）より出力するもの（である。
第６図は、このＭＲ感磁部（５）に与える磁界Ｈと、そ
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲ＨＢＲ〜＋ＨＢＲ
において上に′凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値
が大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５
）を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路
方向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその゛抵抗Ｒ
は最小値Ｒｗｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最
大値Ｒｌｌ１ａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流
方向に向いた状態に於ける値である−そして、この動作
特性曲線における２次曲線の特性部分で、柚述したバイ
アス磁界Ｈ４がりえられた伏動で、第６図において符号
（１７）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えら
れるようにして、これに応じて同図中符号（１８）で示
す抵抗値変化に基づく出力を得るようにしている。この
場合は、信号磁界の大きさが大となるほど２次高調波歪
が大となることが分る。
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲ＨＢＲ〜＋ＨＢＲ
において上に′凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値
が大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５
）を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路
方向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその゛抵抗Ｒ
は最小値Ｒｗｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最
大値Ｒｌｌ１ａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流
方向に向いた状態に於ける値である−そして、この動作
特性曲線における２次曲線の特性部分で、柚述したバイ
アス磁界Ｈ４がりえられた伏動で、第６図において符号
（１７）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えら
れるようにして、これに応じて同図中符号（１８）で示
す抵抗値変化に基づく出力を得るようにしている。この
場合は、信号磁界の大きさが大となるほど２次高調波歪
が大となることが分る。
第７図はＭＲ感磁部（５）に与えるバイアス磁界Ｈ１ｌ
と、その時の感度との、関係を表す曲線を示し、これは
正負のピークを持ち、その間はリニアである。
と、その時の感度との、関係を表す曲線を示し、これは
正負のピークを持ち、その間はリニアである。
ところで、ＭＲ感磁部（５）に外部磁界の影響があると
、これはパイ？ａ磁界が変動したことと等価となり、Ｍ
Ｒヘッド・装置の感度や直線性が変化して好ましくない
。
、これはパイ？ａ磁界が変動したことと等価となり、Ｍ
Ｒヘッド・装置の感度や直線性が変化して好ましくない
。
かかる点に鑑み、本□発明は簡単な構成にして、ＭＲ感
磁部（５）に対する外部磁界の影響を打消すことのでき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を提供 −しようと
するものである。
磁部（５）に対する外部磁界の影響を打消すことのでき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を提供 −しようと
するものである。
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置は、信号磁
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）（５
）； （５１）、 （５２）、 （５３）、
・・・と、このＭＲ感磁部（５１； （５ｚ ） 、
（５２） 。
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）（５
）； （５１）、 （５２）、 （５３）、
・・・と、このＭＲ感磁部（５１； （５ｚ ） 、
（５２） 。
（５３） 、 ・・・にバイアス磁界を与えるバイア
ス磁界発生手段＋３１． （５） ； （５ｔ ）
、 （５２） 。
ス磁界発生手段＋３１． （５） ； （５ｔ ）
、 （５２） 。
（５３） 、 ・・・と、ＭＲ感磁部（５１；（５ｚ
）。
）。
（５２） 、 （５３） 、 ・・・の出力から信
号磁界に応じて直流乃至第１の所定周波数Ｆ１の帯域の
検出信号を得る検出回路（２２） ； （２２１）
、 （２２２） 。
号磁界に応じて直流乃至第１の所定周波数Ｆ１の帯域の
検出信号を得る検出回路（２２） ； （２２１）
、 （２２２） 。
（２２３） 、 ・・・と、この検出信号のうぢ不要
の直流乃至第２の所定周波数Ｆ２ （Ｆ２ ＜Ｆｌ）
の帯域の信号成分を抽出する低域通過フィルタ（２４）
と、この低域通過フィルタ（２４）よりの出力に応じて
外部磁界を打消す打消磁界をＭＲ感磁部（５）；（５１
） 、 （５２） 、 （５３） 、 ・・・に
与える打消磁界発生手段（３）又は（２６）とを有する
ことを特徴とするものである。
の直流乃至第２の所定周波数Ｆ２ （Ｆ２ ＜Ｆｌ）
の帯域の信号成分を抽出する低域通過フィルタ（２４）
と、この低域通過フィルタ（２４）よりの出力に応じて
外部磁界を打消す打消磁界をＭＲ感磁部（５）；（５１
） 、 （５２） 、 （５３） 、 ・・・に
与える打消磁界発生手段（３）又は（２６）とを有する
ことを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、打消磁界発生手段（３）又はく
２６）よりの打消磁界によって、ＭＲ感磁部（５）；＋
（５ｔ ） 、 （５２） 、
（５３） 、 ・・・に対する外部磁界が打消され
るので、バイアス磁界の変動がｌ１１１．＋トされ、外
部磁界による感度や直線性の変動を除去することのでき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を得ることかできる。
２６）よりの打消磁界によって、ＭＲ感磁部（５）；＋
（５ｔ ） 、 （５２） 、
（５３） 、 ・・・に対する外部磁界が打消され
るので、バイアス磁界の変動がｌ１１１．＋トされ、外
部磁界による感度や直線性の変動を除去することのでき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を得ることかできる。
（実施例〕
以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細に説
明する。本実施例は多チャンネルのＭＲ型磁気ヘッド装
置の場合で、ｈｘ ＊ ｈ２＋ １１３ 。
明する。本実施例は多チャンネルのＭＲ型磁気ヘッド装
置の場合で、ｈｘ ＊ ｈ２＋ １１３ 。
・・・は各はチャンネルのヘッド部、（２２１） 。
（２２２） 、 （２２３） 、・・・はヘッド部ｈ
１．ｈ２゜ｈ３． ・・・の各ＭＲ感磁部（５１）、
（５２）。
１．ｈ２゜ｈ３． ・・・の各ＭＲ感磁部（５１）、
（５２）。
（５ｍ ） 、 ・・・の出力から、その信号磁界に
応じた検出信号（例えば０〜４０ｋｌｌｚのアナログオ
ーディオ信号）を検出する検出回路、（２３ｓ ） 。
応じた検出信号（例えば０〜４０ｋｌｌｚのアナログオ
ーディオ信号）を検出する検出回路、（２３ｓ ） 。
（２３２） 、 （２３３） 、 ・・・はその出
力端子である。
力端子である。
各ヘッド部ｈ １ ＋ ｈ、、２ ＋ ’ｌ ３
＋ ・・・の構造は第４図と同様である力鉢バイアス
導体（３）は共通とされている。（２０）はこのバイア
ス導体（３）に直流又は及び交流（正弦波又は矩形波）
バイアス電流 ゞ１Ｂを供給するバイアス
電流源である。
＋ ・・・の構造は第４図と同様である力鉢バイアス
導体（３）は共通とされている。（２０）はこのバイア
ス導体（３）に直流又は及び交流（正弦波又は矩形波）
バイアス電流 ゞ１Ｂを供給するバイアス
電流源である。
かくして、ＭＲ感磁部（５ｚ ）、 （５２）。
（５ａ ） 、 ・・・に、バイアス導体（３）への
直流電流ｉＢの通電によって発生した磁界と、ＭＲ感磁
部（５１）、（５２）、（５３）、 ・・・への検出
電流ｉ ＭＲの通電によって発生した磁界とによってバ
イアス磁界ＨＢが与えられた状態で、信号磁界Ｈｓが与
えられる。
直流電流ｉＢの通電によって発生した磁界と、ＭＲ感磁
部（５１）、（５２）、（５３）、 ・・・への検出
電流ｉ ＭＲの通電によって発生した磁界とによってバ
イアス磁界ＨＢが与えられた状態で、信号磁界Ｈｓが与
えられる。
そして、任意のチャンネル、例えば第１チヤンネルの検
出回路（２２ｚ ）の検出信号の一部を、例えばＯ〜２
０ｋｔｌｚの信号成分を通過串せる低域通過フィルタ（
２４）に供給し、その出力を電流ドライバ（高利得増幅
器） （２５）に供給し、その出力電流とバイス電流
とを合成器（２１）に供給して合成して、バイアス導体
（３）に流す。この場合、低域通過フィルタ（２４）の
出力に基づいてバイアス導体（３）に流す電流は、各Ｍ
Ｒ感磁部（５１） 、 （５２） 。
出回路（２２ｚ ）の検出信号の一部を、例えばＯ〜２
０ｋｔｌｚの信号成分を通過串せる低域通過フィルタ（
２４）に供給し、その出力を電流ドライバ（高利得増幅
器） （２５）に供給し、その出力電流とバイス電流
とを合成器（２１）に供給して合成して、バイアス導体
（３）に流す。この場合、低域通過フィルタ（２４）の
出力に基づいてバイアス導体（３）に流す電流は、各Ｍ
Ｒ感磁部（５１） 、 （５２） 。
（５３）、・・・に与えられる外部磁界を打消す極性及
びレベルに設定される。
びレベルに設定される。
かくして、ＭＲ感磁部（５ｚ ） 、 （５２） 。
（５３） 、 ・・・に外部磁界が与えられても、こ
れがバイアス導体（３）からの打消磁界によって打消さ
れる。尚、検出信号のうち、２０Ｈｚ以下の信号成分は
不要なので、検出信号にこの成分が欠除していても問題
はない。
れがバイアス導体（３）からの打消磁界によって打消さ
れる。尚、検出信号のうち、２０Ｈｚ以下の信号成分は
不要なので、検出信号にこの成分が欠除していても問題
はない。
尚、複数の検出信号を上述の低域通過フィルタに供給し
、その出力を加算し、その加算出力に基づいた電流をバ
イアス導体（３）に流して外部磁界を打消すようにして
も良い。
、その出力を加算し、その加算出力に基づいた電流をバ
イアス導体（３）に流して外部磁界を打消すようにして
も良い。
次に第２図を参照して、本発明の他の実施例を説明する
。この実施例はヘッド部りのＭＲ感磁部として、直列接
続された一対のＭＲ感磁部（５ａ） 。
。この実施例はヘッド部りのＭＲ感磁部として、直列接
続された一対のＭＲ感磁部（５ａ） 。
（５ｈ）を設け、その接続中点を接地し、その各一端よ
り検出電流１ＭＲを流し、バイアスはセルフバイアスと
し、このＭＲ素子（５ａ） 、 （５ｂ）に信号磁界
Ｈ５を与えて、その各一端より差動出力を得て、差動増
幅器（２７）の非反転及び反転入力端子に夫々に供給す
るよ、うにする。しかして、出力端□子（２３）に信号
磁界・に対応した検出信号（例えば０〜４０ｋＨｚの帯
域のオーディオ信号）を得る。
り検出電流１ＭＲを流し、バイアスはセルフバイアスと
し、このＭＲ素子（５ａ） 、 （５ｂ）に信号磁界
Ｈ５を与えて、その各一端より差動出力を得て、差動増
幅器（２７）の非反転及び反転入力端子に夫々に供給す
るよ、うにする。しかして、出力端□子（２３）に信号
磁界・に対応した検出信号（例えば０〜４０ｋＨｚの帯
域のオーディオ信号）を得る。
そして、出力端子（２３）よりの検出信号を、０〜２０
ｋＨｚの成分を通過させる低域通過フィルタ（２４）を
介して電流ドライバ（高利得増幅器）（２５）に供給し
て、これよりの電流を打消磁界発生用の導体（２６）に
流す。この導体（２６）に流す電流は、ＭＲ感磁部（５
ａ） 、 （５ｂ）に与えられる外部磁界を打消す極
性及びレベルに設定される。
ｋＨｚの成分を通過させる低域通過フィルタ（２４）を
介して電流ドライバ（高利得増幅器）（２５）に供給し
て、これよりの電流を打消磁界発生用の導体（２６）に
流す。この導体（２６）に流す電流は、ＭＲ感磁部（５
ａ） 、 （５ｂ）に与えられる外部磁界を打消す極
性及びレベルに設定される。
尚、第２図の実施例に於いて、ＭＲ感磁部（５ａ）又は
（５ｂ）の一方を磁界の当たらない場所に設けることに
より、他方の温度補償に供することができる。
（５ｂ）の一方を磁界の当たらない場所に設けることに
より、他方の温度補償に供することができる。
次に、第３図を参照して、本発明の更に他の実施例を説
明する。矩形波発振器（３０）より、信号磁界の最高周
波数の３倍以上の周波数の矩形波信号を得、これを電流
ドラバ（３１）に供給し、これよりの矩形波バイアス電
流を、ヘッド部りのバイアス導体（３）に流すようにす
る。
明する。矩形波発振器（３０）より、信号磁界の最高周
波数の３倍以上の周波数の矩形波信号を得、これを電流
ドラバ（３１）に供給し、これよりの矩形波バイアス電
流を、ヘッド部りのバイアス導体（３）に流すようにす
る。
ＭＲヘッド部（５）よりの出力をコンデンサ（１６）−
増幅器（１４）の縦続回路に供給し、その出力を１！
インバータ（３２）に供給し、増幅器（１
４）及びインバータ（３２）の出力を、矩形波発振器（
３ｏ）よりの矩形波信号にて切換制御されるスイッチ（
３３）にて切換え、その切換出力を低域通過フィルタ（
３４）に供給することにより、出力端子（２３）に信号
磁界Ｈｓに応じた検出信号（例えば０〜４０ｋＨｚの帯
域のオーディオ信号）を得る。
増幅器（１４）の縦続回路に供給し、その出力を１！
インバータ（３２）に供給し、増幅器（１
４）及びインバータ（３２）の出力を、矩形波発振器（
３ｏ）よりの矩形波信号にて切換制御されるスイッチ（
３３）にて切換え、その切換出力を低域通過フィルタ（
３４）に供給することにより、出力端子（２３）に信号
磁界Ｈｓに応じた検出信号（例えば０〜４０ｋＨｚの帯
域のオーディオ信号）を得る。
この検出信号を、例えば０〜２０Ｈｚの信号成分を通過
させる低域通過フィルタ（２４）に供給し、その出力を
電流ドライバ（高利得増幅器＞ （２５）に供給し、
その出力電流を合成器（３５）に於いて電流ドライバ（
３１）よりの矩形波バイアス電流と合成して、バイアス
導体（３）に流すようにする。この電流ドライバ（２５
）よりの電流は、ＭＲ感磁部（５）に対する外部磁界を
打消すような極性及びレベルに設定される。
させる低域通過フィルタ（２４）に供給し、その出力を
電流ドライバ（高利得増幅器＞ （２５）に供給し、
その出力電流を合成器（３５）に於いて電流ドライバ（
３１）よりの矩形波バイアス電流と合成して、バイアス
導体（３）に流すようにする。この電流ドライバ（２５
）よりの電流は、ＭＲ感磁部（５）に対する外部磁界を
打消すような極性及びレベルに設定される。
第３図の実施例に於いて、矩形波発振器（３０）として
正弦波発振器を用いることもでき、その場合には、イン
バータフ３２）及びスイッチ（３３）の構成の代りに掛
算器を設け、増幅器（１４）の代りに設けた高域通過フ
ィルタよりの出力と、正弦波信号を掛算して、低域通過
フィルタ（３４）に供給するようにすれば良い。
正弦波発振器を用いることもでき、その場合には、イン
バータフ３２）及びスイッチ（３３）の構成の代りに掛
算器を設け、増幅器（１４）の代りに設けた高域通過フ
ィルタよりの出力と、正弦波信号を掛算して、低域通過
フィルタ（３４）に供給するようにすれば良い。
尚、再生信号はアナログ／デジタルのオーディオ／ビデ
オ／データ信号が可能である。
オ／データ信号が可能である。
上述せる本発明によれば、簡単な構成にして、ＭＲ感磁
部に対する外部磁界の影響を打消ずことができ、よって
バイア磁界の変動を抑え、感度及び直線性が変化する虞
のない磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を得ることができ
る。
部に対する外部磁界の影響を打消ずことができ、よって
バイア磁界の変動を抑え、感度及び直線性が変化する虞
のない磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を得ることができ
る。
第１図、第２図及び第３図は本発明による磁気抵抗効果
型磁気ヘッド装置の各実施例を示すブロック線図、第４
図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置のヘッド部の
構造を示す断面図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド装置を示すブロック線図、第６図及び第７図・は
その磁気抵抗効果感磁部の特性を示す特性曲線図である
。 （３）はバイアス導体（打消磁界発生用導体） 、 ＋
５） １（５ｚ ） 、 （５２） 、 （５３）
、 ・・・は磁気抵抗効果感磁部、（２２） ；
（２２ｔ ） 、 （２２２） 。 （２２３） 、・・・は検出回路、（２４）は低域通過
フィルタ、（２６）は打消磁界発生用導体である。 第４図 □ 第５．図 第７図 手続補正書 昭和６０年 ７月 ５日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 昭和５９年 特 許 廓 第１７７８４−７号事件との
関係 特許出願人、 − ３、補正をする者 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄。 ４、代理人
型磁気ヘッド装置の各実施例を示すブロック線図、第４
図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置のヘッド部の
構造を示す断面図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド装置を示すブロック線図、第６図及び第７図・は
その磁気抵抗効果感磁部の特性を示す特性曲線図である
。 （３）はバイアス導体（打消磁界発生用導体） 、 ＋
５） １（５ｚ ） 、 （５２） 、 （５３）
、 ・・・は磁気抵抗効果感磁部、（２２） ；
（２２ｔ ） 、 （２２２） 。 （２２３） 、・・・は検出回路、（２４）は低域通過
フィルタ、（２６）は打消磁界発生用導体である。 第４図 □ 第５．図 第７図 手続補正書 昭和６０年 ７月 ５日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 昭和５９年 特 許 廓 第１７７８４−７号事件との
関係 特許出願人、 − ３、補正をする者 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄。 ４、代理人
Claims (1)
- 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生
手段と、上記磁気抵抗効果感磁部の出力から上記信号磁
界に応じて直流乃至第１の所定周波数Ｆ＿１の帯域の検
出信号を得る検出回路と、該検出信号のうち不要の直流
乃至第２の所定周波数Ｆ＿２（Ｆ＿２＜Ｆ＿１）の帯域
の信号成分を抽出する低域通過フィルタと、該低域通過
フィルタよりの出力に応じて外部磁界を打消す打消磁界
を上記磁気抵抗効果感磁部に与える打消磁界発生手段と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17784784A JPS6157011A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| CA000489332A CA1248222A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-23 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP85110712A EP0173942B1 (en) | 1984-08-27 | 1985-08-26 | Magnetoresistance effect type magnetic head apparatus |
| DE8585110712T DE3583088D1 (de) | 1984-08-27 | 1985-08-26 | Magnetkopf mit magnetowiderstandseffekt. |
| US06/769,937 US4691259A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-27 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17784784A JPS6157011A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157011A true JPS6157011A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16038144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17784784A Pending JPS6157011A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157011A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365709A (en) * | 1976-11-24 | 1978-06-12 | Ibm | Conversion circuit |
| JPS5414719A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Signal reproducer |
| JPS551698A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-08 | Philips Nv | Magnetic reading head |
| JPS60119616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Nec Kansai Ltd | Ｍｒヘツドのバイアス方法 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17784784A patent/JPS6157011A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365709A (en) * | 1976-11-24 | 1978-06-12 | Ibm | Conversion circuit |
| JPS5414719A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Signal reproducer |
| JPS551698A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-08 | Philips Nv | Magnetic reading head |
| JPS60119616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Nec Kansai Ltd | Ｍｒヘツドのバイアス方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4703378A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US4691259A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US3979775A (en) | Magnetoresistive multitransducer assembly with compensation elements for thermal drift and bias balancing | |
| US4280158A (en) | Magnetoresistive reading head | |
| US4343026A (en) | Magnetoresistive head employing field feedback | |
| US4660113A (en) | Magnetoresistive thin film head | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPH03187002A (ja) | 磁気抵抗エレメントが発生する信号の増幅回路 | |
| US5535077A (en) | Magnetoresistive head having magnetically balanced magnetoresistive elements laminated on opposite sides of an electrically conductive film | |
| JPS6157011A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| US3189880A (en) | Flux-responsive record-reproduce system | |
| JPS6116009A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPH0376536B2 (ja) | ||
| JPS6154005A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPH0341890B2 (ja) | ||
| JPS6310310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| SU985823A1 (ru) | Магниторезистивна головка | |
| JPS60263301A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド信号再生装置 | |
| JPS6314315A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS58220240A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| KR830000380B1 (ko) | 자기 판독 헤드 | |
| JPS60263310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6192414A (ja) | 磁気抵抗装置 | |
| JPS6157013A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6187215A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |