JPS6156572A - イメ−ジセンサ駆動回路 - Google Patents
イメ−ジセンサ駆動回路Info
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- JPS6156572A JPS6156572A JP59177466A JP17746684A JPS6156572A JP S6156572 A JPS6156572 A JP S6156572A JP 59177466 A JP59177466 A JP 59177466A JP 17746684 A JP17746684 A JP 17746684A JP S6156572 A JPS6156572 A JP S6156572A
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- photoelectric conversion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、画像処理等に用いられる蓄積駆動方式を用い
るイメージセンサ駆動回路に関し、特にその読取り速度
の高速化に関する。
るイメージセンサ駆動回路に関し、特にその読取り速度
の高速化に関する。
従来形のイメージセンナ駆動回路においては、バイアス
電源が光電変換素子(フォトダイオード)、選択素子、
および抵抗の直列回路に印加され、1つの選択素子がシ
フトレジスタ等の出力により選択されて導通状態と々る
と、1フレ一ム期間中に当該光電変換素子に照射された
照射量に対応して電流が流れ、抵抗の両端に電圧を生ず
る。この電圧をセンナ増幅器で増幅し、比較器で基準値
と比較して2値化出力を得ている。
電源が光電変換素子(フォトダイオード)、選択素子、
および抵抗の直列回路に印加され、1つの選択素子がシ
フトレジスタ等の出力により選択されて導通状態と々る
と、1フレ一ム期間中に当該光電変換素子に照射された
照射量に対応して電流が流れ、抵抗の両端に電圧を生ず
る。この電圧をセンナ増幅器で増幅し、比較器で基準値
と比較して2値化出力を得ている。
上述の回路において、抵抗として大きい抵抗値のものを
用いて出力電圧を増加しようとすると、当該回路の時定
数が大となり、光電変換素子へ対する充電時間を長く必
要とし、次の素子への切換えが遅くなフ、読み取り速度
が高速にできないという問題点がめった。
用いて出力電圧を増加しようとすると、当該回路の時定
数が大となり、光電変換素子へ対する充電時間を長く必
要とし、次の素子への切換えが遅くなフ、読み取り速度
が高速にできないという問題点がめった。
従りて、本発明の目的は前述の問題点にかんがみ、光電
変換素子と直列に接続された抵抗の抵抗値を大きくして
出力電圧の増加を図り、その結果回路の時定数が増加し
ても、読み取シ速度が低下しないようにし、その高速化
を実現することにある。
変換素子と直列に接続された抵抗の抵抗値を大きくして
出力電圧の増加を図り、その結果回路の時定数が増加し
ても、読み取シ速度が低下しないようにし、その高速化
を実現することにある。
本発明は、上記問題点を改善したイメージセンサ駆動回
路を提供するするもので、その手段は、光の照射によっ
て光電変換素子の電荷再結合を生じさせ、該電荷再結合
による電荷の減少を補充する充電電流の多少によ夕照射
光に対応し7’c!気出力を得る蓄積駆動方式を用いる
イメージセンサ駆動回路において、読み出し側の信号処
理回路を複数個設け、該光電変換素子の出力を分担処理
するようにしたことを特徴とするイメージセンサ駆動回
路によってなされる。
路を提供するするもので、その手段は、光の照射によっ
て光電変換素子の電荷再結合を生じさせ、該電荷再結合
による電荷の減少を補充する充電電流の多少によ夕照射
光に対応し7’c!気出力を得る蓄積駆動方式を用いる
イメージセンサ駆動回路において、読み出し側の信号処
理回路を複数個設け、該光電変換素子の出力を分担処理
するようにしたことを特徴とするイメージセンサ駆動回
路によってなされる。
上記イメージセンサ駆動回路は、複数個の読み出し側の
信号処理回路の分担処理によって、光電変換素子を含む
回路の時定数が大きくても、読み取り処理の高速化が可
能となる。
信号処理回路の分担処理によって、光電変換素子を含む
回路の時定数が大きくても、読み取り処理の高速化が可
能となる。
本発明の一実施例としてのイメージセンサ駆動回路の回
路図が第1図に示される。この回路はバイアス電源E1
バイアス電源Eの一方の端子から接続された光電変換素
子(フォトダイオード)PDIからPD2ns該光電変
換素子の各々と直列に接続された選択素子S、奇数番号
の光電変換素子から各々該選択素子Sf:介して共通に
接続される抵抗R1、偶数番号の光電変換素子から各々
該選択素子Sを介して共通に接続される抵抗R2、抵抗
R1の両端の電圧を受けるセンナ増幅器11、センサ増
幅器11の出力5(11)’!i−受は基準電圧と比較
する比較器13、抵抗R2の両端の電圧を受けるセンナ
増幅器12、センサ増幅器12の出力5(z2)t−受
は基準電圧と比較する比較器14、および比較器13の
出力5(13)および比較器14の出力5(14)を受
けてサンプリングし画素(PIX)信号を得るセレクタ
15を具備する。
路図が第1図に示される。この回路はバイアス電源E1
バイアス電源Eの一方の端子から接続された光電変換素
子(フォトダイオード)PDIからPD2ns該光電変
換素子の各々と直列に接続された選択素子S、奇数番号
の光電変換素子から各々該選択素子Sf:介して共通に
接続される抵抗R1、偶数番号の光電変換素子から各々
該選択素子Sを介して共通に接続される抵抗R2、抵抗
R1の両端の電圧を受けるセンナ増幅器11、センサ増
幅器11の出力5(11)’!i−受は基準電圧と比較
する比較器13、抵抗R2の両端の電圧を受けるセンナ
増幅器12、センサ増幅器12の出力5(z2)t−受
は基準電圧と比較する比較器14、および比較器13の
出力5(13)および比較器14の出力5(14)を受
けてサンプリングし画素(PIX)信号を得るセレクタ
15を具備する。
前述の回路の動作を説明する。光電変換素子(任意の偶
数個)は幽該選択素子Sが選択されて導通状態となると
電源Eから抵抗R1ま次はR2を介して充電される。選
択素子Sはシフトレジスタ等によフ順次光電変換素子の
番号に従って一定時間ずつ選択されて導通状態(オン)
となる。選択素子Sがオフとなシ非導通状態となると、
それに接続された光電変換素子は17レームの期間(オ
ンから次のオンになるまでの期間)の照射光量に対応し
て充電され比電荷が再結合され実質的に放電される。次
いで再び選択素子Sがオンになると、上記放電された電
荷量を補充するよう電流が抵抗R1またはR2を介して
供給される。この際抵抗R1またはR2の両端に発生す
る電圧は第2図の5(11)または5(12)のような
波形となる。
数個)は幽該選択素子Sが選択されて導通状態となると
電源Eから抵抗R1ま次はR2を介して充電される。選
択素子Sはシフトレジスタ等によフ順次光電変換素子の
番号に従って一定時間ずつ選択されて導通状態(オン)
となる。選択素子Sがオフとなシ非導通状態となると、
それに接続された光電変換素子は17レームの期間(オ
ンから次のオンになるまでの期間)の照射光量に対応し
て充電され比電荷が再結合され実質的に放電される。次
いで再び選択素子Sがオンになると、上記放電された電
荷量を補充するよう電流が抵抗R1またはR2を介して
供給される。この際抵抗R1またはR2の両端に発生す
る電圧は第2図の5(11)または5(12)のような
波形となる。
第2図には、第1図の回路における波形図が示される。
最上段のPDIないし8は、それぞれの光電変換素子に
対応する選択素子Sのオンとなるタイミングを示す。5
(11)はセンサ増幅器11の出力電圧波形でありて、
光電変換素子PDIを充電するため生じた抵抗R1の両
端の電圧波形がPDIからPD3の区間に示され、次い
で奇数番号の光電変換素子を充電するため生じた抵抗R
1の両端の電圧波形が順次示される。波形の波高値は轟
該光電変換素子が受けた照射光量に応じて異なる。
対応する選択素子Sのオンとなるタイミングを示す。5
(11)はセンサ増幅器11の出力電圧波形でありて、
光電変換素子PDIを充電するため生じた抵抗R1の両
端の電圧波形がPDIからPD3の区間に示され、次い
で奇数番号の光電変換素子を充電するため生じた抵抗R
1の両端の電圧波形が順次示される。波形の波高値は轟
該光電変換素子が受けた照射光量に応じて異なる。
5(12)はセンサ増幅器12の出力電圧波形であって
、偶数番号の光電変換素子を充電するために生じた抵抗
R2の両端の電圧波形が頭次示される。
、偶数番号の光電変換素子を充電するために生じた抵抗
R2の両端の電圧波形が頭次示される。
従来形のイメージセンサ駆動回路においては、読み出し
側信号処理回路としてのセンサ増幅器および比較器がそ
れぞれ1式しかなく、奇数番号および偶数番号の光電変
換素子回路に共通でhりた次め、5(11)および5(
12)の波形がタイミングPDIからPD2に至る時間
内にほぼ下限値に達する必要があった。しかしながら本
実施例におけるように、2式の信号処理回路を設け、そ
れぞれ奇数番号および偶数番号の光電変換素子回路を分
担すれば、s(x 1 )または5(12)の波形は従
来例に比べ2倍の時定数を有する波形でよく、すなわち
立上った波形が下ってほぼ下限値に落着くまでの時間が
光電変換素子を切換えるタイミングの2倍迄許容される
ことKなる。従って抵抗20R1またはR2を大きい値
とすることが可能となるO 抵抗R1またはR2の両端に得られた電圧は、それぞれ
センサ増幅器12または13で増幅される。増幅された
出力信号5(11)tfcは5(12)は、それぞれ比
較器13または14に供給され、或定められた基準電圧
と比較され、2値化された出力信号5(13)tたは5
(14)が求められる。出力信号5(13)および5(
14)の波形もまた第2図に示される。出力信号5(1
3)および5(14)はセレクタ15においてサンプリ
ングされて画素信号(PIX)となる。信号(PIX)
の電圧波形は第2図の最下段に示される。
側信号処理回路としてのセンサ増幅器および比較器がそ
れぞれ1式しかなく、奇数番号および偶数番号の光電変
換素子回路に共通でhりた次め、5(11)および5(
12)の波形がタイミングPDIからPD2に至る時間
内にほぼ下限値に達する必要があった。しかしながら本
実施例におけるように、2式の信号処理回路を設け、そ
れぞれ奇数番号および偶数番号の光電変換素子回路を分
担すれば、s(x 1 )または5(12)の波形は従
来例に比べ2倍の時定数を有する波形でよく、すなわち
立上った波形が下ってほぼ下限値に落着くまでの時間が
光電変換素子を切換えるタイミングの2倍迄許容される
ことKなる。従って抵抗20R1またはR2を大きい値
とすることが可能となるO 抵抗R1またはR2の両端に得られた電圧は、それぞれ
センサ増幅器12または13で増幅される。増幅された
出力信号5(11)tfcは5(12)は、それぞれ比
較器13または14に供給され、或定められた基準電圧
と比較され、2値化された出力信号5(13)tたは5
(14)が求められる。出力信号5(13)および5(
14)の波形もまた第2図に示される。出力信号5(1
3)および5(14)はセレクタ15においてサンプリ
ングされて画素信号(PIX)となる。信号(PIX)
の電圧波形は第2図の最下段に示される。
本実施例においては、読み出し側信号処理回路を2式設
け、読み出し信号波形の時定数を2倍迄可能とし抵抗R
1およびR2を増加して信号出力の増加を図ることがで
きる。また時定数をそのままとすれば、選択素子の切換
えタイミングを半分に短縮して、読み出し速度を2倍圧
することができる。
け、読み出し信号波形の時定数を2倍迄可能とし抵抗R
1およびR2を増加して信号出力の増加を図ることがで
きる。また時定数をそのままとすれば、選択素子の切換
えタイミングを半分に短縮して、読み出し速度を2倍圧
することができる。
本実施例においては、読み出し側信号処理回路を2式設
けた場合について述べたが、本発明はこれに限られるこ
となく、任意の数の読み出し側信号処理回路を設けるこ
とが可能である。
けた場合について述べたが、本発明はこれに限られるこ
となく、任意の数の読み出し側信号処理回路を設けるこ
とが可能である。
本発明によれば、読み取り速度の高速化を実現できるイ
メージセンサ駆動回路が得られる。
メージセンサ駆動回路が得られる。
第1図は本発明の一実施例としてのイメージセンサ駆動
回路0回路図、および第2図は第1図の回路の波形図で
ある。 11.12・・・センナ増幅器、13.14・・・比較
器、15・・・セレクタ、E・・・電源、PDI〜2n
・・・光電変換素子、R1,R2・・・抵抗、S・・・
選択素子。 第1図 第2図 PD12345678 (PIX) d−丁1」−一
回路0回路図、および第2図は第1図の回路の波形図で
ある。 11.12・・・センナ増幅器、13.14・・・比較
器、15・・・セレクタ、E・・・電源、PDI〜2n
・・・光電変換素子、R1,R2・・・抵抗、S・・・
選択素子。 第1図 第2図 PD12345678 (PIX) d−丁1」−一
Claims (1)
- 光の照射によって光電変換素子の電荷再結合を生じさせ
、該電荷再結合による電荷の減少を補充する充電電流の
多少により照射光に対応した電気出力を得る蓄積駆動方
式を用いるイメージセンサ駆動回路において、読み出し
側の信号処理回路を複数個設け、該光電変換素子の出力
を分担処理するようにしたことを特徴とするイメージセ
ンサ駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59177466A JPS6156572A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | イメ−ジセンサ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59177466A JPS6156572A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | イメ−ジセンサ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6156572A true JPS6156572A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16031417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59177466A Pending JPS6156572A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | イメ−ジセンサ駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6156572A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62298271A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-25 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサユニツトの駆動方法 |
JPH02268060A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-01 | Canon Inc | センサ装置 |
JPH0556213A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59177466A patent/JPS6156572A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62298271A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-25 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサユニツトの駆動方法 |
JPH02268060A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-01 | Canon Inc | センサ装置 |
JPH0556213A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
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