JPS6156288A - 銅腐蝕抑制剤およびその水処理系における使用 - Google Patents

銅腐蝕抑制剤およびその水処理系における使用

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JPS6156288A
JPS6156288A JP60141459A JP14145985A JPS6156288A JP S6156288 A JPS6156288 A JP S6156288A JP 60141459 A JP60141459 A JP 60141459A JP 14145985 A JP14145985 A JP 14145985A JP S6156288 A JPS6156288 A JP S6156288A
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corrosion
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オーリン・ホランダー
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F11/00Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
    • C23F11/08Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
    • C23F11/10Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は銅腐蝕抑制剤およびその冷水装置における使用
、更に詳しくは、銅表面材や銅含有表面材などの非鉄表
面拐の保護(腐蝕抑制)に用いる特定のアルキル置換ベ
ンゾトリアゾール類およびその用途に関する。かかるベ
ンゾトリアゾール化合物は1例えば冷水装置において、
銅および銅合金から二次加工されるシステム(設備)の
構造部品の腐蝕を抑制するための処理に使用することが
できる。
従来技術と解決すべき問題点 従来より、ベンゾ) IJアゾールが銅および銅合金の
腐蝕抑制剤、酸化抑制剤または汚染抑制剤として用いら
れることは周仰である。またかかる審美的用途に加え、
ベンゾトリアゾールをトリルトリアゾールと組合せて、
水処理工業、特に冷水工業で広く使用されていることが
知られている。
ペンシルバニア州トレボースのベンツ・ラボラトリーズ
・インコーホレイテッドの[BETZHANDBOOK
  OF  INDUSTRIALWATERC0ND
ITIONINGJ(202〜231頁、1980年)
に記載の如く、冷水装置の経済的および連続的に使用操
作を確実にするには、該冷水装置が開放、再循環または
閉鎖のいずれの場合にも腐蝕および沈積の制御処理が常
に必要である。上記ハンドブックの207〜209頁に
は、個々の腐蝕抑制剤、およびこれらの組合せが多数開
示されており1例えば周知のクロメート、ホスフェート
、亜鉛系抑制剤、市販処理剤の「Dianodic J
および「n; anod i c ロ」が包含される。
しかしながら、該ハンドブックの208頁の最後のパラ
グラフに記載の如く、冷水装置の構造部品に銅または銅
合金が存在し、且つこれらの部品を冷却水と接触させる
場合、必然的に銅腐蝕抑制剤を使用しなければならない
とされている。またU。
S特許第4303568号、第3837803号および
第3960576号によれば、この種の腐蝕抑制剤は一
般に、塩基性鉄金属抑制剤および/または組成物と共に
使用される旨記載されている。
上記の各文献から認められるように、メルカプトベンゾ
チアゾールおよび他の特定チアゾール類や、ベンゾトリ
アゾールおよびその誘導体(主にトリルトリアゾール)
が広く使用されている。また明らかな如く、水処理工業
界は、より有効で経済性の高い、しかも適用容易な処理
剤を見出すべく、各種添加化り物について検討されてお
り、主として銅損制剤の開発が研究されている。これら
の抑制剤は事実、水処理工業において有意義であるが、
一般に、銅または銅含有合金から二次加工されるランプ
等の装飾品、ポット、構造部品などの製品の汚染および
/または酸化の抑制にも重要である。装飾品などの製品
は1周知のv■く、はんのわずかに湿った雰囲気でもこ
れにさらすと、酸化あるいは汚染する。従って、水処叩
工朶Wではかかる問題を解決する方法も望まれている。
本発明によって、式。
〔式中、Rは炭素数3〜8、好ましくは4〜6の直鎖も
しくは分枝鎖置換もしくは非置換炭化水素基である〕 テ示すれる置換ベンゾトリアゾール化合物を非鉄金属表
向、特に銅表面または銅含有物表面に塗布すれば、腐蝕
保護並びに酸化および汚染の抵抗が促進されることがわ
かった。この点に関し、特にブチルベンゾトリアゾール
が好ましい。
当該化合物は上述の川<、水処理工業(特に冷水工業)
において、構造部品が銅および/または銅合金から二次
加工され、その系に含まれる水によって浸蝕されるとい
った冷水装置の構造部品の保護を目的としてその広範囲
の使用が企画されている。
本発明に係る置換ベンゾトリアゾール化合物は、それ単
独または他の処理剤と組合せて、その系に添加するか、
または銅表面に塗布することができる。
置換ベンゾトリアゾール化合物を冷水装置の処理に用い
る場合、これを単独で、その水溶液の形で添加するか、
または冷水装置の鉄構油部の保護を意図した周知の腐蝕
抑制剤と併用(〜でもよい。
例えば、置換ベンゾトリアゾール化合物を周知の処理剤
と共に適当量で配合されてよい。なお、適当量とは全配
合物を冷却水に添加した場合に、当該化合物が十分に機
能して、所望の保護を達成できる量を意味する。」−記
周仰の処理剤としては。
アクリル酸ノヒドロキシアルキルアクリレート/オルト
ホスフェートを用いて腐蝕保護を伺!テする[Dian
odic 17 J処理剤(TJ、S、特許第4303
568号参照)、ジンク−クロメートおよび/またはホ
スフェートをベースとする処理剤、ホスホネート含有処
理剤、ポリおよびオルトホスフェート−ポリマー処理剤
(例えばポリアクリル酸ポリマースルホン1ヒスチレン
ー無水マレイン酸ポリマー、アクリル酸/アクリルアミ
ドコポリマー、アクリルアミドメチルプロパンスルホネ
ートヲベースとするポリマーを有する処理剤)〔ベンツ
のU、別特許第3898037号を参照〕等が包含され
る。
なお、より詳しい内容については上述のBETZハンド
ブックを参照。
本発明における当該化合物は、それが不動態技術(pa
ssivation  technique )  ま
たはバリヤー保護技術のいずれによるものであっても、
その鉄金属保護系と共に利用できることが明らかである
当該化合物は上述の如く、下式で示される。
上記構造式を構成する各原子に番号を付し、効果上予期
できない程度に優れることが認められる特定化会物、即
ち4−または5−ブチルベンゾトリアゾールを明示する
」−記R基は03〜C8の基であるが、当該化合物の具
体例としては、以下のものが挙げられる。
なお、k基の位置は4または5位が好ましい。
(11〕 またベンゼン環中の炭化水素基および6および/または
7位を別の官能基で置換することも可能である。かかる
官能基としては、アルキル、ハロアルキル、ハロ、アミ
ノ、アルコキシおよびカルボキシアミド基が有用である
当該化合物は、その使用目的に応じ十分な量で使用すべ
きことが明らかであるが、より具体的には、水処理系の
水に対して0.1〜200 ppmの量で添加すること
ができる。
次に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
実施例 本発明の効果が分備化合物に比し優れていることを確認
するため、以下に示す実験および研究を行う。
実験 ■、電気化学法 腐蝕は主に電気化学現象であるので、電気化学技術を用
いて腐蝕の機構および活性を研究することができる。実
験は以下の要領で行う。即ち、本発明の対象とする金属
合金の電極(作業電極〕を適当な参照電極(ここで報告
する結果は、飽和力0メ/l/電極(5aturate
d  Calomel  Electrode )[5
CE)に関係する)と共に適当な媒質(導電液)に入れ
、各種の電子装置(一般にポテンシャルスタット(po
tentiostat )と称す)で静電ポテンシャル
(電圧〕または電流をコントロールし、同時に生じる電
流またはポテンシャルを測定する。
最初の主要な技術は静ポテンシャル分極またはゞタフエ
ル(Tafel) ’分極である。
A、タフエル分極 腐蝕プロセス中電子は腐蝕電極から周囲環境へ移行する
ので、電子流の速度、または電流は、下式のファラデー
の法則によって腐蝕速度に直接関係する。
N=i/nF 〔Nは単位時間当りの反応を受けるモル数(即ち。
腐蝕速度)、 nは必要原子当りの電子の数(またはモル当量〕。
iは電流(単位時間当りの電荷)。
Fはファラデー数(当量当りのクーロン)である〕 平均浸蝕速度で示される腐蝕速度は1次式で算出される
C0R0−(NxAt、Wt)/(dXA)[C0R1
は適当なユニットの腐蝕速度。
Nは前記と同意義。
A【・W【は合金の1分子当りの買置。
dは合金の密度。
Aは試験片の表面積である〕 分極技術において、電流成分の1つを有効に抑制できる
ように系を腐蝕ポテンシャルから十分離して電気的に混
乱させることが必要で、これによって他の成分の測定が
可能となる。このように正ポテンシャルを付与すること
により、陰糊反応は抑制され、陽極電流を測定すること
ができる。負ポテンシャルを付与すれば、反対のプロセ
スが起る。データの適当な数学的処理によって、腐蝕電
流を測定することができる。更に、電流−ポテンシャル
の関係の詳細な分析によって1機構の細部が明らかとな
る。例えば、抑制剤の使用および不使用での陽極および
陰極曲線の形を比較すれば、抑制の原理形態を明らかに
することができる。かかる試験のデータにおいて、酸素
の陰極還元は抑制剤分子によって最も有意義に起り、ま
たブチルベンゾトリアゾール(b−BZT)は陰部反応
遅延を最大限に抑制することが認められる。
B、直線(−次)分極 タフエル分極の欠点の1つは、有意な電流を試料および
溶液に通して系に永久変化を起すことである。その結果
は既伽状態の系とは相関しないの(15〕 で、繰返し測定することができない。典型的な変化が生
じるのは、溶液pH,溶液組成および試験片の表面構造
である。直線分極はこの問題を解決するが、それは非常
に小さな混乱電流を用いて系の状態変化を無視できる程
度にすることによる。
しかしながら、非直線の系レスポンスは、データ処理に
関してこれを煩雑化する。かかる処理に対して各種の演
算法を利用でき、これらをこの目的に用いるコンピュー
タープログラムにおいて採用する。
電流−ポテンシャル曲線の腐蝕ポテンシャルにおける瞬
間勾配の測定(j、オーム眼位または電気抵抗単位を有
する。組成および表面積が同一の試料の場合、この分極
抵抗値は腐蝕速度に反比例する。このように抵抗か大き
くなると、腐蝕i中度は’J八さくfよる。
この技術は同一の系に対し測定を繰返して行うことがで
きるという利点を有するが、タフエル分極によって得る
ことができる機構細部を犠牲にする。
(16〕 添付図面の直線分極データによれば、トリルトリアゾー
ル(TTA)やベンゾトリアゾール(BZT)に比べて
ブチルベンゾトリアゾール(b−BZT)では全く予期
できない改良が認められる。
■、性能研究 腐蝕およびその抑制の純電気化学的観点から離れて、外
的条件の影響について疑問が起る。再循環冷却システム
の処理技法を開始するのに、第1の関心は水化学、流速
および温度の影響である。
従って、試験装置は広範囲のポテンシャル作動条件をま
ねるように設計されており、また加えて、試験片の挿入
手段が設けられている。次いで、これらの試験片を所望
に応じて、可視的に、電気化学的にまたは重量的に研究
することができる。電流研究に採用する主要な2つの試
験は、スピンナー試薬および再循環試験ユニット(RT
v)である。
A、スピンナー試験 174?のタンクを設け、これに試験水を入れる。室温
〜212”Fの一定温度に維持する手段を設け、更に試
験溶液を空気飽和に維持する。クーポン形状の舎監試料
(合金に基づき寸法の異なる金属片〕を洗浄し、重用を
秤り、これをマンドレルの周辺に固定する。次いでクー
ポンを試@溶液に浸漬し、垂直軸を中心に一定速度で回
転させる。
リム回転速度を1.6フイ一ト/秒に維持する。
試験クーポンを所定期間(例えば3〜7日間〕浸漬後、
これを取出し、検査し、洗浄し、乾燥し、重量を秤る。
これらのデータから、腐蝕速度を算出する。
B、再循環試験ユニット(RTU) この試験操作はスピンナー試験に概念的1こ類似するが
、この点はむしろ、試験片を静止した液体中で回転させ
ており、試験片は固定され、液体を調整可能な一定速度
で循環させる。更に、試験溶液を調整可能な一定速度で
補給し、pHを土0,2pH単位内に調節する手段を設
ける。フロー流に電気化学的腐蝕測定を行う手段を設け
る。更に、フロー流に試験片を挿入することができ、試
験片の表向温度を調節するため、内部抵抗加熱装置を介
してフロー流に一定の熱束を付与されてよい。
■、試験結果 A、タフエル分極 0、lN−硫酸ナトリウムを含有しPH7,0に調整し
た試験容器に銅電極を入れ、空気飽和にする。
対照は未処理であって、一連の各試験液にはそれぞれ]
、Ppm  のベンゾトリアゾール(11Z T )、
トリルトリアゾール(TTA)またはブチルベンゾトリ
アゾール(b−BZT)を加える。
−550mV〜+250mVC飽和カロメル参照電極(
SCE)に対して)の10 mV 7分のポテンシャル
掃引を適用する(全ての掃引は陽極方向に行い、陰極掃
引が先行する)40g電流密度(A/ crj )対ポ
テンシャル(電圧)のプロットを第1図に示す。一連の
プロット(1:未処理、2ニトリルトリアゾール(TT
A)、3および4:b−BZT)を考察すれば、顕著な
特徴は、一定のポテンシャルにおける陰極電流の減少で
ある。陽極電流の減少はTTAとb−BZTの場合同じ
であり、これは未処理対照より低い数オーダーの太きさ
である。
これらの結果から、TTAおよびb−BZTは共に陽極
および陰(駅の抑制剤として作用し、陽極抑制の程度は
両方共実質的に同じであるが、陰極抑制についてはb−
BZTがTTAに比べて10〜100倍のファクターで
優れていることが認められる。
@2図は陰極のみの掃引であって、これにはb−BZT
の陰極抑制の増大がTTAのそれより四えていることが
示されている。同一ポテンシャルにおける陰極電流の減
少は、b−BZTの場合TTAの10倍である。
B、直線分版/再循環試験ユーット(RTU)[11被
膜形成試験 洗浄シ&電iヲTT A、 b −B Z TtタハB
 ZTの10 ppm溶液(pi−17) IC24時
間浸漬する。
かかる電極をRTUの試験ラックのホルダーに設置する
。試験条件はCa(CaC03として9600ppm、
 Mg (MgCO3としテ) 300 ppm、 C
(1−1000ppm、pT−17,120”Fである
〔20〕 1X線分閘対時間の関係は以下の通りである。
26.5  526  556  342  743」
−記データから、新規物質(最右欄のl)  BZT)
の抑制活性はTTAまたはBZTの10〜30倍である
ことが認められる。なお、上記データの変動は時間的な
ptIのちょっとした振動に起因する。
同じ条件を用い、100 Ppmの溶液で被膜を形成し
て別の試験を行った結果は、以下の通りである。
経過時間(h r )       分 極 抵 抗(
Ω)22.5     2900  60100  4
5500028.5     8250  91950
  30535050.0    14200 178
600  434800122.5    16000
  69600  298500189.5    2
1300  55600  232600215.5 
   16400  42100  21920031
5.5    10000  27400  1104
00かかる結果から、新規物質の抑制効果は平均してT
TAの5倍であることが示される。より重要な点はTT
A被膜の場合190時間後に効果の減退が見られるのに
対し、b−BZTによって形成される被膜では、第3図
において明らかなように更に150時間以−1−もの間
、平均水準のTTA被膜より高い抑制効果がなお残って
いることである更に別の試、1倹における水条件はα下
の通りである。Ca (Ca CO3とし”’C)60
0 Ppm、 Mg(MgCO3として) 300 P
P”、 C1400ppm、試験電極に100 ppm
  溶液で被膜を形成する。結果は以下の通りである。
第4図は分極抵抗(Ω)対時間(hr)のプロット図で
ある。この結果からも、b−BZTの場合抑制力および
被膜寿命の重要な増加が認められる。
”      (2は・ライ・被膜形成試験実際の現場
条件にまねて設計した他の試験を行う。採用する水条件
は以下の通りである。Ca (CaCO3トしr) 7
80Ppm、 Mg(MgCO3(!:して) 280
 Ppm、 CJ  12 ppm、 SO2−110
00pp 、p)I’7.43. 120”P、  こ
の場合10 ppm 溶液で被膜を形成するが、先の試
験で行った静止ジャーで24時間ではなく、むしろ流れ
系で4時間の動的条件下で被膜形成を行う。これは実際
の現場用途を実現した試験であるが、それは実際のシス
テムにおいてオンライン処理が唯一の可能な方法である
からである。結果は以下の通りである。
117    75472 120301  −■注)
■ 100 ppm溶液で静的に被膜形成■ ヒユーズ
が飛んだため測定不可能 (3)  スピンナー試験 b−BZTをTTAに対して3種の濃度で試験する。水
条件は以下の通りである。Ca(CaCO3として)1
70 Ppm、 Mg (MgCO3として〕110 
Ppm、5in215 Ppm、pH7,0,120′
F0アドミラルテイ(admiralty )真鍮の腐
蝕速度は以下の通りである。
対照 1.6 −  −  − TTA       O,650,590,42b−B
ZT  −0,420,440,48これらの試験は、
取り立てて強調または厳格に扱われるものではないが、
これによってb−BZTがTTAに対し同等もしくは優
れていることが認められる。
このように特殊な具体例について本発明を説明したが、
本発明における多数の他の態様および改変が当業者にと
って自明であることが明らかである。
特許請求の範囲に基づく本発明の技術的範囲は一般に、
本発明の真の精神および範囲内に属する上記自明の態様
および改変の全てを保護しうるものであることが理解さ
れるべきである。
【図面の簡単な説明】
第1〜4図はそれぞれ、実施例の試験結果を示すもので
、第1図および第2図はlog電流密度(A/d)対ポ
テンシャル(V)の関係を示すプロット図、第3図およ
び第4図は分憧抵抗(Ω)対時間(hr)の関係を示す
プロット図である。 特許出願人 ペッツ・インターナショナル・インコーホ
レイテッド

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、水処理系と接触する非鉄金属の腐蝕を抑制する方法
    であって、該水処理系に式、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼ 〔式中、Rは炭素数3〜8の炭化水素基であるで示され
    る水溶性化合物を添加することを特徴とする非鉄金属の
    腐蝕抑制方法。 2、Rの炭素数が4〜6である前記第1項記載の方法。 3、水溶性化合物を水処理系の水に対して0.1〜20
    0ppmの量で添加する前記第2項記載の方法。 4、非鉄金属が銅または銅含有金属である前記第3項記
    載の方法。 5、水処理系が冷水装置である前記第4項記載の方法。 6、冷水装置に含まれる水および/または該冷水装置の
    操作条件が、銅または銅含有金属に対し高度に腐蝕性を
    与えるものである前記第5項記載の方法。 7、Rが炭素数3〜8のアルキルである前記第1項記載
    の方法。 8、非鉄金属が銅または銅含有金属である前記第7項記
    載の方法。 9、水処理系が冷水装置である前記第8項記載の方法。 10、水溶性化合物を水処理系の水に対して0.1〜1
    00ppmの量で添加する前記第9項記載の方法。 11、冷水装置に含まれる水および/または該冷水装置
    の操作条件が、銅または銅含有金属に対し高度に腐蝕性
    を与えるものである前記第9項記載の方法。 12、水溶性化合物がブチルベンゾトリアゾールである
    前記第1項記載の方法。 13、水溶性化合物を水処理系の水に対して0.1〜1
    00Ppmの量で添加する前記第12項記載の方法。 14、非鉄金属が銅または銅含有金属である前記第13
    項記載の方法。 15、水処理系が冷水装置である前記第14項記載の方
    法。 16、冷水装置に含まれる水および/または該冷水装置
    の操作条件が、銅または銅含有金属に対し高度に腐蝕性
    を与えるものである前記第15項記載の方法。 17、水溶性化合物が4−または5−ブチルベンゾトリ
    アゾールである前記第16項記載の方法。 18、水処理系と接触する鉄金属および非鉄金属の両方
    からなる金属部品の腐蝕を抑制するため、該水処理系に
    鉄金属用腐蝕抑制剤を加える方法において、式、▲数式
    、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは炭素数3〜8の炭化水素基であるで示され
    る化合物からなる非鉄金属用腐蝕抑制剤をも添加するこ
    とを特徴とする金属部品の腐蝕抑制方法。 19、炭化水素基の炭素数が4〜6である前記第18項
    記載の方法。 20、水処理系が冷水装置である前記第19項記載の方
    法。 21、非鉄金属が銅または銅含有金属である前記第20
    項記載の方法。 22、冷水装置に含まれる水および/または該冷水装置
    の操作条件が、銅または銅含有金属に対し高度に腐蝕性
    媒質を付与するものである前記第21項記載の方法。 23、化合物がブチルベンゾトリアゾールである前記第
    20項、第21項または第22項記載の方法。 24、水と接触する鉄金属および非鉄金属の両方からな
    る金属部品または金属装置の腐蝕を抑制する組成物であ
    って、鉄金属用腐蝕抑制剤および式、▲数式、化学式、
    表等があります▼〔式中、Rは炭素数3〜8の炭化水素
    基であるで示される化合物である非鉄金属用腐蝕抑制剤
    から成ることを特徴とする腐蝕抑制用組成物。 25、炭化水素基の炭素数が4〜6である前記第24項
    記載の組成物。 26、炭化水素基がブチルである前記第25項記載の組
    成物。 27、非鉄金属用腐蝕抑制剤が4−または5−ブチルベ
    ンゾトリアゾールである前記第26項記載の組成物。 28、非鉄金属が銅または銅含有金属である前記第27
    項記載の組成物。
JP60141459A 1984-06-26 1985-06-26 銅腐蝕抑制剤およびその水処理系における使用 Pending JPS6156288A (ja)

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