JPS6151827A - Semiconductor printing apparatus - Google Patents
Semiconductor printing apparatusInfo
- Publication number
- JPS6151827A JPS6151827A JP59173113A JP17311384A JPS6151827A JP S6151827 A JPS6151827 A JP S6151827A JP 59173113 A JP59173113 A JP 59173113A JP 17311384 A JP17311384 A JP 17311384A JP S6151827 A JPS6151827 A JP S6151827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- printing
- wafer
- exposure time
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、半導体焼付装置に関し、特に最適露光口の決
定を単一ショット内の同一最良像面の条件下で行なうよ
うにした半導体焼付装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor printing apparatus, and more particularly to a semiconductor printing apparatus in which the optimum exposure aperture is determined under the condition of the same best image surface within a single shot. It is.
[発明の背PA]
従来、ステップアンドリピート動作によりマス゛ り上
のパターンをウェハに焼付ける半導休炉1q装置(ステ
ッパ)においては、適正露光は例えば露光時間を決定す
る際、ステップアンドリピート動作により各ショット毎
に露光時間を変化させて焼付(試し焼き)を行ない、こ
の焼付結果をvA察することにより、適正露光時間の判
定を行なっていた。この場合、各ショット毎にウェハの
そり等に対処するための像面(フォーカス)調整等が行
なわれる。[Background of the Invention] Conventionally, in a semiconductor furnace 1q apparatus (stepper) that prints a pattern on a wafer by a step-and-repeat operation, appropriate exposure is determined by the step-and-repeat operation, for example, when determining the exposure time. Accordingly, printing (test printing) is performed by changing the exposure time for each shot, and the appropriate exposure time is determined by observing the vA of the printing results. In this case, image plane (focus) adjustment and the like are performed for each shot in order to deal with warping of the wafer and the like.
しかしながら、このような従来の焼付装置は、適正露光
時間判定の際、ショットを変えて試し焼きを行なってい
るため、例えば上記像面調整の誤差により像面が変化す
る等、露光時間以外の条件も変化してしまい、精度良く
適正露光時間を決定することができないという欠点を持
っていた。However, when determining the appropriate exposure time, such conventional printing equipment performs trial printing by changing shots, and therefore, conditions other than exposure time may occur, such as changes in the image plane due to errors in the above-mentioned image plane adjustment. This has the disadvantage that it is not possible to accurately determine the appropriate exposure time.
し発明の目的]
本発明は、上述従来例の欠点を除去し、単一ショット中
という同一条件下で適正露光m決定のための焼付を行な
うことによって、より精度良く適正露光団を決定するこ
とを可能にした半導体焼付装置を提供することを目的と
する。OBJECT OF THE INVENTION] The present invention eliminates the drawbacks of the above-mentioned conventional example and performs printing for determining the appropriate exposure m under the same conditions during a single shot, thereby determining the appropriate exposure group with higher accuracy. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor printing device that makes it possible to perform the following steps.
[実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Explanation of Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体焼付袋はの概
略の構成を示す。同図において、1はマスクパターンを
ウェハ上に焼付ける焼付用光源、2は指定された時間だ
け焼付光を通過させるシャッタ、3は焼fj部分の範囲
を限定する遮光板(以降マスキングブレードと称す)、
4はT丁Lアライメント及びhh =1用のアライメン
トスコープ、5はマスク、6(ま焼付用レンズ、7は@
適(像面(フォーカス)を検出Jるためのエアーセンサ
、8はウェハで、7スク5のパターンはレンズ6にてウ
ェハ8上に投影される。9はX、Y、θ、Zの各方向に
移動jiJ能なウェハ保持用のウェハステージである。FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor baking bag according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a printing light source that prints the mask pattern onto the wafer, 2 is a shutter that allows the printing light to pass through for a specified time, and 3 is a light shielding plate (hereinafter referred to as masking blade) that limits the range of the printing fj part. ),
4 is an alignment scope for T-cho-L alignment and hh = 1, 5 is a mask, 6 is a lens for printing, 7 is @
An air sensor for detecting the image plane (focus), 8 is a wafer, and the pattern of the 7th screen 5 is projected onto the wafer 8 by a lens 6. 9 is each of X, Y, θ, and Z. This is a wafer stage for holding a wafer that can move in directions.
第2図は、第1図の装置の正面上側から見たマスキング
ブレード3の構成概略図である。同図において、20は
X方向右側(XR)の遮光を受けもつブレードであり、
駆動モータ24によりX方向に移動できるものである。FIG. 2 is a schematic diagram of the structure of the masking blade 3 seen from the front upper side of the apparatus shown in FIG. In the figure, 20 is a blade that blocks light on the right side (XR) in the X direction,
It can be moved in the X direction by a drive motor 24.
このブレードによりウェハ8(第1図)上に到達する焼
付光の右側の照射範囲を限定することができる。This blade can limit the irradiation range on the right side of the printing light that reaches the wafer 8 (FIG. 1).
同様に21.25はY方向奥側(YU)、22.26は
X方向左側(XL)、23.27はY方向手前側(YD
)を受けもつブレードと駆動モータである。Similarly, 21.25 is on the back side in the Y direction (YU), 22.26 is on the left side in the X direction (XL), and 23.27 is on the front side in the Y direction (YD).
) are responsible for the blade and drive motor.
第3図は、第1図の装置により焼付(試し焼き)を行な
う際のウェハ8上の1シヨツト分のレイアウト図である
。このレイアウト図は1シヨツトを16分割して焼付を
行なう例を示し、30−1〜30−16はその各々の焼
付位置(以降コマと称す)である。FIG. 3 is a layout diagram of one shot on the wafer 8 when printing (trial printing) is performed using the apparatus shown in FIG. This layout diagram shows an example in which one shot is divided into 16 parts for printing, and 30-1 to 30-16 are the respective printing positions (hereinafter referred to as frames).
先ず、コマ30−1への焼付を行なう場合には、マスキ
ングブレード20〜23を移動させて30−1以外の部
分に焼付光が照射されないように遮光した後、露光する
。次に30−2への焼付を行なう際には、マスキングブ
レード(XR)20を左側に1コマ分移動させ、かつマ
スキングブレード(XL)22も左側に1コマ分移動さ
せることにより焼付光が30−2の部分だけに照射され
るようにして露光する。同様にして30−3及び30−
4への焼付を行なった後、30−5への焼付を行なう際
はマスキングブレード(YU)21及びマスキングブレ
ード(YD)23を装置手前側に1コマ分移動させ30
−5の部分だけに焼付光が照射されるようにする。続<
30−8〜30−8への焼付の際はマスキングプレー
ト(XR)20及びマスキングブレード(XL)22を
1コマ分右側に移動するごとに焼付する。以下、上記の
移動及び焼付を繰り返して30−16までの焼付を行な
う。First, when printing the frame 30-1, the masking blades 20 to 23 are moved to block the printing light from being applied to areas other than 30-1, and then exposure is performed. Next, when printing onto 30-2, the masking blade (XR) 20 is moved one frame to the left, and the masking blade (XL) 22 is also moved one frame to the left, so that the printing light is 30-2. Expose so that only the part -2 is irradiated. Similarly, 30-3 and 30-
After printing on 4, when printing on 30-5, move the masking blade (YU) 21 and masking blade (YD) 23 one frame toward the front of the device.
Make sure that only the part marked -5 is irradiated with the printing light. Continued<
When printing images 30-8 to 30-8, each time the masking plate (XR) 20 and masking blade (XL) 22 are moved to the right by one frame, the images are printed. Thereafter, the above-mentioned movement and baking are repeated to perform baking up to 30-16.
第4図は、第1図の装置の動作を制御する制御部のブロ
ック図で、ここでは上記の適正露光決定のための動r「
に関係する部分のみを示している。FIG. 4 is a block diagram of a control section that controls the operation of the apparatus shown in FIG.
Only relevant parts are shown.
同図において、40は中央処理装置(CPLI)、41
はCP U 40の制御プログラムを記憶するROM、
42は演算用及びフラグ用等の記憶装置としてのRAM
である。43は1シヨツト内における焼付の回数、即ち
第3図のコマ数を指定する露光回数指定部、44は第3
図のコマ毎の霧光時間をどのように変化させるかを指定
する露光時間指定部、45は第3図の1コマ当りのマス
キングブレード20〜23の駆動Rを指定するマスキン
グブレード駆動足指定部、そして46はウェハステージ
9を指定位置に移動させるウェハステージ制御部である
。47はエアーセンサ7のウェハ而検出とウェハステー
ジ9のZ方向駆0ノとの組合せによりレンズ6とウェハ
8の間のギャップを一定にする最適像面制御部である。In the figure, 40 is a central processing unit (CPLI), 41
is a ROM that stores a control program for the CPU 40;
42 is a RAM as a storage device for calculations, flags, etc.
It is. 43 is an exposure number designation section for designating the number of times of printing in one shot, that is, the number of frames in FIG. 3; and 44 is a third
Exposure time designation part 45 designates how to change the fog light time for each frame in the figure, and 45 is a masking blade drive foot designation part that designates the drive R of the masking blades 20 to 23 per frame in Figure 3. , and 46 is a wafer stage control unit that moves the wafer stage 9 to a specified position. Reference numeral 47 denotes an optimum image plane control unit that makes the gap between the lens 6 and the wafer 8 constant by a combination of the wafer detection by the air sensor 7 and the Z-direction drive of the wafer stage 9.
48はマスキングブレード駆動♀指定部45で指定され
た量だけマスキングブレード20〜23を移動させるべ
く駆動モータ24〜27に指令を与えるマスキングブレ
ード制御部、49は露光時間指定部44で指定された露
光時間に従いシャッタ2を間開させる露光時間制御部で
ある。Reference numeral 48 denotes a masking blade control unit that gives commands to the drive motors 24 to 27 to move the masking blades 20 to 23 by an amount specified by the masking blade drive ♀ designation unit 45; and 49, an exposure unit designated by the exposure time designation unit 44; This is an exposure time control section that opens the shutter 2 according to time.
次に、第1図の装置における適正露光時間決定時の操作
及び動作を第5図のフローチャートを参照しながら説明
する。Next, the operations and operations when determining the appropriate exposure time in the apparatus shown in FIG. 1 will be explained with reference to the flowchart shown in FIG.
適正露光時間決定に当り、オペレータは、先ず、露光回
数指定部43に対し1シヨツト内における焼付回数を指
定しくステップ1)、露光時間指定部44に対し第3図
のコマ毎の露光時間をどう変化させるかを指定しくステ
ップ2)、さらにマスキングブレード駆動量指定部45
に対し第3図の1コマ当りの駆動量を指定する(ステッ
プ3)、、これらの指定は、各指定部43.44.45
または図示しないコンソールボックス等に設けられた選
択スイッチまたはキーボード等により行なう。また、こ
れらの指定データを予めコンソールボックスのRAM内
に記憶さIてa3き、オペレータが適正露光時間決定処
理のスタート指令を入力することにより上記コンソール
ボックスのメインCPU (不図示)から上記各指定デ
ータを送出させるようにしてもよい。また、上記各指定
内容の内、一部または全部をプリセットして操作を簡略
化づるようにしてもよい。To determine the appropriate exposure time, the operator first specifies the number of prints in one shot in the exposure number designation section 43 (step 1), and instructs the exposure time designation section 44 to determine the exposure time for each frame as shown in FIG. In step 2), the masking blade drive amount designation section 45
Specify the drive amount per frame in Fig. 3 for (Step 3).
Alternatively, the selection may be performed using a selection switch or a keyboard provided on a console box (not shown) or the like. In addition, these specified data are stored in advance in the RAM of the console box, and when the operator inputs a start command for the appropriate exposure time determination process, each of the above specified data is sent from the main CPU (not shown) of the console box. The data may also be sent out. Furthermore, some or all of the above specified contents may be preset to simplify the operation.
続いて、オペレータは、マスク5をセットしくステップ
4)、ウェハ8をウェハステージ9上にセットした(ス
テップ5)後、つlハスデージ制御部46に対しレンズ
6の直下に移動ずべく指令を与える(ステップ6)。こ
の指令は、ウェハステージ制御部4Gまたは上記コンソ
ールボックス等に設けられた上記にキーボードまたは図
示しない適正露光時間決定処理用のスタートスイッチよ
り行なう。Subsequently, the operator sets the mask 5 (step 4), sets the wafer 8 on the wafer stage 9 (step 5), and then gives a command to the wafer control unit 46 to move it directly below the lens 6. (Step 6). This command is issued from the keyboard provided in the wafer stage control unit 4G, the console box, or the like, or a start switch (not shown) for determining the appropriate exposure time.
なお、これらのレット及び指令を上記メインCPU等を
用いて自動的に行なうようにしてもよい。Note that these commands and commands may be automatically executed using the main CPU or the like.
これにより、CI)U3Oは、適正露光時間決定処理を
開始する。Thereby, CI) U3O starts appropriate exposure time determination processing.
この適正露光時間決定処理において、cpu、’t。In this appropriate exposure time determination process, the CPU,'t.
は、先ず、最適像面制御部47に対しレンズ6とウェハ
8の間のギャップを所定の値にするように指令を与え(
ステップ7)、これにより以降のステップにおいてはす
べて同一の像面下での処理となる。次にステップ8では
、マスキングブレード制御部48に対し指定位置に移動
すべく指令を与える。First, a command is given to the optimum image plane control unit 47 to set the gap between the lens 6 and the wafer 8 to a predetermined value (
Step 7) As a result, all subsequent steps are processed under the same image plane. Next, in step 8, a command is given to the masking blade control section 48 to move to a designated position.
このマスキングブレードの移動のさせ方は、例えば前記
第3図について説明した通りに行なう。The masking blade is moved, for example, as explained in connection with FIG. 3 above.
CP U 40は、次に、露光時間制御部49に対し露
光時間指定部44で指定された時間シャッター2を開く
よう指令を出し露光する(ステップ9)。そして、ステ
ップ10で露光回数指定部43に指定された回数分の露
光を終了したか否か、即ち第3図の例で言えば30−1
〜30−16の各コマに対して露光が終了したか否かを
ジャッジする。もし、指定された露光回数を終了してい
なければ、ステップ8に戻って次のコマに対して露光を
すべく、第3図で説明したように、マスキングブレード
3を駆動し、次のステップ9で露光を行なう。一方、ス
テップ10で露光回数指定部43に指定された回数分の
露光を終了したしのとジャッジしたとぎは、ステップ1
1でウェハを回収位置(不図示)に搬送して処理を終了
する。Next, the CPU 40 issues a command to the exposure time control section 49 to open the shutter 2 for the time specified by the exposure time specification section 44 to perform exposure (step 9). Then, in step 10, it is determined whether or not the number of exposures specified by the number of exposure designation section 43 has been completed, that is, 30-1 in the example of FIG.
It is judged whether or not exposure has been completed for each frame of 30-16. If the specified number of exposures has not been completed, return to step 8 and drive the masking blade 3 as explained in FIG. 3 to expose the next frame, and proceed to step 9. Perform exposure with . On the other hand, in step 10, Shino and Togi who have completed the exposure for the number of times specified in the exposure number designation section 43 are judged as
At step 1, the wafer is transported to a recovery position (not shown) and the process is completed.
ここでステップ9の露光時間であるが、例えば霧光時間
指定部44の指定が200m 3 ecをベースに1コ
マ当り10m3ecづつ増加させるという場合、第3図
の例では30−1のコマに対しては200m 3 cc
、30−1は210rn 3 cc、そして30−3は
220m 3 ccといった露光時間になる。Here, regarding the exposure time in step 9, for example, if the fog light time designation section 44 designates 200 m 3 ec as a base and increases it by 10 m 3 ec per frame, in the example of FIG. 200m 3 cc
, 30-1 has an exposure time of 210rn 3 cc, and 30-3 has an exposure time of 220m 3 cc.
[実施例の変形例]
なお、上述の実施例においてはマスキングブレードは4
& であるが、枚数は限定することなく何枚であって
しよい。[Modified example of the embodiment] In the above-mentioned embodiment, there are four masking blades.
&, but the number of sheets is not limited and may be any number.
また、上jボにd3いては、第3図の1コマ分に対して
の露光は1回だけとし、各コマに対して露光時間を変化
さUていたが、1回の露光時間は一定とし1コマにえ1
し複数回の露光を行なうことにより露光時間を各コマ毎
に変化させるようにしてもよい、、例えば第3図におい
て、先ずコマ30−1のみに20m 3 cc;ζ光し
、次にマスキングブレード(XL〉22のみを1コマ分
左に移動させることにより30−1及び30−2の両方
に焼付光が照射されるようにして再度20m S ec
露光させたどすると、この時点で30−1に対しては4
0m 3 ecの露光をしたことになる。以上のことを
ざらに繰り返ずことにより1回の露光時間は一定であっ
ても、マスキングブレードの移動のさせ方により各コマ
毎に露光時間を変化させることが可能となる。In addition, in the case of d3 in the upper j box, the exposure for one frame in Figure 3 was made only once, and the exposure time was changed for each frame, but the exposure time for one time was constant. Toshi 1 frame 1
However, the exposure time may be changed for each frame by performing multiple exposures. For example, in FIG. 3, first, 20 m 3 cc; (XL> By moving only 22 one frame to the left, both 30-1 and 30-2 will be irradiated with the printing light, and the image will be printed again for 20m Sec.
If you expose it to light, at this point it will be 4 compared to 30-1.
This means that the exposure was 0 m 3 ec. By roughly repeating the above steps, even if the exposure time for one exposure is constant, it is possible to change the exposure time for each frame depending on how the masking blade is moved.
ざらに、上述においては、単一ショットの範囲をマスキ
ングブレードによって複数のコマに分割しているが、代
りに単一ショットの範囲内で透過率の相異なる部分を有
するフィルタを用いて複数のコマに分割するようにすれ
ば、1回の露光で複数種の露光量による露光を行なうこ
とができる。Roughly speaking, in the above, the range of a single shot is divided into multiple frames by a masking blade, but instead, multiple frames are divided using a filter with different transmittance within the range of a single shot. If the exposure is divided into two, it is possible to perform exposure using a plurality of types of exposure amounts in one exposure.
この場合は、この焼付けの結果により、冑られる適正露
光量をもとにランプ輝度を調節してもよく、あるいはフ
ィルタの透過率を上記の露光時間に換痺してもよい。ま
た、上記フィルタとしては、透過率が連続的に変化する
ものを用いることもできる。In this case, the lamp brightness may be adjusted based on the appropriate exposure amount determined by the result of this printing, or the transmittance of the filter may be adjusted to the above exposure time. Moreover, as the above-mentioned filter, a filter whose transmittance changes continuously can also be used.
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、適正露光時間判
定の際、単一ショットという条件下で、特に像面(フォ
ーカス)を一定にした条件下で露光時間を変化させての
焼付ができるため、適正露光時間の判定を精度良く行な
えるという効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, when determining the appropriate exposure time, the exposure time is changed under the condition of a single shot, especially under the condition that the image plane (focus) is kept constant. This has the effect of making it possible to accurately determine the appropriate exposure time.
第1図は本発明の一実施例に係る半導体焼付装置の概略
図、第2図は第1図におけるマスキングブレードの11
11成概略図、第3図はショットのレイアウト図、第4
図は第1図の装置における適正露光時間判定す3作を制
御する制御部のブロック図、そして第5図は第1図の装
置の動作を説明づ°るための概略フロー゛チャートであ
る。
1・・・焼付用光源、2・・・シャッタ、3.20〜2
3・・・遮光板(マスキングブレード)、4・・・アラ
イメントスコープ、5・・・マスク、6・・・焼付用レ
ンズ、7・・・エアーセンザ、8・・・ウェハ、9・・
・ウェハステージ、24〜27・・・マスキングブレー
ド駆動モータ、30−1〜30−16・・・コマ、40
・・・中央処理装置(CPU)、41・・・ROM、4
2・・・RAM、43・・・露光回数指定部、44・・
・露光時間指定部、45・・・マスキングブレード駆!
!!IJ m指定部、46・・・ウェハステージ制御部
、47・・・最適像面制御部、48・・・マスキングブ
レード制御部、49・・・露光時間制御部。FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor printing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of a masking blade 11 in FIG.
11 schematic diagram, Figure 3 is a shot layout diagram, Figure 4 is a shot layout diagram.
1 is a block diagram of a control section for controlling the three operations for determining the appropriate exposure time in the apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a schematic flowchart for explaining the operation of the apparatus of FIG. 1. 1...Light source for printing, 2...Shutter, 3.20-2
3... Light shielding plate (masking blade), 4... Alignment scope, 5... Mask, 6... Lens for printing, 7... Air sensor, 8... Wafer, 9...
・Wafer stage, 24 to 27... Masking blade drive motor, 30-1 to 30-16... Frame, 40
...Central processing unit (CPU), 41...ROM, 4
2...RAM, 43...Exposure number designation section, 44...
・Exposure time specification section, 45...Masking blade drive!
! ! IJ m designation section, 46... Wafer stage control section, 47... Optimal image plane control section, 48... Masking blade control section, 49... Exposure time control section.
Claims (1)
半導体焼付装置であつて、該ウェハ上のマスクパターン
焼付時の単一ショットで露光されるべき範囲内の複数の
部分をそれぞれ所望の露光量で露光する分割露光手段を
具備し、適正露光量決定のための焼付の際、複数露光量
による露光を上記単一ショット内の同一最良像面の条件
下で行なうようにしたことを特徴とする半導体焼付装置
。 2、前記分割露光手段が、マスク上のパターンの任意部
分だけに焼付光を照射するための遮光手段と、前記単一
ショットで露光されるべき範囲内を複数の部分に分割し
てこれらの各部分の単数または複数個を該遮光手段によ
り順次限定しながら所望の時間ずつ露光する手段とを有
する特許請求の範囲第1項記載の半導体焼付装置。 3、前記分割露光手段が、前記単一ショットで露光され
るべき範囲内で露光光に対する透過率が相異なる複数の
部分を有するフィルタ手段を備えている特許請求の範囲
第1項記載の半導体焼付装置。 4、前記マスクパターン焼付をステップアンドリピート
動作により行なう特許請求の範囲第1、2または3項記
載の半導体焼付装置。[Claims] 1. A semiconductor printing apparatus that prints a pattern formed on a mask onto a wafer, which comprises a plurality of parts within a range to be exposed in a single shot when printing the mask pattern on the wafer. The image forming apparatus is provided with a divided exposure means for exposing each of the images with a desired exposure amount, so that during printing to determine the appropriate exposure amount, exposure with multiple exposure amounts is performed under the same best image plane condition within the single shot. A semiconductor printing device characterized by: 2. The divided exposure means includes a light shielding means for irradiating the printing light only on an arbitrary part of the pattern on the mask, and a light shielding means for dividing the range to be exposed in the single shot into a plurality of parts. 2. A semiconductor printing apparatus according to claim 1, further comprising means for exposing one or more portions to light for a desired time while successively limiting one or more portions by said light shielding means. 3. Semiconductor printing according to claim 1, wherein the divided exposure means includes a filter means having a plurality of portions having different transmittances for exposure light within the range to be exposed in the single shot. Device. 4. The semiconductor printing apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein the mask pattern printing is performed by a step-and-repeat operation.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173113A JPS6151827A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Semiconductor printing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59173113A JPS6151827A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Semiconductor printing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6151827A true JPS6151827A (en) | 1986-03-14 |
Family
ID=15954391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59173113A Pending JPS6151827A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Semiconductor printing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6151827A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531670A (en) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | シーエイチ、アンド、アイ、テクノロジーズ、インコーポレイテッド | Refillable material transfer system |
US10221059B2 (en) | 2004-03-31 | 2019-03-05 | Ch&I Technologies, Inc. | Refillable material transfer system |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59173113A patent/JPS6151827A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531670A (en) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | シーエイチ、アンド、アイ、テクノロジーズ、インコーポレイテッド | Refillable material transfer system |
US7997445B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-08-16 | Ch&I Technologies, Inc. | Refillable material transfer system |
US10221059B2 (en) | 2004-03-31 | 2019-03-05 | Ch&I Technologies, Inc. | Refillable material transfer system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3448991B2 (en) | Stage movement control device, projection exposure apparatus, stage driving method, and exposure method. | |
JP3451604B2 (en) | Scanning exposure equipment | |
JP3391404B2 (en) | Projection exposure method and circuit element manufacturing method | |
US4249807A (en) | Color plotting device and method | |
US4128331A (en) | Process printing apparatus | |
JP2009141263A (en) | Exposure method, photo mask and reticle stage | |
CN112764324B (en) | Scanning method of photoetching system and photoetching system | |
JPS6151827A (en) | Semiconductor printing apparatus | |
JP2001345243A (en) | Methods for evaluation, position detection, exposure, and manufacturing device | |
JP3097620B2 (en) | Scanning reduction projection exposure equipment | |
US20050219532A1 (en) | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool | |
US3620624A (en) | Work arranging system | |
JP3568511B2 (en) | Pattern exposure method and exposure apparatus | |
JP2775436B2 (en) | Exposure equipment | |
JP2006128447A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and information managing method | |
US4577957A (en) | Bore-sighted step-and-repeat projection alignment and exposure system | |
JPH0225016A (en) | Aligner | |
US3610125A (en) | Apparatus for producing photolithographic structures,particularly on semiconductor crystal surfaces | |
JP3062390B2 (en) | Apparatus and method for producing shadow mask pattern plate | |
JP2873755B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JPH1092727A (en) | Projection aligner | |
JPWO2023282209A5 (en) | Exposure apparatus, exposure method, control method, and electronic device manufacturing method | |
JP2000252193A (en) | Aligner, exposure method and manufacture of device | |
JP3279311B2 (en) | Projection exposure method and apparatus, and circuit element manufacturing method using the method | |
JP2611760B2 (en) | Semiconductor exposure equipment |