JP2000252193A - Aligner, exposure method and manufacture of device - Google Patents

Aligner, exposure method and manufacture of device

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JP2000252193A
JP2000252193A JP11053007A JP5300799A JP2000252193A JP 2000252193 A JP2000252193 A JP 2000252193A JP 11053007 A JP11053007 A JP 11053007A JP 5300799 A JP5300799 A JP 5300799A JP 2000252193 A JP2000252193 A JP 2000252193A
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JP
Japan
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light
exposure
masking blade
shielding band
reticle
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JP11053007A
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Japanese (ja)
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Koreyuki Kasai
維志 笠井
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent operation errors, when an exposure operation is carried out using an original plate with a shading band. SOLUTION: In an aligner, where a region of the original plate 234 other than an exposure region is shaded with a masking blade 223 when a pattern on an original plate 224 is transferred onto a substrate 226, when an exposure operation is carried out using an original plate with a shading band, control means 202, 203, and 210 are provided to control the position of the masking blade, so as to make the masking blade located at the widthwise center of the shading band, based on the position of the masking blade set conforming to an exposure region and the width of the shading band. The width of the shading band is obtained in a manner where the substrate 226 is moved by a stage 227, and light that passes through the substrate 226 is observed with an optical sensor 228.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
素子等のデバイスを製造するための露光装置、露光方法
およびデバイス製造方法に関し、特に、露光処理に必要
な原板パターンの露光範囲外を覆う遮光板の制御に係る
ものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method for manufacturing a device such as a semiconductor element or a liquid crystal element, and more particularly, to covering an outside of an exposure range of an original pattern required for exposure processing. The present invention relates to a method for controlling a light shielding plate.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、露光処理を行なう際には、回路
原図であるレチクルもしくはマスクの不必要な範囲に露
光光が当たらないように、マスキングブレードと呼ばれ
る遮光板で光の範囲を制限する。しかし、マスキングブ
レードで露光領域を制御して露光処理を行なうと、像で
ある半導体素子パターンの描写精度が、マスキングブレ
ードで遮光した近傍で低下する。そこで、レチクルのパ
ターン外周に遮光帯を設け、遮光帯幅の1/2だけマス
キングブレードを開方向に広げることにより、描画精度
の低下を防いでいる。
2. Description of the Related Art Generally, when an exposure process is performed, the range of light is limited by a light-shielding plate called a masking blade so that exposure light does not reach an unnecessary area of a reticle or mask which is an original circuit diagram. However, when the exposure process is performed by controlling the exposure area with the masking blade, the accuracy of depiction of the semiconductor element pattern as an image is reduced in the vicinity where light is shielded by the masking blade. Therefore, a light-shielding band is provided on the outer periphery of the pattern of the reticle, and the masking blade is widened in the opening direction by の of the light-shielding band width, thereby preventing a decrease in drawing accuracy.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、遮光帯をもつ
レチクルにおいて、上記運用を行なうと、マスキングブ
レードの開口幅とウエハ上の素子間隔が異なる。そのた
め、マスキングブレードの開口幅を、レチクルの遮光帯
幅の1/2だけ広げなくてはならず、運用上のミスが生
じやすい。
However, when the above operation is performed on a reticle having a light-shielding band, the opening width of the masking blade and the element spacing on the wafer are different. For this reason, the opening width of the masking blade must be increased by half the width of the light-shielding band of the reticle, and an operational error is likely to occur.

【0004】また、装置のもつオフセットとして、あら
かじめ、レチクル遮光帯幅の1/2を、マスキングブレ
ードに加えるように設定すると、遮光帯の無いレチクル
や遮光帯幅の異なるレチクルを用いる場合、ミスが生じ
やすい。
In addition, if an offset of the apparatus is set in advance so that a half of the width of the reticle light-shielding band is added to the masking blade, an error occurs when a reticle having no light-shielding band or a reticle having a different light-shielding band width is used. Easy to occur.

【0005】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置およびデバイス製造方法におい
て、遮光帯を有する原板を用いて露光する際の上述のよ
うな運用上のミスを防止することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to prevent the above-mentioned operational mistakes when performing exposure using an original plate having a light-shielding band in an exposure apparatus and a device manufacturing method. Is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の露光装置は、原板のパターンを基板上に露
光する際に露光領域以外の領域をマスキングブレードで
遮光する露光装置において、遮光帯を有する原板を使用
して露光を行なう際には、露光領域に一致させて設定さ
れているマスキングブレードの位置と、遮光帯の幅とに
基づいて、マスキングブレードの位置が遮光帯の幅の中
央に位置するようにマスキングブレードの位置を制御す
る手段を具備することを特徴とする。ここで、露光領域
に一致させて設定されているマスキングブレードの位置
とは、たとえば、ジョブ作成時、マスキングブレード領
域の設定を素子間隔と等しくなるように行なうことによ
り設定されたマスキングブレードの位置をいう。
In order to attain this object, an exposure apparatus according to the present invention comprises an exposure apparatus for exposing a pattern other than an exposure area with a masking blade when exposing a pattern of an original onto a substrate. When performing exposure using an original plate having a band, based on the position of the masking blade set in accordance with the exposure area and the width of the light-shielding band, the position of the masking blade is adjusted to the width of the light-shielding band. It is characterized by comprising means for controlling the position of the masking blade so as to be located at the center. Here, the position of the masking blade set in accordance with the exposure area is, for example, the position of the masking blade set by performing the setting of the masking blade area so as to be equal to the element interval during job creation. Say.

【0007】また、本発明の露光方法は、原板のパター
ンを基板上に露光する際に露光領域以外の領域をマスキ
ングブレードで遮光する露光方法において、遮光帯を有
する原板を使用して露光を行なう際には、前記本発明の
露光装置を用い、その制御手段により、露光領域に一致
させて設定されているマスキングブレードの位置と、遮
光帯の幅とに基づいて、マスキングブレードの位置が遮
光帯の幅の中央に位置するようにマスキングブレードの
位置を制御することを特徴とする。
Further, according to the exposure method of the present invention, when exposing a pattern of an original plate onto a substrate, an area other than an exposure area is shielded by a masking blade, the exposure is performed using an original plate having a light-shielding band. In this case, using the exposure apparatus of the present invention, the control unit controls the position of the masking blade based on the position of the masking blade set in accordance with the exposure area and the width of the light-shielding band. The position of the masking blade is controlled so as to be located at the center of the width of the masking blade.

【0008】また、本発明のデバイス製造方法は、この
露光方法によって露光を行なうことによりデバイスを製
造することを特徴とする。
Further, a device manufacturing method of the present invention is characterized in that a device is manufactured by performing exposure by this exposure method.

【0009】これによれば、露光領域に一致させて設定
されているマスキングブレードの位置と遮光帯の幅とに
基づいてマスキングブレードの位置が遮光帯の幅の中央
に位置するように制御されるため、遮光帯を有する原板
を用いる場合でも、マスキングブレードの間隔と素子の
間隔の設定値が同一のままでよく、したがって、運用上
のミスが低減する。
According to this, the masking blade is controlled to be located at the center of the width of the light-shielding band on the basis of the position of the masking blade and the width of the light-shielding band which are set in accordance with the exposure area. Therefore, even when an original plate having a light-shielding band is used, the set value of the interval between the masking blades and the interval between the elements may be kept the same, so that operational errors are reduced.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、遮光帯を有する原板を使用して露光を行なう際
に、制御手段は、遮光帯の幅を取得する。たとえば、基
板を移動させ、基板を透過する光を観察することによっ
て遮光帯の幅を取得する。これによれば、装置のもつオ
フセットとして遮光帯幅を入力しなくて済むため、オフ
セット本来の入力範囲を狭くしたり、マスキングブレー
ドの設定最小間隔を狭くすることがなくなる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the present invention, when performing exposure using a master plate having a light-shielding band, the control means acquires the width of the light-shielding band. For example, the width of the light-shielding band is obtained by moving the substrate and observing light transmitted through the substrate. According to this, since it is not necessary to input the light-shielding band width as the offset of the apparatus, it is not necessary to narrow the input range of the offset or to narrow the minimum setting interval of the masking blade.

【0011】また、ショットレイアウトを表示する手段
を有し、この手段は、遮光帯を有する原板を使用した露
光が行なわれる際には、制御手段により制御されて位置
するマスキングブレードによる開口を、ショットレイア
ウト上に重ねて表示する。
Further, the apparatus has a means for displaying a shot layout, and this means, when exposure using an original plate having a light-shielding band is performed, opens an opening by a masking blade located under the control of the control means. Display it on the layout.

【0012】[0012]

【実施例】(実施例1)図1は本発明の第1の実施例に
係る導体素子露光装置の構成図である。同図において、
101は例えばKrFやArFが封入され、パルス化さ
れたレーザ光を発光するレーザ光源である。102はエ
キシマレーザ光源101が発光するレーザ光を所望のビ
ーム形状に整形し、光束の配光特性を均一にして照射す
る照明系であり、ビーム整形光学系、ハエの目レンズ等
のオプティカルインテグレータ、コリーメータレンズ、
ミラー等により構成される。Mは照明系の102の出射
光路上に配置され、集積回路パターンが形成されたマス
クまたはレチクル、103は投影光学系、Wはウエハで
あり、マスクMに形成された集積回路パターンはマスキ
ングブレード109で決定されたエリアが投影光学系3
を介してウエハW上に投影露光されるようになってい
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a configuration diagram of a conductor element exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the figure,
Reference numeral 101 denotes a laser light source that emits pulsed laser light, for example, in which KrF or ArF is sealed. Reference numeral 102 denotes an illumination system for shaping a laser beam emitted from the excimer laser light source 101 into a desired beam shape, and irradiating the light beam with uniform light distribution characteristics. The beam shaping optical system, an optical integrator such as a fly-eye lens, Collimeter lens,
It is composed of a mirror and the like. M is a mask or a reticle on which an integrated circuit pattern is formed, and 103 is a projection optical system, W is a wafer, and W is a wafer, and the integrated circuit pattern formed on the mask M is a masking blade 109. Is the projection optical system 3
Are projected and exposed on the wafer W through the.

【0013】104はミラー、105はセンサであり、
照明系102が照射する光束の一部をミラー104によ
ってセンサ105の光電変換面に入射させている。10
6はセンサ105に入射したパルス光の光量を積算する
光量積算回路である。
Reference numeral 104 denotes a mirror, 105 denotes a sensor,
A part of the light beam irradiated by the illumination system 102 is made incident on the photoelectric conversion surface of the sensor 105 by the mirror 104. 10
Reference numeral 6 denotes a light amount integration circuit that integrates the amount of pulse light incident on the sensor 105.

【0014】107はCPUであり、エキシマレーザ1
01が発光する度に、光量積算回路106から1パスル
の信号が入力される。CPU107はレーザ制御部10
8を介してエキシマレーザ101に対して発光タイミン
グ等の制御指令を行なう。また、マスキングブレード制
御部110はCPU107の位置指令等の制御指令によ
ってマスキングブレード109を動かして、指令値に合
う照明エリアが露光されるように制御する。
Reference numeral 107 denotes a CPU, which is an excimer laser 1
Each time 01 emits light, a 1-pulse signal is input from the light quantity integration circuit 106. The CPU 107 controls the laser control unit 10
A control command such as a light emission timing is issued to the excimer laser 101 via 8. Further, the masking blade control unit 110 controls the masking blade 109 in accordance with a control command such as a position command of the CPU 107 so that an illumination area matching the command value is exposed.

【0015】111はコンソールユニットであり、本体
CPU107にこの露光装置の動作に関する各種ジョブ
のパラメータを与えるためのものである。すなわち、オ
ペレータとの間で情報の教授を行なうためのものであ
る。112はコンソールCPU、113はディスプレ
イ、114はキーボード、115は各種ジョブのパラメ
ータ等を記憶する外部メモリである。
Reference numeral 111 denotes a console unit for giving the main CPU 107 various job parameters relating to the operation of the exposure apparatus. That is, it is for teaching information with the operator. 112 is a console CPU, 113 is a display, 114 is a keyboard, and 115 is an external memory for storing various job parameters and the like.

【0016】図2は、この露光装置において本発明を具
体化した様子を示す構成図である。同図において、20
1は、図1中の要素112〜115等の画面やキーボー
ドといった入出力機能をもつコンソール制御部である。
202は、コンソール制御部201からの指示を受け、
装置を構成する各ユニットの制御部を統括するシステム
制御部である。203はシステム制御部202からの指
示を受けてマスキングブレードの駆動を制御するマスキ
ングブレード制御部であり、210はマスキングブレー
ド制御部203からの指示を受けて実際にマスキングブ
レードを駆動するマスキングブレード駆動部である。2
21は露光光の光源であり、222は光源221からの
露光光の放出を制御するシャッタである。223はシャ
ッタ222が開いている時に放出される露光光の一部を
遮光することによって露光領域を制限するマスキングブ
レードである。224は露光したいマスクパターンが描
かれているレチクルであり、図2の左右および垂直方向
に移動可能なレチクルステージ229上に乗っており、
マスキングブレード223によって制限された露光光が
照射される。225は特定の縮尺でパターンを投影する
レンズであり、レチクル224の透過光を結像面に結像
させる。結像面には、ウエハステージ227があり、そ
の上に、被露光対象であるウエハ226が置かれる。ま
た、ウエハステージ227上には、レンズ225下での
露光光の照度を計る光センサ228も存在する。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a state where the present invention is embodied in this exposure apparatus. In FIG.
Reference numeral 1 denotes a console control unit having input / output functions such as screens and keyboards of elements 112 to 115 in FIG.
202 receives an instruction from the console control unit 201,
It is a system control unit that controls the control unit of each unit constituting the device. A masking blade control unit 203 controls the driving of the masking blade in response to an instruction from the system control unit 202. A masking blade drive unit 210 actually drives the masking blade in response to the instruction from the masking blade control unit 203. It is. 2
Reference numeral 21 denotes a light source of the exposure light, and reference numeral 222 denotes a shutter for controlling emission of the exposure light from the light source 221. A masking blade 223 limits an exposure area by blocking a part of exposure light emitted when the shutter 222 is open. Reference numeral 224 denotes a reticle on which a mask pattern to be exposed is drawn. The reticle 224 is mounted on a reticle stage 229 movable in the left, right, and vertical directions in FIG.
Exposure light limited by the masking blade 223 is applied. Reference numeral 225 denotes a lens that projects a pattern at a specific scale, and forms light transmitted through the reticle 224 on an image forming surface. A wafer stage 227 is provided on the image forming surface, on which a wafer 226 to be exposed is placed. An optical sensor 228 for measuring the illuminance of the exposure light under the lens 225 also exists on the wafer stage 227.

【0017】図3はマスキングブレード223のみで露
光領域を制限する場合と、遮光帯をもつレチクルを使っ
て露光領域を制限する場合との違いを示す図である。マ
スキングブレード223のみで露光領域を制限する場
合、同図(a)に示すように、露光光304は、マスキ
ングブレード223によって露光領域が確定され、マス
キングブレード223を通過した露光光は、その後の光
路で露光領域が制限されることなく、レチクル224を
透過し、ウェハ226に至る。同図(b)に示すようよ
うに、遮光帯314をもつレチクル312を使って露光
領域を制限する場合、露光光304は、マスキングブレ
ード223によって、レチクル遮光帯314が遮光可能
な領域まで露光領域が制限され、レチクル312の外周
を囲むようにプリントされている遮光帯314によって
最終的な露光領域が確定され、ウエハ226に至る。
FIG. 3 is a diagram showing the difference between the case where the exposure area is limited only by the masking blade 223 and the case where the exposure area is limited using a reticle having a light-shielding band. In the case where the exposure area is limited only by the masking blade 223, as shown in FIG. 9A, the exposure area of the exposure light 304 is determined by the masking blade 223. Thus, the light passes through the reticle 224 and reaches the wafer 226 without limiting the exposure area. As shown in FIG. 4B, when the exposure area is limited using a reticle 312 having a light-shielding band 314, the exposure light 304 is exposed by the masking blade 223 to an area where the reticle light-shielding band 314 can be shielded. Is limited, and the final exposure area is determined by the light-shielding band 314 printed so as to surround the outer periphery of the reticle 312, and reaches the wafer 226.

【0018】遮光帯をもつレチクル312によって、図
3(b)の運用を行なうとき、図2のコンソール制御部
201から、レチクル遮光帯314の幅を、マスキング
ブレード223のオフセットとして入力できるようにす
る。入力した値は、マスキングブレード223を駆動さ
せる際、マスキングブレード223の開方向にオフセッ
トとして足し込むことにより、自動的にレチクルの遮光
帯314を考慮した制御となる。
When the operation shown in FIG. 3B is performed by the reticle 312 having the light-shielding band, the width of the reticle light-shielding band 314 can be input as an offset of the masking blade 223 from the console control unit 201 shown in FIG. . The input value is added as an offset in the opening direction of the masking blade 223 when the masking blade 223 is driven, so that the control automatically takes into account the light-shielding band 314 of the reticle.

【0019】図4はこのようにして遮光帯314をもつ
レチクル312を使って露光領域を制限するときにマス
キングブレード223を駆動する場合のフローチャート
である。マスキングブレード223の駆動制御を開始す
ると、まずステップ401においてマスキングブレード
223の開口幅を取得する。次にステップ402におい
てレチクル312の遮光帯幅を取得する。次にステップ
403において、ステップ401で得た目標位置にステ
ップ402で得たレチクル312の遮光帯幅の1/2を
開方向に足し込むことにより、マスキングブレード22
3の駆動目標位置を算出する。そして、ステップ404
において、図2のマスキングブレード駆動部210に、
ステップ403で算出した駆動目標位置を伝えることに
よりマスキングブレード223を駆動する。
FIG. 4 is a flowchart for driving the masking blade 223 when the exposure area is limited using the reticle 312 having the light-shielding band 314. When the drive control of the masking blade 223 is started, first, in step 401, the opening width of the masking blade 223 is obtained. Next, in step 402, the light-shielding band width of the reticle 312 is obtained. Next, in step 403, the masking blade 22 is added to the target position obtained in step 401 by adding の of the light shielding band width of the reticle 312 obtained in step 402 in the opening direction.
3 is calculated. Then, step 404
In FIG. 2, the masking blade driving unit 210 shown in FIG.
The masking blade 223 is driven by transmitting the drive target position calculated in step 403.

【0020】例えば、露光領域が20×20で、レチク
ル遮光帯314の幅が2の場合を仮定すると、通常、マ
スキングブレード223は、20×20の露光領域が指
定された場合は、図5に示すようなショット中心を0と
するX−Y座標系において、XとY方向にそれぞれ±1
0開口するだけである。しかし本実施例では、レチクル
遮光帯幅用のオフセットを新たにもち、あらかじめ、図
1のキーボード113やディスプレイ114といった入
出力装置からレチクル遮光帯314の幅を「2」と入力
しておく。そして、入力されたレチクル遮光帯幅である
「2」の1/2にあたる「1」をマスキングブレード2
23の開方向に足し込むことにより、マスキングブレー
ド223はX、Y方向にそれぞれ±11開口する。この
ようにすることで、レチクル遮光帯を使った図3(b)
の露光領域の制限を可能にする。なお、レチクル遮光帯
幅のパラメータは、装置毎のオフセットとして装置固有
のパラメータとしてもたせても構わないし、レチクル毎
のオフセットとしてもたせても構わない。
For example, assuming that the exposure area is 20 × 20 and the width of the reticle light-shielding band 314 is 2, the masking blade 223 normally operates as shown in FIG. 5 when a 20 × 20 exposure area is designated. In an XY coordinate system where the shot center is 0 as shown in FIG.
There is only zero opening. However, in this embodiment, the offset for the reticle light-shielding band width is newly provided, and the width of the reticle light-shielding band 314 is previously input as “2” from an input / output device such as the keyboard 113 and the display 114 in FIG. Then, “1”, which is の of “2”, which is the input reticle light-shielding band width, is used as the masking blade 2
When the masking blade 223 is added in the opening direction of the masking blade 23, the masking blade 223 opens in ± 11 directions in the X and Y directions. By doing so, the reticle light-shielding band is used as shown in FIG.
The exposure area can be limited. The parameter of the reticle light-shielding band width may be provided as a parameter unique to the device as an offset for each device, or may be provided as an offset for each reticle.

【0021】また、このような制御を行なうことで、実
際に駆動するマスキングブレードの位置が、従来はマス
キングブレードのパラメータで指定した値と同じだった
ものが、レチクル遮光帯幅オフセットを考慮すること
で、レチクル遮光帯幅の1/2だけ開方向に大きい値と
なる。そのため、即座にマスキングブレードの開口幅を
得にくい。そこで、図8に示すように、ウエハ上のショ
ットレイアウトを表示する部分に、ショットレイアウト
に重ねるようにして、マスキングブレードの開口幅を表
示することで認識しやすくすることも可能である。
By performing such control, the position of the masking blade actually driven is conventionally the same as the value designated by the parameter of the masking blade. Therefore, the value becomes larger in the opening direction by の of the width of the reticle light-shielding band. Therefore, it is difficult to immediately obtain the opening width of the masking blade. Therefore, as shown in FIG. 8, the opening width of the masking blade can be displayed so as to be superimposed on the shot layout on the portion where the shot layout on the wafer is displayed, so that the shot layout can be easily recognized.

【0022】(実施例2)実施例1では、レチクル遮光
帯幅をパラメータとして入力するようにしたが、パラメ
ータとして入力しなくても、レチクルそのものにデータ
としてもたせ、読み取り機で読み込んだり、レチクルを
XもしくはY方向に駆動させ、透過光を観察することに
よって自動計測することも可能である。
(Embodiment 2) In the first embodiment, the reticle light-shielding band width is input as a parameter. However, without inputting as a parameter, the reticle itself may be provided with data and read by a reader, or a reticle may be read. It is also possible to perform automatic measurement by driving in the X or Y direction and observing the transmitted light.

【0023】図6はレチクルをXもしくはY方向に駆動
させ、透過光を観察することによってレチクル遮光帯幅
を取得する場合のフローチャートであり、図7はその場
合の構成を示す。図7において、図2と同一の符号は同
様の要素を示す。724はレチクル遮光帯幅を有するレ
チクル、710はレチクルステージ229を図の左右お
よび垂直方向に駆動制御するレチクルステージ駆動制御
部、711はウエハステージ227を図の左右および垂
直方向に駆動制御するウエハステージ駆動制御部、71
2は光センサ228で受けた光の強度を算出する光量算
出部、701はレチクルステージ駆動制御部710、ウ
エハステージ駆動制御部711および光量算出部712
を管理するシステム制御部である。
FIG. 6 is a flowchart showing a case where the reticle is driven in the X or Y direction and the reticle light-shielding band width is obtained by observing the transmitted light. FIG. 7 shows the configuration in that case. 7, the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same elements. Reference numeral 724 denotes a reticle having a reticle light-shielding band width; 710, a reticle stage drive control unit that controls the reticle stage 229 in the horizontal and vertical directions in the figure; 711, a wafer stage that drives and controls the wafer stage 227 in the horizontal and vertical directions in the figure. Drive control unit, 71
Reference numeral 2 denotes a light amount calculation unit that calculates the intensity of the light received by the optical sensor 228, and reference numeral 701 denotes a reticle stage drive control unit 710, a wafer stage drive control unit 711, and a light amount calculation unit 712.
Is a system control unit that manages

【0024】この構成において、レチクル724のレチ
クル遮光帯幅の取得処理を開始すると、図6に示すよう
に、まずステップ601においてレチクル724の有効
パターン領域を取得する。次にステップ602において
マスキングブレード223の開口幅を最小にする。次に
ステップ603において、レチクルステージ229を駆
動することにより、レチクル724を、レチクル遮光帯
幅の計測開始位置にあたる、レチクル724の有効パタ
ーン領域の外周位置に移動する。次に、ステップ604
において、光センサ228がレンズ225下に来るよう
に、ウエハステージ227を移動させ、レチクル724
の透過光を計測できるようにする。次にステップ605
において、シャッタ222を開いて、レチクル724に
光を照射し、レチクル724の外周方向にレチクルステ
ージ229を駆動して、レチクル724の透過光を観察
する。そして光量算出部712から得られる輝度と、レ
チクルステージ駆動制御部710から得られる移動量を
用いて、光の強度が0の遮光開始位置から終了までのレ
チクルステージ229の駆動量を計測して、レチクル遮
光帯の幅を得る。
In this configuration, when the process of acquiring the reticle light-shielding band width of the reticle 724 is started, first, as shown in FIG. 6, an effective pattern area of the reticle 724 is acquired in step 601. Next, in step 602, the opening width of the masking blade 223 is minimized. Next, in step 603, the reticle stage 229 is driven to move the reticle 724 to the outer peripheral position of the effective pattern area of the reticle 724, which corresponds to the measurement start position of the reticle light-shielding band width. Next, step 604
, The wafer stage 227 is moved so that the optical sensor 228 is located below the lens 225, and the reticle 724 is moved.
To measure transmitted light. Next, step 605
At, the shutter 222 is opened to irradiate the reticle 724 with light, and the reticle stage 229 is driven in the outer peripheral direction of the reticle 724 to observe the transmitted light of the reticle 724. Then, using the luminance obtained from the light amount calculation unit 712 and the movement amount obtained from the reticle stage drive control unit 710, the drive amount of the reticle stage 229 from the light shielding start position where the light intensity is 0 to the end is measured. Get the width of the reticle shading zone.

【0025】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を
説明する。図9は微小デバイス(ICやLSI等の半導
体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイ
クロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回
路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステッ
プ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマ
スクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では
シリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ
5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷(ステップ7)される。
<Embodiment of Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 9 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass.
Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes an assembly process (dicing, bonding),
It includes steps such as a packaging step (chip encapsulation). In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0026】図10は上記ウエハプロセス(ステップ
4)の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極
形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像す
る。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process (step 4). Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a resist is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus or exposure method to align and print the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0027】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a large-sized device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、オ
ペレータがマスキングブレードの開口幅を設定すると
き、ウエハ上の素子間隔と同じにすることが可能とな
り、運用上のミスを減らすことが可能になる。また、遮
光帯を有する原板を用いた露光処理を容易に行なうこと
ができ、遮光部近傍の描画精度の低下を常に防止するこ
とが可能となる。
As described above, according to the present invention, when the operator sets the opening width of the masking blade, the opening width of the masking blade can be made the same as the element spacing on the wafer, thereby reducing operational errors. Will be possible. In addition, exposure processing using an original plate having a light-shielding band can be easily performed, and a decrease in drawing accuracy near the light-shielding portion can always be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係る半導体素子露光
装置の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor device exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の露光装置において本発明を具体化した
様子を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a state in which the present invention is embodied in the exposure apparatus of FIG.

【図3】 図2の構成における露光光の遮光方式を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of blocking exposure light in the configuration of FIG. 2;

【図4】 図2の構成においてレチクルを使って露光領
域を制限するときにマスキングブレードを駆動する場合
のフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart in a case where a masking blade is driven when an exposure area is limited using a reticle in the configuration of FIG. 2;

【図5】 図2の構成におけるマスキングブレードの開
口の様子を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state of an opening of a masking blade in the configuration of FIG. 2;

【図6】 レチクルを駆動して透過光を観察することに
よってレチクル遮光帯幅を取得する場合の本発明の第2
の実施例に係る構成を示す図ある。
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention in a case where a reticle light-shielding band width is obtained by driving a reticle and observing transmitted light.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration according to an example of FIG.

【図7】 図6の構成における動作を示すフローチャー
トである。
FIG. 7 is a flowchart showing an operation in the configuration of FIG. 6;

【図8】 本発明に従い、ショットレイアウトに重ねる
ようにしてマスキングブレードの開口幅を表示する様子
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a state in which an opening width of a masking blade is displayed so as to overlap a shot layout according to the present invention.

【図9】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart illustrating a device manufacturing method that can use the exposure apparatus of the present invention.

【図10】 図9中のウエハプロセスの詳細なフローチ
ャートである。
FIG. 10 is a detailed flowchart of a wafer process in FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101:レーザ光源、102:照明系、M:マスクまた
はレチクル、103:投影光学系、W:ウエハ、10
9:マスキングブレード、104:ミラー、105:セ
ンサ、106:光量積算回路、107:CPU、10
8:レーザ制御部、109:マスキングブレード、11
0:マスキングブレード制御部、111:コンソールユ
ニット、112:コンソールCPU、113:ディスプ
レイ、114:キーボード、115:外部メモリ、20
1:コンソール制御部、202:システム制御部、20
3:マスキングブレード制御部、210:マスキングブ
レード駆動部、221:光源、222:シャッタ、22
3:マスキングブレード、224:レチクル、225:
レンズ、226:ウエハ、227:ウエハステージ、2
28:光センサ、229:レチクルステージ、304:
露光光、312:レチクル、314:遮光帯、701:
システム制御部、710:レチクルステージ駆動制御
部、711:ウエハステージ駆動制御部、712:光量
算出部、724:レチクル。
101: laser light source, 102: illumination system, M: mask or reticle, 103: projection optical system, W: wafer, 10
9: masking blade, 104: mirror, 105: sensor, 106: light intensity integration circuit, 107: CPU, 10
8: laser controller, 109: masking blade, 11
0: masking blade controller, 111: console unit, 112: console CPU, 113: display, 114: keyboard, 115: external memory, 20
1: console control unit, 202: system control unit, 20
3: masking blade control unit, 210: masking blade driving unit, 221: light source, 222: shutter, 22
3: Masking blade, 224: reticle, 225:
Lens, 226: wafer, 227: wafer stage, 2
28: Optical sensor, 229: Reticle stage, 304:
Exposure light, 312: reticle, 314: light-shielding band, 701:
710: reticle stage drive controller, 711: wafer stage drive controller, 712: light amount calculator, 724: reticle.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原板のパターンを基板上に露光する際に
露光領域以外の領域をマスキングブレードで遮光する露
光装置において、遮光帯を有する原板を使用して露光を
行なう際には、露光領域に一致させて設定されている前
記マスキングブレードの位置と、前記遮光帯の幅とに基
づいて、前記マスキングブレードの位置が前記遮光帯の
幅の中央に位置するように前記マスキングブレードの位
置を制御する制御手段を具備することを特徴とする露光
装置。
In an exposure apparatus for exposing an area other than an exposure area with a masking blade when exposing a pattern of an original onto a substrate, when exposing using an original having a light-shielding band, the exposure area The position of the masking blade is controlled such that the position of the masking blade is located at the center of the width of the light-shielding band based on the position of the masking blade that is set to coincide with the width of the light-shielding band. An exposure apparatus comprising control means.
【請求項2】 前記遮光帯の幅を、前記基板を移動さ
せ、前記基板を透過する光を観察することによって得る
手段を有することを特徴とする露光装置。
2. An exposure apparatus, comprising: means for obtaining the width of the light-shielding band by moving the substrate and observing light transmitted through the substrate.
【請求項3】 ショットレイアウトを表示する手段を有
し、この手段は、前記遮光帯を有する原板を使用した露
光が行なわれる際には、前記制御手段により制御されて
位置する前記マスキングブレードによる開口を、前記シ
ョットレイアウト上に重ねて表示するものであることを
特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
3. An apparatus for displaying a shot layout, comprising means for controlling an opening of the masking blade located under the control of the control means when exposure using an original plate having the light-shielding band is performed. 3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the image is displayed so as to be superimposed on the shot layout. 4.
【請求項4】 原板のパターンを基板上に露光する際に
露光領域以外の領域をマスキングブレードで遮光する露
光方法において、遮光帯を有する原板を使用して露光を
行なう際には、請求項1の露光装置を用い、その制御手
段により、露光領域に一致させて設定されている前記マ
スキングブレードの位置と、前記遮光帯の幅とに基づい
て、前記マスキングブレードの位置が前記遮光帯の幅の
中央に位置するように前記マスキングブレードの位置を
制御することを特徴とする露光方法。
4. An exposure method for exposing an area other than an exposure area with a masking blade when exposing a pattern of an original onto a substrate, wherein the exposure is performed using an original having a light-shielding band. The exposure device of the above, by the control means, based on the position of the masking blade set to match the exposure area and the width of the light shielding band, the position of the masking blade is the width of the light shielding band An exposure method, wherein the position of the masking blade is controlled so as to be located at the center.
【請求項5】 請求項4の露光方法によって露光を行な
うことによりデバイスを製造することを特徴とするデバ
イス製造方法。
5. A device manufacturing method, wherein a device is manufactured by performing exposure by the exposure method according to claim 4.
【請求項6】 前記遮光帯を有する原板を使用して露光
を行なう際に、前記制御手段が前記遮光帯の幅を取得す
る工程を有することを特徴とする請求項4または5に記
載の方法。
6. The method according to claim 4, further comprising a step of acquiring the width of the light-shielding band when performing exposure using the original plate having the light-shielding band. .
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