JPS6151691A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置に係り、特に、磁気バブ
ルメモリデバイス（以下デバイスと略す）の温度を検出
して印加電圧を制御し、安定に動作させるための温度補
償電源の改善に関するものである。

磁気バブルメモリ装置ではデバイスを取り巻く磁気バブ
ル制御用コイルに電流を流し、発生する磁界で磁気バブ
ルの移動が制御されるが、最適コイル電流はデバイスの
温度により異なり、安定な動作を確保するために、デバ
イスの温度に応じたコイル電流を供給する必要がある。

〔従来の技術〕

装置内の複数のデバイスにそれぞれ温度検出器を設け、
この温度検出器の出力をデバイスの選択と同期して（一
般にデバイスセレクト信号が使用される）切り換え、補
正電源に入力し、予め設定された温度−電圧特性に従っ
た補正電圧が磁気バブル制御用コイルに印加されるよう
になっている。

しかし、いずれの温度検出器の出力もコイル駆動用電源
に供給されないと、電源の入力端が開放状態となり、差
動アンプで構成された電源電圧が異常に上昇してコイル
駆動回路を破壊する危険があり、改善が要望されている
。

第３図は温度検出器の出力と電源の接続方法を説明する
ための図で、デバイスセレクト信号でスイッチ６の１回
路が閉じられ、その１回路の抵抗７．８およびサーミス
タ温度検出器２ａがＤＣ／ＤＣＣ／式−タ（電源）３に
接続される。

ＤＣ／　ＤＣコンバーク３の端子３１はＤＣ／ＤＣコン
バータ３内の差動アンプ（図示せず）に接続されており
、抵抗７．サーミスタ温度検出器２ａおよび抵抗８で分
割された電圧が差動アンプに入力される。

しかし、サーミスタは温度により抵抗値が変化するため
に、前記分割された電圧も温度に依存して変化し、ＤＣ
／ＤＣコンバータ３内の差動アンプに入力される。差動
アンプからは温度補正された電圧がコイル駆動回路（図
示せず）を介して動作中のデバイス１ａのコイル５に印
加されて、磁気バブルの移動が制御される。

温度検出器２ａ〜２ｎの出力切り換え用スイ・ノチ６は
アナログスイッチ、リレー等が使用される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の温度補償の方法にあっては、装置の電源投入
直後等でロジック電源電圧が安定していない状態、また
は、デバイスが選択されていないときのようにデバイス
セレクト信号がない状態では、いずれの温度検出器の出
力もコイル駆動用電源に供給されず、入力側が開放状態
となり、差動アンプで構成された電源電圧が異常に上昇
してコイル駆動回路を破壊するという問題があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記問題点を解消した磁気バブルメモリ装置
を提供するもので、その手段は、温度検出器の出力切り
換え用デバイスセレクト信号を受信していないことを検
出すると予め指定された温度検出器の出力がＤＣ／ＤＣ
Ｃ／式−タに入力されることにより、また、磁気バブル
メモリ装置のロジック回路用電源の電圧が所定の電圧に
達するまでは、ＤＣ／ＤＣＣ／式−タの出力が停止され
ることによってなされる。

〔作用〕

上記磁気バブルメモリ装置においては、複数の温度検出
器のうち常時１つの温度検出器の出力が補正電源に入力
されるので、ＤＣ／ＤＣＣ／式−タが異常な高電圧を発
生しない、また、磁気バブルメモリ装置のロジック電源
が所定の電圧に到達するまではコイル駆動用電源の出力
が停止される。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の異常電圧の発生を防止した電源の制御
方法を説明するため図である。

温度検出器２ａ〜２ｎの出力はアナログスイッチ６に並
列に入力され、デバイスセレクト信号（ＣＳ　Ｏ。

Ｃ５Ｌ　Ｃ３２，・・・）または、デバイスセレクト信
号のいずれかく例えばＣＳ　Ｏ）に共通接続されたノー
メモリ信号によって、デバイス１ａ〜１ｎの選択に同期
して出力が切り換えられて、いずれか１つの温度検出器
２ａの出力がＤＣ／ＤＣＣ／式−タ３の差動アンプの入
力端子３１に入り、温度補正された電圧が出力される。

ノーメモリ信号はＮＡＮＤ回路で構成されるノーメモリ
検出回路４で作られ、入力側のデバイスセレクト信号の
全てがＯであればノーメモリ検出回路４の出力は１とな
り、この信号がＣＳ　Ｏの信号と同様に作用する。

もし、デバイスセレクト信号のいずれも０ならば、ノー
メモリ信号が発生し、アナログスイッチ６は温度検出器
１ａの出力をＤＣ／ＤＣＣ／式−タ３に入力し、温度検
出器１ａの温度に対応した補正電圧が出力され、異常電
圧は発生しない。

ところが、装置の電源投入直後等でロジック電圧が所定
値まで到達していないときは、ＮＡＮＤ回路４もアナロ
グスイッチ６も動作しないので、もし、コイル駆動電源
の電圧の方が先に立ち上がると異常電圧を発生する危険
がある。本発明の電源ではこのようなことのないように
、さらに、ロジック電圧が所定値以下なら電源の出力を
停止させる機能がある。

ロジック電圧が所定の値より低いときは、磁気バブルメ
モリ装置内にはロジック電圧が低いときには、パワーオ
ンリセット信号が発生するようになっており、この信号
を利用して出力を停止させ、電圧が所定値になればパワ
ーオンリセット信号がなくなり出力される。

第２図は本発明の装置における電源投入から正常な動作
に至るまでの経過を示す図である。

領域Ｉは電源投入直後のロジック電圧が低い状態で、パ
ワーオンリセット信号により出力が停止される。

領域■はロジック電圧は正常で、デバイスセレクト信号
がない状態で、ノーメモリ信号により予め設定された温
度検出器の出力で補正された電圧が出力される。

領域■はロジック電圧もデバイスセレクト信号も正常に
出力されている状態で、動作中のデバイスに対応した温
度検出器の出力が電源にフィードバンクされ、デバイス
が最も安定に動作する電圧が出力される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、デバイスセレクト
信号がなくとも、常時１つの温度検出器の出力がＤＣ／
ＤＣコンバータに接続されるので、異常電圧の発生が防
止できる。また、ロジック電源電圧が正常値に到達しな
ければコイル駆動電圧を発生しないのでコイル駆動回路
の破壊が起こらないといった効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の異常電圧の発生を防止した電源の制御
方法を説明するため図、 第２図は本発明の装置における電源投入から正常な動作
に至るまでの経過を示す図、 第３図は従来の温度検出器の出力と電源の接続方法を説
明するための図である。 図において、 １は磁気バブルメモリデバイス、 ２は温度検出器、　　　　３はＤＣ／ＤＣコンバータ、
４はＮＡＮＤ回路、　　５はコイル、 ６はスイッチ、　　　　　７，８．は抵抗、３１は差動
アンプ用端子、 をそれぞれ示す。 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の磁気バブルメモリデバイスと複数のデバイ
   ス温度検出器と磁気バブルメモリデバイスのコイル駆動
   用の第１の電源および前記複数の磁気バブルデバイスの
   １つを選択するデバイスセレクト信号と同期して前記１
   つの磁気バブルメモリデバイスに対応する温度検出器を
   選択して、前記第１の電源に入力するスイッチを具備し
   た磁気バブルメモリ装置において、前記スイッチがデバ
   イスセレクト信号を検出しないときは、予め指定された
   １つの温度検出器の出力が前記第１の電源に入力される
   ことを特徴とする磁気バブルメモリ装置。
2. （２）複数の磁気バブルメモリデバイスと複数のデバイ
   ス温度検出器と磁気バブルメモリデバイスのコイル駆動
   用の第１の電源および前記複数の磁気バブルデバイスの
   １つを選択するデバイスセレクト信号と同期して前記１
   つの磁気バブルメモリデバイスに対応する温度検出器を
   選択して、前記第１の電源に入力するスイッチを具備し
   た磁気バブルメモリ装置において、磁気バブルメモリ装
   置のロジック回路用の第２の電源の電圧が所定の電圧に
   到達しない時は、前記第２の電源の出力が停止されるこ
   とを特徴とする磁気バブルメモリ装置。