JPS615033U - 電界効果トランジスタドライブ装置 - Google Patents

電界効果トランジスタドライブ装置

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JPS615033U
JPS615033U JP8751684U JP8751684U JPS615033U JP S615033 U JPS615033 U JP S615033U JP 8751684 U JP8751684 U JP 8751684U JP 8751684 U JP8751684 U JP 8751684U JP S615033 U JPS615033 U JP S615033U
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JP
Japan
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transistor
field effect
pnp
drive device
effect transistor
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Pending
Application number
JP8751684U
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English (en)
Inventor
敏男 岡村
直紀 津屋
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS615033U publication Critical patent/JPS615033U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の電界効果トランジスタドライブ装置の回
路構成図、第２図はこの考案の電界効果トランジスタド
ライブ装置の回路構成図である。 図中１はパルス信号源、２はＮＰＮ｝ランジスタ、３は
ＰＮＰ ｝ランジスタ、４は電界効果トランジスタ、５
は電界効果トランジスタのゲートーソース間に含まれる
キャパシタ、６はドライブ用電源、７はダイオード、８
は抵抗である。 なお、図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示してある。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. パルス信号により電界効果トランジスタをスイッチング
    駆動する電界効果トランジスタドライブ装置において、
    一端がＰＮＰ ｝ランジスタのベースに、他端がＰＮＰ
    トランジスタのコレクタにつながる抵抗と、アノード
    が上記ＰＮＰ トランジスタのベースに、一方カソード
    が上記ＰＮＰ ｌ−ランジスタのエミツタにつながるダ
    イオードと、ゲートがＰＮＰトランジスタのエミツタに
    、ソースがＰＮＰトランジスタのコレクタにつながる電
    界効果トランジス，タとで構成したことを特徴とする電
    界効果トランジスタドライブ装置。
JP8751684U 1984-06-13 1984-06-13 電界効果トランジスタドライブ装置 Pending JPS615033U (ja)

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JPS615033U true JPS615033U (ja) 1986-01-13

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ID=30639806

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