JPS6148199A - Circulating shift register - Google Patents

Circulating shift register

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JPS6148199A
JPS6148199A JP16963784A JP16963784A JPS6148199A JP S6148199 A JPS6148199 A JP S6148199A JP 16963784 A JP16963784 A JP 16963784A JP 16963784 A JP16963784 A JP 16963784A JP S6148199 A JPS6148199 A JP S6148199A
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JP
Japan
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charge
shift register
skimming
light receiving
skim
Prior art date
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Pending
Application number
JP16963784A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Sato
雄一 佐藤
Tokuichi Tsunekawa
恒川 十九一
Takashi Kawabata
隆 川端
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6148199A publication Critical patent/JPS6148199A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase cumulative frequency of charge from light receiving means by installing plural skimming means in a circulating shift register and controlling a skimming quantity of charge by means of the skimming means. CONSTITUTION:The first and second charge drawing gates SKG11 and SKG13 discharge prescribed charge respectively. A charge discharging gate SKG12 discharges charge from the charge drawing gates SKG11 and SKG13 to a drain. A floating gate FG detects fluctuation of the sum of charge quantity of two charge accummulating parts and controls charge quantity discharged from a skimming means, and composes part of a charge detecting means. Thus, saturation of the charge accummulating part composing a circurating shift register is loosened, a cumulative frequency of charge from a light receiving means is increased and highly accurate focusing detection can be executed.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は循環シフトレジスタに関し、複数のモードで#
′# ff返し発生する信号電荷を入力し該信号電荷を
循環シフトさせながら順次累積加算し、各モード毎の累
積信号電荷を得るようにすると共に所定の゛tル荷量を
循環シフトレジスフより排出するスキム手段を設けるこ
とによって電荷蓄積量の+s:g i口抑制を緩和しt
循環シフトレジスタに関するものでちる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a circular shift register that can be used in multiple modes.
'# ff Input the generated signal charge and sequentially cumulatively add the signal charge while cyclically shifting it to obtain the cumulative signal charge for each mode and discharge a predetermined amount of charge from the cyclic shift register. By providing a skimming means, the +s:g i limit on the amount of charge accumulation can be alleviated.
This is related to circular shift registers.

特に本発明はカメ2等の合焦検出装置においてカメラt
llllより信号光束を投光し被写体面から反射されて
くる該信号光束のスポット像の位置を複数の受光素子よ
り成る受光手段により検出することによりカメラの合焦
検出を行9所謂アクティブタイプの合焦検出装置に好適
な循環シフトレジスタに関するものである。
In particular, the present invention is applicable to a focus detection device for a camera 2, etc.
A so-called active type focusing system detects the focus of the camera by emitting a signal light beam from the llll and detecting the position of the spot image of the signal light beam reflected from the object surface using a light receiving means consisting of a plurality of light receiving elements. The present invention relates to a circular shift register suitable for a focus detection device.

従来よりアクティブタイプの合焦検出装置における受光
手段としては例えば第1図に示す2つの受光素子1−1
.1−2よT)構成されているものがある。
Conventionally, as light receiving means in an active type focus detection device, for example, two light receiving elements 1-1 shown in FIG.
.. 1-2.T) There are some things that are configured.

同図においてPはカメラ側よシ信号光束を被写体側に投
光し、被写体から反射した後受光手段1上に結像したス
ポット像である。
In the figure, P is a spot image formed on the light receiving means 1 after a signal light beam from the camera side is projected onto the subject side and reflected from the subject.

同図は所謂差動型センサーと言われるものでrlt影+
zyズoピント状態に応じてスボッ) f& Pが受光
手段l上kx方向に動くように構成されている。撮影レ
ンズが合焦状態のときは同図(b)に示す如くスポット
像Pが2つの受光素子1〜1)1−2の中央に位置し、
合焦状態から外れて例えば前ピンのときは同図(−)に
示す如く又後ピンのときは同図((りK示す如くスポッ
ト像PがX方向に邪動するように構成されているいまj
@1図(a) 、 (b) 、 (e)に示すようにス
ポット像Pカ” ’l’lll上X1  +  Xo+
  X2に位置しているときの2つの受光素子l−1,
1−2からの出力信号を各々Y□ 、Y2としたとき、
スポット像P Ox軸方向の位置と2つの受光索子1−
1゜1−2からの出力(fi号の関係を示すと第2図(
IL) 。
The figure shows what is called a differential type sensor, and the rlt shadow +
The lens is configured to move in the kx direction on the light receiving means l depending on the focus state. When the photographic lens is in focus, the spot image P is located at the center of the two light receiving elements 1 to 1) 1-2, as shown in FIG.
When out of focus, for example, the spot image P is configured to move in the X direction as shown in (-) in the same figure when the front focus is on, and as shown in the same figure ((-K) when the focus is on the rear. Now j
@1 As shown in Figures (a), (b), and (e), the spot image P is X1 + Xo+
Two light receiving elements l-1 when located at X2,
When the output signals from 1-2 are Y□ and Y2, respectively,
Spot image P Position in Ox axis direction and two light-receiving strands 1-
The output from 1゜1-2 (Fig. 2 shows the relationship between fi numbers)
IL).

(b)の如くになる。It will look like (b).

同図においてY  、Y  は各々カメラ側よりID 
  2D 信号光束を投光しなかつ次非投光時のすなわち周囲光に
よる受光素子1−1.1−2からの出力信号、Y  、
Y  けカメラ側より信号光束をIL     2L 投光したときの投光時の出力信号である。これより受光
素子1−1.1−2による信号光束の物体からの反射光
束による出力信号すなわち投光成分をY  、Y  と
すると Is     28 YIS−YIL−YID Y28 ”−Y2L −Y2O となる。
In the same figure, Y and Y are IDs from the camera side respectively.
Output signal from the light receiving element 1-1.1-2 when not emitting a 2D signal beam and then not emitting light, that is, due to ambient light, Y,
This is an output signal at the time of light projection when the signal light flux IL 2L is projected from the camera side. From this, if the output signal, that is, the light emitting component of the signal beam reflected from the object by the light receiving element 1-1.1-2 is Y, Y, then Is28 YIS-YIL-YID Y28''-Y2L-Y2O.

このとき2つの受光素子1−1.1−2からの投光成分
Y  、Y  の差分2すなわちis     28 Z” YIS −Y28 全求めると第3図に示すようになる。
At this time, when the difference 2 between the light emitting components Y and Y from the two light-receiving elements 1-1.1-2 is calculated, it becomes as shown in FIG. 3.

実際にはこの悟′号成分2を求め、これより撮影レンズ
の合焦状態の検出を行っている。
In reality, this G' component 2 is obtained and the in-focus state of the photographic lens is detected from this.

列えはスポット1求Pの位置Xが第1図(a)に示す前
ビン領域にあるときはZ)0.第1図(b)に示す合焦
状態にあるときは2−0.第1図(6) K示す後ビン
状態にあるときはZ(Oとなる。
When the position X of spot 1 P is in the front bin area shown in FIG. 1(a), Z)0. When in the focused state shown in FIG. 1(b), 2-0. FIG. 1 (6) When in the rear bin state shown by K, it becomes Z(O).

このような合焦検田装れにおいては2つの受光素子1−
1.1−2からは4つのモードの出力信号YIL、Y1
D、Y2L、Y2Dが得られるが合焦検出に必要なのは
これらの出力信号の相対的な差分てちる。この差分が小
さく又正確でないと合焦検出鞘度が低下する原因となる
In such a focusing detector setup, two light receiving elements 1-
1. From 1-2, output signals YIL and Y1 of four modes
D, Y2L, and Y2D are obtained, but what is needed for focus detection is the relative difference between these output signals. If this difference is small or inaccurate, it will cause a decrease in focus detection accuracy.

声[えば物体距離が遠い場合には投光成分Y□8゜Y2
8は小さくなる。
Voice [For example, if the object distance is far, the projected light component Y□8゜Y2
8 becomes smaller.

又周囲光による出力18号Y、Y  ′5c投光時LD
    2D の出力信号Y  、Y  より除去し投光成分Y工、。
Also, output No. 18 Y, Y'5c LD when projecting light due to ambient light
The projected light component Y is removed from the 2D output signal Y and Y.

IL     2L Y28を得る場合にも周IUI光が時間的に変萄する場
合には正確な投光成分Y  、Y  が得られなIs 
    2S くなる。
Even when obtaining IL 2L Y28, accurate light emitting components Y and Y cannot be obtained if the circumferential IUI light changes over time.
2S becomes.

本山へ1)人は計に1片1)SI昭so −20776
8号で周囲光が時間的に変ヴυする場合の合焦検出イ?
?厩の低下防止の為に投光時の出力信号Y  、Y  
と非IL     2L 投光時の出力信号Y  、Y  全繰り返し横用し、1
0    2D 各々累晴−rることによりて周囲光の変動による誤差金
除去する方法を提案している。
To the main mountain 1) One person in total 1) SI Showo -20776
Is it possible to detect focus when the ambient light changes over time with No. 8?
? Output signals Y and Y when emitting light to prevent the stable from dropping.
and non-IL 2L light emission output signal Y, Y is used repeatedly, 1
0 2D We have proposed a method to eliminate errors caused by fluctuations in ambient light by using cumulative brightness.

このとき出力信号の累積回数が増加すれば投光成分の検
出1)1度は向上するが各受光素子で検出され比電荷’
t ifi Ateする為の電荷蓄積部には一定量・の
電荷しか蓄積することができな匹ので飽和という間列が
生じてくる。
At this time, if the cumulative number of output signals increases, the detection of the emitted light component will improve by 1) 1 degree, but the specific charge '
Since the charge storage section for performing the tifi-ate operation can only store a certain amount of charge, a state called saturation occurs.

この問題を解決する為に本1)3願人は特願昭58−2
1)920号で複数の電荷#績8(Sを循環させ7’C
砧mシフトレジスタにおいて一定量の電荷を所定の屯1
=’? Tfi′債部より排出させる為のスキム手段を
設けることにより電荷蓄積の飽和t−緩和させる方法全
提案した。
In order to solve this problem, this 1) 3 applicant filed a patent application in 1982-2.
1) No. 920 with multiple charges # 8 (S circulating and 7'C
In the Kinuta m shift register, a certain amount of charge is transferred to a predetermined amount.
='? A method for alleviating the saturation t- of charge accumulation by providing a skimming means for discharging Tfi' from the junction has been proposed.

しかしながら前述の特願昭58−21)920号ではス
ギノ・手段を1つしか設けていなく又排出することので
きる電荷量が一定だった為に電荷蓄積部への1回当りの
累積電荷′3鏝を大きくするのが困≠1(となってい比
However, in the above-mentioned Japanese Patent Application No. 58-21) 920, only one Sugino means was provided, and the amount of charge that could be discharged was constant, so the accumulated charge per charge storage unit was It is difficult to increase the size of the trowel ≠ 1 (ratio.

木兄り1は前述のスキム手段を改良し、循環シフトレジ
スタを(1−7成する電イaテ苗、漬部の飽和t−援和
し、受光手段からの−i荷の累A、Siu奴r増加させ
高鞘度の合作検出全可能とする?/&馴ンフトレジスタ
の析供を目的とする。
Kimiori 1 improved the above-mentioned skimming means and created a circular shift register (1-7) to reduce the saturation of the pickled part, and to reduce the accumulation of -i charges from the light receiving means. The purpose is to increase the Siu rate and make it possible to detect highly effective collaborations.

本発明の目的を達成する為の循枦シフトレジスタの主た
る特σ(は代数のモードで繰り返し発生する信号1「荷
を入力し、前記信号IB荷を循環シフトさせながら各モ
ード4υに累積加算し、各モード毎の累積電荷信号をイ
!Iるようにし次複数の電荷蓄積部を有するvjI片シ
フトレジスタにおいて前記循6(シフトレジスタの一部
に複数のスキム手段を設け、前記スキム手段により所定
量 ′の電荷を排出するようにしたことでるる。
The main characteristic of the circular shift register for achieving the purpose of the present invention is to input the signal 1' which repeatedly occurs in the algebraic mode, and cumulatively add it to each mode 4υ while circularly shifting the signal IB. , the cumulative charge signal for each mode is set to 1, and then the cycle 6 (a part of the shift register is provided with a plurality of skimming means, and a plurality of skimming means are provided in a part of the shift register, and the skimming means This is because the charge of quantification ′ is discharged.

次に本発明の一実施FIJを各図と共に説明する0第4
図は本発明の循環シフトレジスタの概略図である。
Next, one implementation FIJ of the present invention will be explained with reference to each figure.
The figure is a schematic diagram of a circular shift register of the present invention.

同図においてSAI〜SA4 、5ISI〜SB4は各
々光’ib、変換部であり4つの光電変換部SAI −
SA4で受光手段4の一方の受光部4−1を(1゛り成
し、4つの光電変換部SBI〜SB4で受光手段4の他
方の受光部4−2を構成している。
In the figure, SAI to SA4 and 5ISI to SB4 are optical converters, respectively, and there are four photoelectric converters SAI-
At SA4, one light receiving section 4-1 of the light receiving means 4 is formed (1), and the other light receiving section 4-2 of the light receiving means 4 is formed by four photoelectric conversion sections SBI to SB4.

受光部4−1.4−2は各々第1図の受光素子1−1.
l−2に相当している。受光部4−1.4−2に複数の
光電変換部を設けたのは列えば撮影レンズの明るさ、物
体距離等に応じて選択して用いる為である。
The light receiving sections 4-1, 4-2 are the light receiving elements 1-1.
It corresponds to l-2. The reason why a plurality of photoelectric conversion units are provided in the light receiving unit 4-1, 4-2 is to select and use them according to the brightness of the photographing lens, the object distance, etc.

BG はバリヤゲート、RAI NRA4 、 RBI
〜RB4は各々光電変換部SAI〜SA4 、 SBI
 −SB4で生成された電荷を一時的に蓄積する電荷蓄
積部、31(Al〜51(A4  、5HBI〜5I(
B4は各々電荷蓄積部RAI〜RA4 、 RBI −
RB4 K蓄積され次電荷t−CCDレジスタCRA 
、 CRBに転送する為のシフトゲート、MGはCCD
レジスタCRA 、 CRBからの電荷tl−電荷入力
レジスタGOに相互に入力する為に一方のCODレジス
タからの電荷入力を遅延させる為の電荷転送用レジスタ
でらる。
BG is barrier gate, RAI NRA4, RBI
~RB4 are photoelectric conversion units SAI~SA4, SBI, respectively.
- A charge storage section for temporarily accumulating the charges generated in SB4, 31 (Al~51(A4, 5HBI~5I(
B4 are charge storage parts RAI to RA4, RBI-, respectively.
RB4 K accumulated next charge t-CCD register CRA
, Shift gate for transferring to CRB, MG is CCD
The charge tl from registers CRA and CRB is a charge transfer register for delaying the charge input from one COD register in order to mutually input the charge tl to the charge input register GO.

Ml −M4 、 G1−G4は各々電荷入力レジスタ
Go  を経由してCODレジスタCRA又はCRBか
ら転送されてき7を電荷を矢印の方向に循環しながら累
積する循環シフトレジスタの一部を構成する電荷蓄積部
である。例えば電荷蓄積部M1でハ@、rN 入力レジ
スタGOから1飲込されて〈ル゛屯衝と電荷’gMわ゛
i部G4 から伝送さ1)−てくる電荷を各々加界して
いる。
Ml-M4, G1-G4 are charge storages that form part of a circular shift register that is transferred from the COD register CRA or CRB via the charge input register Go and accumulates the charges while circulating them in the direction of the arrow. Department. For example, the charge accumulating section M1 absorbs 1 from the input register GO and adds the charges transmitted from the section G4.

FG ば2りの電荷t7偵i’+(XGl  、 G2
の′メ1工荷量のオロの変動全検出しtλ述するスキム
手段より排出する電荷量をfltl、制御する為のフロ
ーティングゲートであり、電荷の検出手段の一部を植成
している。
FG 2 charges t7 i'+(XGl, G2
1 is a floating gate for detecting all fluctuations in the amount of workpiece and controlling the amount of charge discharged from the skimming means described above, and a part of the charge detection means is implanted therein.

lζG は該フローティングゲートFGをリセットする
ためのリセットゲートで、−FCl2は該リセット状態
)IζGの制御1信号、FCDCは該70−ティングゲ
ートFGをリセットする時の基準電圧、b伍狸・は該7
0−ティングゲートの底圧を検出するためのアンプ、O
8は該フローティングゲートの゛幅圧をアンプMAMP
 を介しに出力された出力信号である。
lζG is a reset gate for resetting the floating gate FG, -FCl2 is the control 1 signal of IζG (in the reset state), FCDC is the reference voltage when resetting the floating gate FG, and b5 is the reset state. 7
An amplifier for detecting the bottom pressure of the 0-ting gate, O
8 is an amplifier MAMP for the width pressure of the floating gate.
This is the output signal output via the .

CLR1)は電荷入力レジスタGoに転送てれてくる電
荷を排出する第1のクリアゲート、CLR12は循環シ
フトレジスタの一部の電荷ti部M3の電荷tクリアす
る為の第2のクリアゲート、5KGII 、 5KG1
3は各々所定の電荷を排出する為の第1、第2の電荷汲
取ゲート、5KG12ハ1u荷汲取ゲー) 5KGII
 、 5KG13’カラO’C荷をドレインに排出する
為の電荷排出ゲートである。
CLR1) is a first clear gate that discharges the charge transferred to the charge input register Go, CLR12 is a second clear gate for clearing the charge t of the charge ti part M3 of a part of the cyclic shift register, 5KGII , 5KG1
3 are first and second charge collecting gates for discharging predetermined charges, respectively; 5KG12H1U load collecting gate) 5KGII
, 5KG13'KaraO'C Charge discharge gate for discharging charges to the drain.

、′f(、5図(n)〜(d)は本発明に係るスキム手
段によるスキム![Ij作の原理の模式図でおる。
, 'f(, 5(n) to (d) are schematic diagrams of the principle of skimming by the skimming means according to the present invention.

同図(、)は電荷蓄積部G3に電荷が溜まっている最初
の状態、同図(b)は第1の汲取ゲート5KGIIに?
li圧が印加され所定量の電荷が汲取ゲート5KGII
に入ってきたところ、同図(C)は汲取ゲート5KGI
Iが初期状態に戻り所定量の′Lu荷が汲み取られたと
ころ、同図(d)は排出ゲート5KG12に7(L圧が
印加されて汲み取られfc 電荷がドレインに排出され
たところを各々示している。
The figure (,) shows the initial state in which charges are accumulated in the charge storage section G3, and the figure (b) shows the first state where charges are accumulated in the first pumping gate 5KGII.
Li pressure is applied and a predetermined amount of charge is pumped up to the gate 5KGII.
As you enter, the same figure (C) is the pumping gate 5KGI.
When I returns to the initial state and a predetermined amount of 'Lu charge is pumped out, the same figure (d) shows the point where 7 (L pressure is applied to the discharge gate 5KG12 and the charge is pumped out and fc charge is discharged to the drain. Each is shown.

第6図(、)〜(f)はフローティングゲートFGによ
る’+LE荷鯖演nの原理を示す説明図でらる。
FIGS. 6(a) to 6(f) are explanatory diagrams showing the principle of '+LE load control n' by the floating gate FG.

同図(−)は′電荷蓄積部Gi に電荷量A。*が入っ
てきfCところで、このときフローテイングゲー)1”
Glはリセット状態にあるので70−テイングゲー)F
Giの出力os、はvr@fである。同図(b)はフロ
ーティングゲートのリセット全解除した状態でおるが電
荷蓄積部Gi に電荷の出入がない為にフローテ・(ン
グゲー)FGiの出力O8bは変化しない。同図(C)
はフローテ・fングゲ〜トのリセットを解除した゛よ゛
走電荷蓄積部Giから電荷A。t−次段に転送すると電
荷AD*が電荷量* 積部Giから排出てれるのでフlff−ティングゲート
FGiの出力O8cはトB荷AL)*に相当する量だけ
′電位変化が生ずる。同図(d)はフローテイングゲー
)FGiのリセット全解除したまま電荷蓄積部Gi に
E 荷AL*カニ入ってき念のでフローティングゲート
FGiの出力O8,は゛重荷AL*に相当する址だけ電
位変化をする。
The figure (-) indicates the amount of charge A in the charge storage section Gi. * comes in and fC By the way, at this time floating game) 1"
Since Gl is in the reset state, 70-teingge)F
The output os of Gi is vr@f. In the figure (b), the reset of the floating gate is completely released, but since there is no charge in or out of the charge storage section Gi, the output O8b of the float FGi does not change. Same figure (C)
is the charge A from the floating charge storage section Gi after the reset of the floating gate is released. When transferred to the next stage, the charge AD* is discharged from the charge accumulation section Gi, so that the output O8c of the flipping gate FGi changes in potential by an amount corresponding to the charge AL)*. (D) of the same figure shows a floating gate) With the reset of FGi completely released, the E load AL* enters the charge storage part Gi.As a precaution, the output O8 of the floating gate FGi changes the potential by an amount corresponding to the load AL*. do.

以上のように゛鑞荷t’A 4j1 部Giへの・K荷
の出入量に応じて出力電圧O8が増減するので出力電圧
O8は、例えば第6図(、)に示すような変化をするO 同図に示す出力゛電圧os  、 os、 、 as 
 、 os。
As described above, the output voltage O8 increases or decreases depending on the amount of the ・K load into and out of the solder load t'A 4j1 section Gi, so the output voltage O8 changes as shown in FIG. 6 (,), for example. O Output voltage shown in the figure os, os, , as
, os.

は各々第6図(a) 、 (b) 、 (e) 、 (
d)に対応する出力電圧OSを示す。
are shown in Figure 6 (a), (b), (e), (
The output voltage OS corresponding to d) is shown.

第6図(e)に示す出力電圧A/D、 A/Lは各々電
荷AD*、AL*の電荷量に対応する電圧変化でろる。
The output voltages A/D and A/L shown in FIG. 6(e) are voltage changes corresponding to the amounts of charges AD* and AL*, respectively.

第6図(f)は2つの電荷量MRf!15 Gl  、
 G2 と70−テイングゲー) FGとの関係を示す
説明画である。FGIとFG2 #′i各々フローテイ
ングゲー) FGの一部の電荷蓄積部Gl とGz上に
配置嘔れ光フローティングゲートでろり両フローテイン
グゲー) FGI 、 FG2は互いに連結されてい 
  ゛る。
FIG. 6(f) shows two charges MRf! 15 Gl,
This is an explanatory picture showing the relationship between G2 and 70-Teing Game) FG. FGI and FG2 #'i are each floating gates) Some of the charge storage parts of FG are placed on Gl and Gz. Both floating gates are connected to each other.
It's true.

フローティングゲートFGIとFG2で各々−th[蓄
漬部G1と02の電荷の変化を検出し、その変化量の加
算された信号がO8として出力される。
Floating gates FGI and FG2 detect changes in the charges of -th [accumulators G1 and 02, respectively, and a signal obtained by adding up the amount of change is output as O8.

第7図は本発明における電荷蓄積部への積分モード1I
Iiのタイミングチャートである。
FIG. 7 shows integration mode 1I to the charge storage section in the present invention.
It is a timing chart of Ii.

SHはシフトゲ−) 5HAi と5HBi に選択的
に印加することにより第1番目の光電変換部SAi及び
SBiで得られた電荷t−a択的にCCDレジスタCR
A 、 CRBに転送する77トパルスでろる。
SH is a shift gate) By selectively applying 5HAi and 5HBi, the charges ta obtained in the first photoelectric conversion units SAi and SBi are selectively transferred to the CCD register CR.
A, 77 pulses transferred to CRB.

4、φ*はCCDシフトレジスタCItA 、 CRJ
Iの転送パルスであると共に循環7フトレジスタの転送
パルスでろる。レリえは電荷蓄積部Gl  。
4, φ* is CCD shift register CItA, CRJ
It is a transfer pulse of I and also a transfer pulse of a cyclic 7-foot register. The resistor is the charge storage part Gl.

、G2  には転送パルスφが1)43加され゛屯t!
ij a−槓部M2  には転送パルスφ*が印加され
る。
, G2 is added with 1)43 transfer pulses φt!
A transfer pulse φ* is applied to the ij a-ramming portion M2.

第7図に示すタイミングチャートに基づいてノu動させ
ると投光時の受光部4−1の出力AL1投光時の受光部
4〜2の出力BL1非投ブC時の受光部4−1の出力A
。、非投光時の受光部4−2の出力BDが1)44次’
tJi 6;工人力レジスタ GOK転送されてくる。
When the knob is moved based on the timing chart shown in FIG. 7, the output AL of the light receiving section 4-1 when emitting light1 the output BL of the light receiving sections 4 to 2 when emitting light1 the output of the light receiving section 4-1 when not emitting C output A of
. , when the light is not emitted, the output BD of the light receiving section 4-2 is 1) 44th order'
tJi 6; Manpower register GOK is transferred.

これら4つのモードの出力AL、  BL、  AD。Outputs of these four modes AL, BL, AD.

BD  は繰り返し元止し「!ε荷入カレジスタGoを
経由して′屯ダニ蓄債部MI K送られ循環シフトして
電荷蓄積部M1に転送されてくる同じモードの信号出力
と累4it加算される。加算さノt fC1g号は加5
とされる毎に第7図に示すタイミングで−に荷ffiダ
積Bfl Gl  r に2に転送式れてくる。
BD is repeatedly stopped and added to the signal output of the same mode, which is sent to the charge storage section MIK via the loading register Go, cyclically shifted, and transferred to the charge storage section M1. The addition is not fC1g.
Each time, the load ffida product Bfl Gl r is transferred to 2 at the timing shown in FIG.

同図にνいて↓印は電イKiが屯1:?f恰積部Gl 
に入ったことを示し↑印は電荷が電荷蓄積部Giより出
たことを示す。
In the same figure, ν and ↓ mark indicate that electric power Ki is ton 1:? f Accumulation part Gl
The ↑ mark indicates that the charge has come out from the charge storage section Gi.

電荷の出入りにより出力O8は第7図に示すように褒二
化する。
The output O8 changes as shown in FIG. 7 due to the inflow and outflow of charges.

出力AL、 AD、  BL、  +3Dは累積回im
K。
Output AL, AD, BL, +3D are cumulative times im
K.

応じて変化する量でらりいま A−ΣAL(n ) −AD (n )B −、:、B
t(n) −Bo(n)とおくと差動型受光素子におい
て必要な信号A。
The amount that changes accordingly is now A-ΣAL(n)-AD(n)B-, :, B
t(n) - Bo(n), the signal A required in the differential light receiving element.

Bが得られる。B is obtained.

上式より明らかのように出力ALとAp又は出力1)t
、とB。から同一の電荷量全差引いても信号出力A、R
は何んら影IF9を受けない。
As is clear from the above formula, the output AL and Ap or output 1) t
, and B. Even if the same amount of charge is completely subtracted from
does not receive any shadow IF9.

ところで旧式においてAL (m )≧AD(m) 。By the way, in the old method, AL (m) ≧ AD (m).

IIL(m)≧I1))(m>である。1回のスキム量
を SKとし、AD(m)がスキムレベルTを越えたら
Ap (m )とAL(m)からN SKだけスキムす
る。ま  ′几13D(m )がスキムレベルTt″越
えfc ラBOCm) (!:BL、(m)から量SK
だけ、1.キムする。
IIL(m)≧I1))(m>.The amount of skimming at one time is SK, and when AD(m) exceeds the skim level T, skim by NSK from Ap(m) and AL(m). Ma '几13D(m) exceeds the skim level Tt'' fc LABOCm) (!: BL, (m) to amount SK
Only, 1. Kim.

循環シフトレジスタの飽和レベル′(i:v8fLt 
とし、A’(m )  、  B (m )の出力レン
ジ’ ”Wとすると、次の条件が必要である。
Saturation level of circular shift register'(i:v8fLt
Assuming that the output ranges of A'(m) and B(m) are 'W', the following conditions are required.

ADmax +Rat″′″vsat ’ BDmnx
 ” Rw −”sat・・・■ また、 0 (AD、 0 (Bo        ・・・00
式より、 T ・SK ・V、 ) 0          ・・
・■となる。■ はスギムレペル設定誤差等を考慮した
余ゆう分である。
ADmax +Rat″′″vsat ' BDmnx
"Rw -"sat...■ Also, 0 (AD, 0 (Bo...00
From the formula, T ・SK ・V, ) 0 ・・
・It becomes ■. ■ is the remainder after taking into account the Sugimu Repel setting error, etc.

、 ところで1,1回のスキム量より加算される入力信
号AD1まfCけBD工が大きくなるとALまたは九は
単調噌加して用Jnレベル金越えてしまうので次の条件
も必要になる。AO□ま九はBD□の最大値をADlm
az  * BDlmaxとすると、ADlmax ・
BDlmax ” SK      ・・・■となる。
By the way, if the input signal AD1, fC, and BD which are added from the amount of skim 1 and 1 increase, AL or 9 will be monotonically added and exceed the Jn level, so the following condition is also required. AO□Maku is ADlm the maximum value of BD□
az * BDlmax, ADlmax ・
BDlmax” SK...■.

さて、■の条件を満たす場会ADma工。Now, there is an ADma engineer that satisfies the conditions of ■.

BDrn□は ADrnax−”ADlmax ・BDmax−”BD
lmax・・・ ■ となる。従って■、■、■、■式よシスキム量を最適に
設定すると、 SK−ADlmax −BDlmax−+(vsat 
−Rv −vr)・・・■ となる。従って列えは、V、at−800mV 、  
RW−300mV  、 Vr−20mV  Kすれば
スキム量は240mV  にするのが最も良く、このと
き、八〇1max + ”Dlmaxはz4o@v  
となる。この出力電圧に対応する電荷量を越えるような
外光成分が毎回累積されると該循環シフトレジスタは飽
和する。
BDrn□ is ADrnax-”ADlmax・BDmax-”BD
lmax... ■. Therefore, if the Siskim quantity is optimally set according to formulas ■, ■, ■, ■, then SK-ADlmax -BDlmax-+(vsat
-Rv -vr)...■. Therefore, the sequence is V, at-800mV,
If RW-300mV, Vr-20mV K is used, it is best to set the skim amount to 240mV, and in this case, 801max + "Dlmax is z4o@v
becomes. If an external light component exceeding the amount of charge corresponding to this output voltage is accumulated each time, the cyclic shift register becomes saturated.

v歴・vsJLt・Vr・・・O とすると従来のようにスキム量が一定であると該循環シ
フトレジスタで処理可能な外光レベルは高々+vBWに
対応する電荷を発生する明るさてらった。
If the amount of skimming is constant as in the conventional case, the external light level that can be processed by the cyclic shift register is at most a brightness that generates a charge corresponding to +vBW.

本発明は前述の如くスキム手段を複数個設けることによ
シ処理可能な外光レベルを大きくしている。
As described above, the present invention increases the level of external light that can be processed by providing a plurality of skimming means.

第4図に示す実施列では起動モード、積分モードそして
読出しモードの3つの藁動モードを有している。
The implementation shown in FIG. 4 has three operating modes: startup mode, integration mode, and readout mode.

まず起動モードでは第1のクリアゲートCLRIIと第
2のクリアゲートCLR12′jkONにし適当な回数
CCDレジスタCRA 、 CRBと循環シフトレジス
タを動かすと同時にシフトゲート5HAi 、 5HB
iを開いて電荷のリセットをする。
First, in the startup mode, the first clear gate CLRII and the second clear gate CLR12'jkON are turned on, and the CCD registers CRA, CRB and circular shift register are operated an appropriate number of times, and at the same time, the shift gates 5HAi, 5HB are activated.
Open i to reset the charge.

積分モードは前述と同様に行なう。読出しモードでは出
力A−Bの信号が得られるよ5ルIJ御信号FGR8t
”制御する。
The integration mode is carried out in the same manner as described above. In read mode, output A-B signals can be obtained.IJ control signal FGR8t
"Control.

本実施列のよりにスキム手段を2個用いて電荷汲取シゲ
ー) 5KGII 、 5KG13よル列えば同じ電荷
量SKだけ排出するようにするa いまスキムレベルをT、’r(T工<T2)02つをと
りスキムレベルTlft越えたときはスキム量f:SK
1スキムレベルT2を越え次ときはスキム″fJ″Cを
2 X SKとする。
In this implementation sequence, two skimming means are used to collect the charges) 5KGII, 5KG13, so that the same amount of charge SK is discharged. When the skim level Tlft is exceeded, the skim amount f: SK
When the level exceeds 1 skim level T2, the skim "fJ"C is set to 2 x SK.

そうすると前述の式■、■は ADmax +”y −vsat ’ BDmaz +
”w −vsat・・・■′ 0 (AD + O(BD        ・・・■l
と同じになりスキムレベル’rl  、 T2 K対−
jル余ゆう分をvr とすると T2・28K ・T□・SK ・Vr) 0  ・・■
となる”Dlmhx  ’  BDlrnaxはADl
max・BDlmax ・2sK      ・・・■
となる。ところで ADmax−max”T2−8K+AD1msx 、”
1 +AD1max)・・・[相] BDmax−ma超”2− SK十BD1max 、”
l +BD1max )・・・[相]′ となるが、T2− SK −T□なのて、八〇max−
TI +AD1max−BDmax −TI 十BD1
maxとなり、■、■′、■弐と合わせて ADl+nax−BDlmaz−28に= 8 (vs
at −”w−vr)・・・■ となる。同様にして、n個の同じスキム量のスキムゲー
トを便えば、 ADlmax−BDlmaz−nSI(=n+t”’s
at  ’w−”r)・・・0 となる。
Then, the above equations ■ and ■ are ADmax +”y −vsat ' BDmaz +
”w −vsat...■' 0 (AD + O(BD...■l
becomes the same as skim level 'rl, T2 K vs.
If the remaining amount is vr, then T2・28K ・T□・SK ・Vr) 0 ・・■
"Dlmhx ' BDlrnax is ADl
max・BDlmax・2sK...■
becomes. By the way, ADmax-max"T2-8K+AD1msx,"
1 +AD1max)... [phase] BDmax-max "2- SK 10 BD1max,"
l +BD1max)...[phase]', but since T2-SK-T□, 80max-
TI +AD1max-BDmax -TI 10BD1
max, and in combination with ■, ■', and ■2, ADl + nax - BDlmaz - 28 = 8 (vs
at -"w-vr)...■. Similarly, if we use n skim gates with the same amount of skimming, we get ADlmax-BDlmaz-nSI(=n+t"'s
at 'w-"r)...0.

n−2のときv3at−800nV、 RVr−:30
0trtV 。
When n-2, v3at-800nV, RVr-:30
0trtV.

V−20mV  とすると、SI(−16on、V 。If V-20mV, SI(-16on, V.

ADlrrl&アーBD1maX−320rrL■  
となり前述に比べて処理可能な外光レベルは旨くなる。
ADlrrl&ABD1maX-320rrL■
Therefore, the level of external light that can be processed is better than that described above.

スキムレベルはSK + V  と2・SK + V 
に選べばよい。
The skim level is SK + V and 2・SK + V
All you have to do is choose.

r、              r 第8図は本発明の他の実21?!Iし1)の概略図でら
り、第4図と同一の要素には同一の符番を付しである。
r, r Figure 8 shows another embodiment of the present invention 21? ! This is a schematic diagram of 1), in which the same elements as in FIG. 4 are given the same reference numerals.

本実施例はスキム手段t−2つの゛【O,荷蓄積部に配
置した場合である。
In this embodiment, the skim means t-2 are arranged in the load storage section.

同図においてSKG 21と5i(c z 3は各々ス
キム手段の一部でらる4荷汲取9ゲートで5KG22 
In the same figure, SKG 21 and 5i (c z 3 are 5KG 22 with 4 loading and 9 gates, each of which is part of the skim means)
.

5KG24はそれぞれ電荷排出ゲートでおる。ま几CL
R21、CLR22は各々電荷クリアゲートで起動モー
ドの時電荷のクリアに使う。5KG21と5KG22の
スキム量をSKI 、 SK2で衣わし、5K2−2・
SKIとする。
5KG24 is a charge discharge gate. Mako CL
R21 and CLR22 are charge clear gates, respectively, and are used to clear charges in the startup mode. Apply the skim amount of 5KG21 and 5KG22 with SKI and SK2, and make 5K2-2.
SKI.

るるモードの′ll荷をスキムするとき、5KG21 
When skimming the load in Ruru mode, 5KG21
.

5KG22を1史いわけてスキムすることにより3段階
のスキム量がえらべる。
Three levels of skim amount can be selected by skimming 5KG22 one cycle at a time.

すなわち、5KG21のみ使えばスキム量はSKIとな
り、S I(G 22のみ使えばスキム量はSK2−z
・sKi トナ95KG21 ト5KG22 (D両方
使えばスキム量はSKI + SK2−3・SKIとな
る。このことは同じスキム稲のゲートを3個反ったのと
同じ効果がるる。このときのスキムレベルT、T2゜T
3  の選び方は同じスキム量の3個のスキムゲートt
l−回った場合と同様でらり、 T□−SK+V、 、 T2−2SK+Vr、 T3−
3SK+Vrで良い。
In other words, if only 5KG21 is used, the skim amount will be SKI, and if only SI (G22 is used, the skim amount will be SK2-z
・sKi 95KG21 5KG22 (D If you use both, the skim amount will be SKI + SK2-3・SKI. This will have the same effect as warping three gates of the same skim rice. At this time, the skim level T , T2゜T
How to select 3 is to select 3 skim gates with the same amount of skim.
Same as when turning l-, T□-SK+V, , T2-2SK+Vr, T3-
3SK+Vr is fine.

n −:1のときV、、t−soomv 、 R−−3
00nV 。
When n-:1, V, t-soomv, R--3
00nV.

v、、 −207nV  とするとSKI −120,
V  、 SK2−2401rLV、AIJlmax−
BDlrrl、Lニー360mV  となる。
v,, -207nV, SKI -120,
V, SK2-2401rLV, AIJlmax-
BDlrrl, L knee becomes 360mV.

甲、上はスキム手段を2個設け7C場甘を示し次が2 
i’1).’il以上設けて行っても良いことは言9ま
でもない。又本発明は金魚検出装置に限られるものでは
なく広く物体検知、衝突防止等においても過用すること
ができる。
The upper part has two skim means and shows the 7C field sweetness, and the next one is 2
i'1). Needless to say, it is okay to set up more than 100 meters. Furthermore, the present invention is not limited to goldfish detection devices, but can be widely used in object detection, collision prevention, etc.

以上のように水元明九よれば循9シフトレジスタにおい
て複数のスキム+段を設け、該スキム手段により電荷の
スキム量’Cflit!御することKよシ受光手段から
の電荷の累積回数を増加させることのできる高;I’/
度の循環シフトレジスタを達成することができる。
As described above, according to Akiko Mizumoto, a plurality of skim+stages are provided in the circular shift register, and the skimming means allows the amount of charge skimming 'Cflit! It is possible to increase the number of times of accumulation of charge from the light receiving means by controlling K; I'/
degree circular shift register can be achieved.

4図面の簡単な説明 第1図<8) 、 (b) 、 (c)は各々従来の差
動榎受光素子の説明(2)、第2図(L) 、 (b)
 、第3図は第1図に示す差動県営)1);素子より得
られる信号出方の説明図、第421、第8図は各々本発
明の一犬施ν゛りの概略図、45図(a)−(d)、F
B 61:gl (fI、) 〜(r)、第7図ハ各々
本発明の循環シフトレジスタノー Lll 9にの動作
のi!5a ’ν1図でるる。
4 Brief description of the drawings Figure 1<8), (b), and (c) are explanations of conventional differential Enoki light receiving elements (2) and Figure 2 (L) and (b), respectively.
, FIG. 3 is an explanatory diagram of how the signal output from the differential element shown in FIG. 1)1); FIG. 421 and FIG. Figures (a)-(d), F
B 61: gl (fI,) ~ (r), FIG. 5a' ν1 diagram appears.

図中1.4は受−)°c手i役、4−1.4−2は受光
部、SAI = SA4 、 SBt −SI4 B各
々光軍変挨部、1tAl−1ζA4 、 Iζ1)1〜
lζ134は各々市、 (lii蓄積部、5HAI −
5IIA4 、 sf[131−5IIB4は各々7フ
トゲート、i〜1)−  M4   、  Gl  〜
 G4  i、t  ′r7r  々 1;I;  1
)4丁 1;1、 ・i、’l’i  7:B  sF
Cは70−fイン’fゲート、5KGII 、 5KG
13 。
In the figure, 1.4 is the receiving part, 4-1.4-2 is the light receiving part, SAI = SA4, SBt -SI4 B each is the light army change part, 1tAl-1ζA4, Iζ1) 1 ~
lζ134 are each city, (lii accumulation part, 5HAI −
5IIA4, sf[131-5IIB4 each has 7 footgates, i~1)-M4, Gl~
G4 i, t ′r7r etc. 1; I; 1
) 4-cho 1; 1, ・i, 'l'i 7:B sF
C is 70-f in'f gate, 5KGII, 5KG
13.

5KG2t 、 CKG23 it各/を板堰りゲート
、5KG12 。
5KG2t, CKG23 it each/board gate, 5KG12.

5KG22 、 F:KG24は各々排出ゲート、CI
、R1)。
5KG22, F:KG24 are each discharge gate, CI
, R1).

CLR12、CLR21は各々クリアゲートである。CLR12 and CLR21 are each clear gates.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数のモードで繰り返し発生する信号電荷を入力
し、前記信号電荷を循環シフトさせながら各モード毎に
累積加算し、各モード毎の累積電荷信号を得るようにし
た複数の電荷蓄積部を有する循環シフトレジスタにおい
て前記循環シフトレジスタの一部に複数のスキム手段を
設け、前記スキム手段により所定量の電荷を排出するよ
うにしたことを特徴とする循環シフトレジスタ。
(1) A plurality of charge accumulators are configured to input signal charges that are repeatedly generated in a plurality of modes, cumulatively add the signal charges for each mode while cyclically shifting the signal charges, and obtain a cumulative charge signal for each mode. 1. A cyclic shift register comprising: a plurality of skimming means provided in a part of said cyclic shift register, and said skimming means discharging a predetermined amount of charge.
(2)前記循環シフトレジスタは少なくとも1つの電荷
蓄積部の電荷を検出する検出手段と前記検出手段からの
信号に応じて前記スキム手段からの電荷の排出量を制御
するスキム制御手段を有していることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の循環シフトレジスタ。
(2) The cyclic shift register has a detection means for detecting the charge in at least one charge storage section, and a skim control means for controlling the amount of charge discharged from the skim means in accordance with a signal from the detection means. 2. A circular shift register according to claim 1, characterized in that:
(3)前記複数のスキム手段を前記複数の電荷蓄積部の
うちの同一の電荷蓄積部若しくは異なる電荷蓄積部に各
々配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の循環シフトレジスタ。
(3) The cyclic shift register according to claim 1, wherein the plurality of skimming means are arranged in the same charge storage section or different charge storage sections among the plurality of charge storage sections.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009025370A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Hamamatsu Photonics K.K. Distance measuring apparatus
WO2009025369A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Hamamatsu Photonics K.K. Distance measuring apparatus

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JP2009047660A (en) * 2007-08-22 2009-03-05 Hamamatsu Photonics Kk Distance measuring apparatus
JP2009047659A (en) * 2007-08-22 2009-03-05 Hamamatsu Photonics Kk Ranging device

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