JPS6146606A - 電子機器のための高周波フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子機器のための高周波フィルタに係り、特に
放送局、アマチュア無線局、市民無線局、パーソナル無
線システム、軍用レーダー等の電波発生源から発せられ
る各種電波に起因した電波障害から電子機器を保護する
ための高周波フィルタに関する。

〔従来技術〕

従来、この種の高周波フィルタにおいては、例えば、特
開昭５８−６１５８３号公報に開示されているように、
チップ型コンデンサを採用し、これによって、電子機器
の入出力線への各種電波に基づく高周波雑音成分の伝１
１ｆｔを防１１二するようにしたものがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような高周波フィルタによっては、
広い無線周波数帯域に亘る一様な濾波時性が得られず、
電子機器を」二連の高周波雑音成分の伝搬、即ち電波障
害から適確には保護し得ないという問題かある。

そこで、本発明は、このような問題に対処すべ（，４ｊ
ｊｊ線周波数の増大（又は減少）に応して減少（又は増
大）する誘電率をｈｔ＆えた誘電材料、及び前記誘電率
と同様に無線周波数との関連にて変化する透磁率を備え
た磁性材料の双方又は一方を有効に活用した電子機器の
ための高周波フィルタを提供しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

」二連のような問題を解決するにあたり、本発明の構成
上の特徴は、導電性ケーシング内に配置されて外部回路
から延在する接続線路に接続される接続端子を設けた電
子素子を備えた電子機器において、前記電子素子の接続
端子と前記接続線路との間に設けた絶縁層と、この絶縁
層の両表面に前記電子素子の接続端子から前記接続線路
にかけて添着した一対の導電板とを有し、前記絶縁層が
、無線周波数の増大（又は減少）に応して減少（又は増
大）する誘電率を有する誘電材料により形成した第１の
層と、無線周波数の増大（又は減少）に応して減少（又
は増大）する透磁率を有する磁性材料により形成した第
２の層との組合せ、又は前記第１　（又は第２）の層の
二つの組合せにより形成され、前記一対の導電板の一方
が前記電子素子の接続端子と前記接続線路との間に接続
され、かつ前記一対の導電板の他方が前記導電性ケーシ
ングに接続されるようにしたことにある。

〔発明の作用効果〕

しかして、このように本発明を構成したことにより、放
送局、アマチュア無線局、パーソナル無線システム、軍
用レーダー等の電波発生源からの電波が前記接続線路に
入射してこの接続線路に高周波誘導電流を発生させても
、前記高周波フィルタにおいては、前記第１の層の誘電
率及び（又は）前記第２の層の透磁率が無線周波数の増
大（又は減少）に応じて減少（又は増大）するため、前
記第１の層との協働のもとに前記両導電板間に形成され
る総分布キャパシタンス及び総分布コンダクタンスが、
前記高周波誘電電流、即ち前記電波の無線周波数に応し
た前記第１の層の誘電率の無線周波数特性に基づき変化
し、また前記第２の層との協働のもとに前記両導電板間
に形成される総分布インダクタンス及び総分布コンダク
タンスが、前記電波の無線周波数に応した前記第２の層
の透磁率の無線周波数特性に基づき変化するので、前記
第１と第２の層の組合せ又は前記第１　（あるいは第２
）の層の二つの組合せの相乗作用により前記高周波フィ
ルタの濾波特性が広い無線周波数領域に亘り高遮断効果
をもちつつ一様となる。従って、高周波フィルタに流入
する前記高周波誘導電流が、同高周波フィルタの上述の
ような濾波機能により、高遮断効果のもとに広い無線周
波数領域に亘り、前記導電性ケーシングに接続した導電
板に確実に濾波され、その結果、前記電子機器が、前記
高周波誘導電流、即ち前記電波による障害を受けること
なく、前記接続線路及び前記高周波フィルタを介し流入
する前記外部回路からの信号電流のみを受けて常に適正
に作動し得る。

〔実施例〕

以下、本発明の第１実施例を図面により説明すると、第
１図及び第２図は、車両に装備された本発明を適用して
なる電子制御システムを示しており、この電子制御シス
テムは、当該車両の各所に配置したセンサ、アクチュエ
ータ等の各種電装品Ｕｌ、Ｕ２．Ｕ３．Ｕ４．Ｕ５と、
これら各電装品Ｕｌ、Ｕ２．Ｕ３．Ｕ４．Ｕ５に各入出
力信号線Ｗｌ、Ｗ２．Ｗ３．Ｗ４．Ｗ５をそれぞれ介し
接続した電子装置Ｄ（当該車両の車室内、エンジンルー
ム内、トランク等車体の内側に配置されている。）とを
備えている。かかる場合、各入出力信号線Ｗ１〜Ｗ５は
電子装置りとの間の相対的配置関係に基づきそれぞれ長
くなっている（第２図参照）。

電子装置りは、第１図に示すごとく、金属良導体からな
るケーシングＩＯを有しており、このケーシング１０の
前壁１１に形成した長穴１１ａには、各入出力信号線Ｗ
１〜Ｗ５に接続したコネクタ２０ａに連結してなるコネ
クタ２０が嵌着されている。コネクタ２０は、ケーシン
グ１０内に列状に延出する逆■７字状の各コネクタピン
ＰＩ、Ｐ２、ｌ）３．Ｐ４．Ｐ５を有しており、これら
各コネクタピンＰ１．Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４．Ｐ５はその各
内端にてコネクタ２０ａを介し各入出力信号線Ｗｌ、Ｗ
２．Ｗ３．Ｗ４．Ｗ５にそれぞれ接続されている。但し
、ケーシング１０ば当該車両の車室内、エンジンルーム
内、トランク等の車体の内側の適所に非接地状態（即ぢ
、絶縁状態）にて組付けられている。

プリント基板３０は、金属良導体からなる複数の支持部
＋Ａ（図示しない）によりケーシング１０内にてその底
壁１２の上方に支持されており、このプリント基板３０
の下面には、一対の銅箔膜３Ｉａ、３１ｂが、第１図及
び第３図に示すごとく、ケーシング１０の左右方向に互
いに間隔を付与して固着されている。かかる場合、各銅
箔膜３１ａ。

３１ｂは前記支持部材によりケーシング１０の底壁１２
に短絡されている。一方、プリント基板３０の上面には
、各配線パターン３２ａ、３３ａ。

３４ａ、３５ａ、３６ａがコネクタ２０の各コネクタビ
ンＰＩ、Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４．Ｐ５にそれぞれ対応してケ
ーシング１０の前後方向に配列されており、これら各配
線パターン３　’ｌ　ａ、　　３３　ａ。

３４ａ、３５ａ、３６ａの上面には各コネクタビンｐｉ
、Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４．Ｐ５の下端がそれぞれ接続されて
いる。また、プリント基板３０の上面には、各配線パタ
ーン３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ。

３５ｂ、３６ｂが各配線パターン３２ａ、　　３３　ａ
。

３４ａ、３５ａ、３６ａにそれぞれに対応してケーシン
グ１０の前後方向に配列されており、これら各配線パタ
ーン３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ、３５ｂ、３６ｂと各配線
パターン３２ａ、３３ａ、３４　ａ、　　３５　ａ、　
　３６　ａとの間の各対向端間にはそれぞれ所定間隔が
付与されている。

さらに、プリント基板３０の上面には、各電子素子４０
，５０．６０及び本発明の要部を構成する高周波フィル
タ７０が組付けられており、電子素子４０はそのリード
端子４１にてプリント基板３０の上面に固着され、その
各リード端子４２゜４３にて各配線パターン３２ｂ、３
３ｂ上にそれぞれ半田付けされている。電子素子５０は
その各リード端子５１．５２にて各配線パターン３４ｂ
。

３５ｂ−ヒにそれぞれ半田付けされており、電子素子６
０ばそのリード端子６１にて配線パターン３６ｂ上に半
田付けされ、そのリード端子６２にてプリント基板３０
の」二面に固着されている。

高周波フィルタ７０は、第１図に示すごとく、ケーシン
グ１０内にてコネクタ２０と各電子素子４０．５０．６
０との間におけるプリント基板３０の上面に配設されて
いる。この高周波フィルタ７０は、共通電極板７１を有
しており、この共通電極板７１は、第１図及び第３図に
示すごとく、その左右両側端部からそれぞれＩ、形状に
延出する各リード片（導電材料からなる）７１ａ、７１
ｂを、プリント基板３０及び銅箔膜３１ａに共通のラン
ト穴３７ａ、並びにプリント基板３０及び銅箔膜３１ｂ
に共通のランド穴３７ａにそれぞれ挿通して各銅箔膜３
１ａ、３１ｂに半田付けすることにより、各配線パター
ン３２ａ〜３６ａと各配線パターン３２ｂ〜３６ｂとの
各対向端間にてプリント基板３０の上面の上方にこれに
並行に支持されている。かかる場合、共通電極板７１は
その左右両側端部にて各リード片７１ａ、７１ｂにより
各銅箔膜３１ａ、３１ｂにそれぞれ短絡されている。

また、高周波フィルタ７０は、第１図に示すごとく、共
通電極板７１の上面に形成した絶縁層７２と、この絶縁
層７２の上面に互いに並行にケーシング１０の前後方向
に配設した短冊状の各電極片７３，７４，７５，７６．
７７とを有している。

絶縁層７２は、第１図、第３図及び第４図に示すごとく
、共通電極板７１の上面前半部分に形成した磁性体層７
２ａと、この磁性体層７２ａの後側にて共通電極板７１
の上面後半部分に形成した誘電体層７２ｂとによって構
成されていて、磁性体層７２ａは、無線周波数ｆとの関
連によって第５図に示すごとく変化する透磁率μを有す
る磁性材料（例えば、初期透磁率の高いフェライト材料
）により形成されており、一方、誘電体層７２ｂは、無
線周波数ｆとの関連にて第６図に示すごとく変化する誘
電率εを有する誘電材料（例えば、鉄ニオブ酸鉛と鉄タ
ングステン酸鉛の二成分組成物を主成分とした誘電材ネ
、１）によって形成されている。

かかる場合、磁性体層７２ａの透磁率μ及び誘電体層７
２ｂの誘電率εは、無線周波数ｆの増大により減少して
も、それぞれ、空気の透磁率及び誘電率に比べて十分に
大きくなっている。また、絶縁層７２の板厚、左右方向
長さ及び前後方向長さは、それぞれ、０．５酊、２０顛
及び］０＋＋ｉである。

電極片７３は、第１図及び第４図に示すごとく、両前線
パターン３２ａ、３２ｂ間における絶縁層７２の」二面
部分に固着されており、この電極片７３の前後両端部か
らＩ７形状に延出する各リード片（導電材料からなる）
７３ａ、７３ｂは、配線パターン３２ａ及びプリント基
板３０に共通のランｔ”穴３８ａ、並びに配線パターン
３２ｂ及びプリント基板３０に共通のランド穴３９ａに
挿通され各配線パターン３２ａ、３２ｂにそれぞれ半田
付けされている。かかる場合、電極片７３はその前後両
端部にて各リード片７３ａ、７３ｂにより各配線パター
ン３２ａ、３２ｂにそれぞれ短絡される。

また、残余の各電極片７４．７５，７６．７７は、第１
図に示すごとく、電極片７３の場合と実質的に同様に、
各一対の配線パターン３３ａ、３３ｂ；３４ａ、３４ｂ
；３５ａ、３５ｂ；３６ａ。

３６ｂ間における絶縁層７２の各上面部分にそれぞれ固
着されており、これら各電極片７４，７５゜７６．７７
の各前後両端部からし形状に延出する各一対のリード片
（導電材料からなる）７４ａ。

７４ｂ；７５ａ、７５ｂ；７６ａ、７６ｂ；７７ａ、７
７ｂは、各一対のラント穴３８ｂ、３９ｂ；３８ｃ、３
９ｃ；３８ｄ、３９ｄ；３８ｅ、３９ｅに挿通されて各
一対の配線パターン３３ａ。

３３ｂＢ３４ａ、３４ｂ；３５ａ、　　３５ｂ；３６ａ
、３６ｂにそれぞれ半田付けされている。かがる場合、
各電極片７４，７５．７６．７７はその各前後両端部に
て各一対の配線パターン３３ａ。

３３ｂ；３４ａ、３４ｂ；３５ａ、３５ｂ；３６ａ、３
６ｂにそれぞれ短絡される。なお、上述した各ランド穴
３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ、３８ｅは、ラント穴３８ａと
実質的に同様に、プリント基板３０との共通下にて各配
線パターン３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａにそれぞれ
形成されており、上述した各ランド穴３９ｂ、３９ｃ、
３９ｄ、３９ｅ（図示せず）は、ランド穴３９ａと実質
的に同様に、プリント基板３０との共通下にて各配線パ
ターン３３ｂ、３４．ｂ、３５ｂ、３６ｂにそれぞれ形
成されている。

しかして、このように構成した高周波フィルタ７０にお
いては、各電極片７３，７４，７５，７６．７７が、無
線周波数ｆにおける低い領域より高い領域では、磁性体
Ｎ　７２　ａを介する共通電極板７１との［１４働によ
りそれぞれ第７図に示すレソヘル型分布定数回路Ａ（分
布インダクタンス■５１゜Ｉ５２．・・・、Ｌｎ、分布
コンダクタンスＧ１゜Ｇ２．　　・・・、Ｇｎからなる
）を形成する。これら各レノヘル型分布定数回路Ａを総
分布インダクタンスＬ　ａ及び総分布コンダクタンスＧ
’ａにより表せば、各レッヘル型分布定数回路Ａは、そ
れぞれ第８図に示すごとく集中定数回路に類イ以した回
路となる。かかる場合、総分布インダクタンスＩ２ａ　
（即ち、各分布インダクタンスＬ１．Ｌ２．　　・・・
、Ｌｎ）は、磁性体層７２ａの透磁率μの無線周波数特
性と、各電極片７３，７４，７５．７６又は７７と共通
電極板７１とによる並行平板構造とにより決定され、第
９図に示すごとき曲線Ｌａ　　（ｆ）として得られる。

一方、総分布コンダクタンスＧａ　　（即ち、各分布コ
ンダクタンスＧｌ。

Ｇ２．　　・・・、Ｇｎ）は、磁性体層７２ａの透磁率
μの無線周波数特性との関連における損失特性と、前記
並行平板構造とにより決定され、第９図に示すごとき曲
線Ｇａ　　（ｆ）として得られる。

また、上述のように構成した高周波フィルタ７０におい
ては、各電極片７３，７４．７５，７６゜７７が、無線
周波数ｆの低い領域では、誘電体層７２ｂを介する共通
電極板７１との協働により並行平板型コンデンサたるフ
ィルタとしてそれぞれ機能する。また、無線周波数ｆに
おける低領域よりも高い領域では、各電極片７３，７４
．７５゜７６．７７が、誘電体Ｎ１２ｂを介する共通電
極板７１との協働により、それぞれ、レソヘル型分布定
数回路Ａに従属接続したレソヘル型分布定数回路Ｂ（第
７図に示すごとく、分布インダクタンスＬｌ　’、　　
Ｌ２　’　・・＋、　　Ｉ−ｎ　’、分布キャパシタン
スＣ１″、Ｃ２′・・・、Ｃｎ’及び分布コンダクタン
スＧｌ　’、Ｇ２’、　　・・・Ｇｎｌからなる）を形
成する。これら各レノヘル型分布定数回路Ｂを総分布イ
ンダクタンスＬｂ、総分布キャパシタンスｃｂ及び総分
布コンダクタンスＧｂにより表せば、各レソヘル型分布
定数回路Ｂは、それぞれ第８図に示すごとく集中定数回
路に類似した回路となる。かかる場合、総分布キャパシ
タンスｃｂ及び総分布コンダクタンスＧｂは、誘電体層
７２ｂの誘電率εの無線周波数特性と、各電極片７３，
７４，７５．７６又は７７と共通電極板７１とによる並
行平板構造により決定され、第１０図に示すごとく、各
曲線Ｃｂ　（ｆ）皮びＧｂ（ｆ）としてそれぞれ得られ
る。このことは、高周波フィルタ７０が、無線周波数ｆ
の低領域よりも高い広領域にて、誘電体Ｎ１２ｂとの関
連により、第１１図にて破線により示すごとく、共振現
象を伴わないほぼ平坦な濾波特性を有するローパスフィ
ルタとして機能することを意味する。

また、高周波フィルタ７０の磁性体層７２ａと誘電体層
７２ｂとの相互作用下における濾波特性について検討し
てみると、総分布インダクタンス素子Ｌ　ａが第９図の
曲線Ｌａ（ｆ）により示すごとく無線周波数ｆの増大に
応して減少するため、無線周波数［の比較的低い領域で
は、総分布インダクタンスＬ　ａが、高周波フィルタ７
０の誘電体層７２ｂ側部分に対し高入力インピーダンス
として機能し高周波フィルタ７０の濾波特性を向上させ
る。また、総分布コンダクタンスＧａが第９図の曲線Ｇ
ａ　　（ｆ）により示すごとく極大値を有するため、こ
の極大値を中心とする一定無線周波数領域Δｆ　（第９
図参照）、即ち無線周波数ｆの比較的高い領域における
総分布コンダクタンスＧａは、総分布インダクタンスＬ
　ａの減少傾向との関連により、高周波フィルタ７０の
誘電体層７２ｂ側部分に対し短絡インピーダンスとして
機能し高周波フィルタ７０の濾波特性を向上させる。そ
の結果、高周波フィルタ７０の磁性体層７２ａ及び誘電
層７２ｂとの関連における総合濾波特性は、第１１図の
実線１２により示すごとく得られる。

これによれば、高周波フィルタ７０の総合濾波特性は、
誘電体Ｎ１２ｂのみとの関連による濾波特性（第１１図
の破線７！１参照）に比べて広い無線周波数領域に亘り
ほぼ一様に向−ヒし、かつ一定態線周波数Δｆにてピー
クを有することが理解される。なお、第７図及び第８図
にて、符号ｅ１は配線パターン３２ａ、３３ａ、３４ａ
、３５ａ又は３６ａを示し、符号ｅ２及びｅ４は銅箔膜
３１ａ又は３１ｂを示し、また符号ｅ３は配線パターン
３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ、３５ｂ又は３６ｂを示す。

以」二のように構成した本実施例において、放送局、ア
マチュア無線局、市民無線局、パーソナル無線システム
、軍用レーダー等の電波発生源からの各種電波Ｅ（無線
周波数を有する）が第２図に示ずごと（当該車両に入射
すると、この電′ｔｉＪＬＰ、に基づく高周波誘導電流
Ｉが各入出力信号線Ｗｌ。

Ｗ２．Ｗ３．Ｗ４．Ｗ５に誘導され両コネクタ２０８．
２０を通り高周波フィルタ７０に流入する。

然るに、この高周波フィルタ７０が、絶縁層７２の磁性
体層？２ａの透磁率μ及び誘電体層７２ｂの誘電率εの
第５図及び第６図に示す各無線周波数特性に基き、上述
のように無線周波数ｆの広い領域に亘り第１１図の実線
１２により示すごとく高濾波効果でもってほぼ平坦な濾
波特性を有するため、高周波誘導電流■が共通電極板７
１、各リート′片７１ａ、’７１ｂ及び各銅箔膜３１ａ
、３１ｂを通り前記各支持部材を介してケーシング１０
の底壁１２に確実に流入する。

換言すれば、高周波フィルタ７０の誘電体層７２ｂとの
関連における第１１図の実線ρ１に示す濾波特性との協
働のもとに、高周波フィルタ７０における磁性体Ｎ　７
２　ａが、その総分布インダクタンスＬ　ａの第９図の
曲線■、ａ　（ｆ）に示す高インピーダンス特性により
、面周ａ誘導電流Ｉのうぢの比較的低い無線周波数成分
が誘電体層７２ｂ側へ流入させることなく反射して共通
電極７１からケーシング１０の底壁１２に流入させると
ともに、高周波フィルタ７０における磁性体層７２ａが
、その総置布コンダクタンスＧａの第９図の曲線Ｑａ　
　（ｒ）に示す短絡インピーダンス特性により、高周波
誘導電流ｌのうちの比較的高い無線周波数成分を、誘電
体層７２ｂの入力側にて総置布インダクタンス１．　ａ
の減少下のもとに短絡させて吸収し共通電極板７１から
ケーシング１０の底壁１２へ流入させる。このことは、
高周波フィルタ７０が、電波Ｅに起因する高周波誘導電
流Ｉを広い無線周波数領域に亘り各電子素子４０．５０
゜６０から確実に遮断して濾波することを意味する。

従って、各電装品Ｕ１〜Ｕ５と各電子素子４０〜６０と
の間の流出入信号電流のみの授受が、電波Ｅの存在にも
かかわらず、各入出力信号線Ｗ１〜Ｗ５．各コネクタ２
０ａ、２０．各配線パターン３２ａ〜３６ａ、各リート
片７３ａ〜７７ａ。

各電極片７３〜７７、各リード片７３ｂ〜７７ｂ。

各配線パターン３２ｂ〜３６ｂをそれぞれ通して確実に
行われる。

また、高周波フィルタ７０の組付にあたっては、各リー
ド片７１ａ、　　７１ｂ、　　７３ａ、　　７４ａ、　
　７５ａ、７６ａ、７７ａ、７３ｂ、７４ｂ、７５ｂ。

７６ｂ、７７ｂを各ランド穴３７ａ、３７ｂ、３８ａ、
３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ、３８ｅ、３９ａ。

３９ｂ、３９ｃ、３９ｄ、３９ｅにそれぞれ挿入半田付
けするのみでよいので、この種高周波フィルタの実装が
容易に行なえる。

なお、前記第１実施例においては、高周波フィルタ７０
を各配線パターン３２ａ〜３６ａと各配線パターン３２
ｂ〜３’６　ｂとの間にてプリント基板３０の上面に組
付けるようにしたが、これに代えて、第１２図に示すご
とく、各配線パターン３２ａ〜３６ａ１各ランド穴３８
ａ〜３８ｅの前方側に位置するプリント基板３０及び各
銅箔膜３１ａ、３１ｂの各部分、並びに高周波フィルタ
７０の各リード片７３ａ、７４ａ、７５ａ、７６ａ。

７７ａを省略するとともに、コネクタ２０の各コネクタ
ピンＰＩ　　Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４．Ｐ５の下端を各電極片
７３，７４，７５，７６．７７の上面前出部にそれぞれ
直接半田付けするように実施してもよく、かかる場合に
は、各配線パターン３２ａ〜３６ａの省略によりこれら
各配線パターン３２ａ〜３６ａに直接束る高周波ノイズ
等の外乱の影響をも除去することができ、その結果、高
周波フィルタ７０の濾波効果をより一層向上させ得る。

また、上述のごときプリント基板３０及び各配線パター
ン３２２〜３６ａの省略によりこの種電子装置の寸法形
状をより一層コンパクトにし得る。

また、前記第１実施例においては、絶縁層７２を磁性体
層７２ａ及び誘電体層７２ｂにより構成した例について
説明したが、これに代えて、絶縁層７２を、第１３図に
示すごとく、第１磁性体層７２Ｃ１第１誘電体層７２ｄ
、第２磁性体層７２ｅ及び第２誘電体層７２ｆの四層に
よって構成してもよく、かかる場合、第１磁性体層７２
Ｃ及び第１誘電体層７２ｄは、それぞれ、前記第１実施
例における磁性体層７２ａと同様の磁性材料及び誘電体
層７２ｂと同様の誘電材料により形成され、第２磁性体
層７２ｅは、磁性体層７２ａの透磁率μとは異なる変化
傾向にて無線周波数ｆの増大（又は減少）に応じて減少
（または増大）する透磁率μを有する磁性材料（例えば
、初期透磁率の低いフェライト材料）により形成され、
かつ第２誘電体層？２ｆは、誘電体Ｎ１２ｂの誘電率ε
とは異なる変化傾向にて無線周波数ｆの増大（又は減少
）に応じて減少（又は増大）する誘電率εを有する誘電
材料（例えば、チタン酸バリウム等の誘電率εの低い成
分を主成分とする誘電材料）によって形成されている。

しかして、このように構成した高周波フィルタにおいて
は、前記第１実施例と実質的に同様に、第７図の両しソ
ヘル型分布定数回路Ａ、Ｂからなる従属接続回路が、第
１磁性体層７２ｃ、第１誘電体層７２ｄ、第２磁性体層
７２ｅ、第２誘電体層７２ｆとの関連で、各レソヘル型
分布定数回路Ａ、Ｂ、Ａ、Ｂからなる従属接続回路とな
り、第８図の集中定数回路に類似した回路も同様に変わ
る。かかる場合、第２磁性体層７２ｅに関連する総分布
コンダクタンスＧａの極大値が、第１磁性体Ｎ　７２　
ｃの総分布コンダクタンスＧａの極大値（第９図参照）
に係る一定無線周波数領域Δｆよりも低い一定無線周波
数領域Δｆｌ（第１４図参照）にあるものとすれば、第
１３図における高周波フィルタの第１磁性体層７２Ｃ１
第１誘電体層７２ｄ、第２磁性体層１２ｅ及び第２誘電
体層７２「との関連における総合濾波特性は、前記第１
実施例から容易に理解されるように、第１４図の曲線ρ
３にて示すごとく得られる。

これによれば、同高周波フィルタの総合濾波特性は、磁
性体層７２ａ及び誘電体層７２１）、即ち第１磁性体層
７２Ｃ及び第１誘電体層７２ｄとの関連による総合濾波
特性（第１４図にて曲線１２参照）に比べて広い無線周
波数領域に亘りほぼ一様に更に向上し、かつ各一定態線
周波数領域Δｆ２Δｒ１にてそれぞれピークを有するこ
とが理解される。しかして、このように構成した本変形
例においては、前記第１実施例と同様に高周波誘導電流
■が第１３図の高周波フィルタに流入しても、同高周波
誘導電流■が、第１４図の曲線１３に基く高濾波効果で
もって広い無線周波数領域に亘り一様に、上述と実質的
に同様に、前記高周波フィルタにより各電子素子４０〜
６０から遮断して濾波される。

次に、本発明の第２実施例を第１５図を参照して説明す
ると、この第２実施例においては、高周波フィルタ８０
を前記第１実施例における高周波フィルタ７０に代えて
プリン１一基板３０の上面に垂設するようにしたことに
その構成上の特徴がある。高周波フィルタ８０は、共通
電極Ｆｊ、８１を有しており、この共通電極板８１は、
第１５図及び第１６図に示すごとく、その下縁８１ａを
、プリン１一基板３０及び各銅箔膜３１ａ、３１ｂに共
通な長手状のランド穴３８ｆ　（各ランド穴３７ａ。

３７ｂに代わる）に挿入して各銅箔膜３１ａ、３１ｂに
半田付けすることにより、各配線パターン３２ａ〜３６
ａと各配線パターン３２ｂ〜３６ｂとの各対向端間にて
プリント基板３０に垂設されている。

また、高周波フィルタ８０は、前記第１実施例にて述べ
た絶縁層７２と、アルミナ基板８２と、逆Ｕ字形状の各
電極片８３，８４，８５，８６゜８７を有していて、絶
縁層７２の磁性体層？２ａは、プリント基板３０の上方
にて共通電極板８１の前面下半部に形成されており、一
方、絶縁層７２の誘電体層７２ｂは、磁性体層７２ａの
上側にて共通電極板８１の前面下半部に形成されている
。

アルミナ基板８２は、絶縁層７２に対応して共通電極板
８１の後面に固着されており、同共通電極板８１を補強
する役割を果す。各電極片８３〜８７は、第１５図に示
すごとく、プリント基板３０に垂直となるように互いに
並列状に絶縁層７２及びプリント基板３０に上方から組
付けられている。

電極片８３は、第１５図及び第１６図に示すごとく、そ
の前側腕部８３ａにて、再配線パターン３２ａ、３２ｂ
間における絶縁層７２の前面部分に固着されており、こ
の電極片８３の前側腕部８３ａの下端から１７字状に延
出するリート片（導電材料からなる）８８ａは前記第１
実施例におけるランド穴３８ａに挿通されて配線パター
ン３２ａに半田付けされ、一方、電極片８３の後側腕部
８３ｂの下端からＬ字状に延出するリード片（導電材料
からなる）８９ａは、前記第１実施例におけるランド穴
３９ａに挿通されて配線パターン３２ｂに半田付けされ
ている。かかる場合、電極片８３の後側腕部８３ｂ及び
前後両側腕部８３ａ、８３ｂ間の連結部はアルミナ基板
８２の後面、並びに誘電体層７２ｂ、共通電極板８１及
びアルミナ基板８２の各上縁から適宜間隔だけ離れて位
置しており、また電極片８３はその前後両側腕部８３ａ
。

８３ｂにて各リード片８８ａ、８９ａにより各配線パタ
ーン３２ａ、３２ｂにそれぞれ短絡されている。

また、残余の各電極片８４，８５，８６．８７は、第１
５図に示すごとく、電極片８３の場合と実質的に同様に
、各前側腕部８４．ａ、８５ａ、８５ａ、８７ａにて各
一対の配線パターン３３ａ。

３３ｂ；３４ａ、　　３４ｂ；３５ａ、　　３５ｂ；３
６ａ、３６ｂ間にお＋Ｊる絶縁ＪＷ７２の各前面部分に
てそれぞれ固着されており、各前側腕部８４ａ。

８５ａ、８６ａ、８７ａの下端からそれぞれｌ２字状に
延出するり−１片（導電材料からなる）８８ｂ、８８ｃ
、８８ｄ、８８ｅは、前記第１実施例におしＪる各ラン
ト穴３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ、３８ｅにそれぞれ挿通さ
れて各配線パターン３３ａ。

３４ａ、３５ａ、３６ａに半田付けされている。

一方、各電極片８４．８５．８６．８７の後側腕部８４
ｂ、８５ｂ、８６ｂ、８７ｂ　（図示しない）の下端か
らそれぞれ１７字状に延出するり一ド片（導電材料から
なる）８９ｂ、８９ｃ、８９ｄ、８９ｅ（図示しない）
は、前記第１実施例における各ランド穴３９ｂ、３９ｃ
、３９ｄ、３９ｅにそれぞれ挿通されて各配線パターン
３３ｂ、３４ｂ。

３５ｂ、３６ｂに半田付げされている。かかる場合、各
電極片８４，８５．８６．８７の前側腕部８４ａ、８５
ａ、８６ａ、８７ａを除く各残余の部分は、電極片８３
の場合と同様に、アルミナ基板８２の後面、並びに誘電
体層７２ｂ、共通電極板８１及びアルミナ基板８２の各
上縁から適宜間隔だけ離れて位置しており、また各電極
片８４゜８５．８６，８７ば各前後両側腕部８４ａ、８
４ｂ；８５ａ、８５ｂ；８６ａ、８６ｂ；８７ａ。

８７ｂにて各一対のリード片８８ｂ、８９ｂｉ８８ｃ、
８９ｃ；８８ｄ、、８９ｄ；８８ｅ、８９ｅにより各一
対の配線パターン３３ａ、３３ｂ；３４ａ、３４ｂ；３
５ａ、３５ｂ；３６ａ、３６ｂにそれぞれ短絡されてい
る。なお、このように構成した高周波フィルタ８０にお
いては、共通電極板８１及び各電極片８３〜８７が前記
第１実施例における共通電極板７１及び各電極片７３〜
７７に相当する。

以上のように構成した本実施例において、前記第１実施
例と同様に、各種電波Ｅが当該車両に入射したときこの
電波Ｅに基づく高周波誘導電流■が各入出力信号線Ｗ１
〜Ｗ５に誘導されて両コネクタ２０ａ、２０を通り高周
波フィルタ８０に流入しても、かかる高周波誘導電流Ｉ
ば、前記第１実施例における高周波フィルタ７０と同様
の高周波フィルタ８０の濾波機能のもとに、共通電極板
８１及び各銅箔膜３１ａ、３１ｂを通り前記各支持部材
を介しケーシング１０の底壁に確実に流入する。換言す
れば、高周波フィルタ８０は、電波Ｅに起因する高周波
誘導電流Ｉ、即ち無線周波数成分を各電子素子４０，５
０．６０から確実に遮断して濾波する。従って、各電装
品Ｕｌ−Ｕ５と各電子素子４０〜６０との間の流出入信
号電流のめの授受が、電波Ｅの存在にもかかわらず、各
入出力信号線Ｗｌ−Ｗ５、各コネクタ２０ａ、２０、各
配線パターン３２ａ〜３６ａ、各リード片８８ａ〜８８
ｅ、各電極片８３〜８７、各リード片８９ａ〜８９ｅ、
各配線パターン３２ｂ〜３６ｂをそれぞれ通して確実に
行われる。

かかる場合、高周波フィルタ８０が、前記第１実施例に
おける高周波フィルタ７０と異なりプリント基板３０に
垂設されているため、共通電極板８１が各電子素子４０
〜６０をコネクタ２０から隔離してこのコネクタ２０の
内側開口部から各型子素子４０〜６０に直接入射する各
種電波をも遮断し得る。また、共通電極板８１が各銅箔
膜３１ａ、３１ｂと直交しているため、この共通電極板
８１と各銅箔膜３１ａ、３１ｂとの間の接続面積も十分
広くとれて高周波的なケーシング１０に対する短絡をよ
り一層確実になし得る。また、高周波フィルタ８０の組
付けにあたっては、各リード片８８８〜８８ｅ、８９ａ
〜８９ｅ、共通電極板８１の下縁を各ランド穴３８ａ〜
３８ｅ、３９ａ〜３９ｅ、３８ｆにそれぞれ挿入半田付
けするのみでよいので、この種高周波フィルタの実装が
容易に行なえる。

なお、前記第２実施例においては、高周波フィルタ８０
を各配線パターン３２２〜３６ａと各配線パターン３２
ｂ〜３６ｂとの間にてプリント基板３０に垂設するよう
にしたが、これに代えて、第１７図に示すごとく、各配
線パターン３２８〜３６ａ、各ランド穴３８８〜３８ｅ
の前方側に位置するプリント基板３０及び各銅箔膜３１
ａ、３１ｂの各部分、並びに高周波フィルタ８０の各す
−１−片８８ａ〜８８ｅを省略するとともに、コネクタ
２０の各コネクタビンＰＩ、Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４、Ｐ５の
各垂下部を各電極片８３，８４，８５゜８６．８７の前
側腕部８３　ａ、　　８４　ａ、　　８５　ａ。

８６ａ、８７ａにそれぞれ半田付けするように実施して
もよく、かかる場合には、第１２図における変形例の場
合と同様に各配線パターン３２８〜３６ａに直接束る高
周波ノイズ等の外乱の影響をも除去することができ、そ
の結果、高周波フィルタ８０の濾波効果をより一層向上
させ得る。また、上述のごときプリント基板３０の部分
的省略及び配線パターン３２８〜３６ａの省略によりこ
の種電子装置をより一層コンパクトにし得る。なお、コ
ネクタ２０の各コネクタビンＰ１〜Ｐ５の各垂下部分は
各電極片８３〜８７と各前側腕部８３ａ〜８７ａとの接
触を確実になし得るように長くしである。

また、第１７図に示した変形例においては、磁性体層７
２ａ及び誘電体層７２ｂを共に共通電極板８１の前面に
形成するようにしたが、これに限らす、第１８図に示す
ごとく、磁性体層７２Ａ（磁性体層７２ａと同様の磁性
材料からなる）を磁性体層７２ａ及び誘電体層７２ｂに
代えて共通電極板８１の前面に形成し、一方誘電体層７
２Ｂ（誘電体層７２ｂと同様の磁性材料からなる）をア
ルミナ基板８２に代えて共通電極板８１の後面に形成し
て実施しても、前記第２実施例と実質的に同様の作用効
果を達成し得る。

また、前記第２実施例においては、高周波フィルタ８０
の各電極片８３〜８７が、第１１図に示すごとく、各前
側腕部８３ａ〜８７ａを絶縁層７２の前面に固着すると
ともに各後側腕部８３ｂ〜８７ｂをアルミナ基板８２の
後面に対向させて組付けるようにしたが、これに限らず
、Ｕ形状の各電極片９］、９２，９３，９４．９５を、
各電極片８３〜８７に代えて、第１９図に示すごとく、
絶縁層７２の前面に固着するように変形して実施しても
よい。

かかる場合、配線パターン３２ｂを再配線パターン３２
ａ、３３８間に延在させ、配線パターン３３ｂを再記線
パターン３３ａ、３４ａ間に延在させ、配線パターン３
４　ｂを再配線パターン３４ａ、３５ａ間に延在させ、
配線パターン３５ｂを再配線パターン３５ａ、３６８間
に延在させ、かつ配線パターン３６ｂを配線パターン３
６ａの左側に延在させて、各電極片９１，９２，９３，
９４．９５の左側腕部の各下端からそれぞれ延出する各
リート片９］ａ、９２ａ、９３ａ、９４ａ。

９５ａを各ランド穴３８ｇ、３８ｈ、３８１．３８ｊ、
３８ｋにそれぞれ挿入して各配線パターン３２ｂ、３３
ｂ、３４ｂ、３５ｂ、３６ｂに半田付けするとともに、
各電極片９１，９２，９３゜９４．９５の右側腕部の各
下端からそれぞれ延出する各リード片９１．ｂ、９２ｂ
、９３ｂ、９４．ｂ。

９５ｂを各ランド穴３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ、
３８ｅにそれぞれ挿入して各配線パターン３２　ａ、　
　３３　ａ、　　３４　ａ、　　３５　ａ、　　３６　
ａにそれぞれ半田付けする。しかして、この変形例によ
れば、第１５図に示したアルミナ基板８２を必要とする
ことなく高周波フィルタをコンパクトにし得るとともに
、各電極片９１〜９５をその各後面全体に亘り絶縁１ｉ
ｔ７２の前面に固着すればよいので、生産性の向上につ
ながる。

また、前記第２実施例及びその変形例においては、共通
電極板８１の補強手段としてアルミナ基板８２を採用し
たが、これに限らず、例えば、通常の絶縁基板をアルミ
ナ基板８２に代えて前記補強手段として採用してもよい
。

また、第１９図に示した変形例における高周波フィルタ
は、各配線パターン３２８〜３６ａと各配線パターン３
２ｂ〜３６ｂとの間にてプリント基板３０上に垂設され
ているが、これに代えて、第２０図に示すごとく、第１
７図における場合と実質的に同様に各配線パターン３２
８〜３６ａ、これら各配線パターンに対応するプリント
基板３０及び各銅箔膜３１ａ、３１ｂの各部分、並びに
第１９図における高周波フィルタの各リード片９１ｂ、
９２ｂ、９３ｂ、９４ｂ、９５ｂを省略するとともに、
コネクタ２０の各コネクタビンＰ１゜Ｐ２．Ｐ３．Ｐ４
．Ｐ５の各垂下部を各電極片９］、９２，９３，９４．
９５の各右側腕部にそれぞれ直接半田付すするように実
施してもよく、かかる場合には、第１７図における高周
波フィルタについて述べた作用効果と実質的に同様の作
用効果を達成し得る。

なお、本発明の実施にあたっては、第２１図に示すごと
く、複数のハイブリット電子素子１１１〜１１１を配列
してなるハイブリット基板（アルミナ基板、ホーロー基
板からなる）１１０を備えたハイブリット電子機器に本
発明に係る各高周波フィルタ１２０，１３０を適用して
もよく、かかる場合、高周波フィルタ１２０は、外部回
路との各接続端子１］２ａ、１］２ｂ、１１２ｃ、１１
２ｄと各ハイブリット電子素子１１１〜１１１との間に
てハイブリット基板１１０の上面−側に組付けられてお
り、一方、高周波フィルタ１３０は、外部回路との各接
続端子１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１］３ｄと各ハ
イブリット電子素子１１１〜１１１との間にてハイブリ
ット基板１１０の上面他側に組付けられている。

高周波フィルタ１２０は、第２１図及び第２２図に示す
ごとく、ハイブリット基板１１０の上面−側に印刷した
導体箔膜１２１と、この導体箔膜１２１上に重合した共
通電極板１２２と、この共通電極板１２２の上面に各接
続端子１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄにそれ
ぞれ対応させて配列した各絶縁層１２３，１２４，１２
５．１２６と、これら各絶縁層１２３，１２４，１２５
゜１２６の上面にそれぞれ固着した電極片１２３Ａ。

１２４Ａ、１２５Ａ、１２６Ａとによって構成されてお
り、各電極片１２３Ａ、１２４Ａ、１２５Ａ、１２６Ａ
はその各一端にて各接続端子１１２ａ、１１２ｂ、１１
２ｃ、１１２ｄにそれぞれ接続され、その各他端にて各
接続端子１２７ａ、１２７ｂ、１２７ｃ、１２７ｄを介
しハイブリット電子素子１１１〜１１１に接続されてい
る。但し、各絶縁層１２３，１２４，１２５，１２６は
、第２２図に示すごとく、それぞれ、磁性体層１２３ａ
及び誘電体層１２３ｂ、磁性体Ｎ　１２４　ａ及び誘電
体層１２４ｂｉ磁性体層１２５ａ及び誘電体層１２５ｂ
、並びに磁性体層１２６ａ及び誘電体層１２６ｂによっ
て構成されていて、各磁性体層１２３ａ、１２４ａ、１
２５ａ、１２６ａは前記第１実施例におりる磁性体層７
２ａと同様の磁性材料により形成され、一方、各誘電体
層１２３ｂ。

１２４ｂ、１２５ｂ、１２６ｂは前記第１実施例におけ
る誘電体層７２ｂと同様の誘電材料によって形成されて
いる。なお、導体箔膜１２１は、ハイブリット基板１１
０を介し図示しない金属ケーシングに短絡してあり、ま
た高周波フィルタ１３０も高周波フィルタ１２０と実質
的に同様に構成しである。

しかして、このように構成した各高周波フィルタ１２０
，１３０においては、各接続端子１１２ａ　〜１１２ｄ
、　１１３ａ　〜１１３ｄを介し各外部回路から電波Ｅ
に基づく高周波誘導電流■が流入しても、各高周波フィ
ルタ１２０，１３０が、前記第１実施例と同様に、その
各絶縁層の透磁率μ及び誘電率εの各無線周波数特性の
もとに高周波誘導電流Ｉをハイブリット基板１１０を介
し前記金属ケーシングに流入させる。これにより、各ハ
イブリット電子素子１１１〜１１１が高周波誘導電流Ｉ
の流入から確実に遮断保護される。

また、前記各実施例及びその各変形例においては、上述
のごとく、絶縁層を２分割（或いは４分割）して磁性体
層と誘電体層とを交互に配設する構成としたが、これに
限らず、前記絶縁層の分割数は適宜変更して実施しても
よく、かかる場合には、前記分割数の増大に応じて各層
間の不整合による高周波誘導電流■の反射が、無線周波
数ｆの変化とはかかわりなく一様に増大することとなり
、高周波フィルタの濾波特性の向上に有益である。

また、前記各実施例及び各変形例においては、上述のご
とく、絶縁層を、共通電極板に沿って交互に配設した磁
性体層と誘電体層とにより構成したが、磁性体層と誘電
体層との配設順序を前記各実施例及びその各変形例とは
逆にして実施してもよく、また、前記共通電極板に磁性
体層と誘電体層とを重合して実施してもよい。

また、前記各実施例及び各変形例においては、上述のご
とく絶縁層を磁性体層と誘電体層により構成したが、こ
れに代えて、絶縁層を複数の誘電体層のみにより構成し
てもよく、かがる場合、各誘電体層を形成する誘電材料
は互いに同じであってもよく異なっていてもよいが、分
布コンダクタンスの大きいもの（例えば、抵抗材料、金
属粉、カーボン等を混入したもの）が望ましい。

また、前記各実施例及びその各変形例においては、金属
良導体からなるケーシング１０を非接地状態に維持する
ようにしたが、これに限らず、ケーシング１０を車体の
一部に接地状態に維持してもよく、また電子素子４０，
５０．６０等の電子回路部が電波に対し耐性を有する場
合には、ケーシング１０の一部のみを金属良導体により
形成するようにしてもよい。

また、前記各実施例及びその各変形例においては、本発
明が車両用電子制御システムに適用された例について説
明したが、これに限らず、船舶その他の各種移動体の電
子制御システムが比較的長い入出力信号線を有する場合
、固定位置に配設した電子制御システムが比較的長い入
出力信号線を有する場合等にも本発明を通用して実施し
てもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示す要部斜視図、第２図
は、前記第１実施例を適用してなる電子制御システムが
車両に装備された状態を示す図、第３図は第１図にて３
−３線に沿う断面図、第４図は同４−４線に沿う断面図
、第５図は第１図における磁性体層の透磁率μの無線周
波数ｆとの関係を示すグラフ、第６図は第１図における
誘電体層の誘電率εの無線周波数ｆとの関係を示すグラ
フ、第７図は第１図における高周波フィルタの分布定数
回路を示す図、第８図は同ＬＣＧ定数フィルタ回路図、
第９図は第８図におけるおける総分布コンダクタンスＧ
ａ及び総分布インダクタンスＬａの無線周波数ｆとの関
係を示すグラフ、第１０図は第８図における総分布コン
ダクタンスＧｂ及び総分布キャパシタンスｃｂの無線周
波数ｆとの関係を示すグラフ、第１１図は第１図におけ
る高周波フィルタの濾波特性を示すグラフ、第１２図は
前記第１実施例の変形例を示す要部斜視図、第１３図は
同地の変形例を示す要部斜視図、第１４図は第１３図に
おける高周波フィルタの濾波特性を示すグラフ、第１５
図は本発明の第２実施例を示す要部斜視図、第１６図は
第１５図にて１６〜１６線に沿う断面図、第１７図〜第
２０図は前記第２実施例の各変形例を示す図、第２１図
は前記各実施例の変形例を示す斜視図、及び第２２図は
第２１図における高周波フィルタの分解斜視図である。 符号の説明 １０・・・ケーシング、２０，２０８・・・コネクタ、
３２ａ〜３６ａ、３２ｂ〜３６ｂ・・・配線パターン、
４０，５０．６０・・・電子素子、４２．４３，５１，
５２．６１・・・リード端子、７０．８０，１２０．１
３０・・・高周波フィルタ、７２，１２３〜１２６・・
・絶縁層、７２ａ。 ７２Ａ、７２ｃ、７２ｅ、１２３ａ〜１２６ａ・・・磁
性体層、７２ｂ、７２Ｂ、７２ｄ、７２ｆ。 １２３ｂ〜１２６ｂ・・・誘電体層、７３〜７７゜８３
〜８７．９１〜９５．　１２３Ａ〜１２６Ａ　・・・電
極片、？１，８１．１２２・・・共通電極板、１１１・
・・ハイブリット電子素子、Ｄ・・・電子装置、Ｕ１〜
Ｕ５・・・電装品、Ｗ１〜Ｗ５・・・入出力信号線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性ケーシング内に配置されて外部回路から延在する
   接続線路に接続される接続端子を設けた電子素子を備え
   た電子機器において、前記電子素子の接続端子と前記接
   続線路との間に設けた絶縁層と、この絶縁層の両表面に
   前記電子素子の接続端子から前記接続線路にかけて添着
   した一対の導電板とを有し、前記絶縁層が、無線周波数
   の増大（又は減少）に応じて減少（又は増大）する誘電
   率を有する誘電材料により形成した第１の層と、無線周
   波数の増大（又は減少）に応じて減少（又は増大）する
   透磁率を有する磁性材料により形成した第２の層との組
   合せ、又は前記第１（又は第２）の層の二つの組合せに
   より形成され、前記一対の導電板の一方が前記電子素子
   の接続端子と前記接続線路との間に接続され、かつ前記
   一対の導電板の他方が前記導電性ケーシングに接続され
   るようにしたことを特徴とする電子機器のための高周波
   フィルタ。