JPS6143845B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6143845B2 JPS6143845B2 JP10995578A JP10995578A JPS6143845B2 JP S6143845 B2 JPS6143845 B2 JP S6143845B2 JP 10995578 A JP10995578 A JP 10995578A JP 10995578 A JP10995578 A JP 10995578A JP S6143845 B2 JPS6143845 B2 JP S6143845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- zinc
- hydrogen
- diluted
- dialkylzinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ型化合物半導体単結晶の気相エピ
タキシヤル成長方法に関するものである。
タキシヤル成長方法に関するものである。
ひ化ガリウム、りん化ガリウム等の周期律表第
族及び第族元素からなる化合物半導体単結晶
を気相エピタキシヤル成長させる場合、Ｐ型ドー
パント（dopant）としては通常亜鉛（Zn）が用
いられる。従来、亜鉛をドープ（dope）する場
合、揮発性の高い亜鉛化合物であるジアルキル亜
鉛、特にジエチル亜鉛に、キヤリアーガスとして
用いられる水素等を吹込み、バブル（bubble）
させて、亜鉛を反応系へ移送していた。
族及び第族元素からなる化合物半導体単結晶
を気相エピタキシヤル成長させる場合、Ｐ型ドー
パント（dopant）としては通常亜鉛（Zn）が用
いられる。従来、亜鉛をドープ（dope）する場
合、揮発性の高い亜鉛化合物であるジアルキル亜
鉛、特にジエチル亜鉛に、キヤリアーガスとして
用いられる水素等を吹込み、バブル（bubble）
させて、亜鉛を反応系へ移送していた。
しかしながら、かかる従来法は、ドーパントの
供給量を精密に制御することが困難であること、
或いはドーパントの供給量を急激に変化させるこ
とが困難であるため、階段状にキヤリアー濃度が
変化するＰ型エピタキシヤル膜を成長させること
は困難である等の欠点を有していた。
供給量を精密に制御することが困難であること、
或いはドーパントの供給量を急激に変化させるこ
とが困難であるため、階段状にキヤリアー濃度が
変化するＰ型エピタキシヤル膜を成長させること
は困難である等の欠点を有していた。
またジアルキル亜鉛は、一般に空気に触れると
発火する性質を有しており、この性質はアルキル
基の炭素数が小さい程著るしい。したがつて、ジ
アルキル亜鉛を気相で希釈して工業的に用いる適
当な方法が知られていなかつた。
発火する性質を有しており、この性質はアルキル
基の炭素数が小さい程著るしい。したがつて、ジ
アルキル亜鉛を気相で希釈して工業的に用いる適
当な方法が知られていなかつた。
本発明者は、鋭意研究の結果、ジアルキル亜鉛
の常圧における沸点以下の温度における蒸気圧を
利用して安全に希釈できることを見出し本発明に
到達したものである。
の常圧における沸点以下の温度における蒸気圧を
利用して安全に希釈できることを見出し本発明に
到達したものである。
本発明の目的は、亜鉛をドーパントとしてＰ型
化合物半導体単結晶を気相エピタキシヤル成長さ
せるにあたつて、該エピタキシヤル成長反応系へ
の亜鉛の供給量を制御する新規な方法を提供する
ことにある。
化合物半導体単結晶を気相エピタキシヤル成長さ
せるにあたつて、該エピタキシヤル成長反応系へ
の亜鉛の供給量を制御する新規な方法を提供する
ことにある。
本発明の上記の目的は、一定の温度に保持さ
れ、かつ減圧に保持された耐圧容器に、ジアルキ
ル亜鉛蒸気を、前記温度における蒸気圧により充
填し、さらに既知の圧力を有する加圧水素を充填
して得られる、水素により希釈されたジアルキル
亜鉛を、さらに既知の圧力を有する加圧水素によ
り、混合ガス中のジアルキル亜鉛が体積比
10ppm以上100ppm以下の濃度になるように希釈
して充填された耐圧容器を用いて、ジアルキル亜
鉛のエピタキシヤル成長反応系への供給量を制御
することにより達せられる。
れ、かつ減圧に保持された耐圧容器に、ジアルキ
ル亜鉛蒸気を、前記温度における蒸気圧により充
填し、さらに既知の圧力を有する加圧水素を充填
して得られる、水素により希釈されたジアルキル
亜鉛を、さらに既知の圧力を有する加圧水素によ
り、混合ガス中のジアルキル亜鉛が体積比
10ppm以上100ppm以下の濃度になるように希釈
して充填された耐圧容器を用いて、ジアルキル亜
鉛のエピタキシヤル成長反応系への供給量を制御
することにより達せられる。
ジアルキル亜鉛としては、炭素数が３以下のア
ルキル基を有するものが、適当であるが、ジエチ
ル亜鉛が沸点、取り扱いの容易さ等から、特に好
ましい。
ルキル基を有するものが、適当であるが、ジエチ
ル亜鉛が沸点、取り扱いの容易さ等から、特に好
ましい。
また、化合物半導体としては、周期律表第族
元素及び第族元素からなるもの、例えば、ひ化
ガリウム（GaAs）、りん化ガリウム（GaP）、り
ん化ひ化ガリウム（GaAs1−XPX、０＜Ｘ＜１）
りん化インジウム（InP）、ひ化インジウム
（InAs）、りん化ひ化インジウム（InAs1-xPx、０
＜Ｘ＜１）、りん化ひ化インジウムガリウム
（GayIn1-yAs1-xPx、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１）
などが例示される。
元素及び第族元素からなるもの、例えば、ひ化
ガリウム（GaAs）、りん化ガリウム（GaP）、り
ん化ひ化ガリウム（GaAs1−XPX、０＜Ｘ＜１）
りん化インジウム（InP）、ひ化インジウム
（InAs）、りん化ひ化インジウム（InAs1-xPx、０
＜Ｘ＜１）、りん化ひ化インジウムガリウム
（GayIn1-yAs1-xPx、０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１）
などが例示される。
気相成長に用いる反応ガス組成としては、（Ｍ
〓H3＋HCl＋Ｍ〓＋H2）系（但しＭ〓は第族元
素Ｍ〓は第族元素）または（Ｍ〓H3＋Ｍ〓R3
＋H2）系（但しＲはアルキル基）等が好ましい。
〓H3＋HCl＋Ｍ〓＋H2）系（但しＭ〓は第族元
素Ｍ〓は第族元素）または（Ｍ〓H3＋Ｍ〓R3
＋H2）系（但しＲはアルキル基）等が好ましい。
また、エピタキシヤル反応装置としては、通常
の反応装置、例えば、トランスアクシヨン・オ
ブ・ザ・メタラジカル・ソサエテイ・オブ・エ
イ・アイ・エム・イー第245巻第571頁〜第576頁
（1969年）（Transaction of the metallurgical
society of AIME、volune 245 p571〜p576
（1969））記載されている装置が用いられる。
の反応装置、例えば、トランスアクシヨン・オ
ブ・ザ・メタラジカル・ソサエテイ・オブ・エ
イ・アイ・エム・イー第245巻第571頁〜第576頁
（1969年）（Transaction of the metallurgical
society of AIME、volune 245 p571〜p576
（1969））記載されている装置が用いられる。
ジアルキル亜鉛を希釈するにあたつては、例え
ば第１図に示す配管系が用いられる。第１図にお
いて１はジアルキル亜鉛容器、２は耐圧容器、３
は容器１を開閉するバルブ、４は耐圧容器を開閉
するバルブ、５は配管系６と加圧水素系との連結
部７を開閉するバルブ、８は６と減圧系の連結部
９を開閉するバルブ、また、１０は圧力計であ
る。
ば第１図に示す配管系が用いられる。第１図にお
いて１はジアルキル亜鉛容器、２は耐圧容器、３
は容器１を開閉するバルブ、４は耐圧容器を開閉
するバルブ、５は配管系６と加圧水素系との連結
部７を開閉するバルブ、８は６と減圧系の連結部
９を開閉するバルブ、また、１０は圧力計であ
る。
ジアルキル亜鉛を容器１から耐圧容器２へ気相
で移送して充填する時には、容器１及び耐圧容器
２は恒温槽等を用いて、ジアルキル亜鉛が所望の
蒸気圧を示す温度に保持される。この場合、配管
系全体を恒温室内に設置してもよい。前記温度は
通常100℃以下が適当である。
で移送して充填する時には、容器１及び耐圧容器
２は恒温槽等を用いて、ジアルキル亜鉛が所望の
蒸気圧を示す温度に保持される。この場合、配管
系全体を恒温室内に設置してもよい。前記温度は
通常100℃以下が適当である。
ジアルキル亜鉛としてジエチル亜鉛を用いる場
合、60℃以下０℃以上の範囲が適当である。
合、60℃以下０℃以上の範囲が適当である。
次にバルブ４及び８を開き、バルブ３及び５を
閉じて、耐圧容器２を減圧にする。減圧は１mmＨ
ｇ以下好ましくは0.1mmＨｇ以下が適当である。
閉じて、耐圧容器２を減圧にする。減圧は１mmＨ
ｇ以下好ましくは0.1mmＨｇ以下が適当である。
次に、バルブ８を閉じ、バルブ３を開いて耐圧
容器２の内部をジアルキル亜鉛の蒸気により充填
させる。この場合、前記温度を室温以上に設定し
た場合、ジアキル亜鉛の凝縮を避けるため配管６
をガラスウール等の保温材により保温するのが望
ましい。
容器２の内部をジアルキル亜鉛の蒸気により充填
させる。この場合、前記温度を室温以上に設定し
た場合、ジアキル亜鉛の凝縮を避けるため配管６
をガラスウール等の保温材により保温するのが望
ましい。
耐圧容器２が、ジアルキル亜鉛により充填され
た後、バルブ３を閉じバルブ５を開き、耐圧容器
２に加圧水素を充填する。水素の圧力は、10Kg／
cm2以上好ましくは50Kg／cm2以上100Kg／cm2以下が
適当である。
た後、バルブ３を閉じバルブ５を開き、耐圧容器
２に加圧水素を充填する。水素の圧力は、10Kg／
cm2以上好ましくは50Kg／cm2以上100Kg／cm2以下が
適当である。
例えば、温度を60℃、水素の圧力を70Kg／cm2と
した場合、上記の操作により、耐圧容器２内のジ
アルキル亜鉛の濃度は、ジアルキル亜鉛の60℃に
おける蒸気圧（0.23Kg／cm2）と水素の圧力との
比、すなわち、3270ppmとなる。エピタキシヤ
ル成長反応には、ジアルキル亜鉛の濃度は体積比
10ppm以上100ppm以下、好ましくは20ppm以上
50ppm以下が適当である。したがつて、耐圧容
器２に充填された水素で希釈された、ジアルキル
亜鉛をさらに希釈して用いられる。前記希釈は通
常の方法により行われる。例えば、別の耐圧容器
に予かじめ計算された圧力になるまで、耐圧容器
２より水素で希釈されたジアルキル亜鉛を充填
し、さらに既知の圧力を有する水素を充填して行
われる。濃度は、圧力比に基づいて計算するのが
容易である。
した場合、上記の操作により、耐圧容器２内のジ
アルキル亜鉛の濃度は、ジアルキル亜鉛の60℃に
おける蒸気圧（0.23Kg／cm2）と水素の圧力との
比、すなわち、3270ppmとなる。エピタキシヤ
ル成長反応には、ジアルキル亜鉛の濃度は体積比
10ppm以上100ppm以下、好ましくは20ppm以上
50ppm以下が適当である。したがつて、耐圧容
器２に充填された水素で希釈された、ジアルキル
亜鉛をさらに希釈して用いられる。前記希釈は通
常の方法により行われる。例えば、別の耐圧容器
に予かじめ計算された圧力になるまで、耐圧容器
２より水素で希釈されたジアルキル亜鉛を充填
し、さらに既知の圧力を有する水素を充填して行
われる。濃度は、圧力比に基づいて計算するのが
容易である。
本発明方法は、ニツケル（Ni）、モリブデン
（Mo）等の金属板上に化合物半導体多結晶を気相
析出させる、いわゆるCVD法にも適用できる。
（Mo）等の金属板上に化合物半導体多結晶を気相
析出させる、いわゆるCVD法にも適用できる。
Ｐ型化合物半導体単結晶を気相エピタキシヤル
成長させる場合、反応器に上記耐圧容器を接続し
て、バルブの調節により水素で希釈したジアルキ
ル亜鉛の供給量を調節してエピタキシヤル膜中の
Ｐ型キヤリアー濃度を制御することができる。
成長させる場合、反応器に上記耐圧容器を接続し
て、バルブの調節により水素で希釈したジアルキ
ル亜鉛の供給量を調節してエピタキシヤル膜中の
Ｐ型キヤリアー濃度を制御することができる。
本発明方法を実施することにより、Ｐ型キヤリ
アー濃度を階段状に変化させることが極めて容易
となる。したがつて、従来、液相エピタキシヤル
成長法によつてのみ製造が可能であつたバラクタ
ーダイオード等を、量産性に優れた気相成長法に
より製造ることができる。また、一般に不安定で
あり空気に触れて燃焼する性質を有するジアルキ
ル亜鉛を、希釈状態で長期間安全に保存すること
ができる。さらに、Ｐ型キヤリアー濃度の再現性
も非常に高いため生産性も向上する。
アー濃度を階段状に変化させることが極めて容易
となる。したがつて、従来、液相エピタキシヤル
成長法によつてのみ製造が可能であつたバラクタ
ーダイオード等を、量産性に優れた気相成長法に
より製造ることができる。また、一般に不安定で
あり空気に触れて燃焼する性質を有するジアルキ
ル亜鉛を、希釈状態で長期間安全に保存すること
ができる。さらに、Ｐ型キヤリアー濃度の再現性
も非常に高いため生産性も向上する。
以上に詳述した通り本発明方法の産業上の利用
価値は極めて大である。
価値は極めて大である。
本発明方法を実施例及び比較例によりさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例
第１図に示す装置を用い、耐圧300Kg／cm2、内
容積1.5m3のステンレス（SUS316）製耐圧容器を
接続した。ジエチル亜鉛を収容した容器及び上記
耐圧容器を０℃に保持し、しかる後耐圧容器内を
0.01mmＨｇの減圧にした。減圧系と連結するバル
ブを閉じた後、耐圧容器内にジエチル亜鉛蒸気を
充填した。ジエチル亜鉛の蒸気圧は0.041Kg／cm2
であつた。
容積1.5m3のステンレス（SUS316）製耐圧容器を
接続した。ジエチル亜鉛を収容した容器及び上記
耐圧容器を０℃に保持し、しかる後耐圧容器内を
0.01mmＨｇの減圧にした。減圧系と連結するバル
ブを閉じた後、耐圧容器内にジエチル亜鉛蒸気を
充填した。ジエチル亜鉛の蒸気圧は0.041Kg／cm2
であつた。
次に、上記耐圧容器に70.04Kg／cm2の水素を充
填した。上記耐圧容器内のジエチル亜鉛の濃度は
585ppmであつた。次に、上記水素希釈ジエチル
亜鉛を、別の同様の耐圧容器に、圧力3.13Kg／cm2
になるまで充填し、さらに水素を充填して全圧を
70Kg／cm2とした。その結果、濃度25ppm、圧力
70Kg／cm2の水素希釈ジエチル亜鉛が充填された耐
圧容器が得られた。
填した。上記耐圧容器内のジエチル亜鉛の濃度は
585ppmであつた。次に、上記水素希釈ジエチル
亜鉛を、別の同様の耐圧容器に、圧力3.13Kg／cm2
になるまで充填し、さらに水素を充填して全圧を
70Kg／cm2とした。その結果、濃度25ppm、圧力
70Kg／cm2の水素希釈ジエチル亜鉛が充填された耐
圧容器が得られた。
次に、石英製の横型エピタキシヤル反応器（内
径７cm長さ100cm）内に厚さ300μｍのひ化ガリウ
ム単結晶基板（表面の面方位は（100）面に対し
て〈110〉方向に５゜傾いた面である）及び、金
属ガリウムを収容した石英ボートを設置した。空
気を除去した後、水素をキヤリアーガスとして
2000ml／分流しながら、金属ガリウムを750℃、
単結晶基板を780℃に加熱した。水素で12％に希
釈したアルシン（AsH3）を300ml／分、ガリウム
を移送する塩化水素を80ml／分、ｎ型ドーパント
として硫化水素（濃度50ppm）を60ml／分供給
して、ｎ型ひ化ガリウムバツフアー層を10μｍ
（20分間）成長させた。次に硫化水素の供給を停
止してキヤリアー濃度5.5×1015／cm3のｎ型ひ化
ガリウム層を５μｍ（10分間）成長させた。次
に、他の成分の供給を停止して水素ガスのみ約１
時間流した。その後、アルシン及び塩化水素の流
量は前記と同じ値、また水素で希釈した濃度
25ppmのジエチル亜鉛を前記耐圧容器から100
ml／分の流量で三成分同時に供給し、キヤリアー
濃度3.0×1019／cm3のＰ型ひ化ガリウム層を３μ
ｍ（６分間）成長させた。得られたエピタキシヤ
ルウエハーではＰ型ひ化ガリウム層の成長開始点
から0.1μｍ以内に、Ｐ型キヤリアー濃度が所定
の濃度に達していた。
径７cm長さ100cm）内に厚さ300μｍのひ化ガリウ
ム単結晶基板（表面の面方位は（100）面に対し
て〈110〉方向に５゜傾いた面である）及び、金
属ガリウムを収容した石英ボートを設置した。空
気を除去した後、水素をキヤリアーガスとして
2000ml／分流しながら、金属ガリウムを750℃、
単結晶基板を780℃に加熱した。水素で12％に希
釈したアルシン（AsH3）を300ml／分、ガリウム
を移送する塩化水素を80ml／分、ｎ型ドーパント
として硫化水素（濃度50ppm）を60ml／分供給
して、ｎ型ひ化ガリウムバツフアー層を10μｍ
（20分間）成長させた。次に硫化水素の供給を停
止してキヤリアー濃度5.5×1015／cm3のｎ型ひ化
ガリウム層を５μｍ（10分間）成長させた。次
に、他の成分の供給を停止して水素ガスのみ約１
時間流した。その後、アルシン及び塩化水素の流
量は前記と同じ値、また水素で希釈した濃度
25ppmのジエチル亜鉛を前記耐圧容器から100
ml／分の流量で三成分同時に供給し、キヤリアー
濃度3.0×1019／cm3のＰ型ひ化ガリウム層を３μ
ｍ（６分間）成長させた。得られたエピタキシヤ
ルウエハーではＰ型ひ化ガリウム層の成長開始点
から0.1μｍ以内に、Ｐ型キヤリアー濃度が所定
の濃度に達していた。
比較例
バブラーを用いてジエチル亜鉛を供給した以外
は、実施例のエピタキシヤル成長方法と同様にし
て、ひ化ガリウムエピタキシヤル膜を形成した。
得られたエピタキシヤルウエハーでは、Ｐ型ひ化
ガリウム層の成長開始点から0.5μｍの点で所定
のキヤリアー濃度（3.0×1019／cm3）に達してい
た。
は、実施例のエピタキシヤル成長方法と同様にし
て、ひ化ガリウムエピタキシヤル膜を形成した。
得られたエピタキシヤルウエハーでは、Ｐ型ひ化
ガリウム層の成長開始点から0.5μｍの点で所定
のキヤリアー濃度（3.0×1019／cm3）に達してい
た。
第１図はジアルキル亜鉛を希釈する装置の配管
図の１例である。 １……ジアルキル亜鉛容器、２……耐圧容器、
３……バルブ、４……バルブ、５……バルブ、６
……配管、７……加圧水素系への連結部、８……
バルブ、９……減圧系への連結部、１０……圧力
計。
図の１例である。 １……ジアルキル亜鉛容器、２……耐圧容器、
３……バルブ、４……バルブ、５……バルブ、６
……配管、７……加圧水素系への連結部、８……
バルブ、９……減圧系への連結部、１０……圧力
計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 亜鉛をドーパント（dopant）としてＰ型化
合物半導体単結晶を気相エピタキシヤル成長させ
るにあたつて、一定の温度に保持され、かつ減圧
に保持された耐圧容器に、ジアルキル亜鉛蒸気
を、前記温度における蒸気圧により充填し、さら
に既知の圧力を有する加圧水素を充填して得られ
る、水素により希釈されたジアルキル亜鉛を、さ
らに既知の圧力を有する加圧水素により、混合ガ
ス中のジアルキル亜鉛が体積比10ppm以上
100ppm以下の濃度になるように希釈して充填さ
れた耐圧容器を用いて、ジアルキル亜鉛のエピタ
キシヤル成長反応系への供給量を制御する方法。 ２ 化合物半導体が、ひ化ガリウムである特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３ ジアルキル亜鉛がジエチル亜鉛である特許請
求の範囲第１項及び第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10995578A JPS5536968A (en) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | P type compound semiconductor gas phase growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10995578A JPS5536968A (en) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | P type compound semiconductor gas phase growth method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5536968A JPS5536968A (en) | 1980-03-14 |
| JPS6143845B2 true JPS6143845B2 (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=14523359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10995578A Granted JPS5536968A (en) | 1978-09-07 | 1978-09-07 | P type compound semiconductor gas phase growth method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5536968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165131U (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 |
-
1978
- 1978-09-07 JP JP10995578A patent/JPS5536968A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165131U (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5536968A (en) | 1980-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4404265A (en) | Epitaxial composite and method of making | |
| US4010045A (en) | Process for production of III-V compound crystals | |
| US5438952A (en) | Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer | |
| US4062706A (en) | Process for III-V compound epitaxial crystals utilizing inert carrier gas | |
| US4504329A (en) | Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a binary alloy as the metallic source | |
| US3192083A (en) | Method for controlling donor and acceptor impurities on gaseous vapor through the use of hydrogen halide gas | |
| US4782034A (en) | Semi-insulating group III-V based compositions doped using bis arene titanium sources | |
| US3975218A (en) | Process for production of III-V compound epitaxial crystals | |
| JPS6143845B2 (ja) | ||
| US5098857A (en) | Method of making semi-insulating gallium arsenide by oxygen doping in metal-organic vapor phase epitaxy | |
| US3811963A (en) | Method of epitaxially depositing gallium nitride from the liquid phase | |
| EP0507611A1 (en) | Process for growing III-V semiconductor crystal by MOVPE | |
| US4888303A (en) | Vapor phase epitaxy-hydride technique with a constant alloy source for the preparation of InGaAs layers | |
| EP0212910A2 (en) | Method and apparatus for the chemical vapour deposition of III-V semiconductors utilizing organometallic and elemental pnictide sources | |
| JPS60500983A (ja) | Ｍｏｃｖｄ成長エピタキシヤル半導体層用のジェチルベリリュウムド−パント源 | |
| US3461004A (en) | Method of epitaxially growing layers of semiconducting compounds | |
| US4814203A (en) | Vapor deposition of arsenic | |
| EP0141561B1 (en) | A process for producing devices having semi-insulating indium phosphide based compositions | |
| JPS60500954A (ja) | Ｍｏｃｖｄ成長エピタキシヤル半導体層用のテトラメチルスズド−パント源 | |
| Gottschalch et al. | Liquid phase epitaxial deposition of GaP on GaAs | |
| JPH04215421A (ja) | 化学的気相成長法 | |
| US3600143A (en) | Growth of crystalline chalcogenide spinels | |
| JPS60245214A (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長方法 | |
| JPH07130667A (ja) | 有機金属気相エピタキシャル成長方法 | |
| JP2706337B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 |