JPS6143401A - リチウム・チタン酸化物の製造法 - Google Patents
リチウム・チタン酸化物の製造法Info
- Publication number
- JPS6143401A JPS6143401A JP59164754A JP16475484A JPS6143401A JP S6143401 A JPS6143401 A JP S6143401A JP 59164754 A JP59164754 A JP 59164754A JP 16475484 A JP16475484 A JP 16475484A JP S6143401 A JPS6143401 A JP S6143401A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lihcoo
- titanium oxide
- lithium titanium
- producing lithium
- firing
- Prior art date
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- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導体から絶縁体に及ぶ幅広り領域で半導
体湿度センサーとして利用てれるリチウム・チタン酸化
物 （Ｌｊ（−２ｚ Ｔｉｔ −Ｘ ０４ （０＜” ＜１
／３） ） の製造法に関するものでるる、。
体湿度センサーとして利用てれるリチウム・チタン酸化
物 （Ｌｊ（−２ｚ Ｔｉｔ −Ｘ ０４ （０＜” ＜１
／３） ） の製造法に関するものでるる、。
一般に、Ｌｉ１ｙ、 ’ｒｉｍ−，０４（（Ｋ ｘ ＜
： １／３）は。
： １／３）は。
スピネル構造を持つ酸化物でるる、ｘ＝０では臨界温度
Ｔｃ＝ １５．７ Ｋ （ｆｆ化吻中最高ｔＤ Ｔｃ）
Ｏｍ ｔＫ導体でろる１、この物質の電気伝導は、Ｔ
ｌ ｔＴｌに還元することによって生じるものでめる
３、Ｘ＝１／３では絶縁体でるるか、それ以下では半導
体でるる、９そして、（ＯくＸく１／３）の領域では、
還元されれば抵抗が下り、酸化てれると抵抗が上る。。
Ｔｃ＝ １５．７ Ｋ （ｆｆ化吻中最高ｔＤ Ｔｃ）
Ｏｍ ｔＫ導体でろる１、この物質の電気伝導は、Ｔ
ｌ ｔＴｌに還元することによって生じるものでめる
３、Ｘ＝１／３では絶縁体でるるか、それ以下では半導
体でるる、９そして、（ＯくＸく１／３）の領域では、
還元されれば抵抗が下り、酸化てれると抵抗が上る。。
特にその変化が大きいＯ＜： ｘ ＜、 ０．２のもの
は、湿度センサー（水分により酸化される）や真空モニ
ター（酸素の分圧Ｐｏｔによる）に利用することができ
る。、また、０．２＜、ｃく１／３では酸化の程度によ
り濃實色から白色へ変化するので、色による湿度センサ
ーなどにも応用することができる。。
は、湿度センサー（水分により酸化される）や真空モニ
ター（酸素の分圧Ｐｏｔによる）に利用することができ
る。、また、０．２＜、ｃく１／３では酸化の程度によ
り濃實色から白色へ変化するので、色による湿度センサ
ーなどにも応用することができる。。
しかるに、Ｌｔｌ＋）（Ｔｉｔ；−ｊ（’ｏ４ （０＜
： Ｘ ＜１／３ ）を合成するには、Ｔｉ、０３又は
Ｔｉｅ、とＬｉｌ ＣＯ２とをＸ値に合せて混合し、還
元雰囲気で焼成することが従来性われていたけれども、
この方法では液相ができないために不均質になり易く、
かつ反応も遅くて、極めて合成し難いことはよく知られ
ている１、このようなことから、従来は焼成→粉砕→成
形→焼成を数回繰返すことが行われていた。。
： Ｘ ＜１／３ ）を合成するには、Ｔｉ、０３又は
Ｔｉｅ、とＬｉｌ ＣＯ２とをＸ値に合せて混合し、還
元雰囲気で焼成することが従来性われていたけれども、
この方法では液相ができないために不均質になり易く、
かつ反応も遅くて、極めて合成し難いことはよく知られ
ている１、このようなことから、従来は焼成→粉砕→成
形→焼成を数回繰返すことが行われていた。。
以上説明したように、従来技術においては一回又は二回
の焼成では均質なＬｉ１＋ＸＴｉ、ＸＯ４（０＜： Ｘ
＜１／３ ’）の合成物質が得られず、既述したよう
に焼成−粉砕→成形→焼成の工程を数回繰返すよりほか
に方法がなかったのでるる。そこで、本発明においては
、この素環な工程を２回程度に短縮し、しかも均質な合
成物質を得る製造法を提供するものでるる、。
の焼成では均質なＬｉ１＋ＸＴｉ、ＸＯ４（０＜： Ｘ
＜１／３ ’）の合成物質が得られず、既述したよう
に焼成−粉砕→成形→焼成の工程を数回繰返すよりほか
に方法がなかったのでるる。そこで、本発明においては
、この素環な工程を２回程度に短縮し、しかも均質な合
成物質を得る製造法を提供するものでるる、。
本発明においては、上記問題点を解決するための手段と
して、製品Ｌｉ＋＋ｘ Ｔｉｘ−１０４（Ｏ＜１＜１／
３）を得る出発原料としてＴｉｅ、とＬ ｉ ＨＣＯＯ
・Ｈ２Ｏを用いるか、もしくはＴ ｉｏ、とＬｉ）ＩＣ
ＯＯ−Ｈ，０およびＬｉＣＯ５を用いることを要旨とす
るものでろる。
して、製品Ｌｉ＋＋ｘ Ｔｉｘ−１０４（Ｏ＜１＜１／
３）を得る出発原料としてＴｉｅ、とＬ ｉ ＨＣＯＯ
・Ｈ２Ｏを用いるか、もしくはＴ ｉｏ、とＬｉ）ＩＣ
ＯＯ−Ｈ，０およびＬｉＣＯ５を用いることを要旨とす
るものでろる。
しかして、本発明においてし１源の出発原料としてＬ
１ＨｃＯｏ・Ｈ２ＯもしくはこれとＬｉｃｏ、を用いる
理由は、ＬｉＨｃｏｏ・Ｈ２Ｏは３００〜４００℃で分
解する前に−たん融液となるので、ＴｉＯ２に対する反
応性が高く、かつ製品の均質性を向上させるからでめる
ｕ ＬｉＨＣＯＯ・Ｈ，０は揮発物質が多く、初回の焼
成では若干ポーラスになる。、それ故、ＬｉＨＣＯＯ・
Ｈ２Ｏを単独で用いた場合は、密度の高い焼成体を得る
だめに、一度は再成形、再焼成をする必要がめる。。
１ＨｃＯｏ・Ｈ２ＯもしくはこれとＬｉｃｏ、を用いる
理由は、ＬｉＨｃｏｏ・Ｈ２Ｏは３００〜４００℃で分
解する前に−たん融液となるので、ＴｉＯ２に対する反
応性が高く、かつ製品の均質性を向上させるからでめる
ｕ ＬｉＨＣＯＯ・Ｈ，０は揮発物質が多く、初回の焼
成では若干ポーラスになる。、それ故、ＬｉＨＣＯＯ・
Ｈ２Ｏを単独で用いた場合は、密度の高い焼成体を得る
だめに、一度は再成形、再焼成をする必要がめる。。
そこで、Ｌｉ、 Ｃｏ、とＬｉＨＣＯＯ−Ｈ２Ｏとを適
当な混合比で混合して用いると、Ｌｉａｃｏｏ・Ｈ２Ｏ
が焼成時に融剤的作用をなし、１回の成形で密度の高い
焼成体が得られる。、その場合の両者の混合比率は、Ｌ
１ｃＯｓ ７５〜９０（重量）チ、 ＬｉＨＣＯＯ・
Ｈ，０２５〜１０（重′！ｋ）チでるることが好ましい
、、これよりＬｉＨＣＯＯ・Ｈ２Ｏの比率が増えると１
回の成形では密度の高いものが得られず、またこれより
少いと効果がない、。
当な混合比で混合して用いると、Ｌｉａｃｏｏ・Ｈ２Ｏ
が焼成時に融剤的作用をなし、１回の成形で密度の高い
焼成体が得られる。、その場合の両者の混合比率は、Ｌ
１ｃＯｓ ７５〜９０（重量）チ、 ＬｉＨＣＯＯ・
Ｈ，０２５〜１０（重′！ｋ）チでるることが好ましい
、、これよりＬｉＨＣＯＯ・Ｈ２Ｏの比率が増えると１
回の成形では密度の高いものが得られず、またこれより
少いと効果がない、。
ヌ、出発原料のＴｔ源２してＴ ｔ ｏ！のみを用いる
理由は、前述のＬｉ源と混合、成形、焼成した場合に均
一性、結晶性ともにすぐれた焼成体が得られるからであ
る。ｌ 〔作 用〕 以上説明したように、本発明にお−てはＬ’ｌ＋ｚ Ｔ
ｉｔ−Ｘ ０４ （０＜ｘ ＜１／３ ）の出発原料と
ＬテＴｉＯ，とＬｉＨＣＯＯ−Ｈ２ＯもＬ＜ｔｌＴｉｏ
ｔとＬｉＨＣＯＯ・Ｈ，０とＬｉ、ＣＯ，を用いること
により、従来技術においては成形を繰返し数回行わなけ
れば密度の高い焼成体が得られず、また均質性にも欠け
ていたものを改善し、Ｌｉ源としてＬｉＨＣＯＯ−Ｈ，
０のみを用−た場合でも１回程度の再成形、再焼成で、
密度が高くしかも均質な焼成体が得られ、Ｌｉ源として
ＬｉＣ０，とＬｉＨＣＯＯ−Ｈ２Ｏを上記の比率即ちＬ
ｉＣＯ３７５〜９ｏ （重量） Ｓ ％ＬｉＨＣＯＯ−
Ｈｔ Ｏ２５〜１０（重′Ｊｔ）％の混合比率で用いた
場合は、再成形、再焼成を必要としないで密度が高くし
かも均質な焼成体が得られる１、添付図面はＸの値とＨ
！の流速（バラノータ）と焼成時間の関係を示すグラフ
でるり、横軸は”Ｉ＋Ｘ ’ｒｔ、、 ｚ ０４におけ
るＸの値を示し、出発原料の混合比が作成条件と合わな
い場合は、第２相（Ｔｉｎ ０２ｎ−＋ ： Ｌｉ ）
ができるか、もしくはＬｉ酸化物は揮散する。。
理由は、前述のＬｉ源と混合、成形、焼成した場合に均
一性、結晶性ともにすぐれた焼成体が得られるからであ
る。ｌ 〔作 用〕 以上説明したように、本発明にお−てはＬ’ｌ＋ｚ Ｔ
ｉｔ−Ｘ ０４ （０＜ｘ ＜１／３ ）の出発原料と
ＬテＴｉＯ，とＬｉＨＣＯＯ−Ｈ２ＯもＬ＜ｔｌＴｉｏ
ｔとＬｉＨＣＯＯ・Ｈ，０とＬｉ、ＣＯ，を用いること
により、従来技術においては成形を繰返し数回行わなけ
れば密度の高い焼成体が得られず、また均質性にも欠け
ていたものを改善し、Ｌｉ源としてＬｉＨＣＯＯ−Ｈ，
０のみを用−た場合でも１回程度の再成形、再焼成で、
密度が高くしかも均質な焼成体が得られ、Ｌｉ源として
ＬｉＣ０，とＬｉＨＣＯＯ−Ｈ２Ｏを上記の比率即ちＬ
ｉＣＯ３７５〜９ｏ （重量） Ｓ ％ＬｉＨＣＯＯ−
Ｈｔ Ｏ２５〜１０（重′Ｊｔ）％の混合比率で用いた
場合は、再成形、再焼成を必要としないで密度が高くし
かも均質な焼成体が得られる１、添付図面はＸの値とＨ
！の流速（バラノータ）と焼成時間の関係を示すグラフ
でるり、横軸は”Ｉ＋Ｘ ’ｒｔ、、 ｚ ０４におけ
るＸの値を示し、出発原料の混合比が作成条件と合わな
い場合は、第２相（Ｔｉｎ ０２ｎ−＋ ： Ｌｉ ）
ができるか、もしくはＬｉ酸化物は揮散する。。
〔発明の実施例〕
次に、本発明の実施例を示す、。
（１）出発原料：
（１１）成形：加圧プレス（３ｔ／、：、Ｊ） 、
１８ψｘ１ｔＯｉＤ焼成： （水素ガス流速０．１〜０
．５ ｃｍ ／５ｅｅ） ８６０℃±３０℃焼成時間は
添付図面通シ 上記の工程により一度の焼成で、Ｌｔ、＋ｘ Ｔｉｔ−
ＸＯ４、（Ｏくｘく１／３）の充分な高密段でしかも均
質なものが得られた。。
１８ψｘ１ｔＯｉＤ焼成： （水素ガス流速０．１〜０
．５ ｃｍ ／５ｅｅ） ８６０℃±３０℃焼成時間は
添付図面通シ 上記の工程により一度の焼成で、Ｌｔ、＋ｘ Ｔｉｔ−
ＸＯ４、（Ｏくｘく１／３）の充分な高密段でしかも均
質なものが得られた。。
本発明においてに、出発原料として焼成時に融液となる
物質を選択したことにより、反応効率が良くなり、かつ
均質性を向上きせることができた、。
物質を選択したことにより、反応効率が良くなり、かつ
均質性を向上きせることができた、。
又、その結果製造工程が簡略化できた１１ざらにＴｉ源
としてＴｉ０１のみを用いるので、その特性でめる良結
晶性が焼成体でろるＬｉｌ＋Ｘ Ｔｌｚ−Ｘ。。
としてＴｉ０１のみを用いるので、その特性でめる良結
晶性が焼成体でろるＬｉｌ＋Ｘ Ｔｌｚ−Ｘ。。
（Ｏ＜ｘ＜：１１５）の結晶性に好結果をもたらす、。
図はＸ値と馬の流速と焼成時間の関係を示すグラフでる
る、。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 ４Ｌ
る、。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 ４Ｌ
Claims (3)
- （１）ＴｉＯ＿２とＬｉＨＣＯＯ・Ｈ＿２Ｏを混合し、
成形焼成してなることを特徴とするリチウム・チタン酸
化物の製造法。 - （２）ＴｉＯ＿２とＬｉＨＣＯＯ・Ｈ＿２ＯおよびＬｉ
＿２ＣＯ＿３を混合し、成形焼成してなることを特徴と
するリチウム・チタン酸化物の製造法。 - （３）前記ＬｉＨＣＯＯ・Ｈ＿２ＯとＬｉ＿２ＣＯ＿３
の配合比が２５〜１０：７５〜９０（重量）％であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のリチウム・
チタン酸化物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164754A JPS6143401A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リチウム・チタン酸化物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164754A JPS6143401A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リチウム・チタン酸化物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143401A true JPS6143401A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15799282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164754A Pending JPS6143401A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | リチウム・チタン酸化物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032494A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Chuo University | 炭酸ガス吸収材、炭酸ガス吸収材の製造方法、炭酸ガス吸収方法、および炭酸ガス吸収装置 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59164754A patent/JPS6143401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032494A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Chuo University | 炭酸ガス吸収材、炭酸ガス吸収材の製造方法、炭酸ガス吸収方法、および炭酸ガス吸収装置 |
| US7828879B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-11-09 | Chuo University | Carbon dioxide absorbing material, method for producing carbon dioxide absorbing material, method for absorbing carbon dioxide, and apparatus for absorbing carbon dioxide |
| JP5231016B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2013-07-10 | 学校法人 中央大学 | 炭酸ガス吸収材、炭酸ガス吸収材の製造方法、炭酸ガス吸収方法、および炭酸ガス吸収装置 |
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