JPS6142890B2 - - Google Patents

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JPS6142890B2
JPS6142890B2 JP52084241A JP8424177A JPS6142890B2 JP S6142890 B2 JPS6142890 B2 JP S6142890B2 JP 52084241 A JP52084241 A JP 52084241A JP 8424177 A JP8424177 A JP 8424177A JP S6142890 B2 JPS6142890 B2 JP S6142890B2
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JP
Japan
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signal
differential pair
limiter
amplifier
transistor
Prior art date
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Application number
JP52084241A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5419638A (en
Inventor
Koichi Hirose
Akira Shibata
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5419638A publication Critical patent/JPS5419638A/en
Publication of JPS6142890B2 publication Critical patent/JPS6142890B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H03G11/002Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general without controlling loop

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路化に適したリミツタ増幅器に
関するのであり、特に磁気記録再生装置の反転現
象を防止することが好適なリミツタ増幅器に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a limiter amplifier suitable for integration into an integrated circuit, and particularly to a limiter amplifier suitable for preventing reversal phenomena in magnetic recording and reproducing devices.

以下、磁気記録再生装置として家庭用VTRを
例にして説明する。
Hereinafter, a home VTR will be explained as an example of a magnetic recording/reproducing device.

低搬送波FM信号を用いた家庭用VTRにおいて
は、再生FM信号のFMキヤリアのレベルに対し
て下側帯波のレベルの方が大きくなり、リミツタ
回路を通る事で下側帯波がキヤリアとなるいわゆ
る反転現象を防止する回路として第1図に示す回
路がある。ここで問題となるのは、第1図の構成
であるとローパスフイルタとハイパスフイルタが
必要であるため集積化しにくく、集積化でできて
も周辺部品が多くなつてしまうという欠点をもつ
事である。
In a home VTR that uses a low carrier wave FM signal, the level of the lower sideband wave is higher than the level of the FM carrier of the reproduced FM signal, and when it passes through a limiter circuit, the lower sideband wave becomes the carrier, so-called inversion. There is a circuit shown in FIG. 1 as a circuit for preventing this phenomenon. The problem here is that the configuration shown in Figure 1 requires a low-pass filter and a high-pass filter, making it difficult to integrate, and even if it can be integrated, it has the disadvantage of requiring a large number of peripheral components. .

下側帯波とキヤリアのレベルが逆転するのは、
テープ上のゴミなどに代表されるテープとヘツド
間に空間を生じる事からおこるスペーシグロスに
よるものと思われるが、スペーシングロスは波長
が短かいほど大きくなるため現在のような短波長
記録においては反転現象がおこりやすい状況にあ
る。
The level of the lower sideband wave and carrier are reversed because
This is thought to be due to spacing loss caused by a space between the tape and the head, such as dust on the tape, but since spacing loss increases as the wavelength becomes shorter, it is reversed in current short wavelength recording. The situation is such that the phenomenon is likely to occur.

第1図に示した回路は、いわゆるダブルリミツ
タと呼ばれるもので、スペーシングロス発生時に
おける再生FMレベルの低下に着目したものであ
る。
The circuit shown in FIG. 1 is a so-called double limiter, and focuses on the reduction in the reproduced FM level when a spacing loss occurs.

第1図および第2図を使つて原理を簡単に説明
すると、上記スペーシングロスにより入力端子1
に入る再生FM信号レベルが低下し、下側帯波レ
ベルがキヤリアより大きくなつた場合、この信号
は第2図8Hに示した特性のハイパスフイルタ2
を通る事で下側帯波がキヤリアより小さいレベル
に戻され1リミツタ3で反転する事なく加算器4
に導かれる。この信号のレベルはリミツタで振幅
制限されているので正常時と同じになる。一方入
力端子1の信号は第2図8Lの特性のローパスフ
イルタ5を通り、入力レベルの低下に応じた大き
さでキヤリアより下側帯波レベルの方が大きい
FM信号となり加算器4に導かれる。この信号は
前記第1リミツタ出力信号に比べ小さいため、第
1リミツタ出力信号が支配的となり、二つの信号
が加算された後もキヤリアレベルの方が下側帯波
より大きいFM波となり続く第2リミツタ6を通
つても反転を生じないところが前述の如く、この
回路はローパスフイルタとハイパスフイルタが必
要であるため集積化しにくく、集積化できても周
辺部品が多くなるという欠点をもつている。
To briefly explain the principle using Fig. 1 and Fig. 2, due to the above spacing loss, the input terminal 1
When the input reproduced FM signal level decreases and the lower sideband level becomes higher than the carrier, this signal is passed through the high pass filter 2 with the characteristics shown in Figure 2 8H.
By passing through the lower sideband, the lower sideband wave is returned to a level lower than the carrier, and is passed through the adder 4 without being inverted by the limiter 3.
guided by. The level of this signal is amplitude limited by a limiter, so it will be the same as during normal operation. On the other hand, the signal at the input terminal 1 passes through the low-pass filter 5 with the characteristics shown in Fig. 2, 8L, and the lower sideband level is larger than that of the carrier, with the magnitude corresponding to the decrease in the input level.
It becomes an FM signal and is guided to adder 4. Since this signal is smaller than the first limiter output signal, the first limiter output signal becomes dominant, and even after the two signals are added, the carrier level becomes a larger FM wave than the lower sideband wave, and the second limiter continues. As mentioned above, this circuit requires a low-pass filter and a high-pass filter, so it is difficult to integrate, and even if it can be integrated, it has the drawback of requiring a large number of peripheral components.

一方簡単な回路構成で同じ反転防止用回路とし
て第3図に示すものもある。この回路はトランジ
スタ10で電圧増幅し、出力をダイオード14,
15でクリツクするリミツタ増幅器である、特徴
はトランジスタ10のコレクタの負荷として抵抗
器11と並列にコイル12を接続しハイパスフイ
ルタを構成した事である。通常はダイオード1
4,15がオンするように入力端子9の信号レベ
ルを設定するため、出力端子16に得られる信号
は振幅制限を受け一定電圧となる。上記スペーシ
ングロスが発生し、入力端子9に加わる下帯帯波
とキヤリアのレベルが反転しダイオード14,1
5がカツトオフするレベルになると、抵抗器11
とコイル12で構成されるハイパスフイルタの周
波数特性の出力が得られるため、下側帯波が抑圧
されキヤリヤレベルより小さくなり、出力端子1
6の信号を次のリミツタに入力しても反転する事
がない。ところが第3図に示した回路は集積回路
向きでなく、集積回路では一般に差動増幅器をリ
ミツタ増幅器として使用している。第4図にその
一例を示す。
On the other hand, there is also a similar inversion prevention circuit with a simpler circuit configuration as shown in FIG. This circuit amplifies the voltage with a transistor 10, and outputs the voltage with a diode 14,
This is a limiter amplifier that clicks at 15. The feature is that a coil 12 is connected in parallel with a resistor 11 as a load on the collector of a transistor 10 to form a high-pass filter. Usually diode 1
Since the signal level of the input terminal 9 is set so that the output terminals 4 and 15 are turned on, the signal obtained at the output terminal 16 is limited in amplitude and becomes a constant voltage. The above spacing loss occurs, and the levels of the lower band wave and carrier applied to the input terminal 9 are reversed, and the diodes 14 and 1
5 reaches the cut-off level, resistor 11
Since the output with the frequency characteristics of the high-pass filter consisting of the
Even if the signal No. 6 is input to the next limiter, it will not be inverted. However, the circuit shown in FIG. 3 is not suitable for integrated circuits, and integrated circuits generally use a differential amplifier as a limiter amplifier. An example is shown in FIG.

トランジスタ18a、とトランジスタ18bは
差動対をなすトランジスタで、両トランジスタの
エミツタは互いに接続され、定電流源19に結合
されている。トランジスタ18aのコレクタは抵
抗器20を介して電圧源に接続され、トランジス
タ18bのコレクタは抵抗器21を介して同一電
圧源に接続れている。
The transistors 18a and 18b are a differential pair of transistors, and the emitters of both transistors are connected to each other and coupled to a constant current source 19. The collector of transistor 18a is connected to a voltage source through a resistor 20, and the collector of transistor 18b is connected to the same voltage source through a resistor 21.

トランジスタ18aとトランジスタ18bのコ
レクタには互いに逆方向にダイオード22,23
が接続されており、このダイオードがクリツピン
グダイオードとして動作し、出力端子24a,2
4bには一定振幅電圧が得られる。
Diodes 22 and 23 are connected to the collectors of the transistor 18a and the transistor 18b in opposite directions.
is connected, this diode operates as a clipping diode, and the output terminals 24a, 2
A constant amplitude voltage is obtained at 4b.

ところでVTRなどに用いられている低搬送波
FM信号用のリミツタ増幅器に要求される性能と
して2次高調波ひずみの問題がある。第4図に示
した差動増幅器によるリミツタ増幅器では一般に
第2次高調波歪が最小になる様に差動対トランジ
スタ188a,18bのベース17a,17bの
バイアス電圧の調整を行なつている。
By the way, the low carrier wave used in VTR etc.
One of the performance requirements for limiter amplifiers for FM signals is the problem of second-order harmonic distortion. In the limiter amplifier using the differential amplifier shown in FIG. 4, the bias voltages of the bases 17a and 17b of the differential pair transistors 188a and 18b are generally adjusted so that the second harmonic distortion is minimized.

この方法は調整に時間がかかるという問題があ
る。無調整で第2次高調波歪を小さくする方法と
して、差動対トランジスタのコレクタ電位を強制
的に等しくする方法がある。これは両コレクタす
なわちダイオードの両端を外部端子25a,25
bとして出し、この両端に直流的には短絡となり
交流的には無視しうる程度の大きなインピーダン
スを持つ、インダクタンスの大きいコイル26を
接続する事により達成できる。ところがこの方法
では第2次高調波歪は無調整となるが、集積回路
の外付け用ピンが2個必要な事からそれほど用い
られていないのが実状である 従来のこの種のリミツタ増幅器は反転防止効果
をもたせるよう設計されているものはなく、ただ
第2次高調波歪の発生防止だけを狙いとしてお
り、反転防止効果を狙う場合は第1図の様な構成
を必要としている。
This method has the problem that adjustment takes time. As a method of reducing second harmonic distortion without adjustment, there is a method of forcibly equalizing the collector potentials of differential pair transistors. This connects both collectors, that is, both ends of the diode to external terminals 25a and 25.
This can be achieved by connecting a large inductance coil 26, which is short-circuited in direct current and has negligible impedance in alternating current, to both ends. However, although this method does not require adjustment of the second harmonic distortion, it is not often used because it requires two external pins for the integrated circuit.Conventional limiter amplifiers of this type are inverted. There is nothing designed to have a prevention effect, but only to prevent the occurrence of second-order harmonic distortion, and if you want to have an inversion prevention effect, you need a configuration like the one shown in Figure 1.

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、第2次高調波ひずみに対して無調整でかつ
反転防止効果をもつ集積回路向きリミツタ増幅器
を提供する事にある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a limiter amplifier for integrated circuits that does not require adjustment for second harmonic distortion and has an anti-inversion effect.

本発明の特徴は、差動増幅器を用いたリミツタ
増幅器の差動対トランジスタの両コネクタにコイ
ルを接続し、第2次高調波ひずみに対して無調整
とし、上記スペーシングロスにより入力レベルが
低下しダイオードがカツトオフし順方向抵抗がが
大きくなつた時負荷抵抗とコイルからなるハイパ
スフイルタを構成するよう上記コイルのインダク
タンスを小さくし反転防止効果をもたせた事であ
る。
A feature of the present invention is that a coil is connected to both connectors of the differential pair transistor of a limiter amplifier using a differential amplifier, and no adjustment is made for second harmonic distortion, so that the input level is reduced due to the above spacing loss. When the diode is cut off and the forward resistance increases, the inductance of the coil is reduced to form a high-pass filter consisting of the load resistor and the coil, thereby providing a reversal prevention effect.

以下本発明の実施例を説明する。第5図は本発
明の第1の実施例を示す回路図である。トランジ
スタ29a,29bは差動対をなすトランジスタ
で両エミツタはトランジスタ34および抵抗器3
5からなる定電流源回路に接続されている。36
と37は差動対トランジスタ29a,29bのベ
ースバイアス用抵抗器でありトランジスタ43の
エミツタに接続されている。
Examples of the present invention will be described below. FIG. 5 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. Transistors 29a and 29b form a differential pair, and both emitters are connected to transistor 34 and resistor 3.
It is connected to a constant current source circuit consisting of 5. 36
and 37 are base bias resistors of the differential pair transistors 29a and 29b, and are connected to the emitter of the transistor 43.

差動対トランジスタのコレクタにはそれぞれ抵
抗値の等しい抵抗器30,31が電圧源となるト
ランジスタ42のエミツタに接続されると共に、
両コレクタ間には互いに逆方向のダイオード3
2,33が接続されている。そして両コレクタは
外部端子46a,46bとして出され、直流電位
を等しくするためのコイル47が接続されており
第2次高調波ひずみは無調整化できる。抵抗器3
8,39,40,41,45とトランジスタ4
2,43,44は定電圧源を構成している。再生
FM信号はコンデンサ27を介して入力端子28
に印加され、出力は出力端子48a,48bから
取り出され次段のリミツタに供給される。差動ト
ランジスタの出力側の交流等価回路第6図の様に
なる。図中i0はi0=νigmで表わされ、νiは差
動増幅器の入力電圧、gmは差動トランジスタの
相互コンダクタンスである。RLはトランジスタ
の負荷抵抗であり、第5図の30,31に相当
し、Lはコイル47のインダクタンスを表わし
D1,D2はダイオード32,33を示す。ダイオ
オードD1,D2がオンする様な十分大きい電圧の
場合は出力電圧νはVは(Vダイオードの
順方向電圧)の一定振幅となる。通常は上記の様
に入力電圧を設定しておく。今スペーシングロス
が発生してキヤリアレベルが低下し、下側帯波レ
ベルとキヤリアレベルが反転した場合すなわ第7
図に示すリミツタ入出力特性の入力電圧が通常入
力レベルのνi1からνi2に低下しリミツタ動作を
しなくなつた場合を考える。ダイオードD1,D2
の順方向抵抗をγdとすると出力回路は c=(2Rγd/2πL ……(1) で示されるカツトオフ周波数のハイパスフイルタ
となる。ダイオードの順方出抵抗γdが負荷抵抗
Lより十分大きくなると最終的には c=R/πL ……(2) のカツトオフ周波数となる。入力レベルが小さく
なるほどダイオード順方向抵抗γdは大きくな
り、ハイパスフイルタの特性は第8図に示す様に
カツトオフ周波数は大きくなるためハイパス効果
が大きくなる。従つてR/πLをキヤリア周波数付近 に選んでおくと、入力レベル低下にともない、キ
ヤリアレベルに対して大きくなりすぎた下側帯波
レベルを抑圧する効果も大きくなり、下側帯波は
キヤリアレベルより小さくなり正常のFM構成波
に戻る。この出力を次段のリミツタに入力してや
つても反転を生じない。カツトオフ周波数を高く
しすぎると正常時の入力電圧あるいは差動トラン
ジスタの相互コンダクタンスを大きくする必要が
あり好ましくなく、また低くしすぎると下側帯波
抑圧の効果がなくなる。カツトオフ周波数はキヤ
リア周波数付近に選ぶのが良い。たとえばRL
500Ωとし、c=4MHzとするとL=39μH程度
のインダクタンスとなる。実施例にはシングル入
力で示したが差動入力でも可能である。
Resistors 30 and 31 having the same resistance value are connected to the collectors of the differential pair transistors, respectively, and to the emitter of a transistor 42 serving as a voltage source.
Diodes 3 with opposite directions are connected between both collectors.
2 and 33 are connected. Both collectors are output as external terminals 46a and 46b, and a coil 47 for equalizing the DC potential is connected, so that second harmonic distortion can be eliminated without adjustment. Resistor 3
8, 39, 40, 41, 45 and transistor 4
2, 43, and 44 constitute constant voltage sources. reproduction
The FM signal is input to input terminal 28 via capacitor 27.
The output is taken out from output terminals 48a and 48b and supplied to the next stage limiter. The AC equivalent circuit on the output side of the differential transistor is shown in Figure 6. In the figure, i0 is expressed as i0=νigm, where νi is the input voltage of the differential amplifier, and gm is the mutual conductance of the differential transistor. R L is the load resistance of the transistor, which corresponds to 30 and 31 in Fig. 5, and L represents the inductance of the coil 47.
D 1 and D 2 indicate diodes 32 and 33. When the voltage is sufficiently large to turn on the diodes D 1 and D 2 , the output voltage ν 0 has a constant amplitude of V (forward voltage of the V diode). Normally, set the input voltage as shown above. If a spacing loss occurs and the carrier level decreases, and the lower side band level and carrier level are reversed, that is, the 7th
Consider the case where the input voltage of the limiter input/output characteristics shown in the figure drops from the normal input level νi 1 to νi 2 and the limiter no longer operates. Diode D1 , D2
Letting the forward resistance of γd be, the output circuit becomes a high-pass filter with a cut-off frequency expressed as c=(2R L γd/2πL...(1).The forward output resistance γd of the diode is sufficiently larger than the load resistance RL . Then, the cutoff frequency is finally c=R L /πL (2).The smaller the input level, the larger the diode forward resistance γd, and the characteristics of the high-pass filter are as shown in Figure 8, at the cutoff frequency. becomes larger, resulting in a larger high-pass effect.Therefore, by selecting R L /πL near the carrier frequency, as the input level decreases, the lower sideband level that becomes too large relative to the carrier level can be suppressed. The lower sideband wave becomes smaller than the carrier level and returns to the normal FM configuration wave.Even if this output is input to the next stage limiter, no inversion will occur.If the cutoff frequency is set too high, the normal input It is undesirable to increase the voltage or mutual conductance of the differential transistor, and if it is too low, the lower sideband suppression effect will be lost.The cutoff frequency should be selected near the carrier frequency.For example, R L =
If it is 500Ω and c=4MHz, the inductance will be about L=39μH. Although a single input is shown in the embodiment, differential input is also possible.

第5図に示した第1の実施例では負荷抵抗3
0,31を集積回路内抵抗にて構成しているた
め、抵抗値がばらついた場合、上記(2)式のカツト
オフ周波数がばらつくが、この抵抗値は調整が困
難であるため、ばらつきが大きいと十分な反転防
止効果が期待できなくなる事も考えられる。
In the first embodiment shown in FIG.
0 and 31 are constructed with resistors in the integrated circuit, so if the resistance value varies, the cutoff frequency in equation (2) above will vary, but since it is difficult to adjust this resistance value, if the variation is large, the cutoff frequency will vary. It is also conceivable that a sufficient reversal prevention effect cannot be expected.

第9図は上記欠点を改良した第2の実施例であ
る。第1の実施例と異なる点は、外部端子46
a,46bに接続するコイル47と並列に抵抗器
49を接続した事である。そして、抵抗器30,
31に対して抵抗器49の抵抗値を十分小さくす
るとハイパスフイルタのカツトオフ周波数を決定
する抵抗値は外付抵抗器49の抵抗値となる。従
つて集積回路内に構成した抵抗器30,31の抵
抗値によらず、ハイパスフイルタのカツトオフ周
波数は c=R/2πL ……(3) R0:外付抵抗値 で示され、外付け素子の値により決まつてしまう
ため、ばらつきは非常に小さくなる。
FIG. 9 shows a second embodiment that improves the above drawbacks. The difference from the first embodiment is that the external terminal 46
A resistor 49 is connected in parallel with the coil 47 connected to terminals a and 46b. And resistor 30,
If the resistance value of the resistor 49 is made sufficiently smaller than that of the external resistor 31, the resistance value that determines the cut-off frequency of the high-pass filter becomes the resistance value of the external resistor 49. Therefore, regardless of the resistance values of the resistors 30 and 31 configured in the integrated circuit, the cut-off frequency of the high-pass filter is c=R 0 /2πL...(3) R 0 : Indicated by the external resistance value, Since it is determined by the element value, the variation becomes very small.

第10図はカツトオフ周波数のばらつきを小さ
くおさえる本発明の第3の実施例である。第5図
に示した第1の実施例と異なる点は、差動対トラ
ンジスタ29a,29bのコレクタ負荷抵抗3
0,31を、上記差動対トランジスタとは逆極性
のトランジスタからなる定電流源用トランジスタ
54a,54bでおきかえ、上記差動対トランジ
スタの両コレクタを外部端子46a,46bとし
て出し、該2端子を上記差動対トランジスタの負
荷抵抗となる等しい抵抗器50,51を介して接
地すると共に該両端子にコイル47を接続した事
である。差動対トランジスタの交流等価回路は第
6図で示した第1の実施例の回路と同じになる。
従つて、ハイパスフイルタのカツトオフ周波数は
(2)式で示される。(2)式中のRLとLの値は外付け
素子を用いるため精度が良く、カツトオフ周波数
のばらつきを小さくする事ができる。
FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention in which variation in cutoff frequency is suppressed to a small level. The difference from the first embodiment shown in FIG. 5 is that the collector load resistance 3 of the differential pair transistors 29a and 29b is
0 and 31 are replaced with constant current source transistors 54a and 54b, which are transistors with opposite polarity to the differential pair transistors, and both collectors of the differential pair transistors are brought out as external terminals 46a and 46b, and the two terminals are connected. The differential pair transistors are grounded via equal resistors 50 and 51 which serve as load resistances, and a coil 47 is connected to both terminals. The AC equivalent circuit of the differential pair transistors is the same as the circuit of the first embodiment shown in FIG.
Therefore, the cutoff frequency of the high pass filter is
It is shown by equation (2). The values of R L and L in equation (2) have good accuracy because external elements are used, and variations in the cutoff frequency can be reduced.

上記した様に差動増幅器とクリツピングダイオ
ードを用いるリミツタ増幅器において、差動対ト
ランジスタの両コレクタを外部端子として出し比
較的小さいインダクタンスのコイルを接続する事
により、第2次高調波ひずみを無調整化できると
共に、非常に少ない素子数で反転防止効果をもつ
集積回路向きリミツタ増幅器を構成できる。また
第2,第3の実施例で述べた構成にする事によ
り、外付け素子のみでハイパスフイルタを構成す
る事ができるため、カツトオフ周波数ばらつきを
小さくできる。
As mentioned above, in a limiter amplifier that uses a differential amplifier and a clipping diode, by connecting both collectors of the differential pair transistor as external terminals and connecting a coil with relatively small inductance, the second harmonic distortion can be eliminated without adjustment. In addition, it is possible to construct a limiter amplifier for integrated circuits that has an anti-inversion effect with a very small number of elements. Further, by using the configurations described in the second and third embodiments, it is possible to configure a high-pass filter using only external elements, so that variations in cutoff frequency can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の反転防止回路のブロツク図、第
2図は第1図のフイルタの特性図、第3図は従来
の反転防止効果をもつリミツタ増幅器の回路図、
第4図は差動増幅器による従来のリミツタ増幅器
の回路図、第5図は本発明によるリミツタ増幅器
の第1の実施例を示す回路図、第6図は第5図の
反転防止効果を説明する出力側交流等価回路図、
第7図は第5図の入出力特性曲線図、第8図は第
5図の入力レベルと周波数特性の説明のための周
波数特性曲線図、第9図は本発明のリミツタ増幅
器の第2の実施例を示す回路図、第10図は本発
明のリミツタ増幅器の第3の実施例を示す回路図
である。 2:ハイパスフイルタ、3:第1リミツタ、
4:加算器、5:ローパスフイルタ、6:第2リ
ミツタ、11:抵抗器、12:コイル、14:ダ
イオード、15:ダイオード、25a:外部端
子、25b:外部端子、26:コイル、29a:
トランジスタ、29b:トランジスタ、30:抵
抗器、31:抵抗器、47:コイル、49:抵抗
器、50:抵抗器、51:抵抗器、54a:トラ
ンジスタ、54b:トランジスタ。
Fig. 1 is a block diagram of a conventional inversion prevention circuit, Fig. 2 is a characteristic diagram of the filter shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a circuit diagram of a conventional limiter amplifier having an inversion prevention effect.
Fig. 4 is a circuit diagram of a conventional limiter amplifier using a differential amplifier, Fig. 5 is a circuit diagram showing a first embodiment of a limiter amplifier according to the present invention, and Fig. 6 explains the inversion prevention effect of Fig. 5. Output side AC equivalent circuit diagram,
7 is an input/output characteristic curve diagram of FIG. 5, FIG. 8 is a frequency characteristic curve diagram for explaining the input level and frequency characteristics of FIG. 5, and FIG. 9 is a diagram of the second limiter amplifier of the present invention. FIG. 10 is a circuit diagram showing a third embodiment of the limiter amplifier of the present invention. 2: High pass filter, 3: First limiter,
4: Adder, 5: Low-pass filter, 6: Second limiter, 11: Resistor, 12: Coil, 14: Diode, 15: Diode, 25a: External terminal, 25b: External terminal, 26: Coil, 29a:
Transistor, 29b: Transistor, 30: Resistor, 31: Resistor, 47: Coil, 49: Resistor, 50: Resistor, 51: Resistor, 54a: Transistor, 54b: Transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 低搬送波FM信号を振幅制限し、差動増幅器
を用いたリミツタ増幅器において、差動増幅器を
構成する差動対トランジスタと、この差動対トラ
ンジスタのコレクタにそれぞれ接続された負荷抵
抗と、この差動対トランジスタの二つのコレクタ
間に接続された互いに逆方向に並列接続されたダ
イオードと、この二つのコレクタ間に接続され、
上記負荷抵抗とでハイパスフイルタを構成するコ
イルとを備え、上記差動対トランジスタのベース
に低搬送波FM信号を印加し上記二つのコレクタ
間から振幅制限されたFM信号を取り出すととも
に、上記ベースに印加されるFM信号のレベルが
通常のレベルでは上記ダイオードがオンし、FM
信号のレベルが低下したときに上記ダイオードが
オフしてバイパスフイルタ特性となるように入力
FM信号のレベルを設定し、上記コイルと負荷抵
抗とで構成されるハイパスフイルタのカツトオフ
周波数を入力FM信号のキヤリア周波数付近に設
定したことを特徴とするリミツタ増幅器。 2 上記差動対トランジスタはそれぞれのコレク
タがそれぞれ接続された外部端子を有する集積回
路で構成され、上記コイルが上記外部端子に接続
された事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のリミツタ増幅器。 3 上記差動対トランジスタの負荷低抗が上記コ
イルが接続された上記外部端子に接続された抵抗
で構成された事を特徴とする特許請求の範囲第2
項記載のリミツタ増幅器。
[Scope of Claims] 1. In a limiter amplifier that limits the amplitude of a low-carrier FM signal and uses a differential amplifier, a differential pair of transistors constituting the differential amplifier and a transistor connected to the collector of this differential pair of transistors, respectively. A load resistor, diodes connected in parallel in opposite directions connected between the two collectors of this differential pair transistor, and connected between these two collectors,
and a coil that constitutes a high-pass filter with the load resistor, applies a low carrier wave FM signal to the base of the differential pair transistor, extracts the amplitude-limited FM signal from between the two collectors, and applies it to the base. When the level of the FM signal being received is normal, the above diode turns on and the FM
Input so that when the signal level drops, the above diode turns off and has bypass filter characteristics.
A limiter amplifier characterized in that the level of the FM signal is set, and the cut-off frequency of the high-pass filter composed of the coil and the load resistor is set near the carrier frequency of the input FM signal. 2. The limiter according to claim 1, wherein the differential pair transistors are constituted by an integrated circuit having respective collectors connected to external terminals, and the coils are connected to the external terminals. amplifier. 3. Claim 2, characterized in that the load resistor of the differential pair transistor is constituted by a resistor connected to the external terminal to which the coil is connected.
Limiter amplifier as described in section.
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