JPS6140A - 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 - Google Patents
光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6140A JPS6140A JP59119154A JP11915484A JPS6140A JP S6140 A JPS6140 A JP S6140A JP 59119154 A JP59119154 A JP 59119154A JP 11915484 A JP11915484 A JP 11915484A JP S6140 A JPS6140 A JP S6140A
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- bromide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本□発明は光反応によってα−テトラロン誘導体゛
を製造する新規な製造方法に関する。
を製造する新規な製造方法に関する。
ａ−テトラン誘導体の製法として知らｎているＪ、Ａｍ
、Ｏｈｅｍ、８ｏｃ、、 ７３ 、７８６（１９５１）
に記載さｎている方法では例えば下肥の反応式における
シス体（２）を合成するためにはシス配置をもった（１
） ｔ−出発原料として用いなけｎげならず、合成経路
が複雑であり また。 Ｊ、Ｏｒｇ、Ｏｈｅｍ、 、 ３７４８７ （
１９７２）に記載さｎている方法では下記のように（３
）と（４）の混合物しか得らｎなかった。
、Ｏｈｅｍ、８ｏｃ、、 ７３ 、７８６（１９５１）
に記載さｎている方法では例えば下肥の反応式における
シス体（２）を合成するためにはシス配置をもった（１
） ｔ−出発原料として用いなけｎげならず、合成経路
が複雑であり また。 Ｊ、Ｏｒｇ、Ｏｈｅｍ、 、 ３７４８７ （
１９７２）に記載さｎている方法では下記のように（３
）と（４）の混合物しか得らｎなかった。
ところで、本発明者らは種々の金属塩存在下の光反応に
ついて研究していたところトリフルオロメタンスルホン
酸銀（銀トリフラート）の存在下塩化フェナシル又は臭
化フェナシルと各種のオレフィンのアセトニトリル溶液
にノぞイレツクス透過光を１時間〜６時間照射したとこ
ろフェナシル基にオレフィンが付加かつ閉環してα−テ
トラロン誘導体が得らｎることを見出し本発明を完成す
るに至った。
ついて研究していたところトリフルオロメタンスルホン
酸銀（銀トリフラート）の存在下塩化フェナシル又は臭
化フェナシルと各種のオレフィンのアセトニトリル溶液
にノぞイレツクス透過光を１時間〜６時間照射したとこ
ろフェナシル基にオレフィンが付加かつ閉環してα−テ
トラロン誘導体が得らｎることを見出し本発明を完成す
るに至った。
すなわち、本発明は銀トリフラートの存在下塩化フェナ
シル又は臭化フェナシルとオレフィンのその反応機構と
しては下記の反応式によって示すように銀イオンの影響
により塩化フェナシルの電子受容能が高めらｎ１オレフ
インから塩化フェナシルへの１電子移動にエフ進行する
ものと考えらｎｌこの機構は臭化フェナシルの場合と全
く同様である。
シル又は臭化フェナシルとオレフィンのその反応機構と
しては下記の反応式によって示すように銀イオンの影響
により塩化フェナシルの電子受容能が高めらｎ１オレフ
インから塩化フェナシルへの１電子移動にエフ進行する
ものと考えらｎｌこの機構は臭化フェナシルの場合と全
く同様である。
収さ几、また、このように１段階で２つのＣ−０結合を
生成する点で合成反応としても特徴的である。
生成する点で合成反応としても特徴的である。
本発明で使用するオレフィンとしては炭素数３以上の鎖
状オレフィン、脂環式オレフィン等いず几でもよいが、
特に、１−オクテン、３−メチル−２−ブテン、２．３
−ジメチルブテン、ジメチルブテン、シクロヘキセン、
シクロオクテン、メチルヘキセン等が好適である。
状オレフィン、脂環式オレフィン等いず几でもよいが、
特に、１−オクテン、３−メチル−２−ブテン、２．３
−ジメチルブテン、ジメチルブテン、シクロヘキセン、
シクロオクテン、メチルヘキセン等が好適である。
ところで、本発明の光反応による特徴は先に述べた従来
法に比して高い位置選択性と立体選択性とを有し、例え
ば非対称オレフィンの場合テトラロン誘導体としては２
つの位置異性体が考えら几るが、本発明にあっては高い
位置選択性を示し。
法に比して高い位置選択性と立体選択性とを有し、例え
ば非対称オレフィンの場合テトラロン誘導体としては２
つの位置異性体が考えら几るが、本発明にあっては高い
位置選択性を示し。
４位置換のａ−テトラロン誘導体のみが得らｎ％また、
本発明の反応途中で析出する塩化鋼又は臭化銀は沈澱し
反応管の底部に凝固して反応物の光吸収金妨げることな
く反応はスムースに進行する等の効果を奏する。
本発明の反応途中で析出する塩化鋼又は臭化銀は沈澱し
反応管の底部に凝固して反応物の光吸収金妨げることな
く反応はスムースに進行する等の効果を奏する。
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。
実施例１゜
塩化フェナシル帆３１０ ？ （２ｍ ｍａｔ）、
１−オクテン０．３３７９ （３ｍ ｍｏｔ）、銀トリ
フラート０．５１４ ’？ （２ｍ ｍｏｔ） を２
０ ｒｒｔのアセトニトリルにとかし、パイレックス管
に入ｆＬ４５０Ｗ高圧水銀灯で１．７時間照射する。析
出ｌ−た固体を戸別し、減圧で溶媒を除去した後、クロ
ロホルムにとかし、１曹水、チオ硫酸ナトリウム水溶液
で洗滌し、有機層全無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
溶媒を減圧で除去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トＫＸｔ）精製し４−へキシル−α−テトラロン０．１
６４９を得た。確認手段はスペクトルデータによる。収
率は３６％である。
１−オクテン０．３３７９ （３ｍ ｍｏｔ）、銀トリ
フラート０．５１４ ’？ （２ｍ ｍｏｔ） を２
０ ｒｒｔのアセトニトリルにとかし、パイレックス管
に入ｆＬ４５０Ｗ高圧水銀灯で１．７時間照射する。析
出ｌ−た固体を戸別し、減圧で溶媒を除去した後、クロ
ロホルムにとかし、１曹水、チオ硫酸ナトリウム水溶液
で洗滌し、有機層全無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
溶媒を減圧で除去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トＫＸｔ）精製し４−へキシル−α−テトラロン０．１
６４９を得た。確認手段はスペクトルデータによる。収
率は３６％である。
同様の操作に１９各種オレフィンに対して得らｎたａ−
テトラロン誘導体を示すと第１表のとおりであった。
テトラロン誘導体を示すと第１表のとおりであった。
第１表 ａ−テトラロン誘導体の収率
手続補正書
昭和５９年７月ｃ４日
Claims (1)
- トリフルオロメタンスルホン酸塩の存在下、塩化フェナ
シル又は臭化フェナシルと各種オレフィンのアセトニト
リル溶液にパイレックス透過光を照射することによりａ
−テトラロン誘導体を製造することを特徴とするａ−テ
トラロン誘導体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119154A JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119154A JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140A true JPS6140A (ja) | 1986-01-06 |
| JPH0229059B2 JPH0229059B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=14754255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119154A Granted JPS6140A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光反応によるα−テトラロン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4636280A (en) * | 1983-08-23 | 1987-01-13 | Sumitomo Electric Ind., Ltd. | Method for the pretreatment of a substrate for ion implantation |
| JPS63149631A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Seikosha Co Ltd | プログラムシヤツタ |
| JP2009155273A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 環状ケトンの製造方法 |
| US9651712B2 (en) | 2011-10-18 | 2017-05-16 | Covestro Deutschland Ag | Polymer composition with heat-absorbing properties |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59119154A patent/JPS6140A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4636280A (en) * | 1983-08-23 | 1987-01-13 | Sumitomo Electric Ind., Ltd. | Method for the pretreatment of a substrate for ion implantation |
| JPS63149631A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Seikosha Co Ltd | プログラムシヤツタ |
| JP2009155273A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 環状ケトンの製造方法 |
| US9651712B2 (en) | 2011-10-18 | 2017-05-16 | Covestro Deutschland Ag | Polymer composition with heat-absorbing properties |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0229059B2 (ja) | 1990-06-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |