JPS6138913Y2 - - Google Patents
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- JPS6138913Y2 JPS6138913Y2 JP11612683U JP11612683U JPS6138913Y2 JP S6138913 Y2 JPS6138913 Y2 JP S6138913Y2 JP 11612683 U JP11612683 U JP 11612683U JP 11612683 U JP11612683 U JP 11612683U JP S6138913 Y2 JPS6138913 Y2 JP S6138913Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turntable
- wafer
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 14
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、ウエハ上に気相成長をさせる気相成
長装置に関する。[Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention relates to a vapor phase growth apparatus for performing vapor phase growth on a wafer.
(ロ) 従来技術
第１図及び第２図は、従来の気相成長装置の縦
断面図及びＡ−Ａ断面図である。図において、１
はウエハ８を塔載するターンテーブルで、その中
心部に取り付けられた中空の回転軸６によつて、
回転することができる。回転軸６の上端は、ター
ンテーブル１を貫いてインジエクトシールド２の
底板５に接続されている。インジエクトシールド
２は、底板５に３本の支柱３によつて整流板４が
取り付けられている。そして、反応ガス送り込み
パイプ７は回転軸６の下端に接続されており、反
応ガス送り込みパイプ７より回転軸６内に送り込
まれた反応ガスは、回転軸６の上端よりインジエ
クトシールド２内に噴出するようになつている。
またターンテーブル１の上方には、ターンテーブ
ル１と一定の間隔をおいて電極９が、またターン
テーブル１直下には、ウエハ８を加熱するための
ヒータ１０がそれぞれ設置されている。なお１１
は真空容器であつて、真空容器１１の側面には、
排気口１２が設けてある。また、回転軸６は接地
されており、一方前記電極９は図示するように高
周波電源１５に接続されている。(b) Prior Art FIGS. 1 and 2 are a longitudinal sectional view and an AA sectional view of a conventional vapor phase growth apparatus. In the figure, 1
is a turntable on which a wafer 8 is mounted, and a hollow rotating shaft 6 attached to the center allows
Can be rotated. The upper end of the rotating shaft 6 passes through the turntable 1 and is connected to the bottom plate 5 of the injection shield 2. In the injection shield 2, a rectifying plate 4 is attached to a bottom plate 5 by three pillars 3. The reactive gas feed pipe 7 is connected to the lower end of the rotating shaft 6, and the reactive gas fed into the rotating shaft 6 from the reactive gas feed pipe 7 is ejected into the injection shield 2 from the upper end of the rotating shaft 6. I'm starting to do that.
Further, an electrode 9 is installed above the turntable 1 at a constant distance from the turntable 1, and a heater 10 for heating the wafer 8 is installed directly below the turntable 1. Note 11
is a vacuum container, and on the side of the vacuum container 11,
An exhaust port 12 is provided. Further, the rotating shaft 6 is grounded, while the electrode 9 is connected to a high frequency power source 15 as shown.
ところが上記気相成長装置によれば、回転軸６
よりインジエクトシールド２内に送り込まれた反
応ガスは支柱３にさえぎられる結果、反応ガス密
度にむらが生じ、ウエハ８の表面に成長した薄膜
の膜厚にバラつきが生じるという欠点がある。ま
た整流板４とターンテーブル１は同時に回転する
ので、整流板４の取り付けが不正確である場合に
は、反応ガスの密度にむらを生じることにより、
ウエハ８の表面に成長する薄膜の膜厚にバラつき
が生じるという欠点もある。 However, according to the above vapor phase growth apparatus, the rotating shaft 6
The reactive gas sent into the injection shield 2 is obstructed by the pillars 3, resulting in unevenness in the density of the reactive gas, resulting in variations in the thickness of the thin film grown on the surface of the wafer 8. Furthermore, since the current plate 4 and the turntable 1 rotate at the same time, if the current plate 4 is installed incorrectly, the density of the reaction gas may become uneven.
Another drawback is that the thickness of the thin film grown on the surface of the wafer 8 varies.
(ハ) 目的
本考案は、ウエハ上に均一に気相成長させ得る
気相成長装置を提供することを目的としている。(c) Purpose The purpose of the present invention is to provide a vapor phase growth apparatus that can perform vapor phase growth uniformly on a wafer.
(ニ) 構成
本考案に係る気相成長装置は、ウエハを塔載し
たターンテーブルを回転させ、ターンテーブル中
央部より反応ガスを噴出させる気相成長装置にお
いて、電極中央部に絶縁物を介して整流板を取り
付けたことを特徴としている。(d) Configuration The vapor phase growth apparatus according to the present invention is a vapor phase growth apparatus in which a turntable on which a wafer is mounted is rotated, and a reaction gas is ejected from the center of the turntable. It is characterized by the installation of a rectifier plate.
(ホ) 実施例
第３図は、本考案に係る気相成長装置の一実施
例の縦断面図である。図において、第１図と同一
の名称のものには、同一の符号を付してある。第
３図においては、第１図の従来例におけるインジ
エクトシールド２は取り除かれ、電極９の中央部
には絶縁物１３を介して整流板１４が取り付けら
れている。(E) Embodiment FIG. 3 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the vapor phase growth apparatus according to the present invention. In the figure, parts with the same names as in FIG. 1 are given the same reference numerals. In FIG. 3, the injection shield 2 in the conventional example shown in FIG. 1 has been removed, and a rectifier plate 14 is attached to the center of the electrode 9 with an insulator 13 interposed therebetween.
次に、本考案にかかる気相成長装置の動作につ
いて説明する。ウエハ８を塔載したターンテーブ
ル１は、回転軸６によつて回転する。反応ガス送
り込みパイプ７より、回転軸６内に送り込まれた
反応ガスは、回転軸６の上端より整流板３に向か
つて噴出し、整流板により、電極９とターンテー
ブル１の間に散乱させられる。同時に電極９と、
ターンテーブル１の間には、高周波高電圧が印加
され、電極９間の反応ガスは電離し、プラズマ状
態となる。ターンテーブル１上にはウエハ８が塔
載されているので、このプラズマ状態の反応ガス
はウエハ８の表面に接触することになり、ウエハ
８の表面に薄膜が気相成長することになる。 Next, the operation of the vapor phase growth apparatus according to the present invention will be explained. A turntable 1 on which a wafer 8 is mounted is rotated by a rotating shaft 6. The reaction gas fed into the rotating shaft 6 from the reactive gas feed pipe 7 is ejected from the upper end of the rotating shaft 6 toward the rectifying plate 3, and is scattered between the electrode 9 and the turntable 1 by the rectifying plate. . At the same time, the electrode 9
A high frequency and high voltage is applied between the turntables 1, and the reaction gas between the electrodes 9 is ionized and becomes a plasma state. Since the wafer 8 is mounted on the turntable 1, the reactive gas in the plasma state comes into contact with the surface of the wafer 8, and a thin film is grown on the surface of the wafer 8 in a vapor phase.
(ヘ) 効果
本考案に係る気相成長装置によれば、インジエ
クシヨンシールドの支柱がなく、また、整流板は
回転しないので、ターンテーブルと電極間の反応
ガス密度が均一になる結果、ウエハ上には、均一
な気相成長膜が得られる。(f) Effects According to the vapor phase growth apparatus according to the present invention, there is no support for the injection shield, and the current plate does not rotate, so the density of the reaction gas between the turntable and the electrodes becomes uniform, and as a result, the wafer A uniform vapor-phase grown film is obtained on top.
第１図及び第２図は従来の気相成長装置の縦断
面図及びＡ−Ａ断面図、第３図は、本考案に係る
気相成長装置の一実施例を示す縦断面図である。
１……ターンテーブル、２……インジエクトシ
ールド、３……支柱、４……整流板、５……底
板、６……回転軸、７……反応ガス送り込みパイ
プ、８……ウエハ、９……電極、１０……ヒー
タ、１１……真空容器、１２……排気口、１３…
…絶縁物、１４……整流板、１５……高周波電
源。
1 and 2 are a longitudinal sectional view and an AA sectional view of a conventional vapor phase growth apparatus, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a vapor phase growth apparatus according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Turntable, 2... Inject shield, 3... Support column, 4... Rectifying plate, 5... Bottom plate, 6... Rotating shaft, 7... Reaction gas feed pipe, 8... Wafer, 9... ... Electrode, 10 ... Heater, 11 ... Vacuum container, 12 ... Exhaust port, 13 ...
...Insulator, 14... Rectifier plate, 15... High frequency power supply.
Claims (1)
ターンテーブル中央部より反応ガスを噴出させる
気相成長装置において、電極中央部に絶縁物を介
して整流板を取り付けたことを特徴とする気相成
長装置。 Rotate the turntable on which the wafer is mounted,
1. A vapor phase growth apparatus in which a reaction gas is ejected from the center of a turntable, characterized in that a rectifying plate is attached to the center of an electrode via an insulator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612683U JPS6025750U (en) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | Vapor phase growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612683U JPS6025750U (en) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | Vapor phase growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025750U JPS6025750U (en) | 1985-02-21 |
| JPS6138913Y2 true JPS6138913Y2 (en) | 1986-11-08 |
Family
ID=30267820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11612683U Granted JPS6025750U (en) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | Vapor phase growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025750U (en) |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP11612683U patent/JPS6025750U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6025750U (en) | 1985-02-21 |
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