JPS6137759A - 改良した触媒を用いたイソシアネ−トの製造方法 - Google Patents
改良した触媒を用いたイソシアネ−トの製造方法Info
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- JPS6137759A JPS6137759A JP15778384A JP15778384A JPS6137759A JP S6137759 A JPS6137759 A JP S6137759A JP 15778384 A JP15778384 A JP 15778384A JP 15778384 A JP15778384 A JP 15778384A JP S6137759 A JPS6137759 A JP S6137759A
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- Japan
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- silver
- group
- catalyst
- reactor
- oxygen
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本方法は、イソシアネート、好適にはメチルイソシアネ
ートの製造に関する。
ートの製造に関する。
現在メチルイソシアネートは米国ではモノメチルアミン
のホスゲン化次いで得られたカルバミルクロリドをメチ
ルイソシアネート及び塩化水素に分解することによシ製
造されている。
のホスゲン化次いで得られたカルバミルクロリドをメチ
ルイソシアネート及び塩化水素に分解することによシ製
造されている。
米国筒４．２０７．２５１号は、銀を含む貴金属触媒ヲ
用い九Ｎ−アルキルホルムアミドの対応するイソシアネ
ートへの酸化を開示する。
用い九Ｎ−アルキルホルムアミドの対応するイソシアネ
ートへの酸化を開示する。
本発明は、式
％式％）
式中、Ｒは有機基であり、ｎはｌ又は２である、
のホルムアミドを、銀又は銀／金を不活性支持体上にス
パッター又はイオンめっきした銀又は銀／金触媒を用い
て対応するインシアネートに交換する改良方法に関する
。かかる触媒は、インシアネートの高い生産性を与える
。生成物の２／銀の２７時間で測定すると、従来の鎖結
晶又は銀ウール触媒に比べて５０倍以上生産性が増大す
る。
パッター又はイオンめっきした銀又は銀／金触媒を用い
て対応するインシアネートに交換する改良方法に関する
。かかる触媒は、インシアネートの高い生産性を与える
。生成物の２／銀の２７時間で測定すると、従来の鎖結
晶又は銀ウール触媒に比べて５０倍以上生産性が増大す
る。
本発明で使用される触媒は、不活性支持体上に銀又は銀
／金がスパッター又はイオンめっきされている。一般に
該金属又は金属合金は全触媒組成物の０，５〜５０重量
％から成る。一般に該触媒支持体は、０，１ミクロンか
ら０．５センチメートルの範囲の平均粒径を有する硬い
非孔質耐火性粒状材料であろう。一般に該支持体は約２
０平方メートル／ｆ未満、好適には３平方メートル／ｆ
未満の表面積を有するべきである。一般に該支持体はセ
ラミック材料であろう。他の酸化物、例えば二酸化セリ
ウム、酸化イツトリウム、ジルコニア又はチタニアをも
使用し得るが、アルミナ及びシリカが好適な触媒支持体
である。
／金がスパッター又はイオンめっきされている。一般に
該金属又は金属合金は全触媒組成物の０，５〜５０重量
％から成る。一般に該触媒支持体は、０，１ミクロンか
ら０．５センチメートルの範囲の平均粒径を有する硬い
非孔質耐火性粒状材料であろう。一般に該支持体は約２
０平方メートル／ｆ未満、好適には３平方メートル／ｆ
未満の表面積を有するべきである。一般に該支持体はセ
ラミック材料であろう。他の酸化物、例えば二酸化セリ
ウム、酸化イツトリウム、ジルコニア又はチタニアをも
使用し得るが、アルミナ及びシリカが好適な触媒支持体
である。
本発明の触媒は、電気的に偏ったシリカ支持体上に蒸発
−した金属を付着させる物理的蒸着によシ又はＲＦスパ
ッタリングによシ製造される。後者の方法では、３０メ
ツシユ（米国ふるい級数）スクリーンを通シ且つ５０メ
ツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持される融
解したシリカ粒子を、銀ターゲット又は金／銀ターゲッ
ト下回転支持台上の数個のパイレックス皿中に分布させ
、該金属で被覆させた。粒状支持体は均一性を確保する
ためにスパッター室外で周期的に混合させた。
−した金属を付着させる物理的蒸着によシ又はＲＦスパ
ッタリングによシ製造される。後者の方法では、３０メ
ツシユ（米国ふるい級数）スクリーンを通シ且つ５０メ
ツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持される融
解したシリカ粒子を、銀ターゲット又は金／銀ターゲッ
ト下回転支持台上の数個のパイレックス皿中に分布させ
、該金属で被覆させた。粒状支持体は均一性を確保する
ためにスパッター室外で周期的に混合させた。
一般に、本発明の方法は３００〜６００℃、好適には４
００〜５００℃の範囲で行なわれる。
００〜５００℃の範囲で行なわれる。
ホットスポットを有することが可能な銀ウールを用いた
比較し得る条件下で、本発明の触媒は支持体上の少量の
金属又は金属合金の、よシ均一な分布を与え、それはメ
チルイソシアネートに対しよシ高い選択性をもたらす。
比較し得る条件下で、本発明の触媒は支持体上の少量の
金属又は金属合金の、よシ均一な分布を与え、それはメ
チルイソシアネートに対しよシ高い選択性をもたらす。
反応は、例えば窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、
アルゴン、又はキセノンの如き不活性ガスの存在下気相
中で行なわれる。窒素は安価なため好適なキャリヤーガ
スであるが、ガスクロマトグラフィーによる生成物分析
を容易にするためにいくつかの実施例ではヘリウムが用
いられる。一般に出発における反応混合物中のメチルホ
ルムアミドの割合は０．１〜４０容量パーセントである
べきである。反応を行なうために反応混合物中に酸素が
存在すべきである。反応器への供給路に存在する酸素の
量は一般に０．１〜２０容量パーセントである。
アルゴン、又はキセノンの如き不活性ガスの存在下気相
中で行なわれる。窒素は安価なため好適なキャリヤーガ
スであるが、ガスクロマトグラフィーによる生成物分析
を容易にするためにいくつかの実施例ではヘリウムが用
いられる。一般に出発における反応混合物中のメチルホ
ルムアミドの割合は０．１〜４０容量パーセントである
べきである。反応を行なうために反応混合物中に酸素が
存在すべきである。反応器への供給路に存在する酸素の
量は一般に０．１〜２０容量パーセントである。
使用される圧力は、特に臨界的ではなく、１×１０’Ｐ
ａ未満〜ｌＸ１０’Ｐａ 又はそれ以上に変化し得る。
ａ未満〜ｌＸ１０’Ｐａ 又はそれ以上に変化し得る。
操作上の理由のため、反応を１気圧の絶対気圧で行なう
ことが最も好適である。
ことが最も好適である。
本発明は式
％式％）
式中、Ｒは、一般に１８個以下の炭素原子を有する、置
換又は非置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、好適にはフェニル、アラルキル基又はアルカリー
ル（ａｌｋａｒｙｌ）基を含む、非置換炭化水素基又は
置換炭化水素基であって、ここにおいて該置換基は、例
えば、塩素、フッ素、シアン及び好適には１０個以下の
炭素原子をアルキル基又はアルコキシ基に含有する、ア
ルキルカルボニル又はアルコキシカルボニルであ）得、
そして、ｎは１又は２である、 のＮ−モノ置換ホルムアミドに適用できる。
換又は非置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、好適にはフェニル、アラルキル基又はアルカリー
ル（ａｌｋａｒｙｌ）基を含む、非置換炭化水素基又は
置換炭化水素基であって、ここにおいて該置換基は、例
えば、塩素、フッ素、シアン及び好適には１０個以下の
炭素原子をアルキル基又はアルコキシ基に含有する、ア
ルキルカルボニル又はアルコキシカルボニルであ）得、
そして、ｎは１又は２である、 のＮ−モノ置換ホルムアミドに適用できる。
メチルインシアネートは、Ｓ−メチル−Ｎ−〔（メチル
カルバモイル）オキシ〕チオアセチミデート（メトミル
）、殺虫剤を含むある種の殺虫剤及び殺線虫剤の製造に
使用される。
カルバモイル）オキシ〕チオアセチミデート（メトミル
）、殺虫剤を含むある種の殺虫剤及び殺線虫剤の製造に
使用される。
実施例
各実施例において触媒は１２ｓｕ＋の外径を有するＵ形
状石英管反応器に充填した。反応器を不活性キャリヤー
ガス流下砂浴中で温度を加えた。所望の温度に達すれば
、酸素流を始め、そして約２分径モノメチルホルムアミ
ドを充分なキャリヤーガスとともに導入し、所望の組成
物を得る。全体的な流れは触媒ベッドでの公称滞留時間
が約０．２秒であるようにする。平衡を達成させるのに
１時間当てた後、試料を分析のために周期的に取る。実
施例１〜４では報告されるガス流は０℃大気圧で測定す
る。不活性ガスと残シの酸素は分析から除外し、結果は
モル百分率で報告する。
状石英管反応器に充填した。反応器を不活性キャリヤー
ガス流下砂浴中で温度を加えた。所望の温度に達すれば
、酸素流を始め、そして約２分径モノメチルホルムアミ
ドを充分なキャリヤーガスとともに導入し、所望の組成
物を得る。全体的な流れは触媒ベッドでの公称滞留時間
が約０．２秒であるようにする。平衡を達成させるのに
１時間当てた後、試料を分析のために周期的に取る。実
施例１〜４では報告されるガス流は０℃大気圧で測定す
る。不活性ガスと残シの酸素は分析から除外し、結果は
モル百分率で報告する。
実施例１
３０メツシユ（米国ふるい級数）スクリーンを通つ且つ
５０メツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持さ
れる不規則形状の粒状シリカをイオンめっきによシ０．
９重量係銀で被覆して触媒を製造する。反応器を３．２
ｔの触媒で充填し、ベッドを４７０℃に加熱する。反応
器への流量を５００ＣＣ／分の窒素、２０ＣＣ／分の酸
素及び５．７６ｍ／時間の液体モノメチルホルムアミド
に調整する。
５０メツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持さ
れる不規則形状の粒状シリカをイオンめっきによシ０．
９重量係銀で被覆して触媒を製造する。反応器を３．２
ｔの触媒で充填し、ベッドを４７０℃に加熱する。反応
器への流量を５００ＣＣ／分の窒素、２０ＣＣ／分の酸
素及び５．７６ｍ／時間の液体モノメチルホルムアミド
に調整する。
平衡に到達後、流出流を分析すると、モノメチルホルム
アミドの４３％変換及びメチルイソシアネートにとって
７８チの選択性が示される。これは１時間につき銀１１
あたＦ）５８．３ｔのメチルイソシアネートの生産速度
と等しい。
アミドの４３％変換及びメチルイソシアネートにとって
７８チの選択性が示される。これは１時間につき銀１１
あたＦ）５８．３ｔのメチルイソシアネートの生産速度
と等しい。
実施例２
３０メツシユ（米国ふるい級数）スフ９−ｙ ヲ通シ且
つ５０メツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持
される不規則形状の粒状シリカを４重量％銀でスパッタ
ー被覆して触媒を製造する。
つ５０メツシユ（米国ふるい級数）スクリーン上に維持
される不規則形状の粒状シリカを４重量％銀でスパッタ
ー被覆して触媒を製造する。
反応器を３．２１の触媒で充填し、ベッドを４７０℃に
加熱する。反応器への流量を５００ＣＣ／分のヘリウム
、２５ＣＣ／分の酸素及び５．７６ｓｌ／時間のモノメ
チルホルムアミドに調整する。平衡に到達後、流出流を
分析すると、モノメチルホルムアミドの８５９６変換及
びメチルイソシアネートにとって７５ｇ６の選択性が示
される。１４時間後両方の数が下がシ始めるが、次いで
上昇する。３０時間の暴露後、モノメチルホルムアミド
の９０％の変換が、メチルイソシアネートにとって８１
％選択性とともに達成された。さらに暴露しても、触媒
性能のそれ以上の変化は認められなかった。これは１時
間につき銀１ｆあた＃）２５．３ｆのメチルイソシアネ
ートの生産速度と等しい。
加熱する。反応器への流量を５００ＣＣ／分のヘリウム
、２５ＣＣ／分の酸素及び５．７６ｓｌ／時間のモノメ
チルホルムアミドに調整する。平衡に到達後、流出流を
分析すると、モノメチルホルムアミドの８５９６変換及
びメチルイソシアネートにとって７５ｇ６の選択性が示
される。１４時間後両方の数が下がシ始めるが、次いで
上昇する。３０時間の暴露後、モノメチルホルムアミド
の９０％の変換が、メチルイソシアネートにとって８１
％選択性とともに達成された。さらに暴露しても、触媒
性能のそれ以上の変化は認められなかった。これは１時
間につき銀１ｆあた＃）２５．３ｆのメチルイソシアネ
ートの生産速度と等しい。
実施例３
この実施例は触媒として銀結晶を用いた比、較である。
反応器を８．４２の銀結晶で充填し、４７０℃に加熱す
る。反応器への流速は５００ＣＣ／分の窒素、２０ＣＣ
／分の酸素及び５．７６ｍ／時間の液体モノメチルホル
ムアミドに調整する。平衡に到達後、分析はモノメチル
ホルムアミドの８０％変換及びメチルイソシアネートに
とって４７チ選択性を示す。これは、１時間につき鋏１
ｔあたシ０．２ｔのメチルイソシアネートの生産速度に
等しい。
る。反応器への流速は５００ＣＣ／分の窒素、２０ＣＣ
／分の酸素及び５．７６ｍ／時間の液体モノメチルホル
ムアミドに調整する。平衡に到達後、分析はモノメチル
ホルムアミドの８０％変換及びメチルイソシアネートに
とって４７チ選択性を示す。これは、１時間につき鋏１
ｔあたシ０．２ｔのメチルイソシアネートの生産速度に
等しい。
実施例４
この実施例は触媒として銀ウールを用いた比較である。
反応器を３．５ｆの０．０３ｍ外径の銀ウールで充填し
、４７０℃に加熱する。反応器への流速は５００ＣＣ／
分のヘリウム、２５ＣＣ／分の酸素及び５．７６ｍｇ／
時間の液体モノメチルホルムアミドに調整する。平衡に
到達後、分析はモノメチルホルムアミドの８０チ変換及
びメチルイソシアネートにとって７７％選択性を示す。
、４７０℃に加熱する。反応器への流速は５００ＣＣ／
分のヘリウム、２５ＣＣ／分の酸素及び５．７６ｍｇ／
時間の液体モノメチルホルムアミドに調整する。平衡に
到達後、分析はモノメチルホルムアミドの８０チ変換及
びメチルイソシアネートにとって７７％選択性を示す。
これは、１時間につき銀１ｆあた。ｊｌｌｌ、ｏｆのメ
チルイソシアネートの生産速度に等しい。
チルイソシアネートの生産速度に等しい。
実施例５
実施例１を、３７ｃＣＺ分のモノメチルホルムアミド蒸
気、２５ＣＣ／分の空気からの酸素及び４７５ＣＣ／分
の空気及び窒素の混合物として供給される窒素を用いて
繰返した。これらの流量条件下で２つの異なるスパッタ
ー被覆した触媒を４７０℃及び５００℃で評価した。平
衡に到達後、反応器かラノ生成物をモノメチルアミン水
溶液中に吹き込んで１，３−ジメチル尿素のようなイン
シアネートをトラップし、それを過剰のトラッピング媒
質の除去後単離した６すべての場合においてトラップ期
間は１２０分であり、ホルムアミドの変換は９０％以上
であった。結果は第１表にまとめる。
気、２５ＣＣ／分の空気からの酸素及び４７５ＣＣ／分
の空気及び窒素の混合物として供給される窒素を用いて
繰返した。これらの流量条件下で２つの異なるスパッタ
ー被覆した触媒を４７０℃及び５００℃で評価した。平
衡に到達後、反応器かラノ生成物をモノメチルアミン水
溶液中に吹き込んで１，３−ジメチル尿素のようなイン
シアネートをトラップし、それを過剰のトラッピング媒
質の除去後単離した６すべての場合においてトラップ期
間は１２０分であり、ホルムアミドの変換は９０％以上
であった。結果は第１表にまとめる。
第１表で使用されるＳｉｎ、触媒上のＡｇ／Ａｕ Ｆｉ
シリカ支持体上にシリカで相互スパッターされていた。
シリカ支持体上にシリカで相互スパッターされていた。
第１表
４ＳＳｒＯｔ上のＡｇ ２．６ ４７０
１３．５４チＳ ｉ Ｏｘ上のＡｇ ２．６ ５
００ １３．９１チＳｔｏｗ上のＡｇ ／Ａｕ（８７／１３原 チル） ２．５ ４７０ １４
．９２．５ ５００ １２．５ １００％変換及び１００％収率に対する尿素の理論的重
量は１７．３ｔである。
１３．５４チＳ ｉ Ｏｘ上のＡｇ ２．６ ５
００ １３．９１チＳｔｏｗ上のＡｇ ／Ａｕ（８７／１３原 チル） ２．５ ４７０ １４
．９２．５ ５００ １２．５ １００％変換及び１００％収率に対する尿素の理論的重
量は１７．３ｔである。
手続補正書（自発）
昭和５９年１０月１５日
特許庁長官 志 賀 学 殿
１、事件の表示
昭和５９年特許願第１５７７８３号
２、発明の名称
改良した触媒を用いたイソシアネートの製造方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 カンパニー 別紙のとおり −、’２；’−、：：、、、
、−４，”、：別紙 ■、明細書の特許請求の範囲の記載を以下の如く訂正す
る。
正をする者 事件との関係 特許出願人 カンパニー 別紙のとおり −、’２；’−、：：、、、
、−４，”、：別紙 ■、明細書の特許請求の範囲の記載を以下の如く訂正す
る。
ｒ２、特許請求の範囲
１、式
％式％
式中、ＲＦｉ１８個以下の炭素原子を含有する非置換の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキ
ル基若しくはアルカリール基、又は塩素、フッ素、シア
ン若しくはアルキル若しくはアルコキシ基に１０個以下
の炭素原子を含有するアルキルカルホニル若り、（ｕア
ルコキシカルレボニルで置換された上記基の１つであり
、そしてｎｄｌ又ＩＩ′ｉ２である、 に相当するイソシアネートを製造するにあたり、式 式中、Ｒ７ｉびｆ′Ｌｔ′ｉ上記の如く定義される、に
相当するＮ−モノ置換ホルムアミドラ、ソの土性支持体
からできた触媒の存在下で気相中で酸素含有気体と接触
させることを特徴とする方法。
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキ
ル基若しくはアルカリール基、又は塩素、フッ素、シア
ン若しくはアルキル若しくはアルコキシ基に１０個以下
の炭素原子を含有するアルキルカルホニル若り、（ｕア
ルコキシカルレボニルで置換された上記基の１つであり
、そしてｎｄｌ又ＩＩ′ｉ２である、 に相当するイソシアネートを製造するにあたり、式 式中、Ｒ７ｉびｆ′Ｌｔ′ｉ上記の如く定義される、に
相当するＮ−モノ置換ホルムアミドラ、ソの土性支持体
からできた触媒の存在下で気相中で酸素含有気体と接触
させることを特徴とする方法。
２−Ｒが−ＣＨ，でおり、ｎが１である、特許請求の範
囲第１項記載の方法。
囲第１項記載の方法。
３．０．１〜４０容量パーセントのモノメチルホルムア
ミドが反応器への供給流中に存在し且つ０、１〜２０容
量パーセントの酸素が反応器への供給流中に存在する不
活性キャリヤーガスを用いて３００〜６００℃で該方法
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
方法。
ミドが反応器への供給流中に存在し且つ０、１〜２０容
量パーセントの酸素が反応器への供給流中に存在する不
活性キャリヤーガスを用いて３００〜６００℃で該方法
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
方法。
４、触媒支持体がセラミック材料である特許請求の範囲
第３項記載の方法。
第３項記載の方法。
５、触媒支持体がシリカ又はアルミナである特許請求の
範囲第４項記載の方法。」 ■、明細書の発明の詳細な説明の欄の記載を以下のよう
に訂正する： 【１） 明細書第５頁第７行に「付着させる」とある
を、 「沈着させる（ ｄｅｐｏｓｉｔ ） 」に訂正する。
範囲第４項記載の方法。」 ■、明細書の発明の詳細な説明の欄の記載を以下のよう
に訂正する： 【１） 明細書第５頁第７行に「付着させる」とある
を、 「沈着させる（ ｄｅｐｏｓｉｔ ） 」に訂正する。
（２）同第５頁第７行の「物理的蒸着」と「により」の
間に ｒ （ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）」を加入する。
間に ｒ （ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）」を加入する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 Ｒ（ＮＣＯ）＿ｎ 式中、Ｒは１８個以下の炭素原子を含有す る非置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基
、アラルキル基若しくはアルカ リール基、又は塩素、フッ素、シアン若し くはアルキル若しくはアルコキシ基に１０ 個以下の炭素原子を含有するアルキルカル ボニル若しくはアルコキシカルボニルで置 換された上記基の１つであり、そしてｎは １又は２である、 に相当するイソノアネートを製造するにあたり、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ及びｎは上記の如く定義される、 に相当するＮ−モノ置換ホルムアミドを、０．５〜５０
重量％の銀又は銀／金合金から物理的蒸着により蒸着さ
れた粒状の硬質非孔質耐火性支持体からできた触媒の存
在下で気相中で酸素含有気体と接触させることを特徴と
する方法。 ２、Ｒが−ＣＨ＿３であり、ｎが１である、特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ３、０．１〜４０容量パーセントのモノメチルホルムア
ミドが反応器への供給流中に存在し且つ０．１〜２０容
量パーセントの酸素が反応器への供給流中に存在する不
活性キャリヤーガスを用いて３００〜６００℃で該方法
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
方法。 ４、触媒支持体がセラミック材料である特許請求の範囲
第３項記載の方法。 ５、触媒支持体がシリカ又はアルミナである特許請求の
範囲第４項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15778384A JPS6137759A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 改良した触媒を用いたイソシアネ−トの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15778384A JPS6137759A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 改良した触媒を用いたイソシアネ−トの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6137759A true JPS6137759A (ja) | 1986-02-22 |
| JPH0140023B2 JPH0140023B2 (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=15657197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15778384A Granted JPS6137759A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 改良した触媒を用いたイソシアネ−トの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6137759A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313495A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 無電極放電灯点灯装置 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15778384A patent/JPS6137759A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313495A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 無電極放電灯点灯装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0140023B2 (ja) | 1989-08-24 |
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