JPS6137468B2 - - Google Patents
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- JPS6137468B2 JPS6137468B2 JP1279082A JP1279082A JPS6137468B2 JP S6137468 B2 JPS6137468 B2 JP S6137468B2 JP 1279082 A JP1279082 A JP 1279082A JP 1279082 A JP1279082 A JP 1279082A JP S6137468 B2 JPS6137468 B2 JP S6137468B2
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、クライオソープシヨンポンプの改良
に関する。
に関する。
(従来の技術)
一般に、超高真空度を得ようとする場合には真
空ポンプとしてクライオソープシヨンポンプが使
用される。
空ポンプとしてクライオソープシヨンポンプが使
用される。
クライオソープシヨンポンプは、通常、第2図
に示すように構成される。すなわち、真空引きさ
れるべき部屋51に連通する空間Pを容器52に
よつて形成し、この容器52の内部にシエブロン
状の冷却体53を配置する。この冷却体53の表
面は、液体ヘリウム供給系54からの液体ヘリウ
ムによつて極低温(約4.2〓)に冷却される。こ
の状態で冷却体53に向けて例えばAr,NH3,
CO2,SF6などの吸着性ガスを吸着性ガス供給系
55からガス導入パイプ56を介して導くと、冷
却体53の極低温面上に吸着性ガスが付着して凝
縮し、所定厚さの吸着性ガス凝縮層が形成され
る。この吸着性ガス凝縮層は、一般的なクライオ
ポンプでは排気できないヘリウムや水素までをも
吸着するため、結局、部屋51の内部を超高真空
に保つことができる。
に示すように構成される。すなわち、真空引きさ
れるべき部屋51に連通する空間Pを容器52に
よつて形成し、この容器52の内部にシエブロン
状の冷却体53を配置する。この冷却体53の表
面は、液体ヘリウム供給系54からの液体ヘリウ
ムによつて極低温(約4.2〓)に冷却される。こ
の状態で冷却体53に向けて例えばAr,NH3,
CO2,SF6などの吸着性ガスを吸着性ガス供給系
55からガス導入パイプ56を介して導くと、冷
却体53の極低温面上に吸着性ガスが付着して凝
縮し、所定厚さの吸着性ガス凝縮層が形成され
る。この吸着性ガス凝縮層は、一般的なクライオ
ポンプでは排気できないヘリウムや水素までをも
吸着するため、結局、部屋51の内部を超高真空
に保つことができる。
このようなクライオソープシヨンポンプでは、
輻射熱によつて冷却体53の極低温面へ熱が進入
するのを防止するため、冷却体53の周囲に熱シ
ールド体57,58を設け、熱効率の低下を防止
している。この熱シールド体57,58は、液体
窒素導入系59,60から液体窒素を供給される
ことにより、その表面が低温状態(約77〓)に保
たれるようになつている。
輻射熱によつて冷却体53の極低温面へ熱が進入
するのを防止するため、冷却体53の周囲に熱シ
ールド体57,58を設け、熱効率の低下を防止
している。この熱シールド体57,58は、液体
窒素導入系59,60から液体窒素を供給される
ことにより、その表面が低温状態(約77〓)に保
たれるようになつている。
ところで、上記構成のクライオソープシヨンポ
ンプにあつては、吸着性ガスが冷却体53にのみ
均一に付着することが排気効率を高める上から望
ましい。このため、ガス導入パイプ56も冷却体
53の近傍位置に配置される。
ンプにあつては、吸着性ガスが冷却体53にのみ
均一に付着することが排気効率を高める上から望
ましい。このため、ガス導入パイプ56も冷却体
53の近傍位置に配置される。
ところが、このガス導入パイプ56には低温状
態にある熱シールド体58も近接しているため、
従来は、吸着性ガスの導入時に、この吸着性ガス
が熱シールド体58に凝縮付着し易く、このた
め、極低温面への吸着性ガス凝縮層の均一形成が
困難になるという問題があつた。
態にある熱シールド体58も近接しているため、
従来は、吸着性ガスの導入時に、この吸着性ガス
が熱シールド体58に凝縮付着し易く、このた
め、極低温面への吸着性ガス凝縮層の均一形成が
困難になるという問題があつた。
また、ガス導入パイプ56は熱シールド体58
や冷却体53の近傍位置に配置されるため、熱輻
射によつて冷却される。このため、導入された吸
着性ガスがガス導入パイプ56に付着し易い。そ
こで、ガス導入パイプ56を、例えば図示しない
ヒータなどによつて暖めて吸着性ガスの沸点以上
の温度に維持すれば、ガスの付着は起こらない
が、この場合には、冷却体53の極低温面への輻
射熱の進入が非常に大きくなつてしまう。
や冷却体53の近傍位置に配置されるため、熱輻
射によつて冷却される。このため、導入された吸
着性ガスがガス導入パイプ56に付着し易い。そ
こで、ガス導入パイプ56を、例えば図示しない
ヒータなどによつて暖めて吸着性ガスの沸点以上
の温度に維持すれば、ガスの付着は起こらない
が、この場合には、冷却体53の極低温面への輻
射熱の進入が非常に大きくなつてしまう。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように、従来のクライオソープシヨンポ
ンプでは、装置の構造上、冷却体の極低温面だけ
に吸着性ガス凝縮層を一様に形成させることが困
難であり、排気効率を高めることができないとい
う問題があつた。
ンプでは、装置の構造上、冷却体の極低温面だけ
に吸着性ガス凝縮層を一様に形成させることが困
難であり、排気効率を高めることができないとい
う問題があつた。
したがつて、本発明は、このような問題がな
く、排気効率に優れたクライオソープシヨンポン
プを提供することを目的とする。
く、排気効率に優れたクライオソープシヨンポン
プを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明では、吸着性ガス凝縮層を均一に形成す
べき極低温面を備えた冷却体と吸着性ガスのガス
導入口との間に熱シールド体を介在させている。
この熱シールド体は、ガス導入口側からの熱進入
に対して上記冷却体を熱シールドするものではあ
るが、上記冷却体の近傍に配置され、温度調節手
段によつて極低温にまで温度調節可能な構成とな
つている。
べき極低温面を備えた冷却体と吸着性ガスのガス
導入口との間に熱シールド体を介在させている。
この熱シールド体は、ガス導入口側からの熱進入
に対して上記冷却体を熱シールドするものではあ
るが、上記冷却体の近傍に配置され、温度調節手
段によつて極低温にまで温度調節可能な構成とな
つている。
(作 用)
温度調節手段によつて熱シールド体を極低温に
まで冷却し、ガス導入口から吸着性ガスを導入す
ると、周囲では最も低温である熱シールド体に吸
着性ガスの略全量が凝縮付着する。次に、熱シー
ルド体の温度を温度調節手段によつて徐上に上昇
させると、熱シールド体の表面に付着した吸着性
ガスが蒸発し、隣接する極低温に冷却された冷却
体の表面に再び凝縮付着する。この結果、冷却体
の表面には、吸着性ガス凝縮層が一様に形成され
る。熱シールド体は、熱シールドに必要な温度に
維持されるので、ガス導入口側の温度が高い場合
でも冷却体への輻射熱の進入は抑制される。
まで冷却し、ガス導入口から吸着性ガスを導入す
ると、周囲では最も低温である熱シールド体に吸
着性ガスの略全量が凝縮付着する。次に、熱シー
ルド体の温度を温度調節手段によつて徐上に上昇
させると、熱シールド体の表面に付着した吸着性
ガスが蒸発し、隣接する極低温に冷却された冷却
体の表面に再び凝縮付着する。この結果、冷却体
の表面には、吸着性ガス凝縮層が一様に形成され
る。熱シールド体は、熱シールドに必要な温度に
維持されるので、ガス導入口側の温度が高い場合
でも冷却体への輻射熱の進入は抑制される。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本実施例に係るクライオソープシヨン
ポンプの断面図である。
ポンプの断面図である。
図中1は、内部が真空引きされるべき部屋であ
り、この部屋1の壁の一部には孔2が設けられて
いる。そして、上記孔2を介してクライオソープ
シヨンポンプ3が接続されている。
り、この部屋1の壁の一部には孔2が設けられて
いる。そして、上記孔2を介してクライオソープ
シヨンポンプ3が接続されている。
クライオソープシヨンポンプ3は、大きく分け
て、上記孔2に気密に接続された容器4と、この
容器4内に選択的に吸着性ガスを供給するガス供
給系5と、前記容器4内に設けられた排気部6
と、この排気部6の温度を容器4外から選択的に
制御する温度調節部7とから構成されている。
て、上記孔2に気密に接続された容器4と、この
容器4内に選択的に吸着性ガスを供給するガス供
給系5と、前記容器4内に設けられた排気部6
と、この排気部6の温度を容器4外から選択的に
制御する温度調節部7とから構成されている。
前記容器4は、一端側に前記部屋1の壁に設け
られた孔2と略同径の開口部11を有し、他端側
に小径の開口部12を有した筒状体13と、この
筒状体13の上記開口部12を気密に閉塞するよ
うに設けられた板体14とで構成されている。上
記筒状体13の開口部11の外側縁には外側に向
けて突出するフランジ部15が一体的に形成され
ており、前記孔2と開口部11とを軸合せさせた
状態下で上記フランジ部15がボルト16によつ
て部屋1の壁に締付け固定され、これによつて筒
状体13と部屋1とが気密に接続されている。ま
た、筒状体13の開口部12の外周縁にも外側に
向けて突出するフランジ部17が形成されてお
り、このフランジ部17に前記板体14がボルト
18によつて気密に取着されている。
られた孔2と略同径の開口部11を有し、他端側
に小径の開口部12を有した筒状体13と、この
筒状体13の上記開口部12を気密に閉塞するよ
うに設けられた板体14とで構成されている。上
記筒状体13の開口部11の外側縁には外側に向
けて突出するフランジ部15が一体的に形成され
ており、前記孔2と開口部11とを軸合せさせた
状態下で上記フランジ部15がボルト16によつ
て部屋1の壁に締付け固定され、これによつて筒
状体13と部屋1とが気密に接続されている。ま
た、筒状体13の開口部12の外周縁にも外側に
向けて突出するフランジ部17が形成されてお
り、このフランジ部17に前記板体14がボルト
18によつて気密に取着されている。
前記板体14の中央部には、この板体14を気
密に貫通する形にパイプ19が設けてあり、この
パイプ19の容器外に位置する端部は前記ガス供
給系5に接続されている。ガス供給系5は、
Ar,NH3,CO2,SF6などの吸着性ガスを収容し
たボンベ20と、このボンベ20内のガスを選択
的にパイプ19を介して前記容器4内に導くバル
ブ21とで構成されている。
密に貫通する形にパイプ19が設けてあり、この
パイプ19の容器外に位置する端部は前記ガス供
給系5に接続されている。ガス供給系5は、
Ar,NH3,CO2,SF6などの吸着性ガスを収容し
たボンベ20と、このボンベ20内のガスを選択
的にパイプ19を介して前記容器4内に導くバル
ブ21とで構成されている。
前記排気部6は、次のように構成されている。
すなわち、容器を構成する筒状体13内に開口部
11側から開口部12側にわたつて4段構成にシ
エブロン状の冷却体22,23,24,25を配
置している。これら、冷却体22〜25のうち、
冷却体24はその極低温面に吸着性ガス凝縮層を
形成してHe,H2などのガス分子を吸着排気する
機能を有し、冷却体23は、その表面に吸着性ガ
ス凝縮層があまり形成されず、上記He,H2ガス
以外のガスを吸着排気する機能を有する。また、
冷却体22,25は上記冷却体23,24を熱シ
ールドする熱シールド体としての機能を有するも
ので、特に冷却体25は極低温状態まで温度調節
されるものとなつている。これら冷却体22,2
3,24,25は、それぞれ同様に構成されてお
り、パイプ26,27,28,29内を通流する
冷媒によつて冷却されるようになつている。各冷
却体22,24,25,26を冷却するパイプ2
6,27,28,29は、それぞれ筒状体13の
側部を気密に貫通してその一端部が前記温度制御
部7にそれぞれ接続されている。
すなわち、容器を構成する筒状体13内に開口部
11側から開口部12側にわたつて4段構成にシ
エブロン状の冷却体22,23,24,25を配
置している。これら、冷却体22〜25のうち、
冷却体24はその極低温面に吸着性ガス凝縮層を
形成してHe,H2などのガス分子を吸着排気する
機能を有し、冷却体23は、その表面に吸着性ガ
ス凝縮層があまり形成されず、上記He,H2ガス
以外のガスを吸着排気する機能を有する。また、
冷却体22,25は上記冷却体23,24を熱シ
ールドする熱シールド体としての機能を有するも
ので、特に冷却体25は極低温状態まで温度調節
されるものとなつている。これら冷却体22,2
3,24,25は、それぞれ同様に構成されてお
り、パイプ26,27,28,29内を通流する
冷媒によつて冷却されるようになつている。各冷
却体22,24,25,26を冷却するパイプ2
6,27,28,29は、それぞれ筒状体13の
側部を気密に貫通してその一端部が前記温度制御
部7にそれぞれ接続されている。
温度制御部7は、例えば、冷媒源と,この冷媒
源からの冷媒流量を制御するバルブとを主体とし
て構成されている。すなわち、具体的には、前記
冷却体22を冷却するパイプ26をバルブ30を
介して液体窒素ボンベ31に接続し、冷却体23
を冷却するパイプ27をバルブ32介して液体ヘ
リウムボンベ33に接続し、冷却体24を冷却す
るパイプ28をバルブ34介して液体ヘリウムボ
ンベ35に接続し、冷却体25を冷却するパイプ
29をバルブ36を介して液体ヘリウムボンベ3
7に接続したものとなつている。なお、図中38
は導入されたガスを拡散するための反射板であ
る。
源からの冷媒流量を制御するバルブとを主体とし
て構成されている。すなわち、具体的には、前記
冷却体22を冷却するパイプ26をバルブ30を
介して液体窒素ボンベ31に接続し、冷却体23
を冷却するパイプ27をバルブ32介して液体ヘ
リウムボンベ33に接続し、冷却体24を冷却す
るパイプ28をバルブ34介して液体ヘリウムボ
ンベ35に接続し、冷却体25を冷却するパイプ
29をバルブ36を介して液体ヘリウムボンベ3
7に接続したものとなつている。なお、図中38
は導入されたガスを拡散するための反射板であ
る。
次に、上記のように構成されたクライオソープ
シヨンポンプの動作について説明する。
シヨンポンプの動作について説明する。
まず、公知の真空ポンプで部屋1内の真空度を
ある程度まで上昇させておく。次にバルブ36を
開放し、冷却体25を冷却するパイプ29内に液
体ヘリウムを通流させ、上記冷却体25を冷却す
る。この場合、バルブ36の開度を制御すること
によつて液体ヘリウムの流量を調整して冷却体2
5の表面がAr,NH3,CO2,SF6などの吸着性ガ
スの凝縮温度以下の極低温面になるように設定す
る。次にバルブ21を開放してボンベ20から吸
着性ガスを容器4内に導入する。導入された上記
吸着性ガスは前記冷却体25の極低温面に凝縮付
着する。冷却体25の表面の吸着性ガス凝縮層が
十分厚くなるまで上記吸着性ガスを導入したの
ち、バルブ21を閉じる。
ある程度まで上昇させておく。次にバルブ36を
開放し、冷却体25を冷却するパイプ29内に液
体ヘリウムを通流させ、上記冷却体25を冷却す
る。この場合、バルブ36の開度を制御すること
によつて液体ヘリウムの流量を調整して冷却体2
5の表面がAr,NH3,CO2,SF6などの吸着性ガ
スの凝縮温度以下の極低温面になるように設定す
る。次にバルブ21を開放してボンベ20から吸
着性ガスを容器4内に導入する。導入された上記
吸着性ガスは前記冷却体25の極低温面に凝縮付
着する。冷却体25の表面の吸着性ガス凝縮層が
十分厚くなるまで上記吸着性ガスを導入したの
ち、バルブ21を閉じる。
次にバルブ30,32,34を開放する。この
操作によつて、冷却体22は液体窒素で冷却さ
れ、また冷却体23,24は液体ヘリウムで冷却
される。したがつて、冷却体23,24の表面は
極低温に冷却される。上記各冷却体22,23,
24が十分に冷却された後に、バルブ36の開度
を制御し、液体ヘリウムの流量を減少させること
によつて、前記冷却体25の温度を徐々に上昇さ
せる。このようにすると冷却体25の表面に凝縮
付着している吸着性ガスが蒸発し、この蒸発した
吸着性ガスが隣りの極低温に冷却された冷却体2
4の表面に再び凝縮付着し、これによつて冷却体
24の表面に吸着性ガス凝縮層が一様に形成され
ることになる。
操作によつて、冷却体22は液体窒素で冷却さ
れ、また冷却体23,24は液体ヘリウムで冷却
される。したがつて、冷却体23,24の表面は
極低温に冷却される。上記各冷却体22,23,
24が十分に冷却された後に、バルブ36の開度
を制御し、液体ヘリウムの流量を減少させること
によつて、前記冷却体25の温度を徐々に上昇さ
せる。このようにすると冷却体25の表面に凝縮
付着している吸着性ガスが蒸発し、この蒸発した
吸着性ガスが隣りの極低温に冷却された冷却体2
4の表面に再び凝縮付着し、これによつて冷却体
24の表面に吸着性ガス凝縮層が一様に形成され
ることになる。
このような状態にあつて、前記部屋1内の残留
ガス分子のうち、He,H2分子以外の比較的凝縮
し易いガス分子は、極抵温に保たれた冷却体23
に凝縮付着し、これによつて排気される。また上
記冷却体23には凝縮付着しないHe,H2などの
分子は、前記冷却体24の表面の吸着性ガス凝縮
層に吸着されることによつて排気される。したが
つて、部屋1の真空度は上昇することになる。な
お、この場合、冷却体22は部屋1側からの輻射
熱の進入を阻止するように機能し、また、冷却体
25はパイプ19側からの輻射熱の進入を阻止す
るように機能する。
ガス分子のうち、He,H2分子以外の比較的凝縮
し易いガス分子は、極抵温に保たれた冷却体23
に凝縮付着し、これによつて排気される。また上
記冷却体23には凝縮付着しないHe,H2などの
分子は、前記冷却体24の表面の吸着性ガス凝縮
層に吸着されることによつて排気される。したが
つて、部屋1の真空度は上昇することになる。な
お、この場合、冷却体22は部屋1側からの輻射
熱の進入を阻止するように機能し、また、冷却体
25はパイプ19側からの輻射熱の進入を阻止す
るように機能する。
このように、温度制御可能な熱シールド体、つ
まり冷却体25を冷却体24とガス導入口である
パイプ19との間に設け、吸着性ガス導入時に一
旦、冷却体25の表面に吸着性ガス凝縮層を形成
された後、これを蒸発させて隣りの冷却体24の
表面に吸着性ガス凝縮層を形成させるようにして
いる。
まり冷却体25を冷却体24とガス導入口である
パイプ19との間に設け、吸着性ガス導入時に一
旦、冷却体25の表面に吸着性ガス凝縮層を形成
された後、これを蒸発させて隣りの冷却体24の
表面に吸着性ガス凝縮層を形成させるようにして
いる。
したがつて、吸着性ガス導入時には、導入した
ガスの全量を冷却体25の表面に一旦、凝縮させ
ることが可能となり、他の面への付着を防止でき
るとともに、冷却体24の表面へ移行させるとき
には、冷却体25と冷却体24との温度設定によ
つて、冷却体25の表面に凝縮付着している吸着
性ガスの全量を冷却体24の表面へ良好に一様に
凝縮付着させることができ、結局、良好な排気性
能を発揮させることができる。
ガスの全量を冷却体25の表面に一旦、凝縮させ
ることが可能となり、他の面への付着を防止でき
るとともに、冷却体24の表面へ移行させるとき
には、冷却体25と冷却体24との温度設定によ
つて、冷却体25の表面に凝縮付着している吸着
性ガスの全量を冷却体24の表面へ良好に一様に
凝縮付着させることができ、結局、良好な排気性
能を発揮させることができる。
そして、この場合には、冷却体25に、パイプ
19側から冷却体24へ輻射によつて進入する熱
を遮断する熱シールドの役割を行なわせることが
できるので、上記冷却体24とガス導入口との間
による熱移動を減少させることができる。このた
め、上記冷却体24を極低温に維持するための液
体ヘリウムなどの冷媒の消費量を少なくでき、結
局、運転コストを低減させることができる。
19側から冷却体24へ輻射によつて進入する熱
を遮断する熱シールドの役割を行なわせることが
できるので、上記冷却体24とガス導入口との間
による熱移動を減少させることができる。このた
め、上記冷却体24を極低温に維持するための液
体ヘリウムなどの冷媒の消費量を少なくでき、結
局、運転コストを低減させることができる。
また、前記冷却体25を前記冷却体24に近い
大きさに設定することによつて、冷却体24に凝
縮付着する吸着性ガス凝縮層の均一性を大幅に向
上させることができる。したがつて、たとえ大容
量の装置においても、前記ガス導入口を複数に分
割する必要性がなく、この結果、装置全体が複雑
化、大形化、大重量化するのを防止でき、製造費
用も減少させることができる。
大きさに設定することによつて、冷却体24に凝
縮付着する吸着性ガス凝縮層の均一性を大幅に向
上させることができる。したがつて、たとえ大容
量の装置においても、前記ガス導入口を複数に分
割する必要性がなく、この結果、装置全体が複雑
化、大形化、大重量化するのを防止でき、製造費
用も減少させることができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。上述した実施例においては、冷却体
25(熱シールド体)と冷却体24とを同一構造
に形成しているが、形状、大きさ等は異なつても
良く、前述の機能を有していれば任意に変更可能
である。
のではない。上述した実施例においては、冷却体
25(熱シールド体)と冷却体24とを同一構造
に形成しているが、形状、大きさ等は異なつても
良く、前述の機能を有していれば任意に変更可能
である。
以上述べたように、本発明によれば、熱シール
ド体をガス導入口と冷却体との間に配置して、か
つ上記熱シールド体の温度を極低温まで制御可能
としているので、まず、熱シールド体のみを他に
比較して極端に低温にでき、この結果、吸着性ガ
スがガス導入口の付近に凝縮付着することがな
く、導入した吸着性のガスの全量を上記熱シール
ド体に凝縮付着させることができる。そして、こ
の熱シールド体の温度を上げ、冷却体の温度を極
低温状態にすることによつて、上記熱シールド体
に凝縮付着した吸着性ガス凝縮層を冷却体の極低
温面に移行させることができるので、結局、冷却
体の表面に一様な吸着性ガス凝縮層を形成するこ
とができる。
ド体をガス導入口と冷却体との間に配置して、か
つ上記熱シールド体の温度を極低温まで制御可能
としているので、まず、熱シールド体のみを他に
比較して極端に低温にでき、この結果、吸着性ガ
スがガス導入口の付近に凝縮付着することがな
く、導入した吸着性のガスの全量を上記熱シール
ド体に凝縮付着させることができる。そして、こ
の熱シールド体の温度を上げ、冷却体の温度を極
低温状態にすることによつて、上記熱シールド体
に凝縮付着した吸着性ガス凝縮層を冷却体の極低
温面に移行させることができるので、結局、冷却
体の表面に一様な吸着性ガス凝縮層を形成するこ
とができる。
従つて、本発明によれば、排気効率を大幅に向
上させることができる。
上させることができる。
第1図は本発明の一実施例に係るクライオソー
プシヨンポンプの概略構成を示す断面図、第2図
は従来のクライオソープシヨンポンプの概略構成
を示す断面図である。 3……クライオソープシヨンポンプ、4,52
……容器、5,55……ガス供給系、6……排気
部、7……温度制御部、22,23,24,2
5,53……冷却体、19,26,27,28,
29……パイプ、21,30,32,34,36
……バルブ、56……ガス導入パイプ、57,5
8……熱シールド体。
プシヨンポンプの概略構成を示す断面図、第2図
は従来のクライオソープシヨンポンプの概略構成
を示す断面図である。 3……クライオソープシヨンポンプ、4,52
……容器、5,55……ガス供給系、6……排気
部、7……温度制御部、22,23,24,2
5,53……冷却体、19,26,27,28,
29……パイプ、21,30,32,34,36
……バルブ、56……ガス導入パイプ、57,5
8……熱シールド体。
Claims (1)
- 1 真空引きされるべき部屋に連通する空間内に
配置され、その表面が極低温に冷却される冷却体
と、この冷却体の周囲に配置され上記冷却体への
輻射熱を遮断する熱シールド体と、ガス導入口を
介して上記空間内へ吸着性ガスを導入するガス供
給系とを具備し、前記冷却体の表面に形成した吸
着性ガス凝縮層によつて前記部屋内のガスを吸着
排気するクライオソープシヨンポンプにおいて、
前記熱シールド体を、前記冷却体と前記ガス導入
口との間の前記冷却体近傍位置に配置するととも
に、この位置に配置された前記熱シールド体の表
面の温度を極低温まで調節できる温度調節手段を
具備したことを特徴とするクライオソープシヨン
ポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279082A JPS58131382A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | クライオソ−プシヨンポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279082A JPS58131382A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | クライオソ−プシヨンポンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131382A JPS58131382A (ja) | 1983-08-05 |
| JPS6137468B2 true JPS6137468B2 (ja) | 1986-08-23 |
Family
ID=11815189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279082A Granted JPS58131382A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | クライオソ−プシヨンポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131382A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3982181B2 (ja) | 2001-01-29 | 2007-09-26 | ダイキン工業株式会社 | 送風ユニットのファンガード |
| PL3324782T3 (pl) | 2015-07-24 | 2024-10-14 | Koninklijke Philips N.V. | Urządzenie do pielęgnacji włosów |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP1279082A patent/JPS58131382A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58131382A (ja) | 1983-08-05 |
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