JPS6136984A - 輻射線発生装置 - Google Patents
輻射線発生装置Info
- Publication number
- JPS6136984A JPS6136984A JP15749084A JP15749084A JPS6136984A JP S6136984 A JPS6136984 A JP S6136984A JP 15749084 A JP15749084 A JP 15749084A JP 15749084 A JP15749084 A JP 15749084A JP S6136984 A JPS6136984 A JP S6136984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intercalant
- fluorescent
- intercalants
- layer
- photons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S4/00—Devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in wave ranges other than those covered by groups H01S1/00, H01S3/00 or H01S5/00, e.g. phonon masers, X-ray lasers or gamma-ray lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/0955—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles
- H01S3/0959—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles by an electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はコヒーレント（Ｃｏｈｅｒｅｎｔ）な幅射光、
特にコヒーレントなＸ線の発生に有用な装置に関するも
のである。
特にコヒーレントなＸ線の発生に有用な装置に関するも
のである。
波長の短かいコヒーレント光を作る可能性がこれまでに
も議論がなされ、たとえばＸ線レーザに関してもいくつ
かの提案がなされている。ガスを用いた例としては特公
昭５５−４２５０７号公報に開示された例があるが、ガ
スを用いた取扱いにめんどうな点がある上、いまだ実用
には至っていない。又、Ｘ線レーザに関する一般的な状
況については日本物理学会誌、第３１巻、第８号（１９
７６） 、第６４０頁〜第６４１頁に報告されているが
、十分の成功をみるに至っていない。
も議論がなされ、たとえばＸ線レーザに関してもいくつ
かの提案がなされている。ガスを用いた例としては特公
昭５５−４２５０７号公報に開示された例があるが、ガ
スを用いた取扱いにめんどうな点がある上、いまだ実用
には至っていない。又、Ｘ線レーザに関する一般的な状
況については日本物理学会誌、第３１巻、第８号（１９
７６） 、第６４０頁〜第６４１頁に報告されているが
、十分の成功をみるに至っていない。
本発明の目的は、新規な原理に基づくコヒーレント輻射
光の発生装置および方法を提供するものである。
光の発生装置および方法を提供するものである。
本発明のコヒーレント幅射光発生方法は層間化合物（Ｉ
ｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を用い
たもので、基本構成は次の通りである。
ｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を用い
たもので、基本構成は次の通りである。
第１図に例示する如く層状の母結晶１の層間にインター
カラントＩｎｔｅｒｃａｌａｎｔ） ２と呼ばれる異種
原子或いは分子が挿入された層間化合物層を準備する。
カラントＩｎｔｅｒｃａｌａｎｔ） ２と呼ばれる異種
原子或いは分子が挿入された層間化合物層を準備する。
こうした層間化合物の典型的な例はグラファイト層間化
合物（Ｇｒａｐｈｉｔｅ Ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ
Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、略してＧＩＣ）である。第１図にＧ
ＩＣを例にとった層間化合物の概念図である。
合物（Ｇｒａｐｈｉｔｅ Ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｉｏｎ
Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、略してＧＩＣ）である。第１図にＧ
ＩＣを例にとった層間化合物の概念図である。
前記のインターカラントは外部からの励起ビームに対し
蛍光励起を示し、且層状母結晶はインターカラントから
放出される電磁波に対し透明なるように選択される。
蛍光励起を示し、且層状母結晶はインターカラントから
放出される電磁波に対し透明なるように選択される。
この様な層間化合物の代表例は塩化化合物たとえばＡｆ
ｌＣＱ、、又は５ｂＣＱｓ分子化合物をインターカラン
トとしたＧＩＣである。
ｌＣＱ、、又は５ｂＣＱｓ分子化合物をインターカラン
トとしたＧＩＣである。
準備された眉間化合物の層面に平行な方向より励起ビー
ムを照射することによりインターカラントの電子は励起
され、ちょうど層状母結晶に電子が蓄積され、次いで間
接遷移（ｉｎｄｉｒＯｃｔｔｒａｎｓｊｔｉｏｎ）の形
式で、再びインターカラントに遷移する。そしてたとえ
ばインターカラン１〜における蛍光Ｘ線の如き電磁波（
言葉を替えると蛍光フォトン−ｆｌｕｏｒｅｓｅｎｃｅ
ｐｈｔｏｎ−）が発生する・この場合、前記間接遷移
の緩和時間 （ｒｅｌａｘａｔｉｏｎｔｊｍｅ） τ１を前記蛍光
フォトンのインターカラント層間の伝達速度で、より長
くせしめることによって蛍光フォトンの定在波（ｓｔａ
ｎｄｉｎｇｗａｖｅ）を生ぜしめ得る。第２図はコヒー
レント輻射光の放出状態を示した模式図である。
ムを照射することによりインターカラントの電子は励起
され、ちょうど層状母結晶に電子が蓄積され、次いで間
接遷移（ｉｎｄｉｒＯｃｔｔｒａｎｓｊｔｉｏｎ）の形
式で、再びインターカラントに遷移する。そしてたとえ
ばインターカラン１〜における蛍光Ｘ線の如き電磁波（
言葉を替えると蛍光フォトン−ｆｌｕｏｒｅｓｅｎｃｅ
ｐｈｔｏｎ−）が発生する・この場合、前記間接遷移
の緩和時間 （ｒｅｌａｘａｔｉｏｎｔｊｍｅ） τ１を前記蛍光
フォトンのインターカラント層間の伝達速度で、より長
くせしめることによって蛍光フォトンの定在波（ｓｔａ
ｎｄｉｎｇｗａｖｅ）を生ぜしめ得る。第２図はコヒー
レント輻射光の放出状態を示した模式図である。
ｌは層状母結晶、２はインターカラント、３は外部から
の励起ビームを示しており、４の如く蛍光フォトンの定
在波を生ぜしめ、当該定在波を超放出（ｓｕｐｅｒ ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）させることによってコヒーレント輻
射光を得ることが出来る。
の励起ビームを示しており、４の如く蛍光フォトンの定
在波を生ぜしめ、当該定在波を超放出（ｓｕｐｅｒ ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）させることによってコヒーレント輻
射光を得ることが出来る。
本発明は全く新規な発光原理に基づくので以下詳細に説
明する。
明する。
以下、層間化合物として、塩化分子層をインターカラン
トとするＧＩＣを例とする。
トとするＧＩＣを例とする。
Ａ Ｑ ＣＱ３ をインターカラント２とした場合、第
３図（ａ）に図示する如く、Ａ Ｑ ＣＱ３ が２次元
層状分子結晶構造としてグラファイト層状母結晶１の概
ね２〜５層毎に挿入されている。一方、ＳｂＣＱ、をイ
ンターカラント２とした場合、同図（ｂ）に示す如く、
３方両錐分子結晶構造として挿入されている。グラファ
イト層状母結晶の一層毎にインターカラントを挿入した
のではインターカラントにいわゆる液相となっており、
他方６磨具−１―毎にするといわゆるガス状になってい
るため、本発明の目的に適さない。しかし、２〜５層毎
にインターカラントを挿入すると、そのインターカラン
トが塩化化合物、弗化化合物の例ではアクセプタ型人工
層状結晶として安定なＧＩＣとなる。
３図（ａ）に図示する如く、Ａ Ｑ ＣＱ３ が２次元
層状分子結晶構造としてグラファイト層状母結晶１の概
ね２〜５層毎に挿入されている。一方、ＳｂＣＱ、をイ
ンターカラント２とした場合、同図（ｂ）に示す如く、
３方両錐分子結晶構造として挿入されている。グラファ
イト層状母結晶の一層毎にインターカラントを挿入した
のではインターカラントにいわゆる液相となっており、
他方６磨具−１―毎にするといわゆるガス状になってい
るため、本発明の目的に適さない。しかし、２〜５層毎
にインターカラントを挿入すると、そのインターカラン
トが塩化化合物、弗化化合物の例ではアクセプタ型人工
層状結晶として安定なＧＩＣとなる。
なお、どの様な状態でインターカラントが挿入されるか
は、グラファイト結晶を塩化物のガス雰囲気中で熱処理
することによりインターカラントを挿入する際の処理温
度で制御される。
は、グラファイト結晶を塩化物のガス雰囲気中で熱処理
することによりインターカラントを挿入する際の処理温
度で制御される。
この様なアクセプタ型ＧＩＣの電子帯構造は第４図（ａ
）、（ｂ）に示される。同図（ａ）はＡＱＣＱ３をイン
ターカラントとしたＧＩＣ１同図（ｂ）は５ｂｃｕ、を
インターカラントとした場合のものである。
）、（ｂ）に示される。同図（ａ）はＡＱＣＱ３をイン
ターカラントとしたＧＩＣ１同図（ｂ）は５ｂｃｕ、を
インターカラントとした場合のものである。
ＡｎＣＱ、−ＧＩＣを例にとると照射ビーム（この例で
は、たとえばＸ線）の刺激によってＣＱ原子のり、Ｍ、
Ｎ準位の電子はグラファイト層のフェルミ準位近くの準
位に励起される。こうして刺激Ｘ線によってグラファイ
ト層のフェルミ準位近くの電子が増加し、次いで電子は
ＣＱ原子のＬ準位に遷移する。この様に励起電子はいわ
ゆる間接遷移の形式を取る。このため励起電子が緩和（
ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ）をする時定数は１０−”ｓｅ
ｅ程度となる。
は、たとえばＸ線）の刺激によってＣＱ原子のり、Ｍ、
Ｎ準位の電子はグラファイト層のフェルミ準位近くの準
位に励起される。こうして刺激Ｘ線によってグラファイ
ト層のフェルミ準位近くの電子が増加し、次いで電子は
ＣＱ原子のＬ準位に遷移する。この様に励起電子はいわ
ゆる間接遷移の形式を取る。このため励起電子が緩和（
ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ）をする時定数は１０−”ｓｅ
ｅ程度となる。
一方、ＡＱＣＱ、のＣＱ原子のＬ’ −に遷移による蛍
光Ｘ線が隣接原子のに準位電子をＬ準位に励起するため
には、 のエネルギー伝達速度を要する。第５図はエネルギー伝
達速度の算定のために参酌するインターカラント中の原
子配置を示す図である。
光Ｘ線が隣接原子のに準位電子をＬ準位に励起するため
には、 のエネルギー伝達速度を要する。第５図はエネルギー伝
達速度の算定のために参酌するインターカラント中の原
子配置を示す図である。
このτ、（即ちＣ１□７□−ＣＱＬ、遷移の時定数）は
前述の励起電子の緩和時間（ｒｅｌ、ａｘａｔｉｏｎ
ｔｉｍＯ）に較べて早いものである。従って、前述した
通り照射ビームによるり、Ｍ、Ｎ準位の電子は、励起に
よりグラファイト層のフェルミ準位近くに存在すること
になる。
前述の励起電子の緩和時間（ｒｅｌ、ａｘａｔｉｏｎ
ｔｉｍＯ）に較べて早いものである。従って、前述した
通り照射ビームによるり、Ｍ、Ｎ準位の電子は、励起に
よりグラファイト層のフェルミ準位近くに存在すること
になる。
この電子の間接遷移によってＣＱのＬ準位に移る緩和時
間（τ、）は τｌＩ＞τｔ である。従って、層内のＡＱＣｏ、３の原子は双極子間
の相互作用（ｄｉｐｏｌｅ−ｃｌｉｓｐｏｌｅ−ｉｎｔ
ｓｒａｃｔｉｏｎ ）によって、一種のプラズマ振動（
ｐｌａｓｍａｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）をする原子集団
を作る。原子集団の慎 作る巨大双極子（ベクターは単癩原子の双極子相互作用
のごとく早くなく、励起電子の間接相互作用が加わるの
で、励起状態よりの緩和時間τン俣きくなり、インター
カラント層間（間隔Ｌ）を走る蛍光フォトンの伝達時間
（τＬ）より長くなる。
間（τ、）は τｌＩ＞τｔ である。従って、層内のＡＱＣｏ、３の原子は双極子間
の相互作用（ｄｉｐｏｌｅ−ｃｌｉｓｐｏｌｅ−ｉｎｔ
ｓｒａｃｔｉｏｎ ）によって、一種のプラズマ振動（
ｐｌａｓｍａｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）をする原子集団
を作る。原子集団の慎 作る巨大双極子（ベクターは単癩原子の双極子相互作用
のごとく早くなく、励起電子の間接相互作用が加わるの
で、励起状態よりの緩和時間τン俣きくなり、インター
カラント層間（間隔Ｌ）を走る蛍光フォトンの伝達時間
（τＬ）より長くなる。
従って、層と層との間に２方向の層間共振器による定常
波（Ｃａ１１ｉｔｙ Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ）を
生じる。第２図に示したようにインターカラント層間に
分子間に生じる相互作用（Ｍａｃｒｏｓｃｏｐｊｃ−ｄ
ｉｐｏｌｅ−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ−ｄｉｐｏｌｅ
１ｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ）により、１ｉＬ−に遷移によ
る４、２８人の波長のＸ線の定在波が生じる。こうして
、ＧＩＣは一種のキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）となり、
外部よりの照射ビームによって、ＣＱＬ−に遷移の蛍光
ｘｉの放出が増加すると共握定在波（ｃａｖｉｔｙ ｓ
ｔａｎｄｊｎｇｗａｖｅ）のパワーは増加して、インタ
ーカラント層の見掛け−Ｌの誘電関数 Ｅ＝ε。（１−Ｅ’ ＋ｉ ｔ’ ） は実部と虚部が等しくなる。
波（Ｃａ１１ｉｔｙ Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ）を
生じる。第２図に示したようにインターカラント層間に
分子間に生じる相互作用（Ｍａｃｒｏｓｃｏｐｊｃ−ｄ
ｉｐｏｌｅ−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ−ｄｉｐｏｌｅ
１ｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ）により、１ｉＬ−に遷移によ
る４、２８人の波長のＸ線の定在波が生じる。こうして
、ＧＩＣは一種のキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）となり、
外部よりの照射ビームによって、ＣＱＬ−に遷移の蛍光
ｘｉの放出が増加すると共握定在波（ｃａｖｉｔｙ ｓ
ｔａｎｄｊｎｇｗａｖｅ）のパワーは増加して、インタ
ーカラント層の見掛け−Ｌの誘電関数 Ｅ＝ε。（１−Ｅ’ ＋ｉ ｔ’ ） は実部と虚部が等しくなる。
即ち、１−ε′＝ε′である。
従って、ｐ＝Ｅｏ（１（１ｉ）ε′）と考えられ、擬誘
電関数になる。
電関数になる。
この場合、蛍光フォトンはインターカラント層に対して
擬似全反射を生じることになり、照射ビームの輝度が増
大すると定在波のパワーが増加してε′＝０となり、当
該定在波は外部にパルス的に超放出する。外部の刺激（
ｐｕｍｐｉｎｇ）のフォトン（０，８人〜３人）の輝度
がおおむね１０”／ｃｄになると超放出が生じる。
擬似全反射を生じることになり、照射ビームの輝度が増
大すると定在波のパワーが増加してε′＝０となり、当
該定在波は外部にパルス的に超放出する。外部の刺激（
ｐｕｍｐｉｎｇ）のフォトン（０，８人〜３人）の輝度
がおおむね１０”／ｃｄになると超放出が生じる。
第６図はポンピングフォトンの数と励起フォトンの数の
関係を示したものである。ポンピングフォトンが２ Ｘ
１０’／ａＪのところでインターカラント群（ｊｎｔ
ａｒｃａｌａｎｔ ｍｏｌｅｃｕｌｏｒ ｇｒｏｕｐ）
での双極子−双極子相互作用（ｄｉｐｏｌｅ−ｄｊ ｐ
ｏｌａ−ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）に基づき巨視的な双
極子の相互作用（Ｍａｃｒｏｓｃｏｐｉｃ ｄｉｐｏｌ
ｅ ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）によって前述ので６が増
大し、ＣＱの励起蛍光ｐｈｏｔｏｎの数は外部刺激Ｘ線
の輝度に対して非線形的に増加している。第６図におけ
る層間共振と表示した領域でコヒーレントな輻射光が超
放出することとなる。
関係を示したものである。ポンピングフォトンが２ Ｘ
１０’／ａＪのところでインターカラント群（ｊｎｔ
ａｒｃａｌａｎｔ ｍｏｌｅｃｕｌｏｒ ｇｒｏｕｐ）
での双極子−双極子相互作用（ｄｉｐｏｌｅ−ｄｊ ｐ
ｏｌａ−ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）に基づき巨視的な双
極子の相互作用（Ｍａｃｒｏｓｃｏｐｉｃ ｄｉｐｏｌ
ｅ ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）によって前述ので６が増
大し、ＣＱの励起蛍光ｐｈｏｔｏｎの数は外部刺激Ｘ線
の輝度に対して非線形的に増加している。第６図におけ
る層間共振と表示した領域でコヒーレントな輻射光が超
放出することとなる。
場合、弗素或いは酸素のに−ＬＩＩＡによる輻射光が考
えられる。
えられる。
いずれの場合も波長は５．５６人及び１２．８４人の軟
Ｘ線領域のコヒーレント光なので空気中では減少するた
め真空中で操作する必要がある。
Ｘ線領域のコヒーレント光なので空気中では減少するた
め真空中で操作する必要がある。
このようにアクセプタ型（ａｃｃｅｐｔｏｒ−ｔｙｐｅ
）のＧＩＣは真空紫外−軟Ｘ線−硬Ｘ線領域での輻射用
材料として極めて優れたものである。
）のＧＩＣは真空紫外−軟Ｘ線−硬Ｘ線領域での輻射用
材料として極めて優れたものである。
第７図に本輻射光発生装置の実装説明図を示す。
５はこれまで説明してきた層間化合物結晶、６照射ビ一
ム発生用の板でたとえばＣｒ或いはＣｕターゲットであ
る。７はこれらのホールダーで、冷却用船筒である。１
４は試料ホールダーである。
ム発生用の板でたとえばＣｒ或いはＣｕターゲットであ
る。７はこれらのホールダーで、冷却用船筒である。１
４は試料ホールダーである。
９はホールダーに設けられた輻射光の取出し窓でこれか
らＸ線がサンプルに放射される。８は冷却棒でＣｕ或は
Ｐｂ等が用いられる。１０は冷却用容器で中に液体窒素
が入れられる。
らＸ線がサンプルに放射される。８は冷却棒でＣｕ或は
Ｐｂ等が用いられる。１０は冷却用容器で中に液体窒素
が入れられる。
６のＣｒ又はＣｕターゲットに高エネルギー電子線を投
射して特性Ｘ線を出す。高密度のフォトン出すために、
ターゲットをレンズ状にしてＩＴＭｎ角の１ｎｔｅｒｃ
ａｌａｎｔ ｇｒａｐｈｉｔｅにフォトンを集光させる
。又、高濃度の特性Ｘ線によるフォトンを出すため、電
子の加速エネルギーを５０ＫＶ〜２００ＫＶで行い、タ
ーゲット自体も冷却しである。
射して特性Ｘ線を出す。高密度のフォトン出すために、
ターゲットをレンズ状にしてＩＴＭｎ角の１ｎｔｅｒｃ
ａｌａｎｔ ｇｒａｐｈｉｔｅにフォトンを集光させる
。又、高濃度の特性Ｘ線によるフォトンを出すため、電
子の加速エネルギーを５０ＫＶ〜２００ＫＶで行い、タ
ーゲット自体も冷却しである。
特性Ｘ線による励起フォトン数、１０７〜”／ｃｘｌの
量がｌｌｌｌ１１２ のグラファイト面に照射されるよ
うに工夫する。
量がｌｌｌｌ１１２ のグラファイト面に照射されるよ
うに工夫する。
第８図のインターカラントをグラファイト中に挿入する
ための燻の略図である。２１はガラス管で所用のグラフ
ァイト２２、及びインターカラント材料２３、を封入し
ている。２４は全体の温度を適温に保つコントロールさ
れた燻である２５のヒーターでグラファイトを必要温度
に保ち、２６イ のヒーターでＡンターカラントから必要分子を蒸気化さ
せる、２７から蒸気をグラファイトで運ぶガスを送風す
る。２８はガスの出口である。適当な温度時間条件の後
、バーナー２９．３０を用し）て、ガラス管を封止する
。
ための燻の略図である。２１はガラス管で所用のグラフ
ァイト２２、及びインターカラント材料２３、を封入し
ている。２４は全体の温度を適温に保つコントロールさ
れた燻である２５のヒーターでグラファイトを必要温度
に保ち、２６イ のヒーターでＡンターカラントから必要分子を蒸気化さ
せる、２７から蒸気をグラファイトで運ぶガスを送風す
る。２８はガスの出口である。適当な温度時間条件の後
、バーナー２９．３０を用し）て、ガラス管を封止する
。
〔発明の実施例〕
先ず、５ｂＣ１１ＳをインターカラントとしたＧＩＣの
例を示す。
例を示す。
４＋＋ｎ＋角、厚さ２画のグラファイト板を準備し、こ
れに５ｂＣＱ５をインターカラントとして挿入する。こ
れは第８図に示したごとき装置で、大略は前頁に示した
。良質のインターカラント・グラファイトを作るために
は燻の構造、及び、温度コントロール条件、時間条件、
蒸気圧条件は特に精密に確立する必要がある。
れに５ｂＣＱ５をインターカラントとして挿入する。こ
れは第８図に示したごとき装置で、大略は前頁に示した
。良質のインターカラント・グラファイトを作るために
は燻の構造、及び、温度コントロール条件、時間条件、
蒸気圧条件は特に精密に確立する必要がある。
温度コントロールによってインターカラントの状態を制
御出来るこはは先に述べたが、この場合３５０℃±１０
℃の温度範囲で好都合に３〜５層のグラファイト層毎に
インターカラントが挿入される。たとえば５層毎の時、
インターカラント層の間の間隔は（３，３５Ｘ ５人）
となる。グラファイト間隔は平均３．３５人 と仮定、
する。インターカラントの間隔（Ｌ）は約１６．７５人
である。こうして準備したＧＩＣ結晶を金属製のホール
ダに装着する。ＧＩＣの層の面をホールダの窓に向けて
設置することはいうまでもない。
御出来るこはは先に述べたが、この場合３５０℃±１０
℃の温度範囲で好都合に３〜５層のグラファイト層毎に
インターカラントが挿入される。たとえば５層毎の時、
インターカラント層の間の間隔は（３，３５Ｘ ５人）
となる。グラファイト間隔は平均３．３５人 と仮定、
する。インターカラントの間隔（Ｌ）は約１６．７５人
である。こうして準備したＧＩＣ結晶を金属製のホール
ダに装着する。ＧＩＣの層の面をホールダの窓に向けて
設置することはいうまでもない。
第７図に示した装置にＧＩＣを装置し、ＧＩＣは液体窒
素で冷却する。５０ＫＶより大きい電圧を加えて、Ｃｒ
或いはＣｕ板６に高エネルギーの電子線ビーム］４を照
射し、ＣｒＫ、（或いはＣｕＫ１特性Ｘ線を発生させる
。この特性Ｘ線を刺激Ｘ線として１０″″″’／ａｌの
数のフォトン発生させターゲットをレンズ状にして、１
０””０／ａａのフォトンを１ｍ角の５ａｎｐｌｅに照
射して、蛍光Ｘ線をインターカラント層間に出させる。
素で冷却する。５０ＫＶより大きい電圧を加えて、Ｃｒ
或いはＣｕ板６に高エネルギーの電子線ビーム］４を照
射し、ＣｒＫ、（或いはＣｕＫ１特性Ｘ線を発生させる
。この特性Ｘ線を刺激Ｘ線として１０″″″’／ａｌの
数のフォトン発生させターゲットをレンズ状にして、１
０””０／ａａのフォトンを１ｍ角の５ａｎｐｌｅに照
射して、蛍光Ｘ線をインターカラント層間に出させる。
第９図発光スペクトルの例を示す。
第１図は眉間化合物のモデルを示す図、第２図は本発明
の輻射光発生装置の発光機構を説明する図、第３図は塩
化化合物をインターカラントとするＧＩＣのモデルを示
す図、第４図は塩化化合物をインターカラントとするＧ
ＩＣの電子帯構造を示す図、第５図はインターカラント
の原子配置を示す図、第６図はポンピングフォトンの数
と励起フォトンの数の関係を示す図、第７図は本発明の
実装状態を示す図、第８図はＧＩＣの製造方法を説明す
る図、第９図は発光スペクトルの例を示す図である。 １・・層状母結晶、２・インターカラント、３・・励起
ビーム、４・・・蛍光フォトンの定在波、５・・・層間
化合物、６・・・照射ビーム発生用の板、７・ホール（
］３） 第 １ 図 し Ｎ Ｎ ＼ 眞功←５ユへ繭と 手 続 補 正 書
の輻射光発生装置の発光機構を説明する図、第３図は塩
化化合物をインターカラントとするＧＩＣのモデルを示
す図、第４図は塩化化合物をインターカラントとするＧ
ＩＣの電子帯構造を示す図、第５図はインターカラント
の原子配置を示す図、第６図はポンピングフォトンの数
と励起フォトンの数の関係を示す図、第７図は本発明の
実装状態を示す図、第８図はＧＩＣの製造方法を説明す
る図、第９図は発光スペクトルの例を示す図である。 １・・層状母結晶、２・インターカラント、３・・励起
ビーム、４・・・蛍光フォトンの定在波、５・・・層間
化合物、６・・・照射ビーム発生用の板、７・ホール（
］３） 第 １ 図 し Ｎ Ｎ ＼ 眞功←５ユへ繭と 手 続 補 正 書
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、励起ビームの照射によつて蛍光励起を示すインター
カラントと、該蛍光に対し透明なる母結晶を有する層間
化合物層と、前記層間化合物に対し励起ビームを照射す
る手段とを少なくとも有することを特徴とする輻射線発
生装置。 ２、前記層間化合物が、グラフアイト層間化合物なるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の輻射線発生
装置。 ３、前記層間化合物がアクセプタ型なることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の輻射線発生装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749084A JPS6136984A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 輻射線発生装置 |
| EP19850903708 EP0191863A4 (en) | 1984-07-30 | 1985-07-24 | BEAM GENERATOR. |
| PCT/JP1985/000421 WO1986001046A1 (fr) | 1984-07-30 | 1985-07-24 | Generateur de rayonnements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749084A JPS6136984A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 輻射線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136984A true JPS6136984A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15650822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15749084A Pending JPS6136984A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 輻射線発生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0191863A4 (ja) |
| JP (1) | JPS6136984A (ja) |
| WO (1) | WO1986001046A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3688755T2 (de) * | 1985-03-27 | 1994-01-05 | Hitachi Ltd | Generator für kohärente Strahlung mit einer Intercalationsverbindung. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2265196B1 (ja) * | 1974-03-21 | 1978-09-15 | Marie G R P | |
| JPS58181000A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-22 | 株式会社日立製作所 | 同位相光超輻射発光装置 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15749084A patent/JPS6136984A/ja active Pending
-
1985
- 1985-07-24 EP EP19850903708 patent/EP0191863A4/en not_active Withdrawn
- 1985-07-24 WO PCT/JP1985/000421 patent/WO1986001046A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1986001046A1 (fr) | 1986-02-13 |
| EP0191863A1 (en) | 1986-08-27 |
| EP0191863A4 (en) | 1988-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4630274A (en) | Method and apparatus for generating short intensive pulses of electromagnetic radiation in the wavelength range below about 100 nm | |
| KR20070091603A (ko) | Ｅｕｖ 콜렉터 파편 관리 | |
| JP2011505668A (ja) | レーザ加熱放電プラズマｅｕｖ光源 | |
| CN101042975A (zh) | X射线发生方法和x射线发生装置 | |
| JPWO2011027881A1 (ja) | 真空紫外発光デバイス | |
| Chehab et al. | Study of a positron source generated by photons from ultrarelativistic channeled particles | |
| JP3282798B2 (ja) | エキシマランプおよびエキシマ発光装置 | |
| RU2142666C1 (ru) | Способ и устройство для создания лазера сверхжесткого излучения (варианты) | |
| Masters | Albert Einstein and the nature of light | |
| EP0196062B1 (en) | Generator of coherent radiation using an intercalation compound | |
| JP6837834B2 (ja) | 紫外光発生用ターゲット及びその製造方法、並びに電子線励起紫外光源 | |
| WO1986001046A1 (fr) | Generateur de rayonnements | |
| Volkov et al. | Generation of hard x-ray radiation by irradiation of porous silicon with ultraintense femtosecond laser pulses | |
| JP2003282424A (ja) | 極端紫外光発生装置 | |
| US4791645A (en) | Lighting device | |
| JPH0750151A (ja) | エキシマ放電ランプ | |
| USH66H (en) | Pulsed plasma generation of extreme ultraviolet radiation | |
| JP4200271B2 (ja) | 微粒子の製造方法 | |
| RU212813U1 (ru) | Устройство для получения в газовой фазе молекул фуллеренов с контролируемыми параметрами в возбужденных электронно-колебательных состояниях | |
| Oyama et al. | An extreme ultraviolet radiation source for the simulation of the ionosphere | |
| JP4950785B2 (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| Avdeev et al. | Barrier Discharge Excilamps with a Small-Diameter Exit Window and Their Application | |
| Danilov et al. | Fullerene-oxygen-iodine laser (FOIL). Physical principles | |
| Latush et al. | Small-scale efficient He-Sr+ (Ca+) recombination lasers | |
| Danilov et al. | Photoionization cross sections of excited states of some mercury-like ions in alkali halide crystals |