JPS6136726A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
- Publication number
- JPS6136726A JPS6136726A JP15750084A JP15750084A JPS6136726A JP S6136726 A JPS6136726 A JP S6136726A JP 15750084 A JP15750084 A JP 15750084A JP 15750084 A JP15750084 A JP 15750084A JP S6136726 A JPS6136726 A JP S6136726A
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- JP
- Japan
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- optical
- coupling part
- mode light
- light
- electrodes
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信システムにおいて、光ファイバを伝播す
る光信号を他の光ファイバを伝播するように切換える光
スイッチに係わり、その切換を電圧の印加によって行な
う光スイッチに関する。
る光信号を他の光ファイバを伝播するように切換える光
スイッチに係わり、その切換を電圧の印加によって行な
う光スイッチに関する。
従来のリッジ型（リブガイド型またはリブ型と呼ばれる
こともある。）光導波路における光スイッチで、導波路
に設けた電極に印加する電圧を制御して切換を行う光ス
イッチは、２つの光導波路を平行に接近させ、それぞれ
の導波路に電極を設ける方法（多田他「ショットキー接
触を有する分布結合ガイド形光変調器」電子通信学会技
術研究導波路とＸ字状に交叉させた結合部に電極を設け
る方法（Ｈ，ＮＡＫＡＪＩＭＡ ａｔａｌ、 ”Ｂｉｐ
ｏｌａｒ ＶｏｌｔａｇｓＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ０ｐ
ｔｉｃａｌ ５ｗ１ｔｃｈ ＩＪｓｉｎｇ Ｔｉ ：
ＬｉＮｂ０゜Ｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇ ｖａｖａｇｕｉ
ｄｅ、”Ｆｏｒｔｈ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ０ｐ
ｔｉｃｓａｎｄ ０ｐｔｉｃａｌＦｉｂｅｒ Ｃｏｍｍ
ｕｎｉｃａｔｉｏｎ、Ｍａｉｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
丁ａｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ、 Ｊｕｎｅ２
７〜３０． １９８３ Ｔｏｋｙｏ。
こともある。）光導波路における光スイッチで、導波路
に設けた電極に印加する電圧を制御して切換を行う光ス
イッチは、２つの光導波路を平行に接近させ、それぞれ
の導波路に電極を設ける方法（多田他「ショットキー接
触を有する分布結合ガイド形光変調器」電子通信学会技
術研究導波路とＸ字状に交叉させた結合部に電極を設け
る方法（Ｈ，ＮＡＫＡＪＩＭＡ ａｔａｌ、 ”Ｂｉｐ
ｏｌａｒ ＶｏｌｔａｇｓＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ０ｐ
ｔｉｃａｌ ５ｗ１ｔｃｈ ＩＪｓｉｎｇ Ｔｉ ：
ＬｉＮｂ０゜Ｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇ ｖａｖａｇｕｉ
ｄｅ、”Ｆｏｒｔｈ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ０ｐ
ｔｉｃｓａｎｄ ０ｐｔｉｃａｌＦｉｂｅｒ Ｃｏｍｍ
ｕｎｉｃａｔｉｏｎ、Ｍａｉｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
丁ａｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ、 Ｊｕｎｅ２
７〜３０． １９８３ Ｔｏｋｙｏ。
Ｊａｐａｎ、 Ｐ２Ｓ５〜３６５） （以下公知例２
と記す）が知られている。しかしこれらの方法は消光比
（光スイッチにおいて一方の光導波路からの信号出力と
他方の光導波路からの信号出力の比）が小さい（井上他
、「方向性結合器型光スイッチの消光比に関する検討」
昭和５９年度電子通信学会結合全国大会講演論文集〔分
冊４３．１２４頁、 １９８４年３月２６〜２８日）、
印加電圧が高い（前記公知例１および２参照）、小型化
しにくいなどの欠点がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯｓ ）を用いた場合には精密加工が困難なため
寸法精度が悪く大型にならざるを得ないのが現状である
。
と記す）が知られている。しかしこれらの方法は消光比
（光スイッチにおいて一方の光導波路からの信号出力と
他方の光導波路からの信号出力の比）が小さい（井上他
、「方向性結合器型光スイッチの消光比に関する検討」
昭和５９年度電子通信学会結合全国大会講演論文集〔分
冊４３．１２４頁、 １９８４年３月２６〜２８日）、
印加電圧が高い（前記公知例１および２参照）、小型化
しにくいなどの欠点がある。特にニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯｓ ）を用いた場合には精密加工が困難なため
寸法精度が悪く大型にならざるを得ないのが現状である
。
本発明の目的は、消光比が大きく、低電圧により切換え
ることが可能で、かつ小型化および半導体レーザとの集
積化が可能な光スイッチを提供することにある。
ることが可能で、かつ小型化および半導体レーザとの集
積化が可能な光スイッチを提供することにある。
本発明の基本構成を第１図に示す、第１図（ａ）は上面
回覧、第１図（ｂ）および（ｃ）は断面図である。第１
図に示すようにリッジ型光導波路ｌおよび１′を徐々に
接近させ、これらの光導波路をほぼ平行にして一体化し
て結合部２を構成する。この結合部２に電界を印加する
ために、結合部２のリッジの表面に電極４を、また基板
６の背面に電極５を設ける。また結合部２の終端部３２
の断面の片側２分の１は光導波路３に、他の片側２分の
１は光導波路３′に連っている。
回覧、第１図（ｂ）および（ｃ）は断面図である。第１
図に示すようにリッジ型光導波路ｌおよび１′を徐々に
接近させ、これらの光導波路をほぼ平行にして一体化し
て結合部２を構成する。この結合部２に電界を印加する
ために、結合部２のリッジの表面に電極４を、また基板
６の背面に電極５を設ける。また結合部２の終端部３２
の断面の片側２分の１は光導波路３に、他の片側２分の
１は光導波路３′に連っている。
ここで本発明の基礎となる光の伝搬について説明する。
２つのリッジ型光導波路を間隔Ｗで配置し、それぞれの
光導波路に、第２図に示すような電界分布をもつ偶モー
ド光（第２図（、）の１０）と奇モード光（第２図（ｂ
Ａ％）から成るＴＭモードまたはＴＥモードの光を入射
すると、第３図に示すように間隔Ｗが大きい場合には偶
モード光と奇モード光の伝播定数はほぼ等しいが、Ｗが
小さくなると伝搬定数が異ってくる。すなわち光導波路
が近接すると偶モード光と奇モード光がそれぞれ独立に
伝搬するようになる。本発明はこの現象を利用し、さら
に偶モード光の伝搬定数を電界により制御し、かつ光の
干渉を利用してスイッチングを行うものである。より具
体的に記述するならば、本発明では、Ｗ＝０、すなわち
２つの光導波部１および１′を第１図に示すように一体
化して結合部２を構成し、そのほぼ中央に設けられた電
極４および基板背面に設けた電極５によって生じさせる
電界を制御して結合部２の中央部２２（第４図参照）の
屈折率を変化させて偶モード光の伝搬を制御し、偶モー
ド光と奇モード光の干渉によりスイッチングを行ってい
る。
光導波路に、第２図に示すような電界分布をもつ偶モー
ド光（第２図（、）の１０）と奇モード光（第２図（ｂ
Ａ％）から成るＴＭモードまたはＴＥモードの光を入射
すると、第３図に示すように間隔Ｗが大きい場合には偶
モード光と奇モード光の伝播定数はほぼ等しいが、Ｗが
小さくなると伝搬定数が異ってくる。すなわち光導波路
が近接すると偶モード光と奇モード光がそれぞれ独立に
伝搬するようになる。本発明はこの現象を利用し、さら
に偶モード光の伝搬定数を電界により制御し、かつ光の
干渉を利用してスイッチングを行うものである。より具
体的に記述するならば、本発明では、Ｗ＝０、すなわち
２つの光導波部１および１′を第１図に示すように一体
化して結合部２を構成し、そのほぼ中央に設けられた電
極４および基板背面に設けた電極５によって生じさせる
電界を制御して結合部２の中央部２２（第４図参照）の
屈折率を変化させて偶モード光の伝搬を制御し、偶モー
ド光と奇モード光の干渉によりスイッチングを行ってい
る。
次に本発明のスイッチング動作について詳しく説明する
。
。
第４図に結合部２の断面の拡大図を示す。
電極４は結合部２のほぼ中央に設けられているので電場
は結合部２の中央部２２に強く印加される。結合部２が
電気光学効果、フランツ・ケルディツシュ効果の少４く
ともいずれか１つの効果を示す物質で構成されていると
その電界によって中央部２２の屈折率が変化する。とこ
ろで、偶モード光の電界分布は第３図の１０で示される
ように中央部で大きいので前記屈折率の変化の影響を強
く受けてその伝搬速度が変化する。一方奇モード光は第
２図（ｂ）かられかるように中央部での電界は小さいの
で中央部２２の屈折率変化の影響を受げにくい、その結
果、印加電圧を調整して偶モード光の伝搬速度を制御す
ると結合部２の終端部すようになる。一方奇モード光は
屈折率変化による伝搬速度の変化はほとんどなく、かつ
結合部２の長さはその終端部３２における奇モード光の
電界の振幅がなるべく大きくなるように構成しであるの
で、いま終端部３２における偶モード光の振を 幅が、印加電圧ｖＩの時、第＼図（ａ）の１０のととく
、また印加電圧ｖ２の時、第一図（ｂ）の１０のごとく
なるとすると偶モード光と奇モード光が干渉して終端部
３２における伝搬光の電界振幅は第一図に示すようにな
る。すなわち、印加電圧ｖＩの時には伝搬光の電界分布
は第５図（ａ）の１２のようになり、したがって大部分
は一方の光導波路へ、また印加電圧ｖ２の時には伝搬光
の電界分布は第５図（ｂ）の１３のようになり、したが
って大部分は他方の光導波路へ出射されることになり、
スイッチング動作が行われることになる。
は結合部２の中央部２２に強く印加される。結合部２が
電気光学効果、フランツ・ケルディツシュ効果の少４く
ともいずれか１つの効果を示す物質で構成されていると
その電界によって中央部２２の屈折率が変化する。とこ
ろで、偶モード光の電界分布は第３図の１０で示される
ように中央部で大きいので前記屈折率の変化の影響を強
く受けてその伝搬速度が変化する。一方奇モード光は第
２図（ｂ）かられかるように中央部での電界は小さいの
で中央部２２の屈折率変化の影響を受げにくい、その結
果、印加電圧を調整して偶モード光の伝搬速度を制御す
ると結合部２の終端部すようになる。一方奇モード光は
屈折率変化による伝搬速度の変化はほとんどなく、かつ
結合部２の長さはその終端部３２における奇モード光の
電界の振幅がなるべく大きくなるように構成しであるの
で、いま終端部３２における偶モード光の振を 幅が、印加電圧ｖＩの時、第＼図（ａ）の１０のととく
、また印加電圧ｖ２の時、第一図（ｂ）の１０のごとく
なるとすると偶モード光と奇モード光が干渉して終端部
３２における伝搬光の電界振幅は第一図に示すようにな
る。すなわち、印加電圧ｖＩの時には伝搬光の電界分布
は第５図（ａ）の１２のようになり、したがって大部分
は一方の光導波路へ、また印加電圧ｖ２の時には伝搬光
の電界分布は第５図（ｂ）の１３のようになり、したが
って大部分は他方の光導波路へ出射されることになり、
スイッチング動作が行われることになる。
な変換損失が生じることがあるので、光導波路へ１′
と光導波路ｐは徐々に接近して、一体化する近傍では間
隔Ｗの変化率がほぼ零となるようにすると挿入損失の小
さい光スイッチができる。また偶モード光および奇モー
ド光は基本波と高次モードから成っているが結合部２に
おける光導波路の幅。
隔Ｗの変化率がほぼ零となるようにすると挿入損失の小
さい光スイッチができる。また偶モード光および奇モー
ド光は基本波と高次モードから成っているが結合部２に
おける光導波路の幅。
屈折率、リッジの高さ、光導波層の厚さなどの構造パラ
メータを適当にして、基本モードのみか。
メータを適当にして、基本モードのみか。
あるいは基本モードおよび伝送損失の大きい高次モード
の光を伝搬させるようにすると消光比の大きい光スイッ
チが構成できる。
の光を伝搬させるようにすると消光比の大きい光スイッ
チが構成できる。
次に本発明による光スイッチの寸法について説明する。
第３図に示した偶モードと奇モードの伝搬定数の差をΔ
βとし、光導波路３および３′から出る光出力をそれぞ
れＰｐおよびＰＣとすると、ＰＰ、ＰＣはモード結合の
原理によってＰｃ ｚｐ、 ｃｏｓ ” （Δβｎ
／ ２ ） −（１）は１′への光入力、Ｑは結合部
２の結合に有効な長さである。（１）式からΩの最低の
長さＱｍはｎｍ＝π／Δβ ・・・（
３）で与えられる。
βとし、光導波路３および３′から出る光出力をそれぞ
れＰｐおよびＰＣとすると、ＰＰ、ＰＣはモード結合の
原理によってＰｃ ｚｐ、 ｃｏｓ ” （Δβｎ
／ ２ ） −（１）は１′への光入力、Ｑは結合部
２の結合に有効な長さである。（１）式からΩの最低の
長さＱｍはｎｍ＝π／Δβ ・・・（
３）で与えられる。
第３図の場合のΔβ＝０．０２５４μｍ−’を（３）式
に代入するとｎ ｍ ＝０．２４７ ｒｍとなり、本発
明により極めて小型の光スイッチができることがわかる
。
に代入するとｎ ｍ ＝０．２４７ ｒｍとなり、本発
明により極めて小型の光スイッチができることがわかる
。
本発明は電極の構造が簡単で集積化にも適し。
またスイッチングは印加電圧を調節して行い得るので結
合部や電極の寸法精度に従来法のような波長の精度を要
しないため、生産が容易となる。
合部や電極の寸法精度に従来法のような波長の精度を要
しないため、生産が容易となる。
用いて説明する。第６図は実施例の構成図を、第７図は
実施例の工程図を示す。
実施例の工程図を示す。
まずｎ−ＧａＡｓ基板６上に、この基板６よりキャリア
濃度の低い高抵抗エピタキシャルＧａＡｓ層７を厚さ３
μｍにして成長させた０次にその上にＡＱ層１４を厚さ
が４０００人になるように蒸着しく第灰図（ａ）、続い
てエツチングを行って長さ３ｍ、幅２．５ μｍの電極
４を形成した（第１図（ｂ））。
濃度の低い高抵抗エピタキシャルＧａＡｓ層７を厚さ３
μｍにして成長させた０次にその上にＡＱ層１４を厚さ
が４０００人になるように蒸着しく第灰図（ａ）、続い
てエツチングを行って長さ３ｍ、幅２．５ μｍの電極
４を形成した（第１図（ｂ））。
その後光導波路１と１′および３と３′を断面ＣＣ′お
よびＢＢ’におけるそれらの間隔Ｗが１２５μｍになる
ように、また曲り部分の曲率半径Ｒが１６．５ｍとなる
ように、そして結合部２をその長さが３．２閣になるよ
うにイオンミリング装置を用いたエツチングにより形成
した。電極４の中心と結合部２の中心はほぼ一致させた
。続いて背面電極５をＡｆｌ蒸着で形成して光スイッチ
の作製を完了した（第暮図（・））。
よびＢＢ’におけるそれらの間隔Ｗが１２５μｍになる
ように、また曲り部分の曲率半径Ｒが１６．５ｍとなる
ように、そして結合部２をその長さが３．２閣になるよ
うにイオンミリング装置を用いたエツチングにより形成
した。電極４の中心と結合部２の中心はほぼ一致させた
。続いて背面電極５をＡｆｌ蒸着で形成して光スイッチ
の作製を完了した（第暮図（・））。
次に作製した光スイッチの性能評価を行った。
波長１．３ μｍの半導体レーザ光を光導波路１および
１′に入射し、電極４および５の間に３．５Ｖの電圧を
印加したところ、光導波路３および３′からの出射光の
比は０．１ 対９９．９ となり、電圧を１８．５Ｖに
した時の前記出射光の比は９９．９１ 対０．０９
となり、光スイツチング動作が確認できた。また伝搬の
帯域は４ＧＨｚと広帯域であり、伝搬損失は０．７ ｄ
Ｂと低損失であった。
１′に入射し、電極４および５の間に３．５Ｖの電圧を
印加したところ、光導波路３および３′からの出射光の
比は０．１ 対９９．９ となり、電圧を１８．５Ｖに
した時の前記出射光の比は９９．９１ 対０．０９
となり、光スイツチング動作が確認できた。また伝搬の
帯域は４ＧＨｚと広帯域であり、伝搬損失は０．７ ｄ
Ｂと低損失であった。
また、上記工程と同様の方法で電極幅２ｈ（第６図参照
）が異なる光スイッチを製作し、印加電圧を調節して結
合部２の中央部２２の屈折率を変化させて、屈折率の変
化量Δｎと奇モード光と偶モード光の伝搬定数の差Ａβ
の変化量Δβ′とｈの関係を測定し、第８図の結果を得
た。この場合、光導波路の幅ａは３μｍである。第８図
の結果および消光比の結果から、ｈ ／ ａの実用上の
適値は０．４７ ＞ｈ／ａｋｏ、１９ であると判断
された。
）が異なる光スイッチを製作し、印加電圧を調節して結
合部２の中央部２２の屈折率を変化させて、屈折率の変
化量Δｎと奇モード光と偶モード光の伝搬定数の差Ａβ
の変化量Δβ′とｈの関係を測定し、第８図の結果を得
た。この場合、光導波路の幅ａは３μｍである。第８図
の結果および消光比の結果から、ｈ ／ ａの実用上の
適値は０．４７ ＞ｈ／ａｋｏ、１９ であると判断
された。
本発明によれば、消光比が大きく、挿入損失が小さく、
低電圧で駆動でき、かつ小型で、半導体レーザとの集積
化も可能となる光スイッチを提供できるので、安価、小
形、高性能かつ実用的な光回路や光情報伝送装置および
システムの実現が可能となるため、その社会的、経済的
効果は極めて大きいと云わざるを得ない。
低電圧で駆動でき、かつ小型で、半導体レーザとの集積
化も可能となる光スイッチを提供できるので、安価、小
形、高性能かつ実用的な光回路や光情報伝送装置および
システムの実現が可能となるため、その社会的、経済的
効果は極めて大きいと云わざるを得ない。
第１図は本発明の光スイッチの上面図および断セ←モも
示す旧でめり。 １．１’ 、３，３’・・・リッジ型光導波路、２・・
・結合部、４，５・・・電極、６・・・基板、７・・・
エピタキシー半導体層、１０・・・偶モード光の電界分
布、１１・・・奇モード光の電界分布、１２．１３・・
・偶モード光と奇モード光の干渉光の電界分布、１４・
・・Ａｊ！蒸着膜、２２・・・結合部２の内部の中央部
で電界が強く印加される部分、３２・・・結合部２の終
端部。 葛 １ 回 （ｃＬ） す） （０ン７２
図 （山） 第 ３ 図 ０１２３４．３６ ；肯二、１潰トシＬゴマ５〜Ｉ２閉隔 ＼へｌ（ルｔｆ
ｒシ）第 ４ 図 笛 ５回 （ａ） 晃 ６目 第 ７ 口 ん（と仇） 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特 許願 第１５７５００号発明の名称 光スイッチ 大 森 幸 衛 名称（５１０） 株式会社 日 立 製 作 所
電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正命令
の日付 昭和５９年１１月２７日補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄二補正の内容 １、 明細書の第２頁第２０行の記載を次のように補正
する。 ［る方法（中島他ｒＴｉ： ＬｉＮｂ０ による結合
層導波路を用いた双極電圧制御型光スイッチ」第４回集
積光技術および光ファイバ通償に関する国際会議〔昭和
５８年６月２７〜３０日、於東京〕予稿、第３６４〜３
６５頁、（Ｈ，ＮＡＫＡＪ ＩＭＡａｔａｌ、、“Ｂｉ
ｐｏｌａｒ ＶｏｌｔａｇｅＪ２、 明細書の第３頁第
６行に記載のｒ３６５）」を「３６５））」に補正する
。
示す旧でめり。 １．１’ 、３，３’・・・リッジ型光導波路、２・・
・結合部、４，５・・・電極、６・・・基板、７・・・
エピタキシー半導体層、１０・・・偶モード光の電界分
布、１１・・・奇モード光の電界分布、１２．１３・・
・偶モード光と奇モード光の干渉光の電界分布、１４・
・・Ａｊ！蒸着膜、２２・・・結合部２の内部の中央部
で電界が強く印加される部分、３２・・・結合部２の終
端部。 葛 １ 回 （ｃＬ） す） （０ン７２
図 （山） 第 ３ 図 ０１２３４．３６ ；肯二、１潰トシＬゴマ５〜Ｉ２閉隔 ＼へｌ（ルｔｆ
ｒシ）第 ４ 図 笛 ５回 （ａ） 晃 ６目 第 ７ 口 ん（と仇） 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特 許願 第１５７５００号発明の名称 光スイッチ 大 森 幸 衛 名称（５１０） 株式会社 日 立 製 作 所
電 話 東 京２１２−１１１１（大代表）補正命令
の日付 昭和５９年１１月２７日補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄二補正の内容 １、 明細書の第２頁第２０行の記載を次のように補正
する。 ［る方法（中島他ｒＴｉ： ＬｉＮｂ０ による結合
層導波路を用いた双極電圧制御型光スイッチ」第４回集
積光技術および光ファイバ通償に関する国際会議〔昭和
５８年６月２７〜３０日、於東京〕予稿、第３６４〜３
６５頁、（Ｈ，ＮＡＫＡＪ ＩＭＡａｔａｌ、、“Ｂｉ
ｐｏｌａｒ ＶｏｌｔａｇｅＪ２、 明細書の第３頁第
６行に記載のｒ３６５）」を「３６５））」に補正する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に２以上のリツジ型光導波路および該
導波路の結合部を有する光スイッチにおいて、該結合部
を、該リツジ型光導波路をほぼ平行に一体化して構成し
、この一体化した該光導波路部分の表面の一部または全
部および基板背面の一部または全部に電極を設け、該電
極に印加する電圧を制御して光の切換えを行うことを特
徴とする光スイッチ。 ２、上記半導体を化合物半導体とする特許請求の範囲第
１項記載の光スイッチ。 ３、上記化合物半導体をガリウム砒素（ＧａＡｓ）とす
る特許請求の範囲第２項記載の光スイッチ。 ４、上記半導体をＩｎＰとする特許請求の範囲第２項記
載の光スイッチ。 ５、上記結合部の近傍において上記２以上のリツジ型光
導波路が徐々に接近し、該光導波路の間隔の変化量が結
合部においてほぼ零となるように一体化した特許請求の
範囲第１項 記載の光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15750084A JPS6136726A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15750084A JPS6136726A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136726A true JPS6136726A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15651040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15750084A Pending JPS6136726A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136726A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
| JPS5448569A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo switch |
| JPS5498587A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light switch |
| JPS56165122A (en) * | 1980-05-24 | 1981-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Direct current drift preventing method in optical modulator and optical deflecting device |
| JPS57161837A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Nec Corp | Optical switching method |
| JPS5993431A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Fujitsu Ltd | 光スイツチ |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15750084A patent/JPS6136726A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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