JPS6136320B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリチツプのバブル転送
回路構成の改良に関する。

一般にある種の磁性材料、例えばオルソフエラ
イトや磁性ガーネツト等の単結晶はＣ軸方向にの
み磁化容易軸を有する強い一軸異方性をもつてい
る。このような材料をＣ軸に垂直な面をもつ薄膜
とした場合、外部から磁界を加えないときは第１
図ａに示すように上向きの磁化方向の磁区１と下
向きの磁区２とがほぼ等面積で縞状に交互に入り
交つた状態になつているが、この薄膜に第１図ｂ
の如く下向きのバイアス磁界Ｈ_Bを加えて行くと
上向きの磁区１は減り下向きの磁区２が広がつて
図のような状態を経て遂には第１図ｃに示すよう
に上向きの磁区は直径数μｍの小さな円柱状の磁
区３になる。この円柱状の磁区３を磁気バブルド
メインという。磁気バブルメモリ装置はこの磁気
バブルドメインが磁界により磁性薄膜内を自由に
動かすことができることを利用したもので、例え
ばガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）基板の上に液相エピタキシヤル成長法に
より磁性ガーネツトの薄膜を形成し、その上にパ
ーマロイ薄膜により第２図ａに示す如きテイーバ
ー、あるいは第２図ｂに示す如きハーフデイスク
などのパターンを行列させた伝播路を形成してお
き、磁気バブルのあるところを“１”、ないとこ
ろを“０”として情報を記憶するようになつてい
る。この記録用の伝播路の構成方式の中に第３図
に示す如きシリアルループ方式や第４図に示すブ
ロツクリプリケート方式がある。前者のシリアル
ループ方式は図に示す如くバブル発生器４により
バブルを発生させ、それを伝播路で形成した蓄積
ループ５に蓄積しておき、読み出すときには複写
器６によりバブルをコピーし、それを検出器７に
より読み出すように構成され、また後者のブロツ
クリプリケート方式はバブル発生器４にてバブル
を発生させ、それをトランスフアゲート８を通し
て複数個の蓄積ループ９に蓄積しておき、読み出
すときにはリプリケータゲート１０を介してバブ
ルを転送し、検出器７で読出しが行なわれるよう
に構成されている。このような回路構成において
は、書き込んだ情報を直ちにチエツクしたいと思
つても一旦情報蓄積ループに蓄積した後でなけれ
ば読み出しができないという欠点がある。本発明
はこの欠点を改良するために案出されたものであ
る。

このため本発明においては、強い一軸異方性を
もつ磁性材料からなる基板の上に薄膜金属にてパ
ターン形成された情報蓄積ループと、該ループに
バブル伝播路により接続されたバブル発生器と、
該情報蓄積ループに設けられた複写器からバブル
伝播路により接続された検出器とを含んで構成さ
れた磁気バブルメモリチツプにおいて、バブル発
生器の直後に新たに複写器を配置し、該複写器と
前記検出器をバブル伝播路により接続したことを
特徴とするものである。さらに新たに設けた複写
器から検出器に至るビツト数と、ワードビツト数
と、ゲートのON又はOFに要する時間に相当する
ビツト数との和が新たに設けた複写器から情報蓄
積ループの入口までのビツト数より小になるよう
に各伝播路を形成したことを特徴とするものであ
る。

以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき
詳細に説明する。

第５図に第１の実施例を示す。これはシリアル
ループ方式であつて符号４はバブル発生器、５は
情報蓄積ループ、６および１３は複写器、７は検
出器、１１は消去器である。そしてバブル発生器
４は伝播路１２により情報蓄積ループ５に接続さ
れており、この伝播路１２の途中には複写器１３
が設けられ、伝播路１４により検出器７に接続さ
れている。また情報蓄積ループ５の途中にも複写
器６が設けられ、この複写器６は伝播路１５によ
り検出器７に接続されている。

このように構成された本実施例は、情報に従つ
てバブル発生器４から発生したバブルが情報蓄積
ループ５に蓄積されると同時に、複写器１３によ
りコピーされたバブルが伝播路１４を径て検出器
７にて読み出される。このように入力された情報
は情報蓄積ループ５を通さずとも直接検出器７に
てチエツクすることが可能となる。

次に第２の実施例を第６図に示す。これはプロ
ツクリプリケート方式であつて、符号４はバブル
発生器、７は検出器、８はトランスフアゲート、
９は情報蓄積ループ、１０はリプリケータゲー
ト、１１は消去器、１８は複写器である。バブル
発生器４は伝播路１７およびトランスフアゲート
８を介して複数個の情報蓄積ループ９に接続さ
れ、伝播路１７の途中には複写器１８が設けられ
ている。こ複写器１８は伝播路１９により検出器
７に接続されている。さらに検出器７は伝播路２
０およびリプリケータゲート１０を介して複数個
の情報蓄積ループ９に接続している。

このように構成された本実施例は、前実施例と
同様に情報に従つてバブル発生器４から発生した
バブルがトランスフアゲート８を径て情報蓄積ル
ープ９に蓄積されると同時に、複写器１８によつ
てコピーされたバブルが伝播路１９を経て検出器
７により読み出される。

次に第３の実施例を第７図に示す。本実施例の
構成は第２の実施例と全く同様であり、各部の符
号も同様とする。本実施例の特徴は各伝播路の長
さを規定したことである。いま複写器１８の番地
をａ、検出器７の番地をｂ、トランスフアゲート
８の最後をＣ番地とすれば各伝播路の長さを次の
如くにする。

（ｂ―ａ）ビツト＋（ワードビツト数）
＋α＜（ｃ―ａ）ビツト 但しαはゲートのONあるいはOFFするために
要する時間をビツトに換算したものとする。

以上の如く構成された本実施例は、書き込まれ
た情報の１ワード分が複写器１８によりコピーさ
れ伝播路１９を経て検出器７で読み終えた後、つ
まり伝播路の長さ（ｂ―ａ）に１ワードの長さ
（ワードツト数）が検出器７を通りチエツクされ
た後、その書き込みが正しいと判断されたとき
は、情報の先頭ががまだトランスフアゲート８の
最後よりαだけ手前にいるため、その情報を情報
蓄積ループ９に入れるようにトランスフアゲート
８を開くように指示する時間的余裕がある。また
書き込みが正しくないと判断されたときはトラン
スフアゲート８を閉じたまま消去するように指示
し直ちに再書込を行なうように指示することがで
きる。

以上説明した如く本発明の磁気バブルメモリチ
ツプは書込まれた情報のチエツクを迅速に行なう
ことが可能であり、また各伝播路の長さを適当に
選ぶことにより、誤入力は情報蓄積ループへ入れ
ずに消去し直ちに再書き込みが可能をとなり、時
間的損失の軽減が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブル発生の原理図、第２図は磁
気バブル伝播パターンの平面図、第３図は磁気バ
ブルメモリチツプにおけるシリアルループ方式の
模式図、第４図はブロツクリプリケート方式の模
式図、第５図は本発明にかかる第１の実施例の磁
気バブルメモリチツプの模式図、第６図は第２の
実施例の模式図、第７図は第３の実施例の模式図
である。 ４…バブル発生器、５，９…情報蓄積ループ、
６，１３，１８…複写器、７…検出器、８…トラ
ンスフアゲート、１０…リプリケータゲート、１
１…消去器、１２，１４，１５，１７，１９，２
０…伝播路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 強い一軸異方性をもつ磁性材料からなる基板
   の上に薄膜金属にてパターン形成された情報蓄積
   ループと、該ループにバブル伝播路により接続さ
   れたバブル発生器と、該情報蓄積ループに設けら
   れた複写器からバブル伝播路により接続された検
   出器とを含んで構成された磁気バブルメモリチツ
   プにおいて、バブル発生器の直後に新たに複写器
   を配置し、該複写器と前記検出器をバブル伝播路
   により接続したことを特徴とする磁気バブルメモ
   リチツプ。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモ
   リチツプにおいて、新たに設けた複写器から検出
   器に至るビツト数と、ワードビツト数と、ゲート
   のON又はOFに要する時間に相当するビツト数と
   の和が、新たに設けた複写器から情報蓄積ループ
   の入口までのビツト数より小になるように各伝播
   路を形成したことを特徴とする磁気バブルメモリ
   チツプ。