JPS60226089A - ジユプリケーター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、非植え込みパターンを持った磁気バブル記憶
におけるシュプリケータ−及びこのようなシュブリケー
タ−を作り出す方法に関する。本発明は、またこのよう
なシュブリケータ−を少なくとも一つ有する磁気バブル
記憶に関する。

本発明は、さらに詳しくは、バブルと称する個々の磁区
の形で具体化された２進情報又はビットの記憶装置に適
用する。これらの一般に円筒状の磁区は、咳磁区が形成
される磁性体を構成する磁性体（ガーネット）の残余の
磁化の逆である所の磁化を有する。この記憶において、
磁気バブルの複写は個々のビットによって、又はビット
ブロックによって複写を行うことを可能にする。

非磁性単結晶性ガーネットによって支持された磁性ガー
ネットフィルムのごとき単結晶性磁気層においては、磁
区又は磁気バブルは磁気層の平面に垂直なｄ、ｃ、　ｌ
ｉ場Ｈ，の適用によって安定である。事実上、この磁場
は永久磁石によって生じ、かくして、記憶に含まれた情
報の非揮散性を確実にする。

磁気バブル記憶においては、バブルの位置の置き換えは
磁気層表面に平行な方向においてロータリーｄ、ｃ、磁
場Ｈ７を適用することによって引き起こされる。バブル
は磁気層の上部に形成された所謂伝播パターンの周りに
置き換えられる。

千円形、ひし形、三角形、Ｔ形等の形におけるこれらの
パターンは、鉄及びニッケルに基づく物質から作ること
ができ、或いは磁気層の上部にイオンを植え込むことに
よって得ることができ、マスクを通してこれらのパター
ンの形状を形成することが可能である。後者の場合にお
いては、植え込みはパターンの周りでのみ行われる事実
から、後者は非植え込みパターンと呼ばれる。伝播パタ
ーンは一般に隣接しており、それらの形状の結果として
、二つの隣接パターンはそれらの間に二つの凹みを形成
する。

該パターンに沿ってのバブルの位置の置き換えは平面磁
場Ｈｔの循環サイクルの３分の１に等しい時間の間行わ
れ、バブルはサイクルの残りの時間ウニつの隣接の間に
形成された凹みに固定されたまま残る。これらの凹みは
所謂安定位置を構成する。シフトレジスターが形成され
、そこにおいて、ビット１はバブルの存在によって表さ
れ、ビット０はバブルの不存在によって表される。

これらの伝播パターンの外に、バブル記憶において書き
入れ、情報記入、非破壊読み出し、レジスター−レジス
ター転送及び削除作用を行うためには導電材料を使用す
ることが必要である。

（従来の技術） 主要なタイプの周知のバブル記憶の一つは、記憶に対す
るアクセスステーションを構成する所謂大ループ又はレ
ジスターの一つ又は二つと結合した、情報の記憶装置に
使用される所謂ループ又はレジスターのシステムから成
る。小ループは隣接して縦方向に配列されるが、一方、
大ループは小ループに垂直方向に配置される。磁気バブ
ルは小ループに置かれ、大ループに転送されることがで
きる。逆の場合にも、一方向又は二方向転送ゲイト又は
ボートによって、同じことが言える。

単一の小ループが使用される時は、情報の読み出し及び
書き入れは該単一ループによって行われる。最初の場合
、大−小組織を有する記憶が参照される。しかしながら
、二つの大ループが使用される時は、情報の書き入れは
これら二つのループの一つによって行われ、情報の読み
出しは他のループによって行われる。これらの大ループ
は一般に小ループのいずれかのサイドに置かれる。後者
の場合（２ループ）、一般に連続−平行組織を有する記
憶が参照される。

上記のバブル記憶においては、情報の書き入れに対応し
ての大ループ上のバブルの生成は、一般にＵ形導体に大
ループを形成する伝播パターンを通るところの高電流を
適用することによって行われる。一般に核発生として知
られているこの操作は、バブルが二つの隣接するパター
ンの間に形成された凹みにある時打われる。

バブルを大ループから小ループに転送するためには、核
発生に続いて、このバブルは、ロータリー磁場ＨＴの適
用によって、大ループに、転送ゲートに伝播される。こ
れらの転送ゲートは一般に小ループを形成するパターン
を通るＵ形導体によって構成される。該導体えの、電流
パルスの適用は大ループの伝播パターンのトップと小ル
ープに対応するそれらとの間の各バブルを延長すること
を可能ならしめ、次に電流パルスの停止は小ループ上の
バブルを収縮に至らしめる。それから転送が完了する。

かくして、情報は小ループに貯蔵される。

この情報の読み出しは磁気バブルを小ループから大ルー
プに転送することによって行われ、該読み出しは破壊さ
れる。磁気バブルは、一般に鉄及びニッケルに基づく磁
気抵抗性検出器によって破壊的に検出されることができ
るように、大ループの検出通路に転送される。読み出し
中に情報が失われないためには、磁気バブルを複写する
ことが必要である。娘バブルは磁気抵抗性検出器に転送
されることができ、母バブルは小ループにおける原バブ
ルによって占められていた位置に再入射される。

米国特許第４，２５３，１５９号（Ｉｏｎ　ｉｍｐｌａ
ｎｔｅｄｂｕｂｂｌｅ　＋ｎｅｍｏｒｙ　ｗｉｔｈ　ｒ
ｅｐｌｉｃａｔｅ　ｐｏｒｔ″）に一つの複写方法が記
載されている。この特許は単−大ループと非植え込み伝
播パターンを使用している。

この特許によれば、磁気バブルは小ループから大ループ
に転送される。次に電流パルスが適用される導体によっ
て大ループ上で複写が行われる。このことは、大ループ
の二つのサイドによって形成された二つの平行な伝播通
路のいずれかのサイドでバブルを延伸に至らしめ、続い
て該バブルを二つに分割するに至らしめる。次に、これ
らのバブルの一つは磁気抵抗性検出器への検出通路に転
送され、他のバブルは原バブルによって占められていた
位置において小ループ中に再入射される。伝播パターン
として非植え込みパターンを有し、上記米国特許に記載
のごとき構造と操作を有する磁気バブル記憶はビンドー
パイービニル複写に対応するバブルの複写を行うことを
可能ならしめるのみである。これらの記憶はビットの群
またはブロックの複写を行うことはできない。

この読み出し方法は少なくとも二つの欠点がある。第１
の欠点は、情報の読み出しが、読み出されるべきバブル
の複写は別として、該バブルの小ループから大ループへ
の転送及び次に複写に続いて、予め占められて位置にお
いての該バブルの小ループ中への再入射を要すると言う
事実に起因する。さらに、複写が正確に行われることが
できるためには、電流パルスにとって、ロータリー磁場
Ｈｙの位相に関して極めて精確方時間において延長導体
に適用されることが必要である。この電流パルス上の位
相余裕は極めて小さい。

同じ複写方法を利用する今一つのシュブリケータ−構造
が知られている。複写されるべきバブルは最初に小ルー
プから大ループに転送され、次に大ループと他の伝播通
路との間に複写される。この複写は、二つの導体、即ち
大ループと他の伝播通路との間に置かれた延長導体とこ
の延長導体に垂直な電流導体とによって行われる。大ル
ープ上に残るバブルは検出器に供給され、他の伝播通路
上で生成されたバブルは小ループに戻される。

上記の米国特許におけるごとく、この複写方法は小ルー
プと大読み出しループとの間をビットブロックによって
複写を簡単に行うことができるとは思えない。さらに、
延長及び破壊電流パルス間の位相余裕、及びロータリー
磁場Ｈｔは非常に小さく、約９０ｎｓで、該複写を事実
上困難ならしめている。

その構造がピットブロックによる複写を行うことのでき
る非植え込みパターンを有する磁気バブル記憶もまた周
知である。

１９８３年９月、ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
　ＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ５゜Ｖｏｌ、　Ｍ＾Ｇ−１９
，Ｎｏ、５に発表された論文　Ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄｃ
ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　４μｍ　ｐｅｒ
ｉｏｄ　ｔｏｎ−ｉｎ＋ｐｌａｎｔｅｄｂｕｂｂｌｅ　
ｄｅｖｉｃｅｓ　ｗｉｔｈ　＋ｎａｊｏｒ　１ｉｎｅ　
ｂｌｏｃｋ　ｒｅｐｌｉ−ｃａｔｅ　ｇａｔｅ　”は、
鉄−ニッケルパターンが各小ループと大ループの間に置
かれたこのような非植え込みパターン記憶を記載してい
る。読み出しは三つの段階で行われる。即ち、 一小ループ上のバブルの他の鉄−ニッケルパターンへの
転写。

一電流パルスを鉄−ニッケルパターンをカバーしている
導体に適用することによる複写。

−バブルの大ループへの転写及び他のループの小ループ
中への再入射。

この論文に記載されたタイプの構造及び作用を　・有す
る記憶は読み出されるべきバブルの二重の転写を要する
不利益がある。これに、非植え込みパターンと鉄−ニッ
ケルパターンを有する記憶の複雑な構造を加えねばなら
ない。

１９８２年１１月、ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ　ＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ３゜Ｖｏｌ、　ＭＡＧ−１
８，Ｎｏ、６に発表された論文　Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆａ
　ｂｌｏｃｋ　ｒｅｐｌ’１ｃａｔｅ　ｇａｔｅ　ｆｏ
ｒ　ｔｏｎ−ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　ｂｕｂ−ｂｌｅ　ｄ
ｅｖｉｃｅｓ　”は、読み出されるべきバブルが複写の
前後に転送する必要のなく直接複写されるバブル記憶を
記載している。小ループの末端と大ループの安定位置と
の間に小ループの軸に沿って延長導体が配置されている
。また、破壊手段が小ループと大ループとの間に導体に
垂直に配置されている。この破壊手段は、高度のイオン
植え込みによって局部的に無定形にすることによって、
又は非植え込みパターンによって形成された常磁性棒か
ら成る。第１図は該方法による非植え込みパターンを有
するバブル記憶における複写の説明図である。

第１図には、小ループ２、大ループ４、延長導体６及び
破壊手段７が示されている。小ループ２は品位比軸１１
２に沿って配列された一連の非植え込みパターン１０か
ら成る。大ループ４は小ループ２の軸に垂直な方向に配
列された同じ性質同じ性質の非植え込みパターン１０か
ら成る。これらの非植え込みパターンは磁性体の層に生
成される。次に延長導体６は該層の上に生成される。

この延長導体６は一般にＵ形で、小ループ２の軸の上に
中心がある。延長導体６の基礎部は小ループ２の末端の
近くに位置し、大ループ４のところまで延長している。

破壊手段７は四角形またはＶ形で、延長導体６の軸の上
に中心がある。

小ループ２のバブルは、該バブルが導体６の基礎部に小
ループ２の末端がある時、延長導体６にパルスを適用す
ることによって複写される。この電流パルスは大ループ
４までバブルを延長する。

このバブルの破壊は、その存在が磁場を生じる破壊手段
７によって助けられる。かくして、小ループ上のバブル
はこれを転送する必要なしに複写される。

しかしながら、破壊又は分割が行われるためには、バブ
ルが延長した時延長導体に収縮を適用することが必要で
ある。このパルスの継続時間はバブルの破壊を防止する
ためには約５０ｎｓ　より小さくなければならない。電
子的見地からは、この短い継続時間を達成することは困
難である。

ロータリー磁場でのバブルの置き換えを第２図ａ　％　
ｄによって説明する。但しここには延長導体は示されて
いない。これらの図の各々には対応する小ループ及び大
ループ並びに矢印で示したロータリー磁場Ｈアの位相が
示されている。

第２図ａにおいて、バブル１２は実質的に小ループ２の
末端にある。第２図すにおいて、バブル１２は該末端に
達し、延長導体に電流パルスを適用することによって延
長される。破壊手段の存在はバブルの破壊又は分割を助
け、延長導体における収縮パルスの結果、バブルは最終
的に複写される。第２図Ｃ及びｄは、小ループ２上の原
バブル１２の動き及び大ループ４上の複写バブル１４の
動きを説明する。

バブルの安定位置、即ちバブルがロータリー磁場ＨＴの
期間Ｔの大部分（例えばＴ／２以上）の間固定して残る
ことのできる位置は、二つの連続する非植え込みパター
ンの接合点に置かれた凹みによって構成されることが知
られている。二つの連続する凹みの間で、バブルは、ロ
ータリー磁場Ｈ１の作用下で連続的に置き換えられる。

かくして、小ループ２のバブル１２は、第２図すに示さ
れる態様において延長及び破壊又は分割される時、非安
定位置にある。従って、複写が正確に行われるだめには
、延長及び収縮電流パルスは非常に短く、そして非常に
良く同時化されねばならない。

従って、ロータリー磁場Ｈ７に関してのこれら二つのパ
ルス上の位相誤差は極めて小さい。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、非植え込みパターンを持った磁気バブ
ル記憶に対し延長導体及び破壊導体を取り入れ、該延長
パルス及び破壊パルスについての位相拘束が苛酷性の小
さいシュプリケータ−を提供することである。さらに、
バブルの破壊は延長とは無関係の態様で行われ、複写の
良好な制御が得られる。その結果、複写の確実性が改良
され良好な条件下で行われる。

（問題、点を解決するための手段） さらに詳しくは、本発明は、磁性体の易磁化に対する平
面結晶軸に沿って一列に並べられた第１群の非植え込み
パターンによって形成された第１伝播通路及び第１群の
パターンの軸に関して横切る位置の軸に沿って一列に並
べられた第２群の非植え込みパターンによって形成され
た第２伝播通路に従ってロータリー磁場Ｈアを適用する
ことによって磁気バブルが置き換えられることのできる
磁性体層から成る磁気バブル記憶におけるシュプリケー
タ−において、該第１群のパターンの末端パターンと該
第２群のパターンとの間に延長導体−が置かれているこ
と、該二つのパターン群の間に延長導体に関して横切る
位置に破壊導体が置かれていること、該第１群のパター
ンの末端パターンの配置は第１伝播通路上の複写位置が
安定位置であること、及び第２伝播通路上の複写された
バブルの受け位置が安定位置であることを特徴とするシ
ュプリケータ−に関する。

このシュプリケータ−は、バブル記憶の二つのランダム
な伝播通路の間に磁気バブルを複写するために使用する
ことができる。この通路は、特に大読み出しループ及び
小ループであることができる。

本発明のシュプリケータ−の特徴に依れば、植え込み域
は第２群のパターンに面する末端パターンにおいて形成
される。

本発明のシュプリケータ−の他の特徴に依れば、植え込
み域は、また末端パターンの中心に形成され、第１群の
パターンの軸上に中心のある植え込みギャップは、該植
え込みパターンに結合している。

本発明のシュプリケータ−の今一つの特徴に依れば、植
え込みギャップは、延長導体の軸において第２群のパタ
ーンの二つのパターンの間に形成される。

本発明は、また一つの電流パルスが延長導体に適用され
、一つの電流パルスが破壊導体に適用され、延長パルス
は破壊パルスの前に始まり、延長パルスは、位相及び持
続期間に関して、バブルが複写位置に固定している時間
と一致する複写方法に関する。

本発明の複写方法の特徴に依れば、破壊パルスは延長パ
ルスの終わりの前に始まる。

本発明の複写方法の他の特徴に依れば、破壊パルスは延
長パルスの終わりの前に終わる。

さらに、本発明は、磁性体の易磁化に対する平面結晶軸
に沿って並べられた多数の小ループと称する第１群の非
植え込みパターン；小ループに垂直に配置された大きな
書き入れループと称する第２群の非植え込みパターン；
該書き入れループ上にバブルを発生するための手段；書
き入れループからのビットを各小ループにブロック転送
するための手段；小ループに垂直に配置された大きな読
み出しループと称する第３群の非植え込みパターン；該
読み出しループ上のバブルを検出するための手段；及び
読み出しループにおける各小ループのピントのブロック
式複写のための手段から成る非植え込みパターンを持っ
た磁気バブル記憶に関する。

次に、本発明を図面によつてさらに具体的に説明する。

第３図は、そのパターンが品位比軸１１２に沿って並べ
られた小ループ２、大ループ４、延長導体６及び破壊導
体８を示す。

例えばＵ形の延長導体６は、小ループ２の軸上に中心が
ある。その末端の一つは小ループ２の末端パターン１６
を覆い、また大ループ４を通っている。破壊導体８は延
長導体６と交差し、一般にこれと垂直である。

本発明に依れば、小ループ２の非植え込み末端パターン
１６は、バブルの複写位置が安定位置であるごとき配置
を有する。

図の場合、これは、大ループ４に面する末端パターン１
６のその部分における非植え込み域１８によって理解さ
れる。この特定の配置の結果、複写位置は、二つの連続
する非植え込みパターンの接合点に置かれた凹み２０と
丁度同じ位に安定である。

複写位置が安定位置である結果として得られた時間から
利益を得るためには、大ループ上の対応する位置もまた
安定位置でなければならない。このことは、大ループ４
の二つの非植え込みパターン２４０間に非植え込みギャ
ップ２２を作ることによって得られる。このギャップは
、周知の態様において、二つの伝播通路を結合すること
を可能にする。この場合においては、通路Ｃ３は小ルー
プ２に沿った矢印によって表され、通路Ｃ２は大ループ
４に沿った矢印によって表されている。

大ループ４は読み出しループである。小ループ２の複写
バブル、又は大ループ４の通路Ｃ２から来るバブルは、
伝播通路Ｃ１によって、図面には示してない検出器、例
えば磁気抵抗検出器に転送される。

第４図ａ〜ｈによって、小ループのバブルの複写を説明
する。これらの図においては、磁気バブル位置が矢印で
表されたロータリー磁場ＨＴの位相の関数として示され
る。

第４図ａ及びｂにおいて、磁気バブル２６は小ループ２
の末端パターン１６に沿って動く。第４図ｃ、ｄ及びｅ
において、バブルは末端パターン１６の非植え込み域１
８によって構成された複写位置に固定されている。

バブルは安定位置にある間、小ループ２と大ループ４と
の間にバブルを延長するために、電流パルスがずに示さ
れていない延長導体に適用される。

この延長したバブルは第４図ｄに２８で示されている。

バブルが延長している間、延長したバブル２８を破壊又
は分割して、第４図ｅに示すごとき複写をもたらすため
、電流パルスが図に示されていない破壊導体に適用され
る。

二つの磁気バブル（小ループ２上の母バブル及び大ルー
プ４上の娘バブル）の各々は、第４図ｆ、ｇ及びｈに示
される態様において、ロータリー磁場Ｈ１の位相の関数
として動く。

小ループ上の複写位置における磁気バブルの安定性は、
周知の装置におけるよりも、ロータリー磁場Ｈ１に関し
て、延長及び破壊パルスに対しより良好な位相余裕をゆ
うすることを可能ならしめる。

第５図は、延長電流パルス１．及び破壊電流パルス■６
をロータリー磁場Ｈｔの位相の関数として説明する時間
調整図である。矢印は第４図におけると同じ意味を有す
る。

延長パルス１．は複写位置におけるバブルの安定期間中
存在する。しかしながら、これは不可欠ではなく、延長
パルス■。の巾は、不利益を被ることなしに、減少され
る。しかしながら、好ましくは、この延長パルスＩ８は
、ロータリー磁場ＨＴの位相がゼロの場合（第４図ｄ）
の時間の中心にある。

本発明に依れば、延長導体が活性化される時、破壊パル
スＩＣが始まる。好ましくは、この破壊パルスは延長パ
ルスの出発前に終わる。このパルスは、好ましくは、ロ
ータリー磁場ＨＴの位相がゼロの時（第４図ｄ）、存在
する。

かくして、小ループの複写位置の安定性の結果として、
電流パルス■。及びＩＣは、ロータリー磁場Ｈ７の位相
と比較して著しい位相の広さをもって発生されることが
できる。このことは複写をより容易により確実にするこ
とができる。

延長導体における大きい振幅の電流パルスは第３図に示
された小ループの末端パターン１６の複写位置において
バブルの核発生を起こしがちであることは周知である。

第６図は、良好なパルス振幅操作余裕を得ることを可能
にする該末端パターンの構造的変形を示す。

この末端パターン３０の形は、植え込み域１８によって
構成された複写位置において、バブルの核発生をより困
難にする。この末端パターン３０は、中心植え込み域３
２と線域３２を線域１８に結合する植え込みギャップ３
４を有する。大ループ４の二つの非植え込みパターン２
４の間に形成された植え込みギャップ２２　（第３図）
に一致する植え込みギャップ３４は、バブルの核発生を
より困難にする。

第７図は、その複写ゲート又はポートが本発明を有利に
することができるバブル記憶の説明図である。

従来の方法において、このバブル記憶は、記憶の５磁比
軸１１２に従って配置されたｎ個の小ループ２１．２□
−ｍ−２７を有する。この記憶バブルは、またバブルを
発生するための手投３８に結合した大書き入れ３６から
成る。例えばＵ形導体によって形成された転送ゲート４
０は、バブルを大ループ３６から小ループに転送するこ
とを可能にする。これらの転送ゲートは連続して相互に
結合されることができ、かくして、パルス発生器４２に
よる転送パルスの適用の結果として、バブルを大ループ
３６から小ループの各々に同時に転送することを可能に
する。

好ましくは、記憶は、また検出器４４に結合された、し
ばしば磁気抵抗型である大読み出しループから成る。小
ループのバブルの読み出しは、前記のごとく、シュプリ
ケータ−４６を経て行われる。これらのシュプリケータ
−の各々は、第３図に関して記載したごとく、小ループ
と大読み出しループ４０間に置かれた、例えばＵ形延長
導体６及び破壊導体８から成る。

これらのシュプリケータ−の各々の導体は、有利には連
続して結合され゛ることができ、従って、延長パルス発
生器４８及び破壊パルス発生器５０を経て、大読み出し
ループ４における小ループの複写位置において各バブル
を同時に複写することが可能である。

【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図は、従来技術の方法に依る非植え込み
パターンを有するバブル記憶における磁気バブルの複写
の説明図である。 第３図は、本発明のシュプリケータ−を構成する小ルー
プの一末端、大ループ及び延長及び破壊導体の説明図で
ある。 第４図は、第３図のシュプリケータ−の操作の説明図で
ある。 第５図は、本発明のシュプリケータ−に依る磁気バブル
の複写に対する延長及び破壊電流パルスの時間調整説明
図である。 第６図は、小ループの末端パターンの構造的変形を示す
図である。 第７図は、シュプリケータ−が二つの導体を有する連続
−平行型の非植え込みパターンを有するバブル記憶の構
造の説明図である。 特許出願人　コミソサリアー・ア・レネルジー・アトミ
ク

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性体の易磁化に対する平面結晶軸に沿って一列に
   並べられた第１群の非植え込みパターンによって形成さ
   れた第１伝播通路及び第１群のパターンの軸に関して横
   切る位置の軸に沿って一列に並べられた第２群の非植え
   込みパターンによって形成された第２伝播通路に従って
   ロータリー磁場ＨＴを適用することによって磁気バブル
   が位置を変えられることのできる磁性体層から成る磁気
   バブル記憶におけるシュプリケータ−において、該第１
   群のパターンの末端パターンと該第２群のパターンとの
   間に延長導体が置かれていること、二つの該パターン群
   の間に延長導体に関して横切る位置に破壊導体が置かれ
   ていること、該第１群のパターンの末端パターンの配置
   は第１伝播通路上の複写位置が安定位置であること、及
   び第２伝播通路上の複写されたバブルの受け位置が安定
   位置であることを特徴とするシュプリケータ−０２、一
   つの植え込み域が第２群の非植え込みパターンに面する
   末端パターンに形成されている第１項のシュプリケータ
   −６ ３、一つの中心植え込み域が末端パターンの中心に形成
   されており、第１群のパターンの軸上の中心にある植え
   込みギャップが該植え込み域と関連している第２項のシ
   ュプリケータ−０ ４、一つの植え込みギャップが延長導体の軸における第
   ２群のパターンの二つのパターンの間に形成されている
   第１項のシュプリケータ−９５、一つの電流パルスが延
   長導体に適用され、一つの電流パルスが破壊導体に適用
   され、延長パルスは破壊パルスの前に始まり、延長パル
   スは、位相及び継続期間に関して、バブルが複写位置に
   固定している時間と一致する第１項のシュプリケータ−
   を実現するための複写方法。 ６、破壊パルスは延長パルスの終わる前に始まる第５項
   の複写方法。 ７、破壊パルスは延長パルスの始まる前に終わる第６項
   の複写方法。 ８．磁性体の品位化に対する平面結晶軸に沿って一列に
   並べられた多数の小ループと称する第１群の非植え込み
   パターン； 小ループに垂直に配置された大書き入れループと称する
   第２群の非植え込みパターン；該書き入れループ上にバ
   ブルを発生するための手段； 該書き入れループからのビットを各小ループにブロック
   転送するための手段； 小ループに垂直に配置された大きな読み出しループと称
   する第３群の非植え込みパターン；該読み出しループ上
   のバブルの検出器；及び該読み出しループにおける各小
   ループに対するビットのブロック式複写のための手段 から成り、該複写手段は多数の第１項のシュプリケータ
   −を有することを特徴とする非植え込みパターンを持っ
   た磁気バブル記憶。 ９、該複写手段は延長導体及び破壊導体に電流パルスを
   供給するためのパルス発生器から成り、延長パルスは破
   壊パルスの前に始まり、そして、位相及び持続期間に関
   して、バブルが複写位置に固定している時間と一致する
   第８項の非植え込みパターンを持った磁気バブル記憶。