JPS6136133A - 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPS6136133A JPS6136133A JP15968984A JP15968984A JPS6136133A JP S6136133 A JPS6136133 A JP S6136133A JP 15968984 A JP15968984 A JP 15968984A JP 15968984 A JP15968984 A JP 15968984A JP S6136133 A JPS6136133 A JP S6136133A
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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- C03B2207/06—Concentric circular ports
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は伝送損失の改良された光ファイバ用ガラス母材
の製造方法に関するものであり、特に光が伝搬するコア
とクラッドの境界面およびクラッドの一部において屈折
率のイレギュラー （不規則な変化）がない低損失の正
規分布型シングルモード光ファイバ用ガラス母材の製造
方法に関する。
の製造方法に関するものであり、特に光が伝搬するコア
とクラッドの境界面およびクラッドの一部において屈折
率のイレギュラー （不規則な変化）がない低損失の正
規分布型シングルモード光ファイバ用ガラス母材の製造
方法に関する。
（従来の技術）
光ファイバに関し伝送損失をもたらす原因としては種々
の吸収損失、散乱損失があり、こうした伝送損失を改良
することならびに屈折率のイレギュラーを改良すること
は、高性能光ファイバを得るうえからきわめて重要な課
題であり、光ファイバの構造設計、製造技術等の観点か
ら多くの研究が行われている。
の吸収損失、散乱損失があり、こうした伝送損失を改良
することならびに屈折率のイレギュラーを改良すること
は、高性能光ファイバを得るうえからきわめて重要な課
題であり、光ファイバの構造設計、製造技術等の観点か
ら多くの研究が行われている。
従来、光ファイバ用ガラス母材の製法として、中心棒の
周りに酸水素バーナによりガラス原料ガス（Ｂｚａｔ、
等）を火炎加水分解することにより生成するガラス微粒
子を何層にも堆積させ、中心棒を引抜いた後溶融透明化
する方法（外付けＯＶＤ法）が知られている。この方法
においては一層毎のガラス（シリカ）の付着が十分強固
であることが必要であるため強力な火炎を使用するので
あるが、各層間でドープ剤の濃度に大きな変動のあるこ
とが指摘されており、屈折率のイレギュラーという欠点
がある。他方ガラス管内にガラス原料ガスを流し高温に
加熱することにより管内壁に化学蒸着させる方法（内付
けＯＶＤ法）においてもイレギュラーの問題がある。
周りに酸水素バーナによりガラス原料ガス（Ｂｚａｔ、
等）を火炎加水分解することにより生成するガラス微粒
子を何層にも堆積させ、中心棒を引抜いた後溶融透明化
する方法（外付けＯＶＤ法）が知られている。この方法
においては一層毎のガラス（シリカ）の付着が十分強固
であることが必要であるため強力な火炎を使用するので
あるが、各層間でドープ剤の濃度に大きな変動のあるこ
とが指摘されており、屈折率のイレギュラーという欠点
がある。他方ガラス管内にガラス原料ガスを流し高温に
加熱することにより管内壁に化学蒸着させる方法（内付
けＯＶＤ法）においてもイレギュラーの問題がある。
上記したＯＶＤ法に対し、回転するターゲツト棒の先端
に、高温ガス中で５ｉＯｔ４等の原料から生成されたガ
ラス微粒子を吹き付けることにより軸方向に堆積させス
ート層を形成する方法（ＶＡＤ法）が開発され、量産性
の向上がはかられた。
に、高温ガス中で５ｉＯｔ４等の原料から生成されたガ
ラス微粒子を吹き付けることにより軸方向に堆積させス
ート層を形成する方法（ＶＡＤ法）が開発され、量産性
の向上がはかられた。
しかしこの方法においてはコア層およびタララド層の形
成に当って、まず第一のバーナでコアスート層を形成し
次にそのコアスート層を−たん溶融透明化するかまたは
スートの上（二直接第二のバーナによってクラッドスー
ト層を形成する方法が採光 られたり、あるいはまたシングルモード光フイバ製造の
ときのように複数本のバーナが用いられるが、これらの
場合に各層間（境界層）で大きなイレギュラーが生じ、
伝送損失がもたらされるという問題がある。
成に当って、まず第一のバーナでコアスート層を形成し
次にそのコアスート層を−たん溶融透明化するかまたは
スートの上（二直接第二のバーナによってクラッドスー
ト層を形成する方法が採光 られたり、あるいはまたシングルモード光フイバ製造の
ときのように複数本のバーナが用いられるが、これらの
場合に各層間（境界層）で大きなイレギュラーが生じ、
伝送損失がもたらされるという問題がある。
（発明の構成）
本発明者らはかかる技術的課題に対し鋭意研究を重ねた
結果、条件を設定すること１′−より一本の同心多重管
バーナで、ドープ剤を含むコアスート層とドープ剤を実
質的に含まないクラッドスート層を同時に堆積生長させ
ることが可能となること、およびこれから本質的Ｃ＝層
間の屈折率イレギュラーがない伝送損失の顕著に改良さ
れた光ファイバが得られることを確認し本発明を完成し
た。
結果、条件を設定すること１′−より一本の同心多重管
バーナで、ドープ剤を含むコアスート層とドープ剤を実
質的に含まないクラッドスート層を同時に堆積生長させ
ることが可能となること、およびこれから本質的Ｃ＝層
間の屈折率イレギュラーがない伝送損失の顕著に改良さ
れた光ファイバが得られることを確認し本発明を完成し
た。
すなわち本発明は一本の同心多重管バーナより形成され
る酸水素炎の中ｌ二、ガラス形成原料化合物とドープ剤
とからなる均一組成の原料ガスを該バーナの一本の中心
ノズルから噴出せしめて火炎加水分解し、この火炎加水
分解で形成されるガラス微粒子が堆積される堆積面と該
バーナ出口端面との距離を５０ＩＩｆｆｌＳｌＪ上に維
持しながら、生成ガラス微粒子を回転しているターゲッ
トの先端に吹き付け軸方向に堆積生長させることにより
、ドープ剤を含むコアスート層とドープ剤を実質的に含
まないクラッドスート層とを同時に形成し、溶融透明化
することを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方
法に関するものである。
る酸水素炎の中ｌ二、ガラス形成原料化合物とドープ剤
とからなる均一組成の原料ガスを該バーナの一本の中心
ノズルから噴出せしめて火炎加水分解し、この火炎加水
分解で形成されるガラス微粒子が堆積される堆積面と該
バーナ出口端面との距離を５０ＩＩｆｆｌＳｌＪ上に維
持しながら、生成ガラス微粒子を回転しているターゲッ
トの先端に吹き付け軸方向に堆積生長させることにより
、ドープ剤を含むコアスート層とドープ剤を実質的に含
まないクラッドスート層とを同時に形成し、溶融透明化
することを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方
法に関するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明は基本的にはガラス形成原料ガスを酸水素炎中で
加熱反応（火炎加水分解）させることによりガラス微粒
子を発生させ、これを回転機構のついているターゲット
の先端に吹き付け軸方向に堆積生長させ、堆積量に応じ
て移動させ円柱状のガラススート （多孔質体）をつく
り、つぎにとのスートを溶融透明化することにより光フ
ァイバ用ガラス母材を得るＶＡＤ法技術と関連するもの
であるが、次の事項が重要な要件とされる。
加熱反応（火炎加水分解）させることによりガラス微粒
子を発生させ、これを回転機構のついているターゲット
の先端に吹き付け軸方向に堆積生長させ、堆積量に応じ
て移動させ円柱状のガラススート （多孔質体）をつく
り、つぎにとのスートを溶融透明化することにより光フ
ァイバ用ガラス母材を得るＶＡＤ法技術と関連するもの
であるが、次の事項が重要な要件とされる。
（１）一本の同心多重管バーナで操作する（従来のＶＡ
Ｄ法Ｃ二おいてシングルモード光ファイバを作る場合に
はバーナが２本またはそれ以上用いることが必須であっ
た）。バーナな２本以上用いると炎の干渉による温度分
布やガスの流れなどが境界層で不連続となりこの結果屈
折率イレギュラーを解消することができない。
Ｄ法Ｃ二おいてシングルモード光ファイバを作る場合に
はバーナが２本またはそれ以上用いることが必須であっ
た）。バーナな２本以上用いると炎の干渉による温度分
布やガスの流れなどが境界層で不連続となりこの結果屈
折率イレギュラーを解消することができない。
（２） ガラス形成原料ガスは、ガラス形成原料化合
物とドープ剤とを均一組成に混合した状態で該バーナの
一本の中心ノズルから噴出させる。
物とドープ剤とを均一組成に混合した状態で該バーナの
一本の中心ノズルから噴出させる。
ガラス形成原料化合物とドープ剤とを均一混合せずに別
々のノズルから噴出させると、屈折率イレギュラーが生
じスムーズなプロファイルをした正規分布型シングルモ
ード光ファイバ用ガラス母材を得ることができない。
々のノズルから噴出させると、屈折率イレギュラーが生
じスムーズなプロファイルをした正規分布型シングルモ
ード光ファイバ用ガラス母材を得ることができない。
（３）バーナ出口端面と生成ガラス微粒子を堆積させる
堆積面との距離を５０ｍ！以上に維持する。
堆積面との距離を５０ｍ！以上に維持する。
この距離が短かすぎると、ドープ剤を実質的に含まない
クラッド層の形成が困難となり、正規分布型シングルモ
ード光ファイバ用ガラス母材を得ることができない。
クラッド層の形成が困難となり、正規分布型シングルモ
ード光ファイバ用ガラス母材を得ることができない。
（４）上記した（］）〜（３）の条件のもとに、火炎加
水分解で形成されるガラス微粒子を軸方向に堆積生長さ
せることにより、ドープ剤を含むコアスート層とドープ
剤を実質的に含まないクラッドスート層とを同時に形成
する。
水分解で形成されるガラス微粒子を軸方向に堆積生長さ
せることにより、ドープ剤を含むコアスート層とドープ
剤を実質的に含まないクラッドスート層とを同時に形成
する。
この上うＣ二して製造された多孔質ガラス母材は、適宜
ハロゲンガス等により高温で脱水処理を施した後加熱１
：より溶融透明化する。このものは軸方向と直角の切断
面についてＸ線マイクロアナライザで調べると、ドープ
剤を含むコア層とドープ剤を実質的に含まないクラッド
層が形成されており、かつ全面にわたって屈折率イレギ
ュラーが全く無いことが確認される。
ハロゲンガス等により高温で脱水処理を施した後加熱１
：より溶融透明化する。このものは軸方向と直角の切断
面についてＸ線マイクロアナライザで調べると、ドープ
剤を含むコア層とドープ剤を実質的に含まないクラッド
層が形成されており、かつ全面にわたって屈折率イレギ
ュラーが全く無いことが確認される。
屈折率およびコア径の測定からクラツド径が設計値に達
していない分は、上記溶融透明化の前または後で外付け
ＣＶＤ法等によりガラス微粒子を所定量付着させるかま
たは透明化した後石英ガラス管をかぶせて溶融一体化す
ることにより、所望のシングルモード光ファイバ用母材
（プリフォーム）が得られる。なお、正規分布型の屈折
率分布をもつ母材の実質コア径は最大屈折率の半値幅に
よって近似的に示される。
していない分は、上記溶融透明化の前または後で外付け
ＣＶＤ法等によりガラス微粒子を所定量付着させるかま
たは透明化した後石英ガラス管をかぶせて溶融一体化す
ることにより、所望のシングルモード光ファイバ用母材
（プリフォーム）が得られる。なお、正規分布型の屈折
率分布をもつ母材の実質コア径は最大屈折率の半値幅に
よって近似的に示される。
本発明の実施に使用されるガラス形成原料化合物として
は、精製されたけい素化合物たとえば５ｉａｔ４ 、
ＨＢｉＯｌ ％ ＯＨＳ １０ Ｚ ｓ 、Ｓｉ（
ＯＲ’） 、Ｒ” ８１（ＯＲ１）３ （式中）Ｒ
”。
は、精製されたけい素化合物たとえば５ｉａｔ４ 、
ＨＢｉＯｌ ％ ＯＨＳ １０ Ｚ ｓ 、Ｓｉ（
ＯＲ’） 、Ｒ” ８１（ＯＲ１）３ （式中）Ｒ
”。
Ｒ″は同種または異種の一価炭化水素基）があげられる
。ドープ剤は火炎中焼結、脱水反応等により濃度変化を
受けるもので、光ファイバ用としてはＧｅ、Ｐ、Ｂ 、
Ｆ の化合物が例示されるが、特にＧｅのハロゲン化物
、アルコキシ化物等が好ましい。
。ドープ剤は火炎中焼結、脱水反応等により濃度変化を
受けるもので、光ファイバ用としてはＧｅ、Ｐ、Ｂ 、
Ｆ の化合物が例示されるが、特にＧｅのハロゲン化物
、アルコキシ化物等が好ましい。
ガラス形成原料化合物とドープ剤はそれぞれ別のバブラ
ー（ガス化装置）からキャリアーガスにより所定量を計
量して搬送し少なくともバーナの出口では完全−二混合
された均一組成のものとしてバーナのノズル（一本のノ
ズル）のみから噴出させ、この噴出原料ガスを酸水素炎
で囲む（包む）ような形で火炎加水分解させる。
ー（ガス化装置）からキャリアーガスにより所定量を計
量して搬送し少なくともバーナの出口では完全−二混合
された均一組成のものとしてバーナのノズル（一本のノ
ズル）のみから噴出させ、この噴出原料ガスを酸水素炎
で囲む（包む）ような形で火炎加水分解させる。
ガラス形成原料化合物およびドープ剤の混合ガス流体は
火炎中で反応し、反応ゾーンは時間と共に炎の内部に向
けて進行する。すなわち混合原料ガスは火炎中でバーナ
から離れているほど中心部まで反応が進行しドープ剤を
含まない層が増加していくがバーナ出口端面から少なく
とも５０ｍｍ以上離して標的（堆積面）に付着堆積させ
てガラススートとなしこのものを溶融透明化すると、実
質的に必要なドープ剤を含んでいないクラッド層が形成
されるが、バーナ出口端面と堆積面との距離が短かすぎ
るとドープ剤を含まないクラッド層の形成が少なく同時
合成で必要なりラッド層の形成が困難となる。なお、該
距離を１５０〜３００■にも離した場合にはクラッド層
が大きくなりすぎコア層となるべき中心部にもドープ剤
がほとんど存在しなくなるので、この距離は５０〜１５
０ａａの範囲とすることが望ましい。ドープ剤を実質的
に含まない外周クラッド層の厚さは原料ガスの噴出速度
やバーナの噴出径にも依存するので、これらの点につい
ても最適条件を設定することが望ましい。
火炎中で反応し、反応ゾーンは時間と共に炎の内部に向
けて進行する。すなわち混合原料ガスは火炎中でバーナ
から離れているほど中心部まで反応が進行しドープ剤を
含まない層が増加していくがバーナ出口端面から少なく
とも５０ｍｍ以上離して標的（堆積面）に付着堆積させ
てガラススートとなしこのものを溶融透明化すると、実
質的に必要なドープ剤を含んでいないクラッド層が形成
されるが、バーナ出口端面と堆積面との距離が短かすぎ
るとドープ剤を含まないクラッド層の形成が少なく同時
合成で必要なりラッド層の形成が困難となる。なお、該
距離を１５０〜３００■にも離した場合にはクラッド層
が大きくなりすぎコア層となるべき中心部にもドープ剤
がほとんど存在しなくなるので、この距離は５０〜１５
０ａａの範囲とすることが望ましい。ドープ剤を実質的
に含まない外周クラッド層の厚さは原料ガスの噴出速度
やバーナの噴出径にも依存するので、これらの点につい
ても最適条件を設定することが望ましい。
ガラス微粒子を軸方向に堆積生長させて得た多孔質ガラ
ス母材は、ハロゲンガス雰囲気の中で脱水化処理し高温
で溶融透明化する。この透明化母材はプリフォームアナ
ライザ等により長平方向について屈折率、実質コア径、
実質クラツド径を測定し、クラッド層の不足分をさらに
外周Ｉニクラツド層を追加形成する。この追加クラッド
層は石英ガラス管をかぶせるロッドインチューブ法が簡
便であるが、外付けＣＶＤ法により計算量のガラス微粒
子を堆積させる方が界面による散乱拙失を少なくするう
えから適している。この堆積クラッド層は脱水処理し溶
融透明化して光ファイバ用ガラス母材（プリフォーム）
とする。
ス母材は、ハロゲンガス雰囲気の中で脱水化処理し高温
で溶融透明化する。この透明化母材はプリフォームアナ
ライザ等により長平方向について屈折率、実質コア径、
実質クラツド径を測定し、クラッド層の不足分をさらに
外周Ｉニクラツド層を追加形成する。この追加クラッド
層は石英ガラス管をかぶせるロッドインチューブ法が簡
便であるが、外付けＣＶＤ法により計算量のガラス微粒
子を堆積させる方が界面による散乱拙失を少なくするう
えから適している。この堆積クラッド層は脱水処理し溶
融透明化して光ファイバ用ガラス母材（プリフォーム）
とする。
このプリフォームを線引きし、コーティングすることに
よりコア層とクラッド層からなる光ファイバが得られる
。
よりコア層とクラッド層からなる光ファイバが得られる
。
つぎに実施例をあげる。
実施例 １
蒸留により精製した５ｉＣ６４、Ｇｅ０１４ 、ＰＯＣ
ｌ２を別々のガラス製バブラーに入れて各々の温度を２
５℃、４℃、４℃Ｃ：保った。キャリアーガスとしてア
ルゴンをバブラー内に通しバブリングさせることにより
それぞれガス化させた。これらの均一混合ガス体を同心
四重管バーナの中心ノズル口に供給した（ただ１２それ
ぞれのバブラーにおけるアルゴンガスの流量を、 ５ｉＯｔ４のバブラー ０．６）７分（）
ｅ ＯＬ ４のバブラー ０．２８ノ／分ｐｏ
ａｚ３のバブラー ０．１１７Ｊ／分とした）。
ｌ２を別々のガラス製バブラーに入れて各々の温度を２
５℃、４℃、４℃Ｃ：保った。キャリアーガスとしてア
ルゴンをバブラー内に通しバブリングさせることにより
それぞれガス化させた。これらの均一混合ガス体を同心
四重管バーナの中心ノズル口に供給した（ただ１２それ
ぞれのバブラーにおけるアルゴンガスの流量を、 ５ｉＯｔ４のバブラー ０．６）７分（）
ｅ ＯＬ ４のバブラー ０．２８ノ／分ｐｏ
ａｚ３のバブラー ０．１１７Ｊ／分とした）。
またバーナの他のノズルにＨ，３，４Ｊｌ１分。
０□８．４７／分の割合で供給して酸水素炎を形成し、
中心ノズル口から噴出される均一混合原料ガスをこの酸
水素炎中で火炎加水分解反応させた。
中心ノズル口から噴出される均一混合原料ガスをこの酸
水素炎中で火炎加水分解反応させた。
この反応により形成されるガラス微粒子を、回転引上機
構の下端ｌ二とりつけた石英棒に下側から吹き付け、軸
方向１：堆積生長させることにより円柱状のガラススー
トを製造した。
構の下端ｌ二とりつけた石英棒に下側から吹き付け、軸
方向１：堆積生長させることにより円柱状のガラススー
トを製造した。
この際バーナ出目端面とガラス微粒子堆積面との距離を
（１）２０ｍｍ、（２） ３０ ｍ＋ｎ、または（３）
５０ｍｍとした。
（１）２０ｍｍ、（２） ３０ ｍ＋ｎ、または（３）
５０ｍｍとした。
生長速度 ２．５ ｔｒｒｍ ／分平均堆積速
度 ３０．５１−／ｈｒ大きさく直径）７０．２ｍ
ｍ 重 さ １１０？見かけ密度
０．０９？／ｍ 距離を前記（１）、（２）または（３）として得た各堆
積ガラススートを１６００℃の炉内に入れ、Ｈθガラス
通じながら溶融透明化した。これらのガラス母材を５ｃ
ｍの厚さに輪切りにし、片面を研磨洗浄後島津製作所製
のＸ線マイクロアナライザでＧ ｅ Ｏｚの濃度分布を
調べたところ、結果はそれぞれ第１図に示すとおりであ
った。
度 ３０．５１−／ｈｒ大きさく直径）７０．２ｍ
ｍ 重 さ １１０？見かけ密度
０．０９？／ｍ 距離を前記（１）、（２）または（３）として得た各堆
積ガラススートを１６００℃の炉内に入れ、Ｈθガラス
通じながら溶融透明化した。これらのガラス母材を５ｃ
ｍの厚さに輪切りにし、片面を研磨洗浄後島津製作所製
のＸ線マイクロアナライザでＧ ｅ Ｏｚの濃度分布を
調べたところ、結果はそれぞれ第１図に示すとおりであ
った。
これらの結果から本発明の目的を達成するためには前記
距離を５０ｍｍ以上にすることが重要であることがわか
る。
距離を５０ｍｍ以上にすることが重要であることがわか
る。
実施例２
実施例１において、距離を５０口から７０ｍｍ。
９０ｍｍ、１２０鵬と大きくしたほかは同様にしてガラ
ス微粒子を堆積させ、透明ガラス母材を得てＧｅＯ□の
濃変分布を調べた。結果は１１２図に示すとおりであり
、距離の増加と共ｌニクラツド層は厚くなるが、 Ｇ
ｅ Ｏ２濃度が低ぐなり、コア層とクラッド層との屈折
率差は小さくなる。
ス微粒子を堆積させ、透明ガラス母材を得てＧｅＯ□の
濃変分布を調べた。結果は１１２図に示すとおりであり
、距離の増加と共ｌニクラツド層は厚くなるが、 Ｇ
ｅ Ｏ２濃度が低ぐなり、コア層とクラッド層との屈折
率差は小さくなる。
第２図Ｃ：おいてそれぞれの曲線についてｒ （母材径
）とａ （実効コア径）の比を調べると下記のとおりで
ある。
）とａ （実効コア径）の比を調べると下記のとおりで
ある。
曲線慮 距 離 ａ ／ ｒ
（４１５０ｍｍ Ｏ，５６
（５） ７０ ａｌｏ、 ４２（６）
９０ ｍｒｎ Ｏ，２８（力
１２０ＩｎＩｎ ０．１９以上の結果から
、実効コア径は母材径に対して０．１５〜０．６０の範
囲が適当である。
９０ ｍｒｎ Ｏ，２８（力
１２０ＩｎＩｎ ０．１９以上の結果から
、実効コア径は母材径に対して０．１５〜０．６０の範
囲が適当である。
実施例３
実施例１において、原料ガスとしてＰＯＣｌ３を使用せ
ず、同条件でバブリングさせた５ｉＯ１４とＧ ｅ Ｏ
Ｚ ４との均一混合ガス体を使用したほかは同様の操作
で円柱状のガラススートを製造した。ただしこの場合に
バーナ出口端面とガラス微粒子堆積面との距離を８０ｍ
として堆積生長させた。得られたガラススートは６２ｍ
ｍφ、生長速度２８．２ｆ／ｈｒ、ｉｉさ１１０）であ
った。これをｏｚ。
ず、同条件でバブリングさせた５ｉＯ１４とＧ ｅ Ｏ
Ｚ ４との均一混合ガス体を使用したほかは同様の操作
で円柱状のガラススートを製造した。ただしこの場合に
バーナ出口端面とガラス微粒子堆積面との距離を８０ｍ
として堆積生長させた。得られたガラススートは６２ｍ
ｍφ、生長速度２８．２ｆ／ｈｒ、ｉｉさ１１０）であ
った。これをｏｚ。
０．２モル％含むＨｅガス中で１６００℃に加熱して脱
水処理、溶融透明化した。このようにして得たガラス母
材は第３図Ａに示すとおりの屈折率プロファイルであり
、クラッド層はコア径の２．４５倍すなわちクラツド径
に対する実効コア径比０．２９であった。
水処理、溶融透明化した。このようにして得たガラス母
材は第３図Ａに示すとおりの屈折率プロファイルであり
、クラッド層はコア径の２．４５倍すなわちクラツド径
に対する実効コア径比０．２９であった。
なお、２本のバーナな使用する従来の方法すなわち１本
のバーナでコア層を形成し次に他のバーナでクラッド層
を形成することにより製造したガラス母材の屈折率プロ
ファイルは第３図Ｂに、また２本のバーナを使用する点
では第３図Ｂの場合と同じであるができるだけイレギュ
ラーが少なくなるように細心の注意を払って製造したガ
ラス母材の屈折率プロファイルは第３図Ｃにそれぞれ示
すとおりであった。
のバーナでコア層を形成し次に他のバーナでクラッド層
を形成することにより製造したガラス母材の屈折率プロ
ファイルは第３図Ｂに、また２本のバーナを使用する点
では第３図Ｂの場合と同じであるができるだけイレギュ
ラーが少なくなるように細心の注意を払って製造したガ
ラス母材の屈折率プロファイルは第３図Ｃにそれぞれ示
すとおりであった。
他方シングルモード光ファイバを作るために、第３図Ａ
のガラス母材に外付けＯＶＤ法によりガラス微粒子を堆
積し、１６００℃で脱水処理、溶融透明化を行って、実
効コア径の８．８倍のインゴットを作り、さらにこのも
のにヘラウス社のスブラジルＷＧ管をジャケットし、プ
リフォームな製造した。これを２０００℃の線引炉を用
いて外径１２５μに線引し、シリコーン樹脂をコーティ
ングして光ファイバを得た。この光ファイバの伝送特性
は下記のとおりであり低い損失を示した。
のガラス母材に外付けＯＶＤ法によりガラス微粒子を堆
積し、１６００℃で脱水処理、溶融透明化を行って、実
効コア径の８．８倍のインゴットを作り、さらにこのも
のにヘラウス社のスブラジルＷＧ管をジャケットし、プ
リフォームな製造した。これを２０００℃の線引炉を用
いて外径１２５μに線引し、シリコーン樹脂をコーティ
ングして光ファイバを得た。この光ファイバの伝送特性
は下記のとおりであり低い損失を示した。
実質屈折率差 ：０．２６８％
伝送損失 ： ０．３３６Ｂ／ｋｍ（１，３μｍ
）伝送損失 ： ０．１６６Ｂ／ｋｍ（１，５５
μｍＪ
）伝送損失 ： ０．１６６Ｂ／ｋｍ（１，５５
μｍＪ
１１１図、第２図および第３図はそれぞれ実施例１、実
施例２および実施例３の結果を示したものである。
施例２および実施例３の結果を示したものである。
Claims (1)
- １、一本の同心多重管バーナより形成される酸水素炎の
中に、ガラス形成原料化合物とドープ剤とからなる均一
組成の原料ガスを該バーナの一本の中心ノズルから噴出
せしめて火炎加水分解し、バーナ出口端面と堆積面との
距離を５０ｍｍ以上に維持しながら、該火炎加水分解で
形成されるガラス微粒子を回転しているターゲットの先
端に吹き付け軸方向に堆積生長させることにより、ドー
プ剤を含むコアスート層とドープ剤を実質的に含まない
クラツドスート層とを同時に形成し、溶融透明化するこ
とを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15968984A JPS6136133A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15968984A JPS6136133A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136133A true JPS6136133A (ja) | 1986-02-20 |
| JPH0154288B2 JPH0154288B2 (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=15699166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15968984A Granted JPS6136133A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265141A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15968984A patent/JPS6136133A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265141A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0154288B2 (ja) | 1989-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |