JPS6134841A - 高真空電子顕微鏡 - Google Patents

高真空電子顕微鏡

Info

Publication number
JPS6134841A
JPS6134841A JP15533684A JP15533684A JPS6134841A JP S6134841 A JPS6134841 A JP S6134841A JP 15533684 A JP15533684 A JP 15533684A JP 15533684 A JP15533684 A JP 15533684A JP S6134841 A JPS6134841 A JP S6134841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
high vacuum
insulator
sample
electron microscope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15533684A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Matsui
功 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP15533684A priority Critical patent/JPS6134841A/ja
Publication of JPS6134841A publication Critical patent/JPS6134841A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は試料近傍の装着部品の加熱脱ガスに係り、特に
対物レンズの加熱に好適な加熱脱ガス方法に係る。
〔発明の背景〕
従来、電子顕微鏡における試料近傍の構成材からのハイ
ドロカーボン系あるいは水蒸気等の試料への付着による
試料汚染、試料損傷を少なくする手段としては、日本電
子ニュースVoA21.N。
5によるドライポンプによる差動排気系とその真空特性
と題する文献において論じられている。これにおいては
試料汚染防止装置を試料周囲に設け、試料に飛来する、
凝縮性ガスを最少にすることをのべている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、電子顕微鏡等の試料近傍の真空を良質
の状態に確保するための、脱ガス機能と試料汚染防止機
能を兼ね併せた装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
電子顕微鏡試料近傍の真空の状態は確実につかみにくい
が、コンタミネーションをいかに無くすか重要な問題と
なっている。加熱焼出しは実際にレンズコイルの電流を
用勝て間接的には行われてはいるが、真空中と云うこと
で、積極的に効率良く加熱焼出しする手段は実用化され
ていないのが現状である。従来から用いられている液体
窒素等を用いた冷却トラップによる凝縮ガスをトラップ
させる手段と加熱手段を兼ね備えた装置を提供すること
にある。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を第1図にょシ説明する。
伺従来装置の説明は第2図の従来装置の例を用いて説明
する。従来電子顕微鏡において試料へのコンタミネーシ
ョンを低減する方法として、第2図の対物レンズコイル
2の電力を使用し磁路1.15の温度上昇を用い、対物
レンズの上下磁極6.8を加熱し、吸着ガス成分あるい
は水分を除去することは一般に実施されている。上記方
法で対物レンズの温度を上昇させる最高温度はレンズコ
イル2の制限からせいぜい70〜80℃が限度であシ、
充分な脱ガス操作は行えないのが現状である。このため
第2図17に示す冷却トラップを液体窒素等で冷却し、
凝縮ガス、水分等をトラップさせ、試料への汚染を防止
するのが普通性われている。
このようにレンズコイルの電力を用いて加熱する方法は
、十分な温度まで上昇させることが出来ず、脱ガスには
不十分なものである。
第1図に示す本発明の一実施例においては、対物レンズ
磁極6.8を一体化するスペーサー7の周囲に絶縁体1
3の内側に線条の導体を構成し、ヒーター14として動
作させる。絶縁体13の外側には例えば銅をコーティン
グさせる。上記の構成によれば加熱手段と冷却剤による
試料汚染防止導体12とを同時装着することが可能とな
る。絶縁体13の材質としては例えばセラミックス等を
用いる。セラミックス表面にヒーターを形成することは
一般に行われておシ、銅のコーティングは蒸着等の操作
で充分実装は可能である。対物レンズの温度は120℃
〜150℃程度まで上昇させ、この間排気系で連続排気
させながら焼出し操作が行われる。十分焼出しが行われ
た後は、ヒーター加熱電力の供給をストップさせ、全体
が常温になるまで排気を続行させる。電子顕微鏡を透過
像観察に用いる場合は、上記の脱ガス程度でほとんど試
料汚染、試料損傷等の問題が起らない程の清浄″な真空
に保つことは可能である。表面分析等の微少部へ電子線
を照射する場合等更に清浄な高真空を保つ場合は、試料
汚染防止板12を液体窒素温度まで冷却し、凝縮ガス、
水分等をドラッグさせて清浄な高真空状態を保つことが
可能である。
本実施例によれば、対物レンズ焼出し手段と試料汚染防
止手段を絶縁体を介して一体化装着することが出来、効
率良く清浄な真空を保つこと、試料近傍の対物レンズの
周囲を加熱ヒータで温度を上げることが可能であシ、脱
ガス操作を効率良〈実施可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、対物レンズの極く近接して焼出し機構
が装着されたので、焼出し温度を120′C〜150℃
まで短時間に上昇させることは簡単に行える。また上記
焼出し手段と液体窒素等の冷媒による試料汚染防止板ヒ
ータと同時装着可能となる。したがって高真空内に露出
する部品の表面積は別個に装着した場合の1/2に低減
することカ出来る。上記の結果ハイドロカーボン系、水
分等試料へ9〜哩影響を及ばず凝縮ガスの残留成分の
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す高真空電子顕微鏡対物
レンズ近傍を示す断面図、第2図は従来装置を示す断面
図である。 1・・・磁路、2・・・レンズコイル、3・・・ボルト
、4・・・スペーサー材′X 5・・・レンズ押え、6
・・・対物レンズ上磁極、7・・・レンズスペーサー、
8・・・対物V:iX下磁極、9・・・試料、10・・
・リード線、11・・・端子、12・・・試料汚染防止
導体、13・・・絶縁体、14・・・・代理人 弁理士
 高橋明夫 第  1  口 第 2 口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、真空中に装着した電子レンズの試料装着部の周囲を
    とり囲む如く加熱手段を設けると共に、絶縁物質を介し
    て反対面は金属良導体を構成し、加熱手段と冷媒による
    凝縮性ガスを捕集する手段を同時に備えたことを特徴と
    する高真空電子顕微鏡。
JP15533684A 1984-07-27 1984-07-27 高真空電子顕微鏡 Pending JPS6134841A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15533684A JPS6134841A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 高真空電子顕微鏡

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15533684A JPS6134841A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 高真空電子顕微鏡

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6134841A true JPS6134841A (ja) 1986-02-19

Family

ID=15603661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15533684A Pending JPS6134841A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 高真空電子顕微鏡

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6134841A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017016818A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 日本電子株式会社 電子顕微鏡

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017016818A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 日本電子株式会社 電子顕微鏡

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4983255A (en) Process for removing metallic ions from items made of glass or ceramic materials
JP2694668B2 (ja) 基板保持装置
JPH0529448A (ja) 排気方法
US4306515A (en) Vacuum-deposition apparatus
JPS6134841A (ja) 高真空電子顕微鏡
JP3926103B2 (ja) 冷却ホルダ並びに走査電子顕微鏡
JPS58102521A (ja) 半導体装置の製造方法
US2060663A (en) Processing graphite
JPH0772340B2 (ja) 真空蒸着装置
JP2008283143A (ja) 処理装置、トランジスタ製造方法
JPS6258137B2 (ja)
JPS63100746A (ja) Ic素子における配線接続方法及びその装置
JPS6236546A (ja) 分析装置
JP2558273B2 (ja) 表面クリ−ニング方法
JP3949304B2 (ja) スパッタリング処理方法と装置
US3325307A (en) Method of forming superconductive niobium films
JPH05208118A (ja) 蒸気からの析出物を剥ぎとり易くする方法
US20220162737A1 (en) Systems and methods for in-situ etching prior to physical vapor deposition in the same chamber
US3481778A (en) Method of forming a superconducting metallic film
JP2878118B2 (ja) チタン表面への銅被覆方法
US3436256A (en) Method of forming a superconducting metallic film
JP3260245B2 (ja) 半導体ウエーハの熱処理炉及び半導体ウエーハの熱処理方法
EP2757572A1 (en) Sample heating holder for electron beam microscopes or analyzers, and sample heating method using the same
KR20010021277A (ko) 구리증착을 위해 구성된 챔버를 세정하기 위한 방법 및 장치
JP2913666B2 (ja) 試料保持装置